一種雙極性oled磷光主體材料以及包含該材料的發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種OLED材料，其特征在于，以螺[芴?9,9’?氧雜蒽]和苯基膦氧結(jié)構(gòu)為核心，并且結(jié)構(gòu)通式為：其中Ar1和Ar2獨(dú)立地選自氫以及包含雜原子的多環(huán)芳族基團(tuán)，并且Ar1和Ar2不同時(shí)為氫。本發(fā)明還提供了一種制備所述OLED材料的方法。本發(fā)明還提供了一種包含所述OLED材料作為發(fā)光層的主體材料的發(fā)光器件。本發(fā)明所公開的化合物結(jié)構(gòu)具有良好的傳輸空穴和電子的雙極傳輸特性，具有較高的載流子傳輸能力，同時(shí)可有效提高分子的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和熱分解溫度，對(duì)進(jìn)一步提高器件的壽命有極大的好處，所制備的器件能夠有效的提升外量子效率、功率效率和電流效率。
【專利說明】
一種雙極性O(shè)LED磷光主體材料以及包含該材料的發(fā)光器件
技術(shù)領(lǐng)域
[00011本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，更特別地，涉及一種0LED材料以及包含該材料的 發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0002] 機(jī)電致發(fā)光具有超薄、自發(fā)光、視角寬、響應(yīng)快、發(fā)光效率高、驅(qū)動(dòng)電壓低、能耗低 等優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)激子從激發(fā)單重態(tài)或激發(fā)三重態(tài)輻射躍迀回到基態(tài)的發(fā)光過程，電致發(fā)光分 為電致熒光和電致磷光兩種。受到自旋統(tǒng)計(jì)限制，在激子的形成過程中，單重態(tài)激子和三重 態(tài)激子的比例為1:3。熒光材料因?yàn)槿貞B(tài)激子自旋禁阻作用，只能利用單重態(tài)激子到基態(tài) 的輻射躍迀，導(dǎo)致電致熒光的內(nèi)量子效率被限制在25%以內(nèi)。電致磷光中的重金屬磷光材 料通過系間竄越（ISC)能同時(shí)俘獲單線態(tài)和三線態(tài)的激子，內(nèi)量子效率理論上達(dá)到100%， 突破了傳統(tǒng)熒光材料內(nèi)量子效率不超過25 %的限制。但磷光重金屬材料有較長(zhǎng)的壽命(微 秒級(jí)），可能導(dǎo)致三線態(tài)-三線態(tài)湮滅和濃度淬滅等不良影響，從而引起器件性能衰減，因此 通常將重金屬磷光材料摻雜到合適的主體材料中。良好的主體材料具有以下設(shè)計(jì)要求：（i) 主體材料的三線態(tài)能級(jí)應(yīng)該高于磷光客體，以抑制從客體到主體的三線態(tài)能量倒流，從而 將三線態(tài)激子限制在發(fā)光層內(nèi)；（ii)主體材料的HOMO能級(jí)與LUM0能級(jí)應(yīng)該與相鄰的載流子 傳輸層能級(jí)匹配，以減少空穴和電子注入勢(shì)皇，降低器件的驅(qū)動(dòng)電壓，此外，主體的HOMO和 LUM0能級(jí)寬度大于磷光客體材料，有利于主體到客體的能量轉(zhuǎn)移以及載流子在磷光客體上 的直接俘獲；（iii)主體材料應(yīng)具有較高的載流子傳輸速率以及平衡的載流子傳輸性能，以 利于器件中空穴和電子電流的平衡以及獲得較寬的載流子復(fù)合區(qū)域；（iv)主體材料應(yīng)當(dāng)具 有良好的熱穩(wěn)定性和成膜性，以利于在熱真空蒸鍍過程中形成穩(wěn)定、均一的薄膜，減少相分 離，保持器件的穩(wěn)定性。
[0003] 傳統(tǒng)的主體材料通常只具有單一載流子傳輸性質(zhì)，當(dāng)用空穴傳輸型主體或電子傳 輸型主體時(shí)，激子的復(fù)合區(qū)域通?？拷l(fā)光層與電子傳輸層或空穴傳輸層的界面。窄的激 子復(fù)合區(qū)域會(huì)導(dǎo)致三線態(tài)-三線態(tài)的湮滅加速，尤其在高電壓下使器件效率迅速下降。分子 結(jié)構(gòu)中既含有電子給體單元又含有電子受體單元的雙極傳輸主體，同時(shí)具有空穴和電子傳 輸能力，有利于發(fā)光層中的電荷平衡。雙極傳輸主體的引入，可拓寬激子復(fù)合區(qū)域，簡(jiǎn)化器 件結(jié)構(gòu)，提高器件效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明針對(duì)上述技術(shù)問題，提供了一種雙極性傳輸型有機(jī)電致發(fā)光主體材料，其 以螺[芴_9,9'_氧雜蒽]和苯基膦氧結(jié)構(gòu)為核心，并且結(jié)構(gòu)通式為：
