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改性多糖的制作方法

文檔序號:12856587閱讀:來源:國知局

技術特征:

技術總結
將陽離子取代基和硅取代基引入多糖,由此產生被季銨基團陽離子取代的并具有大約0.1至大約2.5毫當量/克的電荷密度的改性多糖,并且所述改性多糖進一步被硅醇鹽基團取代使得該改性多糖具有大約300至大約5000?ppm的硅含量。該改性多糖具有在工業(yè)、家庭護理和個人護理表面改性制劑中的應用。

技術研發(fā)人員:C.貝羅文;L.謝赫特;N.尼科利奇
受保護的技術使用者:玉米產品開發(fā)公司
技術研發(fā)日:2016.12.15
技術公布日:2017.11.03
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