本發(fā)明涉及導(dǎo)電玻璃制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜及其制備方法。

背景技術(shù)：

隱身化是飛行器未來重要發(fā)展技術(shù)之一，座艙、雷達(dá)艙、進(jìn)氣道是飛行器最重要的三個(gè)散射源，玻璃基底作為透明件，先首先滿足隱身性能，即具有較強(qiáng)的雷達(dá)反射能力，座艙隱身主要通過在玻璃基底上鍍制一層電磁波控制薄膜將腔體強(qiáng)散射轉(zhuǎn)化為玻璃基底外表面弱散射，提高隱身性能。當(dāng)前的座艙隱身膜系采用氧化銦錫單層膜或氧化鈦/鈦/氧化鈦多層膜，其功能實(shí)現(xiàn)由氧化銦錫和金屬鈦完成，其它層用來對功能層的保護(hù)，為提高雷達(dá)反射性能，簡單的將膜層加厚會(huì)帶來顏色、可見光透過率、膜層附著力等方面損失。

一般在飛行過程中遇到雨雪天氣或由于飛行狀態(tài)變化的影響引起玻璃基底基底產(chǎn)生結(jié)霧甚至結(jié)冰現(xiàn)象，飛機(jī)在高空長時(shí)間飛行的內(nèi)外溫差或由高至低飛行遇到低空高濕環(huán)境時(shí)座艙會(huì)出現(xiàn)結(jié)霧現(xiàn)象，這一結(jié)冰結(jié)霧現(xiàn)象造成飛行員視野舒適度變差，甚至出現(xiàn)視覺失真，嚴(yán)重威脅飛行作戰(zhàn)任務(wù)安全。為了提高飛行安全性，應(yīng)保證充分的飛行員視野，這一要求包含兩方面內(nèi)容，一是高的可見光透過率，二是飛行中不得有嚴(yán)重的結(jié)冰結(jié)霧現(xiàn)象，這要求飛行器在防冰防霧性能甚至節(jié)能等性能上有進(jìn)一步要求。飛行器透明件的防冰防霧可通過電加熱透明導(dǎo)電膜來實(shí)現(xiàn)，同時(shí)兼顧可見光透過率和防冰防霧需求。通過在線或離線鍍膜生產(chǎn)技術(shù)在座艙透明件雙面根據(jù)設(shè)計(jì)需求依次沉積單層或多層透明導(dǎo)電膜層，實(shí)現(xiàn)多個(gè)頻率電磁波的高反射，提高座艙隱身性能，綜合可見光、紅外線的可選擇性通過和截止，滿足視野要求，進(jìn)一步，座艙透明導(dǎo)電膜適當(dāng)?shù)牡碗娮杩蓾M足電加熱需求，解決座艙透明件的防冰防霧現(xiàn)象。

用于作戰(zhàn)的隱身飛行器可能會(huì)面臨不同的戰(zhàn)斗環(huán)境，必須適當(dāng)考慮潮濕環(huán)境、濕鹽環(huán)境、高溫低溫環(huán)境等，必然要求座艙透明件的透明導(dǎo)電膜在耐酸堿鹽腐蝕性能，優(yōu)秀的耐候性能和機(jī)械性能，以滿足先進(jìn)隱身飛行器的工作需求。

目前，用于隱身飛機(jī)的玻璃基底均采用單一氧化物膜或簡單金屬膜層實(shí)現(xiàn)電磁波反射，單純采用氧化銦錫膜層透光率較低且雷達(dá)反射效果稍差，而采用簡單金屬膜，耐腐蝕、耐候性、耐摩擦性較差；同時(shí)，考慮到飛行安全問題，缺乏一種防冰防霧性能的用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜及其制備方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是針對上述問題，提供一種防冰防霧性能的用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜及其制備方法。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用了下列技術(shù)方案：本發(fā)明的一種用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜，所述用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜包括A面和B面，所述A面和B面上分別設(shè)置有不同的透明薄膜，A面為電加熱膜系，B面為隱身功能膜系；

