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改進(jìn)的富勒烯衍生物及相關(guān)材料、方法和器件的制作方法

文檔序號:9400652閱讀:604來源:國知局
改進(jìn)的富勒烯衍生物及相關(guān)材料、方法和器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及改進(jìn)的富勒烯衍生物,其合成方法和用于該方法中的任何離析物或中 間體,包含富勒烯衍生物的組合物和配制劑,富勒烯衍生物、組合物和配制劑在有機(jī)電子 (0E)器件如有機(jī)光生伏打(0PV)器件或有機(jī)光檢測器(0PD)中或用于它們的制備的用途, 以及包含或者由這些富勒烯衍生物、組合物或配制劑制備的〇E、0PV和0PD器件。
[0002] 置量
[0003] 近年來,開發(fā)了有機(jī)半導(dǎo)(0SC)材料以生產(chǎn)更加通用、更低成本的電子器件。這類 材料可用于寬范圍的器件或設(shè)備中,僅舉幾個(gè)例子,包括有機(jī)場效應(yīng)晶體管(0FET)、有機(jī)發(fā) 光二極管(0LED)、有機(jī)光檢測器(0PD)、有機(jī)光生伏打(0PV)電池、傳感器、存儲元件和邏輯 電路。有機(jī)半導(dǎo)材料通常以薄層,例如50-300nm厚的形式存在于電子器件中。
[0004] 0PV或0PD器件中的光敏層通常包含至少兩種材料,P-型半導(dǎo)體如聚合物、低聚物 或指定分子單元,和n-型半導(dǎo)體,例如富勒烯衍生物。
[0005] 富勒稀衍生物是本領(lǐng)域中已知的。參見例如Hirsch,Brettreich,F(xiàn)ullerenes: ChemistryandReactions,Wiley,2005。還參見例如E.Voroshazi等人,J.Mater. Chem. 2011,21,17345-17352 ;K. -H.Kim等人,Chem.Mater. 2011,23, 5090-5095;和X.Meng, ACSAppl.Mater.Interfaces2012,4,5966-5973。還參見US2010/0132782Al,US 2012/0004476Al,TO2008/018931Al,TO2010/087655A1 和US8,217,260,其公開了 o-QDM(鄰-喹啉二甲烷)富勒烯。
[0006] 然而,盡管近年來已制得了許多P-型半導(dǎo)體,主要是聚合物,來增強(qiáng)0PV器件的性 能,但適用作0PV器件中的n-型半導(dǎo)體的富勒烯衍生物的開發(fā)僅限于少數(shù)選擇的候選物如 PCBM-C60。另外,本領(lǐng)域中已知的富勒烯衍生物的物理性能,例如溶解度、光穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定 性限制了它們在商業(yè)應(yīng)用中的使用。
[0007] 因此,仍需要容易合成,尤其是通過適于大量生產(chǎn)的方法合成,顯示出良好的結(jié)構(gòu) 組織和成膜性能,顯示出良好的電子性能,尤其是高電荷載流子迀移率,良好的加工性,尤 其是在有機(jī)溶劑中的高溶解度以及高光和熱穩(wěn)定性的富勒烯衍生物。
[0008] 本發(fā)明的目的是提供富勒烯衍生物,所述富勒烯衍生物提供上述有利性能中的一 種或多種。本發(fā)明的另一目的是擴(kuò)大技術(shù)人員可得到的n-型0SC材料庫。本發(fā)明的其它 目的由技術(shù)人員從以下詳細(xì)描述中立即獲悉。
