本發(fā)明涉及有機發(fā)光二極管制備領(lǐng)域，尤其涉及一種空穴傳輸材料、包含其的OLED顯示面板和電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
：手機等中小尺寸OLED屏很多采用R、G、B子像素顯示方式(如圖1)。為了提高生產(chǎn)良率，往往會將一些功能層設(shè)計為公共層，這樣就可以少采用FFM(精細(xì)金屬遮罩)，而空穴傳輸層經(jīng)常采用公共層，一般公共空穴傳輸層可以用市售材料。市售的空穴傳輸層材料分子結(jié)構(gòu)如(EP-721935)，但此材料的縱向遷移率較高，橫向的遷移率不會很高，不會出現(xiàn)像素間的串?dāng)_(Crosstalk)。CN103108859公開了所述材料的具有較好的溶解性能，同時遷移率較高?，F(xiàn)有的空穴傳輸材料技術(shù)存在幾個問題，第一，材料溶解性不好，會導(dǎo)致量產(chǎn)時的蒸鍍Mask清洗效果不好。第二，材料的遷移率太慢，會導(dǎo)致器件的整體電壓太高。第三，材料的遷移率過快，尤其是材料橫向遷移率過快，導(dǎo)致相鄰像素的串?dāng)_。EP-721935中的市售材料，遷移率在可接受范圍，不會發(fā)生crosstalk，但是溶解性不是很好。CN103108859的市售材料在溶解性能還可以，但是遷移率太快，會導(dǎo)致橫向漏電流，形成串?dāng)_。因此，本領(lǐng)域需要開發(fā)一種空穴傳輸材料，其具有合適的遷移率，不會發(fā)生相鄰像素間的串?dāng)_。技術(shù)實現(xiàn)要素：針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明實施例的一方面提供一種空穴傳輸材料，所述空穴傳輸材料具有式(I)的結(jié)構(gòu)：式(I)中，L1、L2、L3、L4、L5和L6均各自獨立的選自未取代的亞苯基、含有取代基的亞苯基中的任意1種；L7、L8、L9和L10均各自獨立地選自未取代的苯基、含有取代基的苯基中的任意1種；式(I)的結(jié)構(gòu)中，L1和L2中的至少一項為含有取代基的亞苯基；式(I)的結(jié)構(gòu)中，還需要L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9和L10滿足如下條件中的至少一項：(1)L3、L4、L5和L6中的至少一項為含有取代基的亞苯基；(2)L7、L8、L9和L10中的至少一項為含有取代基的苯基。本發(fā)明實施例的另一方面提供一種空穴傳輸層，所述空穴傳輸層包括上述的空穴傳輸材料。本發(fā)明實施例的又一方面提供一種OLED顯示面板，所述OLED顯示面板包含第一電極和第二電極，所述第一電極和第二電極之間設(shè)置包括發(fā)光層和空穴傳輸層的疊層，所述空穴傳輸層包括上述的空穴傳輸材料，或者所述空穴傳輸層為上述的空穴傳輸層。本發(fā)明實施例的再一方面提供一種電子設(shè)備，包括上述的OLED顯示面板。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：(1)本發(fā)明提供的空穴傳輸材料，選擇在通式中至少具有一個具有非氫取代基的苯環(huán)，能夠獲得具有合適的遷移率的空穴傳輸材料，不會發(fā)生像素間的串?dāng)_；(2)本發(fā)明提供的空穴傳輸材料在溶解度(NMP溶劑)上能夠滿足MASK清洗溶劑的要求，所述MASK清洗溶劑一般采用酮類、呋喃類或醇類中的任意1種或至少2種的組合，比較常用的有環(huán)己酮(HC)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、取代或未取代的呋喃、異丙醇等。附圖說明圖1是本發(fā)明具體實施方式提供的一種OLED顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明具體實施方式提供的又一種OLED顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明具體實施方式提供的又一種OLED顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式為便于理解本發(fā)明，本發(fā)明列舉實施例如下。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明了，所述實施例僅僅是幫助理解本發(fā)明，不應(yīng)視為對本發(fā)明的具體限制。