所述電加熱膜系由玻璃基底由內(nèi)向外依次為電加熱附著層、電加熱功能層和電加熱保護(hù)層；所述隱身功能膜系由玻璃基底由內(nèi)向外依次為隱身附著層、隱身功能層和隱身保護(hù)層。兩面附著層用于阻止雜質(zhì)離子元素進(jìn)入膜層功能層影響效果，并提高附著力，進(jìn)而調(diào)整膜層可見光透過率、顏色匹配；兩面保護(hù)層用于保護(hù)A/B面膜系功能層，提高膜系耐候性、耐腐蝕性和機(jī)械性能。

進(jìn)一步地，所述玻璃基底為座艙有機(jī)玻璃基底。

進(jìn)一步地，所述電加熱附著層由兩個(gè)連續(xù)的膜層組成，所述兩個(gè)連續(xù)的膜層包括第一氧化硅層或第一氮氧化硅層、第一氧化鋅鋁層，所述第一氧化硅層或第一氮氧化硅層的膜層厚度為18～25nm，第一氧化鋅鋁層的膜層厚度為75～115nm。電加熱附著層可提高膜層附著力的同時(shí)具備一定的導(dǎo)電能力，有利于改善防冰防霧效果；

更進(jìn)一步地，所述電加熱功能層由四個(gè)連續(xù)的膜層組成，所述四個(gè)連續(xù)的膜層包括第一金屬鈦層或金屬銀層、第一氧化鈦層、氧化鈮層、第一氧化銦錫層，所述第一金屬鈦層或金屬銀層的膜層厚度為6～11nm，第一氧化鈦層的膜層厚度為15～22nm，氧化鈮層的膜層厚度為10～15nm，第一氧化銦錫層的膜層厚度為120～165nm。

功能層中各層實(shí)現(xiàn)低電阻并保證透光率需求，低電阻用于通電加熱防冰防霧功能，同時(shí)具備一定的雷達(dá)、紅外反射能力；

進(jìn)一步地，所述電加熱保護(hù)層為第二氧化鈦層或氮化鈦層，所述第二氧化鈦層或氮化鈦層的膜層厚度為65～150nm；所述A面電加熱透明導(dǎo)電膜層兩側(cè)涂覆導(dǎo)電銀漿或銅電極與電加熱電源相連接。

進(jìn)一步地，所述隱身附著層由內(nèi)向外依次為第二氧化硅層或第二氮氧化硅層和第二氧化鋅鋁層，所述第二氧化硅層或第二氮氧化硅層的膜層厚度為18～25nm，第二氧化鋅鋁層的膜層厚度為25～40nm。

更進(jìn)一步地，所述隱身功能層由內(nèi)向外依次為第一氧化鋯層、第二金屬鈦層、第二氧化鋯層、第三金屬鈦層和第三氧化鋯層，所述第一氧化鋯層的膜層厚度為20～40nm，所述第二氧化鋯層的膜層厚度為10～15nm，所述第三氧化鋯層的膜層厚度為2～20nm，第二金屬鈦層的膜層厚度為6～8nm，所述第三金屬鈦層的膜層厚度為4～6nm。

第一金屬鈦層和第二金屬鈦層為座艙隱身主功能層，實(shí)現(xiàn)雷達(dá)反射能力，同時(shí)兼顧紅外節(jié)能和紫外截止性能，三層氧化鋯層對隱身性能提高有一定輔助作用；

進(jìn)一步地，所述隱身保護(hù)層由內(nèi)而外依次包括第二氧化銦錫層和第三氮氧化硅層，所述第二氧化銦錫層的膜層厚度為150～265nm，第三氮氧化硅層的膜層厚度為65～150nm。氧化銦錫具備優(yōu)秀的耐腐蝕和導(dǎo)電能力，同時(shí)滿足耐候性、耐腐蝕性并改善隱身性能，氮氧化硅具有優(yōu)秀的耐摩擦性能和耐腐蝕性能，并與氧化銦錫結(jié)合力強(qiáng)，用于對整個(gè)膜系的進(jìn)一步保護(hù)，并提高使用壽命。