[0009] 本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)以上目的中的一個(gè)或多個(gè)可通過提供如下文所主張的富勒 烯衍生物實(shí)現(xiàn)。這些富勒烯衍生物基于o-QDM富勒烯,其在相對于苯環(huán)的兩個(gè)a-位上被 取代。
[0010] 發(fā)現(xiàn)如下文所主張的富勒烯衍生物證明了如上文所述一種或多種改進(jìn)性能,尤其 是對于在opv/oro應(yīng)用中的使用而言,并且與現(xiàn)有技術(shù)公開的富勒烯衍生物相比更好地適 用作0E器件中的n-型半導(dǎo)體。
[0011]US5, 763, 719 和DE4301458A1 公開了下式的O-QDM富勒烯:
[0012]
[0013] 其中"F"為富勒烯且Ri-R8表示H原子或者選自多種含義的取代基。然而,對于僅 明確書面公開了其中R5-Rs都表示H的富勒烯及其合成。
[0014] JP2013-128001A1 和JP2011-238847A1 公開了下式的o-QDM富勒烯衍生物:
[0015]
[0016] 其中"FLN"為富勒稀,Ar1為芳基,且RLR4表示H原子或者選自多種含義的取代 基。也僅明確書面公開了其中Ri-R4都表示H的富勒烯及其合成。
[0017] S.Lu等人,Org.Letters2013公開了下式的o-QDM富勒稀衍生物:
[0018]
[0019] 其中R2為甲基,且R1為例如C00CH3或CN。
[0020] YoujunHe等人,J.Mater.Chem. 2012,22,13391 公開了下式的o-QDM富勒烯衍生 物:
[0021]
[0022] 然而,現(xiàn)有技術(shù)中迄今為止沒有公開或提議如下文所主張的富勒烯衍生物。
[0023] 概沭
[0024] 本發(fā)明涉及式I化合物,包括其異構(gòu)體:
[0025]
[0026] 其中:
[0027] Cn為包含n個(gè)碳原子且任選具有捕集在內(nèi)部的一個(gè)或多個(gè)原子的富勒烯,
[0028] Adduct為附加在富勒烯Cn上的次級加合物,或者次級加合物的組合,
[0029] m為附加在富勒烯Cn上的次級加合物的數(shù)目,并且為0,多1的整數(shù)或者>0的非 整數(shù),
[0030] 〇為彡1的整數(shù),
[0031] Ri-R8相互獨(dú)立地為H、鹵原子,或者具有1-50個(gè)C原子的碳基或烴基,或者R5和 R6對和/或R7和R8對共價(jià)結(jié)合形成具有3-20個(gè)環(huán)原子且任選被取代的碳環(huán)、雜環(huán)、芳族或 雜芳族基團(tuán),
[0032] 其特征在于在式I中,R5和R7中的至少一個(gè)不同于H,且R6和R8中的至少一個(gè)不 同于H。
[0033] 本發(fā)明進(jìn)一步涉及式I化合物作為電子受體或n-型半導(dǎo)體的用途。
[0034] 本發(fā)明進(jìn)一步涉及式I化合物作為電子受體或n-型組分在半導(dǎo)體材料、有機(jī)電子 器件或有機(jī)電子器件的部件中的用途。
[0035] 本發(fā)明進(jìn)一步涉及包含一種或多種選自式I的化合物的組合物。
[0036] 本發(fā)明進(jìn)一步涉及包含兩種或更多種富勒烯衍生物的組合物,其中一種或多種選 自式I。
[0037] 本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種組合物,該組合物包含一種或多種選自式I的化合物,優(yōu) 選作為電子受體或n_型組分,且進(jìn)一步包含一種或多種半導(dǎo)化合物,其優(yōu)選具有電子給體 或p-型性能。
[0038] 本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種組合物,該組合物包含一種或多種選自式I的化合物,且 進(jìn)一步包含一種或多種P-型有機(jī)半導(dǎo)體化合物,優(yōu)選選自共輒有機(jī)聚合物。