[0006] ArjPAr2獨(dú)立地選自氫以及包含雜原子的多環(huán)芳族基團(tuán)，并且ArjPAr2不同時(shí)為 氫。
[0007] 優(yōu)選地，所述雜原子為N、0、S中的一種或多種。
[0008] 優(yōu)選地，所述包含雜原子的多環(huán)芳族基團(tuán)選自：
[0011]優(yōu)選地，所述材料的結(jié)構(gòu)式選自：


[0015] 本發(fā)明還提供了一種制備上述的0LED材料的方法，包括以下步驟：
[0016] 1)在溶劑甲苯中，催化劑醋酸鈀、催化劑配體三叔丁基膦四氟硼酸鹽和縛酸劑碳 酸鉀的存在下，以3,6_二溴氧雜蒽酮或3-溴氧雜蒽酮為原料，用含雜原子的多環(huán)芳族基團(tuán) 取代所述3,6_二溴氧雜蒽酮的3位和6位的溴或取代所述3-溴氧雜蒽酮的3位的溴，反應(yīng)式 如下：
[0018] 2)在溶劑四氫呋喃中，使步驟1)得到的產(chǎn)物與2，2 二溴聯(lián)苯反應(yīng)，得到螺[芴-9， 9'-氧雜蒽]結(jié)構(gòu)：
[0020] 3)使步驟2)得到的產(chǎn)物依次與正丁基鋰、二苯基氯化膦反應(yīng)得到所述0LED材料：
[0022 ]本發(fā)明還提供了 一種發(fā)光器件，其包含上述0LED材料作為發(fā)光層的主體材料。
[0023] 優(yōu)選地，所述發(fā)光器件由ΙΤ0導(dǎo)電玻璃襯底101、空穴注入層102、空穴傳輸層103、 發(fā)光層104、電子傳輸層105、電子注入層106和陰極層107依次堆疊而成，其中所述發(fā)光層 104中包含所述0LED材料作為發(fā)光層的主體材料。
[0024] 本發(fā)明的有益效果是：
[0025] 本發(fā)明提供了一種雙極傳輸型有機(jī)電致發(fā)光主體材料及其應(yīng)用，并提供了該類材 料的制備方法，以該材料作為主體材料制作的有機(jī)電致發(fā)光器件(例如綠色OLED器件），展 示了較好的效能，其特點(diǎn)在于：
[0026] 1.本發(fā)明所公開的化合物結(jié)構(gòu)既含有具有空穴傳輸性能的螺[芴_9,9'_氧雜蒽] 結(jié)構(gòu)又包含具有電子傳輸性能的苯基膦氧結(jié)構(gòu)，具有良好的傳輸空穴和電子的雙極傳輸特 性，具有較高的載流子傳輸能力。
[0027] 2.本發(fā)明所公開的化合物結(jié)構(gòu)包含螺[芴_9,9'_氧雜蒽]結(jié)構(gòu)，該螺環(huán)結(jié)構(gòu)具有較 大的二面角，可有效降低分子間有序堆積導(dǎo)致的磷光淬滅，螺環(huán)結(jié)構(gòu)的分子剛性特征，可有 效提高分子的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和熱分解溫度，化合物的穩(wěn)定性高，對(duì)進(jìn)一步提高器件的壽 命有極大的好處。
[0028] 3.本發(fā)明所公開的化合物具有較高的單線態(tài)和三線態(tài)能級(jí)，進(jìn)一步可作為綠光主 體材料使用。應(yīng)用本發(fā)明的有機(jī)化合物作為主體材料，制備的器件能夠有效的提升外量子 效率、功率效率和電流效率。
【附圖說明】
[0029] 圖1為本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的示意圖。
[0030] 附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下：
[0031] 101、ΙΤ0導(dǎo)電玻璃襯底，102、空穴注入層，103、空穴傳輸層，104、發(fā)光層，105、電子 傳輸層，106、電子注入層，107、陰極層。
【具體實(shí)施方式】
[0032]以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明， 并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0033]實(shí)施例1化合物C02的制備