本發(fā)明所述的用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜的制備方法，包括如下步驟：

(1)采用連續(xù)式磁控濺射方式，鍍膜環(huán)境要求：潔凈度萬級(jí)以內(nèi)、溫度在18～23℃、濕度60％以下，陰極冷卻水溫度10～22℃，開啟真空泵系統(tǒng)，先使真空腔室達(dá)到本底真空要求：緩沖室真空度<0.1Pa、鍍膜室真空度<1～3×10^-3Pa；

(2)座艙有機(jī)玻璃基底經(jīng)過超聲波清洗或自動(dòng)化清洗設(shè)備清洗后，以臥式或立式方式進(jìn)入鍍膜設(shè)備，依次經(jīng)過進(jìn)基片室、緩沖室到達(dá)鍍膜室，緩沖室氣壓在0.1～1.5Pa，充入工作氣體，同時(shí)鍍膜室氣壓維持在0.2～0.85Pa之間，根據(jù)實(shí)際工藝需求充入工作氣體和工藝氣體；

(3)待腔體內(nèi)氣壓穩(wěn)定后，將有機(jī)玻璃基底待鍍膜B面正對靶面，保持基底至靶面距離在8～25cm范圍，連續(xù)開啟磁控濺射鍍膜設(shè)備的中頻或直流電源，起輝穩(wěn)定后依次在基底上沉積隱身附著層、隱身功能層、隱身保護(hù)層，各層中對應(yīng)膜層依據(jù)技術(shù)需求工藝氣體采用氧氣或氮?dú)猓?/p>

(4)B面鍍膜結(jié)束后，基底經(jīng)過緩沖室、出膜室；

(5)清洗上片，重復(fù)上述步驟(1)～(3)，第二次鍍膜正面為A面，依次沉積電加熱附著層、電加熱功能層、電加熱保護(hù)層，鍍膜過程中基底傳輸速度保持平穩(wěn)均勻，速度范圍為0.5～2.5m/min，制得用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜。

進(jìn)一步地，在步驟(2)中，所述工作氣體為氬氣，所述工藝氣體為氧氣或氮?dú)?；在步驟(3)中，連續(xù)開啟磁控濺射鍍膜設(shè)備的中頻或直流電源，采用恒功率的范圍為3～40kw或恒電流的范圍為1～40A。

有益效果：本發(fā)明實(shí)現(xiàn)雷達(dá)隱身和電加熱防冰防霧功能、光性能可控、雷達(dá)波反射能力，同時(shí)滿足飛行器隱身和需求，可同時(shí)，反射回雷達(dá)的特征信號(hào)降低10dB以上，可見光透過率可提高至80％以上。內(nèi)側(cè)實(shí)現(xiàn)電加熱防冰防霧功能，外側(cè)實(shí)現(xiàn)雷達(dá)反射能力，兩側(cè)膜層功能相互補(bǔ)充輔助，實(shí)現(xiàn)高透光率、高隱身性能的防冰防霧功能，膜層耐腐蝕強(qiáng)、耐候性優(yōu)秀，生產(chǎn)工藝穩(wěn)定可控，參數(shù)可實(shí)現(xiàn)自主化調(diào)整。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)：

(1)綜合調(diào)整雙面透明導(dǎo)電膜層的各功能層、氧化物導(dǎo)電膜層及其他膜層之間的匹配關(guān)系及沉積工藝參數(shù)，可實(shí)現(xiàn)電磁波高散射、可見光高透射、低面電阻的自主調(diào)整，膜系除滿足必要的隱身性能、防冰防霧性能外，還具備紅外高反射、紫外線截止性能。

(2)考慮到高溫低溫環(huán)境、濕鹽環(huán)境、濕熱環(huán)境等惡劣氣象條件下的穩(wěn)定性和壽命，采用保護(hù)層對功能膜層提供隔離保護(hù)；內(nèi)層增加的附著層可提高膜層附著力，同時(shí)，隔離功能膜層與玻璃雜質(zhì)離子的接觸，改善膜層性能參數(shù)。綜合采用氧化鋯和金屬鈦的夾心式實(shí)現(xiàn)雷達(dá)高反射、低電阻，同時(shí)調(diào)整可見光透光率、紅外紫外截止調(diào)整，結(jié)合保護(hù)層的氧化銦錫，進(jìn)一步提升隱身性能，并保證各性能參數(shù)的相對穩(wěn)定。