[0039] 本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種組合物,該組合物包含一種或多種選自式I的化合物,且 進(jìn)一步包含一種或多種化合物,所述化合物選自具有以下性能中的一種或多種的化合物: 半導(dǎo)、電荷傳輸、空穴傳輸、電子傳輸、空穴阻擋、電子阻擋、導(dǎo)電、光電導(dǎo)和發(fā)光性能。
[0040] 本發(fā)明進(jìn)一步涉及選自式I的化合物或者包含它的組合物作為半導(dǎo)、電荷傳輸、 導(dǎo)電、光電導(dǎo)或發(fā)光材料,或者在光學(xué)、光電、電子、電致發(fā)光或光致發(fā)光器件中,或者在該 類器件的部件中,或者在包含該類器件或部件的裝置中的用途。
[0041] 本發(fā)明進(jìn)一步涉及半導(dǎo)、電荷傳輸、導(dǎo)電、光電導(dǎo)或發(fā)光材料,其包含選自式I的 化合物或者如上文和下文所述包含它的組合物。
[0042] 本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種配制劑,該配制劑包含一種或多種選自式I的化合物或者 如上文和下文所述包含它的組合物或材料,且進(jìn)一步包含一種或多種溶劑,優(yōu)選選自有機(jī) 溶劑。
[0043] 本發(fā)明進(jìn)一步涉及光學(xué)、光電、電子、電致發(fā)光或光致發(fā)光器件,或其部件,或者包 含它的裝置,其使用如上文和下文所述配制劑制備。
[0044] 本發(fā)明進(jìn)一步涉及光學(xué)、光電、電子、電致發(fā)光或光致發(fā)光器件,或其部件,或者包 含它的裝置,其包含選自式I的化合物,或者如上文和下文所述包含它的組合物或材料。[0045] 光學(xué)、光電、電子、電致發(fā)光和光致發(fā)光器件包括但不限于有機(jī)場效應(yīng)晶體管 (0FET)、有機(jī)薄膜晶體管(0TFT)、有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)、有機(jī)發(fā)光晶體管(0LET)、有機(jī)光 生伏打器件(0PV)、有機(jī)光檢測器(0PD)、有機(jī)太陽能電池、激光二極管、肖特基二極管、光 電導(dǎo)體、光檢測器和熱電器件。
[0046] 以上器件的部件包括但不限于電荷注入層、電荷傳輸層、夾層、平面化層、抗靜電 膜、聚合物電解質(zhì)膜(PEM)、導(dǎo)電基底和導(dǎo)電圖案。
[0047]包含這類器件或部件的裝置包括但不限于集成電路(1C)、射頻識別(RFID)標(biāo)簽 或者包含它們的安全標(biāo)識或安全器件、平板顯示器或其背光、電子照相器件、電子照相記錄 器件、有機(jī)儲存器件、傳感器器件、生物傳感器和生物芯片。
[0048] 另外,本發(fā)明化合物、混合物或材料可在電池中和在用于檢測和識別DNA序列的 部件或器件中用作電極材料。
[0049] 本發(fā)明進(jìn)一步涉及本體異質(zhì)結(jié),其包含或者由組合物形成,所述組合物包含一種 或多種選自式I的化合物和一種或多種選自共輒有機(jī)聚合物的P-型有機(jī)半導(dǎo)體化合物。本 發(fā)明進(jìn)一步涉及包含該本體異質(zhì)結(jié)的本體異質(zhì)結(jié)(BHJ)OPV器件或者倒裝BHJ0PV器件。
[0050] 術(shù)語和宙義
[0051] 如本文所用,關(guān)于"式I"或者"式I及其子式"的提及應(yīng)當(dāng)理解包括如下文所示式 I的任何具體子式,包括但不限于式II、12、Ila、I2a、Ilal、Ila2、I2al和I2a2。