[0035] 1)在氮?dú)獗Ｗo(hù)下，將原料3,6-二溴氧雜蒽酮（1 · 77g，5mmol)、吩噁嗪（2 · 02g， 1 lmmol)和150mL甲苯加入250mL三口瓶中，然后投入催化劑醋酸鈀(0.022g，0. lmmol)和催 化劑配體三叔丁基膦四氟硼酸鹽(0.0588,0.2111111〇1)，縛酸劑碳酸鉀（2.078，15111111〇1)。體系 升溫至回流攪拌10小時(shí)，自然降溫至20-25Γ后加入50mL水淬滅反應(yīng)，分液，除去溶劑，將粗 品用甲苯結(jié)晶，得到2.23g中間體C02-a，收率79.9 %。
[0036] 高分辨質(zhì)譜，ESI源，正離子模式，分子式C37H22N2O4，理論值558.1580，測(cè)試值 558.1576。元素分析（(：37112：^2〇4)，理論值(： ：79.56，!1:3.97氺：5.02,0:11.46，實(shí)測(cè)值(： ： 79·56，Η:3·96，Ν:5·03,0:11·46。
[0037] 2)氮?dú)獗Ｗo(hù)下，在250mL三口瓶中加入2，2 ' -二溴聯(lián)苯（1.37g，4.4mmol)和60mL四 氫呋喃，置于低溫浴中降溫至_78°C，滴加正丁基鋰(0.3以，4.84111111 〇1)，-78°(：反應(yīng)2小時(shí)。將 中間體C02-a(2.23g，4mmol)溶于20mL四氫呋喃并滴入上述反應(yīng)體系，-78°C反應(yīng)2小時(shí)。自 然升溫至0-5 °C后加入30mL稀鹽酸淬滅反應(yīng)，分液，除去溶劑得到2.81g粗品，收率88.7 %。 將2.81 g粗品加入1 OOmL三口瓶中并加入35mL乙酸和0.5mL 36 % (wt % )濃鹽酸，110 °C回流 反應(yīng)2.5小時(shí)，自然降溫至20-25 °C后，抽濾，收集濾餅，得到2 . 13g中間體C02-b，收率 77.6%〇
[0038] 高分辨質(zhì)譜，ESI源，正離子模式，分子式C49H29N2〇3，理論值772 . 1362，測(cè)試值 772.1361。元素分析（C49H29N2〇3)，理論值 C: 76.07，H: 3.78，Br :10.33，N: 3.62，0:6.20,實(shí)測(cè) 值C:76.06，H:3.79，Br:10.33，N:3.61，0:6·21。
[0039] 3)在氮?dú)獗Ｗo(hù)下，將中間體0)2-13(2.138,2.75臟〇1)和4〇1^四氫呋喃加入10〇1^三 口瓶中，置于低溫浴中降溫至_78°C，滴加正丁基鋰(0.194g，3.025mmol)，-78°C反應(yīng)2小時(shí)。 將二苯基氯化膦(0.67g，3.025mmol)溶于10mL四氫呋喃并滴入上述反應(yīng)體系，-78°C反應(yīng)2 小時(shí)。自然升溫至〇_5°C后加入10mL 10%(wt%)稀鹽酸淬滅反應(yīng)，分液，除去溶劑得到 2.05g粗品，收率85%。將2.058粗品加入10〇!1^三口瓶中并加入3511^二氯甲烷，滴加511^ 36 % (wt % )雙氧水，25-30°C反應(yīng)10小時(shí)，除去溶劑，甲苯結(jié)晶，得到1.53g化合物C02，收率 62.2%〇
[0040] 高分辨質(zhì)譜，ESI源，正離子模式，分子式C61H69N2〇4P，理論值894.2647，測(cè)試值 894.2641。元素分析((：61!16必2〇4?)，理論值(： :81.87，!1:4.39小:3.13,0:7.15，？ ：3.46，實(shí)測(cè)值 C:，81·86，Η:4·40，Ν:3·13,0:7·14，Ρ:3·47。
[0041] 實(shí)施例2化合物C03的制備
[0043]合成方法參照C02的制備方法，總收率26.5%。
[0044] 高分辨質(zhì)譜，ESI源，正離子模式，分子式C67H51N2O2P，理論值946.3688，測(cè)試值 946.3683。元素分析(〇571151吣02?)，理論值(：:84.97，!1 :5.43小:2.96,0:3.38，？：3.27，實(shí)測(cè)值 C：84.96,H：5.44,N：2.96,0：3.36,P：3.29〇
[0045]實(shí)施例3化合物C04的制備
[0047]合成方法參照C02的制備方法，總收率23.6%。
[0048] 高分辨質(zhì)譜431源，正離子模式，分子式(：61!13必2〇2?，理論值862.2749，測(cè)試值 862.2751。元素分析((：61出必202?)，理論值(： :84.90，!1:4.56小:3.25,0:3.71，？ ：3.59，實(shí)測(cè)值 C：84.91,H：4.57,N：3.25,0：3.71,P：3.59〇
[0049]實(shí)施例4化合物C09的制備
