峰聚烯烴混合物是雙峰的，即是兩種聚烯烴（第一烯烴聚合物和第二 烯烴聚合物）的混合物，并且在所述第一反應器階段制備的第一烯烴聚合物具有如以上表 明的密度和熔體流動速率，那么如先前表明的，在所述第二反應器階段制備的第二烯烴聚 合物的密度和熔體流動速率可以根據供給至第二反應器階段和從所述第二反應器階段排 放的物質的值來間接測定。
[0028] 另外，在當半導電組合物中包含高含量導電填料時，在根據本發(fā)明的半導電組合 物中的特定共混聚合物中包含的熱塑性彈性體也改善本發(fā)明的半導電組合物的機械柔韌 性，或切 口彎曲抗裂性（notched bending cracking resistance)。
[0029] 根據本發(fā)明的此處使用的熱塑性彈性體是具有在應力下被拉伸，并且當應力移除 時回復至，接近其原始形狀的能力的聚合物。進一步地，所述熱塑性彈性體在升高的溫度下 也熔化。另外，所述熱塑性彈性體比多峰高密度聚烯烴在機械上更柔軟，這種性質賦予共混 聚合物和本發(fā)明的半導電組合物機械撓性或韌性。
[0030] 合適的熱塑性彈性體包括，但不限于，苯乙烯嵌段共聚物、熱塑性聚氨酯、熱塑性 共聚酯、聚酯嵌段醚、聚對苯二甲酸丁二醇酯/聚丁二醇醚共聚物（polytetramethylene glycol ether copolymers)、熱塑性聚酰胺、乙稀α-稀徑共聚物和丙稀α-稀徑共聚物的 聚烯烴彈性體（如，TAFMER)、還有不飽和聚烯烴以及它們的任意組合。
[0031] 具體地，所述不飽和聚烯烴可利用本領域已知的任意聚合方法制備，優(yōu)選利用高 壓聚合方法。所述聚合方法包括具有極性基團的單體單元的聚合。所述不飽和聚烯烴可進 一步包含帶有極性基團的單體單元的聚合物。例如，單體單元選自丙稀酸C 1-C6-燒基醋、甲 基丙烯酸C1-C6-烷基酯、丙烯酸、甲基丙烯酸和乙酸乙烯酯。此外，所述不飽和聚烯烴包含 例如乙烯與丙烯酸C 1-C6-烷基（如甲基、乙基、丙基或丁基）酯或乙酸乙烯酯的共聚物。
[0032] 所述包含極性基團的單體單元可同樣包含離聚物結構（如在例如，杜邦的Surlyn 樹脂結構中）。
[0033] 作為優(yōu)選，源于單體的極性基團單元的量相對于不飽和聚烯烴中單體的總量可為 1至20mol %，更優(yōu)選地，3至15mol %，且最優(yōu)選地，4至12mol %。
[0034] 所述極性單體單元可通過，例如，烯烴單體與極性共聚單體的共聚反應來引入。這 也可以通過將極性單體單元接枝到例如聚烯烴主鏈上來實現(xiàn)。
[0035] 在又一實施方式中，本發(fā)明的半導電組合物包含55wt %至95wt %、55wt %至 94wt %、55wt % 至 93wt %、55wt % 至 92wt %、55wt % 至 9 Iwt %、55wt % 至 90wt %、60wt % 至 98wt %、60wt % 至 95wt %、60wt % 至 94wt %、60wt % 至 93wt %、60wt % 至 92wt %、60wt % 至 9 Iwt %、60wt % 至 90wt %、60wt % 至 89wt %、60wt % 至 88wt %、60wt % 至 87wt %、60wt % 至 86wt %、60wt % 至 85wt %、60wt % 至 84wt %、60wt % 至 83wt %、60wt % 至 82wt %、65wt % 至 95wt %、65wt % 至 94wt %、65wt % 至 93wt %、65wt % 至 92wt %、65wt % 至 9 Iwt %、65wt % 至 90界1:%、7〇￥1:%至95￥1:%、7〇￥1:%至94￥1:%、7〇￥1:%至93￥1:%、7〇￥1:%至92￥1:%、7〇￥1:%至 91wt%、70wt% 至 90wt%、72wt% 至 90wt%、72wt% 至 85wt% 或 74wt% 至 82wt% 的共混聚 合物。