[0052] 如本文所用,術(shù)語"富勒烯"應(yīng)當(dāng)理解意指包含偶數(shù)個(gè)碳原子的化合物,所碳原子 形成具有包含6元環(huán)和5元環(huán)的表面的籠狀稠合環(huán),通常具有12個(gè)5元環(huán)和其余6元環(huán), 任選具有捕集在內(nèi)部的一個(gè)或多個(gè)原子。富勒烯的表面還可包含雜原子如B或N。
[0053] 如本文所用,術(shù)語"內(nèi)嵌(endohedral)富勒稀"應(yīng)當(dāng)理解意指具有捕集在內(nèi)部的 一個(gè)或多個(gè)原子的富勒烯。
[0054] 如本文所用,術(shù)語"金屬富勒?。╩etallofullerene) "應(yīng)當(dāng)理解意指其中捕集在內(nèi) 部的原子選自金屬原子的內(nèi)嵌富勒稀。
[0055] 如本文所用,術(shù)語"碳基富勒烯"應(yīng)當(dāng)理解意指不具有任何捕集在內(nèi)部的原子且其 中表面僅包含碳原子的富勒烯。
[0056] 如本文所用,術(shù)語"聚合物"應(yīng)當(dāng)理解意指具有高相對分子量的分子,其結(jié)構(gòu)主要 包含實(shí)際或概念上衍生自具有低相對分子量的分子的單元的多次重復(fù)(PureAppl.Chem., 1996.68, 2291)。術(shù)語"低聚物"應(yīng)當(dāng)理解意指具有中等相對分子量的分子,其結(jié)構(gòu)主要包含 實(shí)際上或概念上衍生自具有較低相對分子量的分子的單元的較少重復(fù)(PureAppl.Chem., 1996.68, 2291)。在如本發(fā)明中所用的優(yōu)選含義內(nèi),聚合物應(yīng)當(dāng)理解意指具有>1,即至少2 個(gè)重復(fù)單元,優(yōu)選多5個(gè)重復(fù)單元的化合物,低聚物應(yīng)當(dāng)理解意指具有>1且〈10,優(yōu)選〈5個(gè) 重復(fù)單元的化合物。
[0057] 另外,如本文所用,術(shù)語"聚合物"應(yīng)當(dāng)理解意指包括一類或多類獨(dú)特重復(fù)單元 (分子的最小結(jié)構(gòu)單元)的骨架(也稱為"主鏈")的分子,且包括通常已知的術(shù)語"低聚 物"、"共聚物"、"均聚物"等。另外,應(yīng)當(dāng)理解術(shù)語聚合物除聚合物本身外,包含來自伴隨該 聚合物合成的引發(fā)劑、催化劑和其它元素的殘基,其中這類殘基應(yīng)當(dāng)理解為未共價(jià)含在聚 合物上。另外,盡管通常在聚合后提純方法期間除去,這類殘基和其它元素通常與聚合物混 合或共混合,以致它們在容器之間或者在溶劑或分散介質(zhì)之間轉(zhuǎn)移時(shí)通常留在聚合物中。
[0058] 如本文所用,在顯示聚合物或重復(fù)單元的式中,星號("*")應(yīng)當(dāng)理解意指與相鄰 單元或聚合物骨架的端基的化學(xué)連接。在環(huán)如苯或噻吩環(huán)中,星號(*)應(yīng)當(dāng)理解意指與相 鄰環(huán)稠合的C原子。
[0059] 如本文所用,術(shù)語"重復(fù)單元"和"單體單元"互換地使用,且應(yīng)當(dāng)理解意指為最小 結(jié)構(gòu)單元的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元(CRU),其重復(fù)構(gòu)成規(guī)則的大分子、規(guī)則的低聚物分子、規(guī)則的嵌 段或規(guī)則的鏈(PureAppl.Chem.,1996,68,2291)。如本文中進(jìn)一步使用,術(shù)語"單元"應(yīng)當(dāng) 理解意指本身可以為重復(fù)單元或者可與其它單元一起形成結(jié)構(gòu)重復(fù)單元的結(jié)構(gòu)單元。