[0051 ]合成方法參照C02的制備方法，總收率21.8%。
[0052] 高分辨質(zhì)譜431源，正離子模式，分子式(：61!143%02?，理論值866.3062，測(cè)試值 866.3061。 元素分析(C61H43N2〇2P)，理論值 C: 84.51，H: 5.00，N: 3.23，0:3.69，P: 3.57,實(shí)測(cè)值 C：84.52,H：5.01,N：3.21,0：3.69,P：3.57〇
[0053]實(shí)施例5化合物CIO的制備
[0055]合成方法參照C02的制備方法，總收率21.4%。
[0056] 高分辨質(zhì)譜，ESI源，正離子模式，分子式C65H43N 2〇2P，理論值914.3062，測(cè)試值 914.3061。 元素分析(〇5出43吣02?)，理論值(：:85.32，!1:4.74小 :3.06,0:3.50，？：3.39，實(shí)測(cè)值 C：85.31,H：4.75,N：3.07,0：3.49,P：3.39〇
[0057]實(shí)施例6化合物Cl 1的制備
[0059] 1)在氮?dú)獗Ｗo(hù)下，將原料3-溴氧雜蒽酮（1.38g，5mmo 1)、二苯并呋喃-4-硼酸 (1.17g，5.5mmol)和150mL甲苯加入250mL三口瓶中，然后投入催化劑四（三苯基膦鈀） (0.116g，0. lmmol)，縛酸劑碳酸鉀（1.38g，lOmmol)。體系升溫至回流攪拌10小時(shí)，自然降溫 至20-25Γ后加入50mL水淬滅反應(yīng)，分液，除去溶劑，將粗品用甲苯結(jié)晶，得到1.31g中間體 (：11- &，收率72.3%。
[0060] 參照C02的制備方法完成C11的制備，總收率17.5%。
[0061 ] 高分辨質(zhì)譜，ESI源，正離子模式，分子式C49H31〇3P，理論值698.2011，測(cè)試值 968.1987。元素分析（〇4911310疋），理論值(：:84.23，!1 :4.47,0:6.87，？:4.43，實(shí)測(cè)值(：:84.22， H：4.48,0：6.87,P：4.43〇
[0062]實(shí)施例7化合物C22的制備
[0064]合成方法參照C02的制備方法，總收率23.2%。
[0065] 高分辨質(zhì)譜，ESI源，正離子模式，分子式C55H37N2〇2P，理論值788.2593，測(cè)試值 788.2591。元素分析((：55出7吣02?)，理論值(：:83.74，!1 :4.73小:3.55,0:4.06，？：3.93，實(shí)測(cè)值 C：83.72,H：4.75,N：3.57,0：4.04,P：3.93〇
[0066]實(shí)施例8化合物C24的制備
[0068]合成方法參照C02的制備方法，總收率20.5%。
[0069] 高分辨質(zhì)譜，ESI源，正離子模式，分子式C55H34N0 3P，理論值787.2276，測(cè)試值 787.2271。元素分析(C55H34N03P)，理論值 C: 83.85，H: 4.35，N: 4.78，0:6.09，P: 3.93,實(shí)測(cè)值 C：83.86,H：4.35,N：4.77,0：6.09,P：3.93〇 [0070]實(shí)施例9化合物C28的制備
[0072]合成方法參照C02的制備方法，總收率18.3%。
[0073] 高分辨質(zhì)譜，ESI源，正離子模式，分子式C62H4〇N02P，理論值861.2797，測(cè)試值 861.2792。元素分析（C62H4〇N02P)，理論值 C: 86.39，H: 4.68，N: 1.62，0:3.71，P: 3.59,實(shí)測(cè)值 C：86.40,H：4.67,N：1.62,0：3.71,P：3.59〇
[0074]有機(jī)電致發(fā)光器件實(shí)施例：
[0075]本發(fā)明選取化合物C02、化合物C03、化合物C04、化合物C09、化合物C10、化合物 C11、化合物C22、化合物C24、化合物C28制作有機(jī)電致發(fā)光器件，并選擇商品化的主體材料 材料4，4 ' -二(9H-咔唑基)聯(lián)苯(CBP)作為對(duì)比例，下面結(jié)合圖1敘述，有機(jī)電致發(fā)光器件從 下至上依次為為ΙΤ0導(dǎo)電玻璃襯底101、空穴注入層102、空穴傳輸層103、發(fā)光層104、電子傳 輸層105、電子注入層106和陰極層107。應(yīng)當(dāng)理解，器件實(shí)施過程與結(jié)果，只是為了更好地解 釋本發(fā)明，并非對(duì)本發(fā)明的限制。
[0076] 實(shí)施例10化合物C02在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用