(3)隱身膜系和電加熱膜系采用化學(xué)性能穩(wěn)定的金屬鈦和耐腐蝕的導(dǎo)電氧化物：氧化鋯、氧化銦錫等，綜合提高了性能參數(shù)的穩(wěn)定性，可同時(shí)滿足雙面透明導(dǎo)電膜的耐腐蝕性能、機(jī)械性能和耐候性。電加熱膜層結(jié)合金屬鈦和氧化銦錫等導(dǎo)電膜層，面電阻可調(diào)整，通過外接電源提供能源，提高玻璃基底溫度，防止玻璃基底結(jié)冰結(jié)霧，并可對隱身性能在一定程度上有輔助效果。

附圖說明

圖1本發(fā)明的用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜的示意圖；

其中，0玻璃基底，對A面，1-11第一氧化硅或第一氮氧化硅層，1-12第一氧化鋅鋁層，1-21第一金屬鈦層或金屬銀層，1-22第一氧化鈦層，1-23氧化鈮層，1-24第一氧化銦錫層，1-3第二氧化鈦層或氮化鈦層；對B面，2-11第二氧化硅或第二氮氧化硅層，2-12第二氧化鋅鋁層，2-21第一氧化鋯層，2-22第二金屬鈦層，2-23第二氧化鋯層，2-24第三金屬鈦層，2-25第三氧化鋯層，2-31第二氧化銦錫層，2-32第三氮氧化硅層。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

實(shí)施例1

本發(fā)明的一種用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜，所述用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜包括A面和B面，所述A面和B面上分別設(shè)置有不同的透明薄膜，A面為電加熱膜系，B面為隱身功能膜系；

所述電加熱膜系由玻璃基底由內(nèi)向外依次為電加熱附著層、電加熱功能層和電加熱保護(hù)層；所述隱身功能膜系由玻璃基底由內(nèi)向外依次為隱身附著層、隱身功能層和隱身保護(hù)層。

兩面附著層用于阻止雜質(zhì)離子元素進(jìn)入膜層功能層影響效果，并提高附著力，進(jìn)而調(diào)整膜層可見光透過率、顏色匹配；兩面保護(hù)層用于保護(hù)A/B面膜系功能層，提高膜系耐候性、耐腐蝕性和機(jī)械性能。

所述玻璃基底為座艙有機(jī)玻璃基底。

所述電加熱附著層由兩個(gè)連續(xù)的膜層組成，所述兩個(gè)連續(xù)的膜層包括第一氧化硅層1-11、第一氧化鋅鋁層1-12，所述第一氧化硅層1-11的膜層厚度為18nm，第一氧化鋅鋁層1-12的膜層厚度為115nm，

電加熱附著層可提高膜層附著力的同時(shí)具備一定的導(dǎo)電能力，有利于改善防冰防霧效果；

所述電加熱功能層由四個(gè)連續(xù)的膜層組成，所述四個(gè)連續(xù)的膜層包括金屬銀層1-21、第一氧化鈦層1-22、氧化鈮層1-23、第一氧化銦錫層1-24，所述金屬銀層1-21的膜層厚度為6nm，第一氧化鈦層1-22的膜層厚度為22nm，氧化鈮層1-23的膜層厚度為10nm，第一氧化銦錫層1-24的膜層厚度為155nm。

功能層中各層實(shí)現(xiàn)低電阻并保證透光率需求，低電阻用于通電加熱防冰防霧功能，同時(shí)具備一定的雷達(dá)、紅外反射能力；

所述電加熱保護(hù)層為第二氧化鈦1-3，所述第二氧化鈦1-3的膜層厚度為65nm；所述A面電加熱透明導(dǎo)電膜層兩側(cè)涂覆導(dǎo)電銀漿電極與電加熱電源相連接。