[0036] 在再一實施方式中，本發(fā)明的半導電組合物包含5wt%至45wt%、6wt%至 45wt %、7wt % 至 45wt %、8wt % 至 45wt %、9wt % 至 45wt %、IOwt % 至 45wt %、2wt % 至 40wt %、5wt % 至 40wt %、6wt % 至 40wt %、7wt % 至 40wt %、8wt % 至 40wt %、9wt % 至 40wt %、IOwt % 至 40wt %、I Iwt % 至 40wt %、12wt % 至 40wt %、13wt % 至 40wt %、14wt % 至 40wt %、15wt % 至 40wt %、16wt % 至 40wt %、17wt % 至 40wt %、18wt % 至 40wt %、5wt % 至 35wt %、6wt % 至 35wt %、7wt % 至 35wt %、8wt % 至 35wt %、9wt % 至 35wt %、IOwt % 至 35wt %、5wt % 至 30wt %、6wt % 至 30wt %、7wt % 至 30wt %、8wt % 至 30wt %、9wt % 至 30wt %、IOwt %至 30wt %、IOwt %至 28wt %、15wt %至 28wt %或 18wt %至 26wt % 的導電填 料。
[0037] 在又一實施方式中，本發(fā)明的半導電組合物包含共混聚合物，所述共混聚合物分 別包含 15wt %至 99wt %、15wt % 至 95wt %、20wt % 至 95wt %、25wt %至 95wt %、30wt %至 95wt %、35wt % 至 90wt %、40wt % 至 85wt %、45wt % 至 80wt %、50wt % 至 75wt % 或 55wt % 至75wt%的多峰高密度聚稀徑，和Iwt%至85wt%、5wt%至85wt%、5wt%至80wt%、5wt% 至 75wt %、5wt % 至 70wt %、IOwt % 至 65wt %、15wt % 至 60wt %、20wt % 至 55wt %、25wt % 至 50wt%或25wt%至45wt%的熱塑性彈性體。
[0038] 本發(fā)明再一實施方式公開了包含〇· Iwt %至I. 5wt %、0· 2wt %至I. 5wt %、 0· 3wt %至 I. 3wt %、0· 4wt %至 I. 2wt %、0· 4wt %至 I. Iwt %或 0· 4 至 I. Owt % 的抗氧劑的 半導電組合物。
[0039] 根據本發(fā)明，抗氧劑的例子可以為空間位阻或半位阻酚、芳香胺、脂肪族空間位阻 胺、有機磷酸鹽、含硫化合物、喹啉類化合物和其混合物。
[0040] 進一步地，根據本發(fā)明，抗氧劑可選自含有至少一種帶有至少2個共軛雙鍵的結 構單元的抗氧劑（見W02012048927中的抗氧劑），其可以提高所述半導電組合物的導電性， 或者減少其體電阻率。另外，根據本發(fā)明，抗氧劑也可選自二苯胺和苯硫醚類化合物。這些 二苯胺和苯硫醚類化合物的苯基取代基可進一步被如烷基、烷芳基、芳烷基或羥基的另外 的基團取代。
[0041] 所述二苯胺和苯硫醚類化合物的苯基可被叔-丁基取代，或者在間位或對位，其 可進一步容納另外的取代基，例如苯基。