[0060] 如本文所用,"端基"應(yīng)當(dāng)理解意指終止聚合物骨架的基團(tuán)。表述"在骨架的末端 位置上"應(yīng)當(dāng)理解意指在一側(cè)與這樣的端基相連并在另一側(cè)上與另一重復(fù)單元相連的二價(jià) 單元或重復(fù)單元。端基包括封端基團(tuán)或者連接在不參與聚合反應(yīng)的形成聚合物骨架的單體 上的反應(yīng)性基團(tuán),例如具有如下文所定義的R5或R6的含義的基團(tuán)。
[0061] 如本文所用,術(shù)語"封端基團(tuán)"應(yīng)當(dāng)理解意指連接在聚合物骨架的端基上或者替代 端基的基團(tuán)。封端基團(tuán)可通過封端方法引入聚合物中。封端可例如通過聚合物骨架的端基 與單官能化合物("封端劑")如烷基-或芳基鹵化物、烷基-或芳基錫烷或者烷基-或芳 基硼酸鹽反應(yīng)而進(jìn)行。封端劑可例如在聚合反應(yīng)以后加入?;蛘撸舛藙┛稍诰酆戏磻?yīng)以 前或期間就地加入反應(yīng)混合物中。封端劑的就地添加也可用于終止聚合反應(yīng),因此控制所 形成的聚合物的分子量。典型的封端基團(tuán)為例如H、苯基和低級烷基。
[0062] 如本文所用術(shù)語"小分子"意指通常不包含反應(yīng)性基團(tuán)的單體化合物,反應(yīng)性基團(tuán) 為可通過其反應(yīng)形成聚合物的那些,且其被指定以單體形式使用。與其不同,除非另外指 出,術(shù)語"單體"意指帶有一個(gè)或多個(gè)反應(yīng)性官能團(tuán)的單體化合物,所述反應(yīng)性官能團(tuán)為可 通過其反應(yīng)形成聚合物的那些。
[0063] 如本文所用術(shù)語"給體"或"給"和"受體"或"受"分別應(yīng)當(dāng)理解意指電子給體或 電子受體。"電子給體"應(yīng)當(dāng)理解意指將電子供給另一化合物或化合物的另一原子基團(tuán)的 化學(xué)主體。"電子受體"應(yīng)當(dāng)理解意指接收從另一化合物或化合物的另一原子基團(tuán)轉(zhuǎn)移給 它的電子的化學(xué)主體。還參見InternationalUnionofPureandAppliedChemistry, CompendiumofChemicalTechnology,GoldBook,Version2. 3. 2, 2012 年 8 月 19 日,第 477 和 480 頁。
[0064] 如本文所用術(shù)語"n型"或"n-型半導(dǎo)體"應(yīng)當(dāng)理解意指其中導(dǎo)電電子密度超過可 移動(dòng)空穴密度的外質(zhì)半導(dǎo)體,術(shù)語"P型"或"P型半導(dǎo)體"應(yīng)當(dāng)理解意指其中可動(dòng)空穴密度 超過導(dǎo)電電子密度的外質(zhì)半導(dǎo)體(也參見J.Thewlis,ConciseDictionaryofPhysics, PergamonPress,Oxford,1973)〇
[0065] 如本文所用術(shù)語"離去基團(tuán)"意指從被認(rèn)為是參與指定反應(yīng)的分子的殘余部分或 主要部分的那部分中的原子上脫離的原子或基團(tuán)(帶電或不帶電)(還參見PureAppl. Chem.,1994,66,1134)。