所述隱身附著層由內(nèi)向外依次為第二氧化硅層2-11和第二氧化鋅鋁層2-12，所述第二氧化硅層2-11的膜層厚度為25nm，第二氧化鋅鋁層2-12的膜層厚度為25nm；

所述隱身功能層由內(nèi)向外依次為第一氧化鋯層2-21、第二金屬鈦層2-22、第二氧化鋯層2-23、第三金屬鈦層2-24和第三氧化鋯層2-25，所述第一氧化鋯層2-21的膜層厚度為20nm，所述第二氧化鋯層2-23的膜層厚度為15nm，所述第三氧化鋯層2-25的膜層厚度為2nm，第二金屬鈦層2-22的膜層厚度為8nm，所述第三金屬鈦層2-24的膜層厚度為4nm。

第二金屬鈦層2-22和第三金屬鈦層2-24為座艙隱身主功能層，實(shí)現(xiàn)雷達(dá)反射能力，同時(shí)兼顧紅外節(jié)能和紫外截止性能，三層氧化鋯層對隱身性能提高有一定輔助作用；

所述隱身保護(hù)層由內(nèi)而外依次包括第二氧化銦錫層2-31和第三氮氧化硅層2-32，所述第二氧化銦錫層2-31的膜層厚度為150nm，第三氮氧化硅層2-32的膜層厚度為150nm。所述氧化銦錫具備優(yōu)秀的耐腐蝕和導(dǎo)電能力，同時(shí)滿足耐候性、耐腐蝕性并改善隱身性能，氮氧化硅具有優(yōu)秀的耐摩擦性能和耐腐蝕性能，并與氧化銦錫結(jié)合力強(qiáng)，用于對整個(gè)膜系的進(jìn)一步保護(hù)，并提高使用壽命。

本發(fā)明所述的用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜的制備方法，包括如下步驟：

(1)采用連續(xù)式磁控濺射方式，鍍膜環(huán)境要求：潔凈度萬級(jí)以內(nèi)、溫度在23℃、濕度60％以下，陰極冷卻水溫度10℃，開啟真空泵系統(tǒng)，先使真空腔室達(dá)到本底真空要求：緩沖室真空度<0.1Pa、鍍膜室真空度<1×10^-3Pa；

(2)座艙有機(jī)玻璃基底經(jīng)過超聲波清洗或自動(dòng)化清洗設(shè)備清洗后，以臥式或立式方式進(jìn)入鍍膜設(shè)備，依次經(jīng)過進(jìn)基片室、緩沖室到達(dá)鍍膜室，緩沖室氣壓在0.1Pa，充入工作氣體，同時(shí)鍍膜室氣壓維持在0.65Pa之間，充入工作氣體和工藝氣體；

(3)待腔體內(nèi)氣壓穩(wěn)定后，將有機(jī)玻璃基底待鍍膜B面正對靶面，保持基底至靶面距離在8cm范圍，連續(xù)開啟磁控濺射鍍膜設(shè)備的中頻或直流電源，起輝穩(wěn)定后依次在基底上沉積隱身附著層、隱身功能層、隱身保護(hù)層，各層中對應(yīng)膜層依據(jù)技術(shù)需求工藝氣體采用氧氣或氮?dú)?；連續(xù)開啟磁控濺射鍍膜設(shè)備的中頻或直流電源，采用恒功率的范圍為40kw或恒電流的范圍為40A。

(4)B面鍍膜結(jié)束后，基底經(jīng)過緩沖室、出膜室；

(5)清洗上片，重復(fù)上述步驟(1)～(3)，第二次鍍膜正面為A面，依次沉積電加熱附著層、電加熱功能層、電加熱保護(hù)層，鍍膜過程中基底傳輸速度保持平穩(wěn)均勻，速度范圍為0.5m/min，制得用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜。上述過程也可兩面同時(shí)進(jìn)行鍍膜，依據(jù)不同結(jié)構(gòu)和技術(shù)要求進(jìn)行調(diào)整。

