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有機電致發(fā)光裝置及用于有機電致發(fā)光裝置的雜環(huán)化合物的制作方法

文檔序號:40386047發(fā)布日期:2024-12-20 12:08閱讀:5來源:國知局
有機電致發(fā)光裝置及用于有機電致發(fā)光裝置的雜環(huán)化合物的制作方法

實施方案涉及有機電致發(fā)光裝置及用于有機電致發(fā)光裝置的雜環(huán)化合物。


背景技術(shù):

1、作為圖像顯示裝置的有機電致發(fā)光顯示器的開發(fā)正在積極地進行。與液晶顯示裝置不同,有機電致發(fā)光顯示器是自發(fā)光顯示器,其中從第一電極和第二電極注入的空穴和電子在發(fā)射層中復(fù)合,并且為發(fā)射層中包含的有機化合物的發(fā)光材料發(fā)射光以實現(xiàn)顯示。

2、有機電致發(fā)光裝置可以包括例如有機裝置,其包括第一電極、在第一電極上的空穴傳輸層、在空穴傳輸層上的發(fā)射層、在發(fā)射層上的電子傳輸層和在電子傳輸層上的第二電極。空穴從第一電極注入,并且注入的空穴經(jīng)由空穴傳輸層移動并且被注入發(fā)射層中。同時,電子從第二電極注入,并且注入的電子經(jīng)由電子傳輸層移動并且被注入發(fā)射層中。注入發(fā)射層中的空穴和電子復(fù)合以在發(fā)射層中產(chǎn)生激子。有機電致發(fā)光裝置使用通過激子至基態(tài)的躍遷而產(chǎn)生的光來發(fā)射光。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、可以通過提供由以下式1表示的雜環(huán)化合物實現(xiàn)實施方案,

2、[式1]

3、

4、其中,在式1中,

5、z1至z3各自獨立地為cr1或n,

6、z1至z3中的至少一個為n,

7、r1為氫原子、氘原子、取代或未取代的具有1個至10個碳原子的烷基基團、取代或未取代的具有6個至30個環(huán)碳原子的芳基基團、或者取代或未取代的具有2個至30個環(huán)碳原子的雜芳基基團,

8、ar1至ar3各自獨立地為由以下式2表示的基團、取代或未取代的具有6個至30個環(huán)碳原子的芳基基團、或者取代或未取代的具有2個至30個環(huán)碳原子的雜芳基基團,以及

9、ar1至ar3中的至少一個為由式2表示的基團:

10、[式2]

11、

12、在式2中,

13、x1為o或s,

14、“n”為1至3的整數(shù),

15、“a”至“c”各自獨立地為0至4的整數(shù),

16、“d”為0至2的整數(shù),以及

17、r2至r5各自獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、取代或未取代的具有1個至10個碳原子的烷基基團、取代或未取代的具有6個至30個環(huán)碳原子的芳基基團、或者取代或未取代的具有2個至30個環(huán)碳原子的雜芳基基團,

18、當(dāng)ar1至ar3中的僅一個為由以上式2表示的基團時,“n”為2或3,以及

19、式2中的所述咔唑部分中的至少一個相對于式1的包含z1至z3的含氮單環(huán)以鄰位關(guān)系鍵合。

20、可以通過提供有機電致發(fā)光裝置實現(xiàn)實施方案,所述有機電致發(fā)光裝置包括:

21、第一電極;

22、在所述第一電極上的空穴傳輸區(qū);

23、在所述空穴傳輸區(qū)上的發(fā)射層;

24、在所述發(fā)射層上的電子傳輸區(qū);以及

25、在所述電子傳輸區(qū)上的第二電極,

26、其中所述發(fā)射層包含本文所定義的雜環(huán)化合物。



技術(shù)特征:

1.由以下式1表示的雜環(huán)化合物:

2.如權(quán)利要求1所述的雜環(huán)化合物,其中z1至z3中的每一個均為n。

3.如權(quán)利要求1所述的雜環(huán)化合物,其中所述由式1表示的化合物由以下式1-3表示:

4.如權(quán)利要求1所述的雜環(huán)化合物,其中所述由式1表示的化合物由以下式1-4表示:

5.如權(quán)利要求1所述的雜環(huán)化合物,其中所述雜環(huán)化合物為以下化合物組1的化合物:

6.有機電致發(fā)光裝置,包括:

7.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光裝置,其中所述發(fā)射層包含主體和摻雜劑,以及

8.如權(quán)利要求7所述的有機電致發(fā)光裝置,其中所述摻雜劑為熱激活延遲熒光摻雜劑。


技術(shù)總結(jié)
本申請涉及有機電致發(fā)光裝置和雜環(huán)化合物,所述裝置包括第一電極;在所述第一電極上的空穴傳輸區(qū);在所述空穴傳輸區(qū)上的發(fā)射層;在所述發(fā)射層上的電子傳輸區(qū);以及在所述電子傳輸區(qū)上的第二電極,其中所述發(fā)射層包含雜環(huán)化合物,所述雜環(huán)化合物包括含氮單環(huán)、至少一個連接體和兩個或多于兩個的咔唑部分,所述至少一個連接體是取代或未取代的二苯并呋喃基團或者取代或未取代的二苯并噻吩基團,并且所述咔唑部分中的至少一個和所述含氮單環(huán)以鄰位關(guān)系與所述至少一個連接體鍵合。

技術(shù)研發(fā)人員:坂本直也
受保護的技術(shù)使用者:三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/19
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