[0066] 如本文所用術(shù)語"共輒"應(yīng)當(dāng)理解意指主要包含具有sp2-雜化(或還任選sp-雜 環(huán))的C原子且這些C原子還可被雜原子替代的化合物(例如聚合物)。在最簡單的情況 下,這例如為具有交替C-C單鍵和雙(或三)鍵的化合物,還包括具有諸如1,4-亞苯基的芳 族單元的化合物。就這點(diǎn)而言,術(shù)語"主要"應(yīng)當(dāng)理解意指具有可導(dǎo)致共輒中斷的天然(自 發(fā))存在的缺陷或由于涉及而包括在內(nèi)的缺陷的化合物仍被認(rèn)為是共輒化合物。
[0067] 如本文所用,除非另外指出,分子量作為數(shù)均分子量Mn或重均分子量Mw給出,其通 過凝膠滲透色譜法(GPC)在洗脫溶劑如四氫呋喃、三氯甲烷(TCM、氯仿)、氯苯或1,2, 4-三 氯苯中相對于聚苯乙烯標(biāo)準(zhǔn)測定。除非另外指出,1,2, 4-三氯苯用作溶劑。聚合度,也稱 為重復(fù)單元的總數(shù)n應(yīng)當(dāng)理解意指作為n=Mn/Mu給出的數(shù)均聚合度,其中Mn為數(shù)均分子 量,且Mu為單個(gè)重復(fù)單元的分子量,參見J.M.G.Cowie,Polymers:Chemistry&Physicsof ModernMaterials,Blackie,Glasgow,1991。
[0068] 如本文所用術(shù)語"碳基"應(yīng)當(dāng)理解意指任何包含至少一個(gè)碳原子的單價(jià)或多價(jià)有 機(jī)基團(tuán)結(jié)構(gòu)部分,其不具有任何非碳原子(例如-C=C-),或者所述碳原子任選與至少一個(gè) 非碳原子如B、N、0、S、P、Si、Se、As、Te或Ge組合(例如羰基等)。
[0069] 如本文所用術(shù)語"烴基"應(yīng)當(dāng)理解意指還包含一個(gè)或多個(gè)H原子且任選包含一個(gè) 或多個(gè)雜原子如B、N、0、S、P、Si、Se、As、Te或Ge的碳基。
[0070] 如本文所用術(shù)語"雜原子"應(yīng)當(dāng)理解意指有機(jī)化合物中不為H或C原子的原子,優(yōu) 選應(yīng)當(dāng)理解意指B、N、0、S、P、Si、Se、As、Te或Ge。
[0071] 包含由3或更多C原子的鏈的碳基或烴基可以為直鏈、支化和/或環(huán)狀,并且可包 括螺連接環(huán)和/或稠合環(huán)。
[0072] 優(yōu)選的碳基和烴基包括各自任選被取代且具有1-40,優(yōu)選1-25,非常優(yōu)選1-18個(gè) C原子的烷基、烷氧基、烷基幾基、烷氧基幾基、烷基幾氧基和烷氧基幾氧基,此外包括具有 6-40,優(yōu)選6-25個(gè)C原子的任選被取代的芳基或芳氧基,此外包括各自任選被取代且具有 6-40,優(yōu)選7-40個(gè)C原子的烷基芳氧基、芳基羰基、芳氧基羰基、芳基羰氧基和芳氧基羰氧 基,其中所有這些基團(tuán)任選包含一個(gè)或多個(gè)雜原子,所述雜原子優(yōu)選選自B、N、0、S、P、Si、 Se、As、Te和Ge〇
[0073]進(jìn)一步優(yōu)選的碳基和烴基包括例如:(;-(;。烷基、C i-C4。氟烷基、C i-C4。烷氧基或氧 雜烷基、C2-C4。鏈烯基、C2-C4。炔基、C3-C4。烯丙基、C4-C4。二烯基、C4-C4。多烯基、C2-C4。酮基 團(tuán)、c2-c4。酯基團(tuán)、c6-cls芳基、c6-c4。烷芳基、c6-c4。芳烷基、c4-c4。環(huán)烷基、c4-c4。環(huán)烯基等。 在前述基團(tuán)中,分別優(yōu)選CfC2。烷基、c。氟烷基、c2-c2。鏈烯基、c2-c2。炔基、c3-c2。烯丙 基、c4-c2。二烯基、c2-c2。酮基團(tuán)、c2-c2。酯基團(tuán)、c6-c12芳基和c4-c2。多烯基。