本發(fā)明采用磁控濺射方式分別在玻璃基底兩面沉積兩種功能膜系，分別實(shí)現(xiàn)隱身和電加熱，膜系具有隱身性能高(反射回雷達(dá)的特征信號(hào)降低10dB以上)、電加熱性能優(yōu)秀的特點(diǎn)，并保證足夠的透光率(80％以上)滿足飛行視野，同時(shí)考慮了機(jī)械性能，膜層致密度高、均勻性好，具有較高的附著力和優(yōu)秀的耐磨耐候性。

實(shí)施例2

實(shí)施例2與實(shí)施例1的區(qū)別在于：

本發(fā)明的一種用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜，所述用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜包括A面和B面，所述A面和B面上分別設(shè)置有不同的透明薄膜，A面為電加熱膜系，B面為隱身功能膜系；

所述電加熱附著層由兩個(gè)連續(xù)的膜層組成，所述兩個(gè)連續(xù)的膜層包括第一氮氧化硅層1-11、第一氧化鋅鋁層1-12，所述第一氮氧化硅層1-11的膜層厚度為22nm，第一氧化鋅鋁層1-12的膜層厚度為75nm，

電加熱附著層可提高膜層附著力的同時(shí)具備一定的導(dǎo)電能力，有利于改善防冰防霧效果；

所述電加熱功能層由四個(gè)連續(xù)的膜層組成，所述四個(gè)連續(xù)的膜層包括第一金屬鈦層1-21、第一氧化鈦層1-22、氧化鈮層1-23、第一氧化銦錫層1-24，所述第一金屬鈦層1-21的膜層厚度為8nm，第一氧化鈦層1-22的膜層厚度為15nm，氧化鈮層1-23的膜層厚度為15nm，第一氧化銦錫層1-24的膜層厚度為120nm。

功能層中各層實(shí)現(xiàn)低電阻并保證透光率需求，低電阻用于通電加熱防冰防霧功能，同時(shí)具備一定的雷達(dá)、紅外反射能力；

所述電加熱保護(hù)層為氮化鈦層1-3，所述氮化鈦層1-3的膜層厚度為90nm；所述A面電加熱透明導(dǎo)電膜層兩側(cè)涂覆導(dǎo)銅電極與電加熱電源相連接。

所述隱身附著層由內(nèi)向外依次為第二氮氧化硅層2-11和第二氧化鋅鋁層2-12，所述第二氮氧化硅層2-11的膜層厚度為20nm，第二氧化鋅鋁層2-12的膜層厚度為30nm；

所述隱身功能層由內(nèi)向外依次為第一氧化鋯層2-21、第二金屬鈦層2-22、第二氧化鋯層2-23、第三金屬鈦層2-24和第三氧化鋯層2-25，所述第一氧化鋯層2-21的膜層厚度為30nm，所述第二氧化鋯層2-23的膜層厚度為10nm，所述第三氧化鋯層2-25的膜層厚度為13nm，第二金屬鈦層2-22的膜層厚度為6nm，所述第三金屬鈦層2-24的膜層厚度為5nm。

第二金屬鈦層2-22和第三金屬鈦層2-24為座艙隱身主功能層，實(shí)現(xiàn)雷達(dá)反射能力，同時(shí)兼顧紅外節(jié)能和紫外截止性能，三層氧化鋯層對隱身性能提高有一定輔助作用，

所述隱身保護(hù)層由內(nèi)而外依次包括第二氧化銦錫層2-31和第三氮氧化硅層2-32，所述第二氧化銦錫層2-31的膜層厚度為265nm，第三氮氧化硅層2-32的膜層厚度為120nm。所述氧化銦錫具備優(yōu)秀的耐腐蝕和導(dǎo)電能力，同時(shí)滿足耐候性、耐腐蝕性并改善隱身性能，氮氧化硅具有優(yōu)秀的耐摩擦性能和耐腐蝕性能，并與氧化銦錫結(jié)合力強(qiáng)，用于對整個(gè)膜系的進(jìn)一步保護(hù)，并提高使用壽命。