在一個具體實施方式中，本發(fā)明提供了一種空穴傳輸材料，所述空穴傳輸材料具有式(I)的結(jié)構(gòu)：式(I)中，L1、L2、L3、L4、L5和L6均各自獨立的選自未取代的亞苯基、含有取代基的亞苯基中的任意1種；L7、L8、L9和L10均各自獨立地選自未取代的苯基、含有取代基的苯基中的任意1種；式(I)的結(jié)構(gòu)中，L1和L2中的至少一項為含有取代基的亞苯基；式(I)的結(jié)構(gòu)中，還需要L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9和L10滿足如下條件中的至少一項：(1)L3、L4、L5和L6中的至少一項為含有取代基的亞苯基；(2)L7、L8、L9和L10中的至少一項為含有取代基的苯基。所述未取代的亞苯基，示例性的可以為所述取代的亞苯基，示例性的可以為含有取代基的苯基在一個具體實施方式中，在式(I)中，L1、L2、L3、L4、L5和L6均各自獨立的選自中的任意1種；所述R1、R2、R3和R4均各自獨立地選自氫原子、氘原子、C1～C5的直鏈或支鏈烷基、C1～C5的直鏈或支鏈烷氧基。在一個具體實施方式中，在式(I)中，L7、L8、L9和L10均各自獨立地選自中的任意1種；所述R5、R6、R7、R8和R9均各自獨立地選自氫原子、氘原子、C1～C5的直鏈或支鏈烷基、C1～C5的直鏈或支鏈烷氧基。C1～C5的直鏈或支鏈烷基可以列舉為甲基、乙基、正丙基、正丁基、叔丁基、戊基等。C1～C5的直鏈或支鏈烷氧基可以列舉為甲氧基、乙氧基、正丙基氧基、叔丁基氧基等。作為優(yōu)選具體實施方式，-L4-L8和-L5-L9相同，-L3-L7和-L6-L10相同。-L4-L8和-L5-L9相同且-L3-L7和-L6-L10相同的化學(xué)式具有更好地空穴傳輸速率，且合成方法更簡單。在一個優(yōu)選具體實施方式中，空穴傳輸材料包括中的任意1種或至少2種的組合。在一個具體實施方式中，所述空穴傳輸材料的空穴遷移率為9×10-5～5×10-4cm2/V·S，例如1.0×10-4cm2/V·S、2.0×10-4cm2/V·S、3.0×10-4cm2/V·S、4.0×10-4cm2/V·S等；25℃下，所述空穴傳輸材料在NMP中的溶解度≥10g/L，例如11g/L、13g/L、15g/L、16g/L、19g/L、20g/L等。9×10-5～5×10-4cm2/V·S的遷移率能夠保證不會發(fā)生像素間的串?dāng)_，在NMP中10g/L以上的溶解度，能夠滿足MASK的清洗要求。在一個具體實施方式中，本發(fā)明還提供了一種空穴傳輸層，所述空穴傳輸層包括如前所述的空穴傳輸材料。優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的厚度為例如等。優(yōu)選地，所述空穴傳輸層在如前所述的空穴傳輸材料中摻雜P型有機材料。優(yōu)選地，所述空穴傳輸層中，所述P型有機材料的摻雜比例為1～10wt％，例如2wt％、3wt％、4wt％、5wt％、6wt％、7wt％、8wt％、9wt％等。本發(fā)明還提供了一種OLED顯示面板，所述OLED顯示面板包含第一電極和第二電極，所述第一電極和第二電極之間設(shè)置包括發(fā)光層和空穴傳輸層的疊層，所述空穴傳輸層包括如前所述的空穴傳輸材料，或者所述空穴傳輸層為如前所述的空穴傳輸層。所述第一電極的材料示例性的可以選擇氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)和二氧化錫中的任意1種或至少2種的組合。所述第二電極示例性的可以選擇鎂、鋁、銀中的任意1種或至少2種的組合。在一個優(yōu)選具體實施方式中，所述疊層還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中的任意1種或至少2種的組合。所述空穴注入層的材料示例性的可以選擇TDATA2-TNATA和TCTA中的任意1種或至少2種的組合。所述電子傳輸材料示例性的可以選擇BPhen三(8-羥基喹啉)和TPBi中的任意1種或至少2種的組合。在一個具體實施方式中，所述發(fā)光層包括藍(lán)光發(fā)光單元、綠光發(fā)光單元、紅光發(fā)光單元中的任意1種或至少2種的組合。優(yōu)選地，所述藍(lán)光發(fā)光單元、綠光發(fā)光單元、紅光發(fā)光單元具有共用的空穴傳輸層，所述共用的空穴傳輸層包括如前所述的空穴傳輸材料，或者所述共用的空穴傳輸層為如前所述的空穴傳輸層。優(yōu)選地，所述共用的空穴傳輸層的厚度為例如等。在一個具體實施方式中，所述綠光發(fā)光單元和紅光發(fā)光單元采用磷光材料；所述藍(lán)光發(fā)光單元采用熒光材料。在一個具體實施方式中，所述OLED顯示面板的紅光外量子效率≥16％；綠光外量子效率≥16％；藍(lán)光外量子效率≥10％。在一個具體實施方式中，所述疊層還包括空穴注入層、電子傳輸層和電子注入層中的任意1種或至少2種的組合。