[0077] 本實(shí)施例按照下述方法制備有機(jī)電致發(fā)光器件1:
[0078] 1)清洗ΙΤ0(氧化銦錫)玻璃:分別用去離子水、丙酮、乙醇超聲清洗ΙΤ0玻璃各30分 鐘，然后在等離子體清洗器中處理5分鐘；
[0079] 2)在陽極ΙΤ0玻璃上真空蒸鍍空穴注入層m-MTDATA和F4-TCNQ，兩種材料采用共蒸 鍍的方法，總蒸鍍速率0 · lnm/s，蒸鍍膜厚為150nm;
[0080] 3)在空穴注入層之上真空蒸鍍空穴傳輸層NPB，蒸鍍速率0 . lnm/s，蒸鍍膜厚為 20nm;
[0081] 4)在空穴傳輸層之上，真空蒸鍍發(fā)光層實(shí)施例1制備的化合物C02:5%wt Ir (ppy)3，蒸鍍速率0 · lnm/s，蒸鍍總膜厚為30nm;
[0082] 5)在發(fā)光層之上，真空蒸鍍作為電子傳輸層的TPBI，厚度為20nm;
[0083] 6)在電子傳輸層之上，真空蒸鍍電子注入層LiF，厚度為lnm;
[0084] 7)在電子注入層之上，真空蒸鍍陰極A1，厚度為100nm。
[0085] 器件的結(jié)構(gòu)為1!'0/111-]\?1^了厶:卩4-1^觸（150腦)/即8(:2〇11111)/化合物0)2:5%￥七1『 (ppy)3(30nm)/TPBI (20nm)/LiF( lnm)/Al( 100nm)，真空蒸鍍過程中，壓力〈4.0 X 10-4Pa，以 化合物C02作為器件一的主體材料，所得器件的測(cè)試結(jié)果見表1所示。
[0086] 對(duì)比例1:根據(jù)與實(shí)施例10相同的方法制作有機(jī)電致發(fā)光器件，區(qū)別在于使用4， 4'-二(9H-咔唑基)聯(lián)苯(CBP)作為發(fā)光層的主體代替作為發(fā)光層主體的實(shí)施例1中合成的 C02。所得器件的測(cè)試結(jié)果見表1所示。
[0087] 實(shí)施例11:化合物C03在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用
[0088] 根據(jù)與實(shí)施例10相同的方法制作有機(jī)電致發(fā)光器件，區(qū)別在于使用C03作為發(fā)光 層的主體代替作為發(fā)光層主體的實(shí)施例1中合成化合物C02。所得器件的測(cè)試結(jié)果見表1所 不。
[0089]實(shí)施例12:化合物C04在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用
[0090] 根據(jù)與實(shí)施例10相同的方法制作有機(jī)電致發(fā)光器件，區(qū)別在于使用C04作為發(fā)光 層的主體代替作為發(fā)光層主體的實(shí)施例1中合成化合物C02。所得器件的測(cè)試結(jié)果見表1所 不。
[0091] 實(shí)施例13:化合物C09在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用
[0092] 根據(jù)與實(shí)施例10相同的方法制作有機(jī)電致發(fā)光器件，區(qū)別在于使用C09作為發(fā)光 層的主體代替作為發(fā)光層主體的實(shí)施例1中合成化合物C02。所得器件的測(cè)試結(jié)果見表1所 不。
[0093] 實(shí)施例14:化合物C10在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用
[0094] 根據(jù)與實(shí)施例10相同的方法制作有機(jī)電致發(fā)光器件，區(qū)別在于使用C10作為發(fā)光 層的主體代替作為發(fā)光層主體的實(shí)施例1中合成化合物C02。所得器件的測(cè)試結(jié)果見表1所 不。
[0095] 實(shí)施例15:化合物C11在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用
[0096] 根據(jù)與實(shí)施例10相同的方法制作有機(jī)電致發(fā)光器件，區(qū)別在于使用C11作為發(fā)光 層的主體代替作為發(fā)光層主體的實(shí)施例1中合成化合物C02。所得器件的測(cè)試結(jié)果見表1所 不。
[0097] 實(shí)施例16:化合物C22在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用