本發(fā)明所述的用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜的制備方法，包括如下步驟：

在步驟(1)中，采用連續(xù)式磁控濺射方式，鍍膜環(huán)境要求：潔凈度萬級(jí)以內(nèi)、溫度在20℃、濕度60％以下，陰極冷卻水溫度16℃，開啟真空泵系統(tǒng)，先使真空腔室達(dá)到本底真空要求：緩沖室真空度<0.1Pa、鍍膜室真空度<2×10^-3Pa；

在步驟(2)中，座艙有機(jī)玻璃基底經(jīng)過超聲波清洗或自動(dòng)化清洗設(shè)備清洗后，以臥式或立式方式進(jìn)入鍍膜設(shè)備，依次經(jīng)過進(jìn)基片室、緩沖室到達(dá)鍍膜室，緩沖室氣壓在1.5Pa，充入工作氣體，同時(shí)鍍膜室氣壓維持在0.2Pa之間，充入工作氣體和工藝氣體；

在步驟(3)中，待腔體內(nèi)氣壓穩(wěn)定后，將有機(jī)玻璃基底待鍍膜B面正對靶面，保持基底至靶面距離在15cm范圍，連續(xù)開啟磁控濺射鍍膜設(shè)備的中頻或直流電源，起輝穩(wěn)定后依次在基底上沉積隱身附著層、隱身功能層、隱身保護(hù)層，各層中對應(yīng)膜層依據(jù)技術(shù)需求工藝氣體采用氧氣或氮?dú)猓贿B續(xù)開啟磁控濺射鍍膜設(shè)備的中頻或直流電源，采用恒功率的范圍為20kw或恒電流的范圍為30A。

在步驟(5)中，清洗上片，重復(fù)上述步驟(1)～(3)，第二次鍍膜正面為A面，依次沉積電加熱附著層、電加熱功能層、電加熱保護(hù)層，鍍膜過程中基底傳輸速度保持平穩(wěn)均勻，速度范圍為2m/min，制得用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜。

實(shí)施例3

實(shí)施例3與實(shí)施例1的區(qū)別在于：

本發(fā)明的一種用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜，所述用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜包括A面和B面，所述A面和B面上分別設(shè)置有不同的透明薄膜，A面為電加熱膜系，B面為隱身功能膜系；

所述電加熱膜系由玻璃基底由內(nèi)向外依次為電加熱附著層、電加熱功能層和電加熱保護(hù)層；所述隱身功能膜系由玻璃基底由內(nèi)向外依次為隱身附著層、隱身功能層和隱身保護(hù)層。

所述電加熱附著層由兩個(gè)連續(xù)的膜層組成，所述兩個(gè)連續(xù)的膜層包括第一氧化硅層或第一氮氧化硅層1-11、第一氧化鋅鋁層1-12，所述第一氧化硅層或第一氮氧化硅層1-11的膜層厚度為25nm，第一氧化鋅鋁層1-12的膜層厚度為95nm，

電加熱附著層可提高膜層附著力的同時(shí)具備一定的導(dǎo)電能力，有利于改善防冰防霧效果；

所述電加熱功能層由四個(gè)連續(xù)的膜層組成，所述四個(gè)連續(xù)的膜層包括第一金屬鈦層1-21、第一氧化鈦層1-22、氧化鈮層1-23、第一氧化銦錫層1-24，所述第一金屬鈦層1-21的膜層厚度為11nm，第一氧化鈦層1-22的膜層厚度為18nm，氧化鈮層1-23的膜層厚度為12nm，第一氧化銦錫層1-24的膜層厚度為165nm。

功能層中各層實(shí)現(xiàn)低電阻并保證透光率需求，低電阻用于通電加熱防冰防霧功能，同時(shí)具備一定的雷達(dá)、紅外反射能力；

所述電加熱保護(hù)層為第二氧化鈦層或氮化鈦層1-3，所述第二氧化鈦層或氮化鈦層1-3的膜層厚度為150nm；所述A面電加熱透明導(dǎo)電膜層兩側(cè)涂覆導(dǎo)電銀漿電極與電加熱電源相連接。

所述隱身附著層由內(nèi)向外依次為第二氧化硅層2-11和第二氧化鋅鋁層2-12，所述第二氧化硅層2-11的膜層厚度為18nm，第二氧化鋅鋁層2-12的膜層厚度為40nm；