在一個具體實施方式中，所述OLED顯示面板由下至上依次包括第一電極、空穴注入層、空穴傳輸層，發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和第二電極。在一個具體實施方式中，所述第一電極為陽極，所述第二電極為陰極。在一個具體實施方式中，本發(fā)明所述OLED顯示面板示例性的具有圖1的結(jié)構(gòu)，包括基板101，設(shè)置于基板101之上的第一電極102，順序疊層于第一電極102之上的空穴傳輸層103和發(fā)光層104，以及形成于其上的第二電極105。在又一個具體實施方式中，本發(fā)明所述OLED顯示面板示例性的具有圖2的結(jié)構(gòu)，包括基板201，設(shè)置于基板201之上的第一電極202，順序疊層于第一電極202之上的緩沖層207、空穴傳輸層203、電子傳輸層206，以及形成于其上的第二電極205，和覆蓋于所述第二電極205之上的蓋帽層208；所述空穴傳輸層203之上還設(shè)置有藍(lán)光發(fā)光單元2041、綠光發(fā)光單元2042和紅光發(fā)光單元2043，所述電子傳輸層206覆蓋所述藍(lán)光發(fā)光單元2041、綠光發(fā)光單元2042和紅光發(fā)光單元2043以及所述藍(lán)光發(fā)光單元2041、綠光發(fā)光單元2042和紅光發(fā)光單元2043相互之間的空隙。所述空穴傳輸層203可以是均勻厚度的層，也可以是針對不同的發(fā)光單元具有不同厚度的層，如紅光發(fā)光單元2043與緩沖層207之間的空穴傳輸層厚度較大，綠光發(fā)光單元2042與緩沖層207之間的空穴傳輸層厚度其次，綠光發(fā)光單元2041與緩沖層207之間的空穴傳輸層厚度最小。在又一個具體實施方式中，本發(fā)明所述OLED顯示面板示例性的具有圖3的結(jié)構(gòu)，包括基板301，設(shè)置于基板301之上的第一電極302，順序疊層于第一電極302之上的緩沖層307、共用空穴傳輸層303、獨立空穴傳輸層(紅光獨立空穴傳輸層3093、綠光獨立空穴傳輸層3092和藍(lán)光獨立空穴傳輸層3091)、電子傳輸層306，以及形成于其上的第二電極305，和覆蓋于所述第二電極205之上的蓋帽層308；所述獨立空穴傳輸層的紅光獨立空穴傳輸層3093之上還設(shè)置有紅光發(fā)光單元3043，獨立空穴傳輸層的綠光獨立空穴傳輸層3092之上還設(shè)置有綠光發(fā)光單元3042，獨立空穴傳輸層的藍(lán)光獨立空穴傳輸層3091之上還設(shè)置有藍(lán)光發(fā)光單元3041，所述電子傳輸層306覆蓋所述藍(lán)光發(fā)光單元3041、綠光發(fā)光單元3042和紅光發(fā)光單元3043以及所述藍(lán)光發(fā)光單元3041、綠光發(fā)光單元3042和紅光發(fā)光單元3043相互之間的空隙。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明了，本發(fā)明所列舉的OLED顯示面板并不能夠窮盡所有的結(jié)構(gòu)，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以根據(jù)實際情況對顯示面板進(jìn)行設(shè)計，例如，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以將紅光發(fā)光單元、藍(lán)光發(fā)光單元和綠光發(fā)光單元對應(yīng)的空穴傳輸層設(shè)置成不同的厚度，以滿足不同顏色的發(fā)光單元產(chǎn)生的微腔效應(yīng)；本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以在所述發(fā)光單元與公共空穴傳輸層之間設(shè)置專屬傳輸層，例如在紅光發(fā)光單元的發(fā)光材料與公共空穴傳輸層之間設(shè)置紅光-空穴傳輸單元，在綠光發(fā)光單元的發(fā)光材料與公共空穴傳輸層之間設(shè)置綠光-空穴傳輸單元，在藍(lán)光發(fā)光單元的發(fā)光材料與公共空穴傳輸層之間設(shè)置藍(lán)光-空穴傳輸單元。本發(fā)明還提供了一種電子設(shè)備，包括如前所述的OLED顯示面板。本發(fā)明提供的具有式(I)所示結(jié)構(gòu)的化合物，可以通過現(xiàn)有技術(shù)合成，示例性的如：當(dāng)-L4-L8和-L5-L9相同，-L3-L7和-L6-L10相同時，其制備方法可以簡化為：合成實施例1：向一個500mL三口燒瓶中加入5g(14.3mmol)中間體1，2.3g(6.9mmol)中間體2，乙酸鈀30.9mg(0.138mmol)和叔丁醇鈉1.1g(13.9mmol)。