[0074] 還包括具有碳原子的基團(tuán)與具有雜原子的基團(tuán)的組合,例如被甲硅烷基,優(yōu)選三 烷基甲硅烷基取代的炔基,優(yōu)選乙炔基。
[0075] 碳基或烴基可以為無環(huán)或環(huán)狀基團(tuán)。如果碳基或烴基為無環(huán)基團(tuán),則它可以為直 鏈或支化的。如果碳基或烴基為環(huán)狀基團(tuán),則它可以為非芳族碳環(huán)或雜環(huán)基團(tuán),或者芳基或 雜芳基。
[0076] 如上文和下文所提及的非芳族碳環(huán)基團(tuán)為飽和或不飽和的且優(yōu)選具有4-30個(gè)環(huán) C原子。如上文和下文所提及的非芳族雜環(huán)基團(tuán)優(yōu)選具有4-30個(gè)環(huán)C原子,其中一個(gè)或多 個(gè)C個(gè)環(huán)原子任選被優(yōu)選選自N、0、S、Si和Se的雜原子或者被-S(0)-或-S(0) 2_基團(tuán)替 代。非芳族碳環(huán)和雜環(huán)基團(tuán)為單環(huán)或多環(huán)的,也可包含稠環(huán),優(yōu)選包含1、2、3或4個(gè)稠合或 未稠合環(huán),且任選被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)L取代,其中:
[0077]L選自鹵素、-CN、-NC、-NC0、-NCS、-0CN、-SCN、-C( = 0)NR〇R〇〇、-C( = 0)X〇、-C(= 0)R°、-NH2、-NR°R°°、-SH、-SR°、-S03H、-S02R°、-0H、-N02、-CF3、-SF5、任選被取代甲硅烷基或者 具有1-40個(gè)C原子且任選被取代且任選包含一個(gè)或多個(gè)雜原子的碳基或烴基,優(yōu)選的是具 有1-20個(gè)C原子且任選氣化的烷基、烷氧基、硫烷基、烷基幾基、烷氧基幾基或烷氧基幾氧 基,x°為鹵素,優(yōu)選F、C1或Br,且R°、R°°具有上文和下文給出的含義,且優(yōu)選表示H或者具 有1-12個(gè)C原子的烷基。
[0078] 優(yōu)選的取代基L選自鹵素,最優(yōu)選F,或者具有1_12個(gè)C原子的烷基、烷氧基、氧雜 烷基、硫烷基、氟烷基和氟烷氧基,或者具有2-12個(gè)C原子的鏈烯基或炔基。
[0079] 優(yōu)選的非芳族碳環(huán)或雜環(huán)基團(tuán)為四氫呋喃、茚滿、吡喃、吡咯烷、哌啶、環(huán)戊烷、環(huán) 己烷、環(huán)庚烷、環(huán)戊酮、環(huán)己酮、二氫-呋喃-2-酮、四氫-吡喃-2-酮和氧雜庚環(huán)-2-酮。
[0080] 如上文和下文所提及的芳基優(yōu)選具有4-30個(gè)環(huán)C原子,為單環(huán)或多環(huán),并且還可 包含稠環(huán),優(yōu)選包含1、2、3或4個(gè)稠合或未稠合環(huán),且任選被一個(gè)或多個(gè)如上文所定義的基 團(tuán)L取代。
[0081] 如上文和下文所提及的雜芳基優(yōu)選具有4-30個(gè)環(huán)C原子,其中一個(gè)或多個(gè)C環(huán)原 子被雜原子替代,所述雜原子優(yōu)選選自N、0、S、Si和Se,為單環(huán)或多環(huán)的,并且還可包含稠 環(huán),優(yōu)選包含1、2或3或4個(gè)稠合或未稠合環(huán),且任選被一個(gè)或多個(gè)如上文所定義的基團(tuán)L 取
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