[0042] 所述抗氧劑可選自，例如，4,4'_雙二甲基芐基）二苯胺、對位取向的苯乙 稀化二苯胺（para-oriented styrenated diphenylamines)、Ν_ 異丙基-Ν' -苯基-對-亞 苯基二胺、對_(對-甲苯-磺酰氨）_二苯胺、Ν，Ν' -二苯基-對-亞苯基二胺、Ν，Ν' -二 萘酷-對-亞苯基二胺（N, N'-dinaphtyl-p-phenylene-diamine)、ρ, ρ'_ 二辛基二苯基胺、 6, 6' -二-叔-丁基-2, 2' -硫代二-對-甲酚、三（2-叔-丁基-4-硫代_(2' -甲基-4' 羥基-5' -叔-丁基）苯基-5-甲基）苯基磷酸酯、聚2, 2, 4-三甲基-1，2-二氫喹啉，或其 衍生物。
[0043] 進一步地，以上所述抗氧劑可每種單獨使用及其任意混合使用。
[0044] 本發(fā)明的又一實施方式包含如此處描述的半導電組合物，其中，所述半導電組合 物包含60至91wt %的共混聚合物、9至40wt %的導電填料和0. 1至I. Owt %的抗氧劑；其 中，所述共混聚合物包含30至90wt %的多峰高密度聚稀徑和10至70wt %的熱塑性彈性 體。
[0045] 本發(fā)明的再一實施方式包含如此處描述的半導電組合物，其中，所述多峰高密度 聚烯烴是雙峰高密度聚烯烴。
[0046] 本發(fā)明的又一實施方式包含如此處描述的半導電組合物，其中，所述多峰高密 度聚烯烴具有1.2g/10min或更小的根據ISO 1133(190°C，2. 16kg)的熔體流動速率 (MFR2il90〇C )〇
[0047] 本發(fā)明的再一實施方式包含如此處描述的半導電組合物，其中，所述多峰高密度 聚烯烴的1是500至60kg/mol，并且M w/Mn大于10或大于15。
[0048] 在本發(fā)明的又一實施方式中，公開了如此處描述的半導電組合物，其中，所述多峰 高密度聚烯烴包含多峰分子量分布的α -烯烴聚合物混合物。在"多峰分子量分布的α -烯 烴聚合物混合物"中，作為分子量函數(shù)的分子數(shù)顯示出具有非常寬的最大值或具有兩個或 更多的分子數(shù)的最大值的曲線。
[0049] 本發(fā)明的又一實施方式包含如此處描述的半導電組合物，其中，所述多峰高密度 聚烯烴包含選自丁烷、4-甲基-1-戊烯、1-己烯和1-辛烯中的至少一種的乙烯共聚物。
[0050] 本發(fā)明的再一實施方式包含如此處描述的半導電組合物，其中，所述多峰高密度 聚烯烴包含低分子量乙烯均聚物和選自丁烷、4-甲基-1-戊烯、1-己烯和1-辛烯的至少一 種的高分子量乙烯共聚物的混合物。
[0051] 在又一實施方式中，本發(fā)明的所述半導電組合物包含具有1.2g/10min或更小的 根據IS01133(190°C，2. 16kg)的熔體流動速率（MFR2@190°C )的多峰高密度聚烯烴。
[0052] 本發(fā)明的再一實施方式公開了一種半導電組合物，其包含具有至多1.3、1.2、 I. 1、L 0、0· 9、0· 8、0· 7 或 0· 6g/10min 的根據 ISO 1133(190°C，2. 16kg)的熔體流動速率 (MFR2@190°C )的多峰高密度聚烯烴。
[0053] 本發(fā)明的又一實施方式公開了一種半導電組合物，其包含具有下限為0. 01、0. 03、 0.05、0.1、0.2、0.3、0.4或0.58/1011^11的根據150 1133(190°〇，2.161^)的熔體流動速率 (MFR2@190°C)的多峰高密度聚烯烴，其中，根據ISO 1133(190°C，2. 16kg)的熔體流動速 率（MFR2@190°C )的下限可與如此處描述的根據ISO 1133(190°C，2. 16kg)的任意熔體流 動速率（MFR2@190°C )的上限組合。
[0054] 在又一的實施方式中，本發(fā)明所述半導電組合物包含