將燒瓶置換成氮氣，往瓶中注入脫水甲苯100mL，和0.12mL(0.276mmol)三-叔丁基磷。置于油浴中，緩慢加熱至110℃攪拌8小時，靜置過夜。將形成的固體用二氯甲烷溶解，用300mL的飽和鹽水洗滌后，用硫酸鎂干燥有機層。采用甲苯和乙醇混合溶劑進(jìn)行重結(jié)晶，得到目標(biāo)化合物4.5g(5.17mmol)，產(chǎn)率75％。通過LC-MS得到質(zhì)譜M/Z＝876.5。合成實施例2向一個500mL三口燒瓶中加入5g(13.7mmol)中間體3，2.2g(6.7mmol)中間體2，乙酸鈀29.8mg(0.134mmol)和叔丁醇鈉1.2g(14.4mmol)。將燒瓶置換成氮氣，往瓶中注入脫水甲苯100mL，和0.12mL(0.268mmol)三-叔丁基磷。置于油浴中，緩慢加熱至110℃攪拌8小時，靜置過夜。將形成的固體用二氯甲烷溶解，用300mL的飽和鹽水洗滌后，用硫酸鎂干燥有機層。采用甲苯和乙醇混合溶劑進(jìn)行重結(jié)晶，得到目標(biāo)化合物4.1g(4.69mmol)，產(chǎn)率70％。通過LC-MS得到質(zhì)譜M/Z＝890.5。實施例1制備具體圖2所示結(jié)構(gòu)的OLED顯示面板，制備工藝為：在玻璃材質(zhì)的基底201上，形成反射銀陽極100nm，之后沉積ITO膜層，膜厚15nm，得到第一電極202作為陽極，之后蒸鍍與的混合材料作為緩沖層，混合比例為5:95(質(zhì)量比)，之后采用精細(xì)金屬遮罩真空蒸鍍在紅光、綠光、藍(lán)光像素上分別形成厚度分別210nm、170nm、130nm的膜，得到空穴傳輸層203，其空穴遷移率為2×10-4cm2/V·S，NMP中的溶解度為15g/L，然后以95:5的蒸鍍速率蒸鍍40nm，制作發(fā)射紅光發(fā)光單元2043；然后以9:1的蒸鍍速率蒸鍍40nm，制作綠光發(fā)光單元2042；然后以95:5的蒸鍍速率蒸鍍與30nm，制作藍(lán)光發(fā)光單元2041；然后以1:1的蒸鍍速率共蒸鍍蒸發(fā)材料，形成厚度30nm的電子傳輸層206，之后形成厚度15nm的鎂銀合金(銀：鎂質(zhì)量比為9:1)，作為第二電極205，之后蒸鍍60nm蓋帽層2088-羥基喹啉鋁，之后用防護(hù)玻璃片覆蓋。實施例2與實施例1的區(qū)別在于，將空穴傳輸層的材料替換為其空穴遷移率為1.2×10-4cm2/V·S，NMP中的溶解度為25g/L。實施例3與實施例1的區(qū)別在于，將空穴傳輸層的材料替換為其空穴遷移率為2.5×10-4cm2/V·S，NMP中的溶解度為12g/L。實施例4與實施例1的區(qū)別在于，將空穴傳輸層的材料替換為其空穴遷移率為2.4×10-4cm2/V·S，NMP中的溶解度為12g/L。對比例1與實施例1的區(qū)別在于，將空穴傳輸層的材料替換為其空穴遷移率為3×10-4cm2/V·S，NMP中的溶解度為1.2g/L。對比例2與實施例1的區(qū)別在于，將空穴傳輸層的材料替換為性能測試：將實施例和對比例的OLED顯示面板進(jìn)行如下性能測試：①器件電壓測試方法為：將程序調(diào)成B的畫面，測試藍(lán)光在10mA/cm2時的電壓；②Crosstalk測試方法為：在暗室中，將程序調(diào)成B的畫面，測試藍(lán)光亮度為0.1Cd/m2時相鄰像素綠光的亮度比值，LGreen/LBlue；③Mask清洗效果：固定超聲頻率為40kHz，溫度為25℃時全部將空穴傳輸層203紅光的MASK上的材料全部清洗完所需要的時間。測試結(jié)果見表1。表1器件電壓LGreen/LBlueMask清洗時間實施例1102％1.9％20s實施例2108％2.1％15s實施例3102％1.7％20s實施例4102％1.7％20s對比例1100％1.5％80s對比例2103％1.7％65s申請人聲明，本發(fā)明通過上述實施例來說明本發(fā)明的詳細(xì)工藝設(shè)備和工藝流程，但本發(fā)明并不局限于上述詳細(xì)工藝設(shè)備和工藝流程，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細(xì)工藝設(shè)備和工藝流程才能實施。所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對本發(fā)明的任何改進(jìn)，對本發(fā)明產(chǎn)品各原料的等效替換及輔助成分的添加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍和公開范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁1 2 3