[0098] 根據(jù)與實(shí)施例10相同的方法制作有機(jī)電致發(fā)光器件，區(qū)別在于使用C22作為發(fā)光 層的主體代替作為發(fā)光層主體的實(shí)施例1中合成化合物C02。所得器件的測(cè)試結(jié)果見表1所 不。
[0099] 實(shí)施例17:化合物C24在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用
[0100] 根據(jù)與實(shí)施例10相同的方法制作有機(jī)電致發(fā)光器件，區(qū)別在于使用C24作為發(fā)光 層的主體代替作為發(fā)光層主體的實(shí)施例1中合成化合物C02。所得器件的測(cè)試結(jié)果見表1所 不。
[0101] 實(shí)施例18:化合物C28在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用
[0102] 根據(jù)與實(shí)施例10相同的方法制作有機(jī)電致發(fā)光器件，區(qū)別在于使用C28作為發(fā)光 層的主體代替作為發(fā)光層主體的實(shí)施例1中合成化合物C02。所得器件的測(cè)試結(jié)果見表1所 不。
[0103] 表1器件光電數(shù)據(jù)表
[0104]
[0105] 為了比較，本發(fā)明制造使用常規(guī)綠色主體材料CBP的參考器件。如表1所示，基于 CBP的器件，具有4.1V的高啟亮電壓，最大電流效率15.6cd/A;基于本發(fā)明主體材料制備的 有機(jī)電致發(fā)光器件，展示了較好的性能，器件啟亮電壓3.2-3.7V，最大電流效率17.6-22.6cd/A。與常規(guī)綠光主體材料CBP比較，本發(fā)明的器件在效率、驅(qū)動(dòng)電壓和穩(wěn)定性方面表 現(xiàn)出出色的特性。
[0106] 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和 原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種OLED材料，其特征在于，以螺[芴-9,9'_氧雜蒽]和苯基膦氧結(jié)構(gòu)為核心，并且結(jié) 構(gòu)通式為：其中Ar^Ar2獨(dú)立地選自氫以及包含雜原子的多環(huán)芳族基團(tuán)，并且Ar^Ar2不同時(shí)為 氫。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED材料，其特征在于，所述雜原子為N、0、S中的一種或多種。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED材料，其特征在于，所述包含雜原子的多環(huán)芳族基團(tuán)的結(jié) 構(gòu)式i先白，1 根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED材料，其特征在于，所述OLED材料的結(jié)構(gòu)式選自：5. -種制備權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的OLED材料的方法，其特征在于，包括以下步 驟： 1) 以3,6_二溴氧雜蒽酮或3-溴氧雜蒽酮為原料，用含雜原子的多環(huán)芳族基團(tuán)取代所述 3,6-二溴氧雜蒽酮的3位和6位的溴或取代所述3-溴氧雜蒽酮的3位的溴，反應(yīng)式如下：2) 在溶劑四氫呋喃中，使步驟1)得到的產(chǎn)物與2，2 二溴聯(lián)苯反應(yīng)，得到螺[芴-9，9 ' -氧雜蒽]結(jié)構(gòu)：6. -種發(fā)光器件，包括發(fā)光層（I04)，其特征在于，所述發(fā)光層（I04)的主體材料為權(quán)利 要求1 -4中任一項(xiàng)所述的OLED材料。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件由ITO導(dǎo)電玻璃襯底 (101)、空穴注入層（102)、空穴傳輸層（103)發(fā)光層（104)、電子傳輸層（105)、電子注入層 (106)和陰極層（107)依次堆疊而成。
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK105884830SQ201610308667
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年5月11日
【發(fā)明人】張成新, 石宇, 李慶, 巨成良, 劉英瑞, 王元?jiǎng)?
【申請(qǐng)人】中節(jié)能萬潤(rùn)股份有限公司