所述隱身功能層由內(nèi)向外依次為第一氧化鋯層2-21、第二金屬鈦層2-22、第二氧化鋯層2-23、第三金屬鈦層2-24和第三氧化鋯層2-25，所述第一氧化鋯層2-21的膜層厚度為40nm，所述第二氧化鋯層2-23的膜層厚度為12nm，所述第三氧化鋯層2-25的膜層厚度為20nm，第二金屬鈦層2-22的膜層厚度為7nm，所述第三金屬鈦層2-24的膜層厚度為6nm。

所述隱身保護(hù)層由內(nèi)而外依次包括第二氧化銦錫層2-31和第三氮氧化硅層2-32，所述第二氧化銦錫層2-31的膜層厚度為235nm，第三氮氧化硅層2-32的膜層厚度為65nm。

本發(fā)明所述的用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜的制備方法，包括如下步驟：

在步驟(1)中，采用連續(xù)式磁控濺射方式，鍍膜環(huán)境要求：潔凈度萬級(jí)以內(nèi)、溫度在18℃、濕度60％以下，陰極冷卻水溫度22℃，開啟真空泵系統(tǒng)，先使真空腔室達(dá)到本底真空要求：緩沖室真空度<0.1Pa、鍍膜室真空度<3×10^-3Pa；

在步驟(2)中，座艙有機(jī)玻璃基底經(jīng)過超聲波清洗或自動(dòng)化清洗設(shè)備清洗后，以臥式或立式方式進(jìn)入鍍膜設(shè)備，依次經(jīng)過進(jìn)基片室、緩沖室到達(dá)鍍膜室，緩沖室氣壓在1.2Pa，充入工作氣體，同時(shí)鍍膜室氣壓維持在0.85Pa之間，充入工作氣體和工藝氣體；

在步驟(3)中，待腔體內(nèi)氣壓穩(wěn)定后，將有機(jī)玻璃基底待鍍膜B面正對靶面，保持基底至靶面距離在25cm范圍，連續(xù)開啟磁控濺射鍍膜設(shè)備的中頻或直流電源，起輝穩(wěn)定后依次在基底上沉積隱身附著層、隱身功能層、隱身保護(hù)層，各層中對應(yīng)膜層依據(jù)技術(shù)需求工藝氣體采用氧氣或氮?dú)猓贿B續(xù)開啟磁控濺射鍍膜設(shè)備的中頻或直流電源，采用恒功率的范圍為3kw或恒電流的范圍為1A。

在步驟(5)中，清洗上片，重復(fù)上述步驟(1)～(3)，第二次鍍膜正面為A面，依次沉積電加熱附著層、電加熱功能層、電加熱保護(hù)層，鍍膜過程中基底傳輸速度保持平穩(wěn)均勻，速度范圍為2.5m/min，制得用于隱身飛機(jī)的電加熱防冰防霧透明導(dǎo)電膜。

盡管本文較多地使用了玻璃基底0，第一氧化硅或第一氮氧化硅層1-11，第一氧化鋅鋁層1-12，第一金屬鈦層或金屬銀層1-21，第一氧化鈦層1-22，氧化鈮層1-23，第一氧化銦錫層1-24，第二氧化鈦層或氮化鈦層1-3，第二氧化硅或第二氮氧化硅層2-11，第二氧化鋅鋁層2-12，第一氧化鋯層2-21，第二金屬鈦層2-22，第二氧化鋯層2-23，第三金屬鈦層2-24，第三氧化鋯層2-25，第二氧化銦錫層2-31，第三氮氧化硅層2-32等術(shù)語，但并不排除使用其它術(shù)語的可能性。使用這些術(shù)語僅僅是為了更方便地描述和解釋本發(fā)明的本質(zhì)；把它們解釋成任何一種附加的限制都是與本發(fā)明精神相違背的。

本文中所描述的具體實(shí)施例僅僅是對本發(fā)明精神作舉例說明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代，但并不會(huì)偏離本發(fā)明的精神或者超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。