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提高聚酰胺酸薄膜側(cè)邊亞胺化率的方法及設(shè)施與流程

文檔序號(hào):11697621閱讀:652來源:國(guó)知局
提高聚酰胺酸薄膜側(cè)邊亞胺化率的方法及設(shè)施與流程
本發(fā)明涉及聚酰亞胺薄膜制造技術(shù),具體為一種提高聚酰胺酸薄膜側(cè)邊亞胺化率的方法及設(shè)施。

背景技術(shù):
聚酰亞胺薄膜是具有高強(qiáng)度、高韌性、耐磨耗、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)異性能的高分子材料,是制作各種中高檔電工電子元器件的主要絕緣材料,廣泛應(yīng)用于電工電子行業(yè)。目前聚酰亞胺薄膜的制備工藝是以聚酰胺酸樹脂溶液為原料,在流涎機(jī)上流涎得到自支撐的聚酰胺酸薄膜,再經(jīng)過加熱拉伸、高溫亞胺化、冷卻定型處理得到聚酰亞胺薄膜。隨著下游應(yīng)用產(chǎn)品輕、薄、短、小及高可靠性的設(shè)計(jì)要求,市場(chǎng)需求的薄膜厚度規(guī)格趨于薄型化,對(duì)其制備技術(shù)、產(chǎn)品質(zhì)量特別是產(chǎn)品良率均提出了更高的要求。聚酰亞胺薄膜制備過程中,常規(guī)采用拉伸定型或張緊定型的制造工藝達(dá)到所需要的厚度和常規(guī)性能。拉伸定型或張緊定型時(shí)均需要夾持固定聚酰亞胺薄膜半成品聚酰胺酸薄膜的兩個(gè)側(cè)邊,在高溫條件下依靠薄膜兩側(cè)的夾持裝置對(duì)薄膜施加橫向作用力,即對(duì)薄膜進(jìn)行橫向拉伸??v向拉伸時(shí)也需要夾持固定薄膜兩側(cè)邊,避免薄膜向中心收縮變形而減小寬度。例如聚酰亞胺薄膜生產(chǎn)時(shí),通常是將聚酰胺酸樹脂通過流涎方式在流涎機(jī)上成型為聚酰胺酸薄膜,之后通過高溫爐進(jìn)行亞胺化處理制得聚酰亞胺薄膜。亞胺化過程中要將半成品薄膜的雙側(cè)夾持固定,使薄膜在夾持狀態(tài)下進(jìn)行橫向拉伸或張緊處理,并保持此狀態(tài)完成高溫亞胺化,以提高薄膜的常規(guī)性能。現(xiàn)有的薄膜生產(chǎn)線兩側(cè)的夾持裝置主要為安裝在環(huán)形導(dǎo)軌的鏈條上的鏈鋏或者針扣??v橫向拉伸均要對(duì)薄膜進(jìn)行高溫處理,特別是聚酰胺酸薄膜的亞胺化需要更高溫度的處理,最高處理溫度可達(dá)500℃。生產(chǎn)線中的鏈條及其上的鏈鋏或者針扣在高溫環(huán)境下溫度也隨之升高,在拉伸入口位置夾持薄膜時(shí)極易因?yàn)楦邷卦斐杀∧?cè)邊夾破或者撕裂,側(cè)邊破損的薄膜在后續(xù)的拉伸、亞胺化、定型以及開夾等工藝過程中容易在鏈鋏鋏口位置或針扣刺扣位置造成脫鋏或脫扣而被拉破,降低薄膜拉伸質(zhì)量,甚至薄膜無法正常收卷,減少薄膜產(chǎn)品收率,嚴(yán)重影響薄膜生產(chǎn)線產(chǎn)量。同時(shí),聚酰胺酸薄膜的邊緣由于太薄容易產(chǎn)生上翹現(xiàn)象,鏈鋏夾持時(shí)使薄膜側(cè)邊折疊成雙層邊。雙層邊夾持過程中遇到高溫使得鏈鋏夾持位置薄膜容易撕裂,同樣導(dǎo)致產(chǎn)品不能正常收卷,降低薄膜產(chǎn)品收率。實(shí)際生產(chǎn)線中,聚酰亞胺薄膜的開鋏位置接近牽引收卷裝置,開鋏時(shí)薄膜受到拉伸應(yīng)力、牽引張力及收卷張力等綜合作用容易出現(xiàn)裂邊、橫向斷裂等破膜現(xiàn)象,以致薄膜無法正常收卷,嚴(yán)重影響薄膜收率,降低了薄膜產(chǎn)量。為了解決聚酰亞胺薄膜制備過程中破邊、斷膜等問題,近年出現(xiàn)了相關(guān)的專利申請(qǐng),如公告號(hào)為CN202245464U的中國(guó)實(shí)用新型專利“薄膜生產(chǎn)設(shè)備的入鋏引導(dǎo)裝置”、公開號(hào)為CN102441987A的中國(guó)發(fā)明專利“薄膜生產(chǎn)機(jī)械的鏈鋏冷卻裝置”、公開號(hào)為CN102431161A的中國(guó)發(fā)明專利“薄膜生產(chǎn)線的提前開鋏裝置”、公開號(hào)為CN102390112A的中國(guó)發(fā)明專利“薄膜拉伸定型或張緊定型設(shè)備的薄膜夾持裝置”、公告號(hào)為CN203236699U的中國(guó)實(shí)用新型專利“一種解決薄膜拉伸破膜及厚度均勻系統(tǒng)”,其中分別公開了入鋏引導(dǎo)裝置、鏈鋏冷卻裝置、提前開鋏裝置以及夾持裝置等,雖然使夾持裝置造成夾破或者撕裂薄膜側(cè)邊的問題有些減少,但并未能完全消除此類故障。而且這些裝置均需要對(duì)現(xiàn)有的生產(chǎn)線設(shè)備進(jìn)行改造或者替換,裝置結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜,也需較高的改造成本,故難以廣泛實(shí)施應(yīng)用。此外公開號(hào)為CN102416684A的中國(guó)發(fā)明專利“流涎機(jī)薄膜生產(chǎn)粘帶處置方法”、公開號(hào)為CN102303388A的中國(guó)發(fā)明專利“流涎機(jī)薄膜生產(chǎn)粘帶處理方法”、公告號(hào)為CN202147343U的中國(guó)實(shí)用新型專利“自動(dòng)擦拭脫模劑的聚酰亞胺薄膜生產(chǎn)裝置”等是通過改進(jìn)制造工藝處理流涎粘帶造成破膜、斷膜等異常,調(diào)節(jié)工藝參數(shù)較多,調(diào)節(jié)范圍大,特別是引入如擦拭脫模劑會(huì)造成薄膜過分光滑無法正常應(yīng)用于下游產(chǎn)品的副作用等。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的是提供一種提高聚酰胺酸薄膜側(cè)邊亞胺化率的方法,對(duì)從流涎鋼帶上剝離的聚酰胺酸薄膜一定寬度的邊側(cè)部分加溫,隨接近外緣溫度逐漸升高,使薄膜邊側(cè)部分的亞胺化率提高、減少薄膜邊側(cè)部分的聚酰胺酸含量,從而使聚酰胺酸薄膜側(cè)邊的強(qiáng)度增大,被夾持時(shí)不易發(fā)生夾破或者裂邊的故障,保證了薄膜的質(zhì)量,提高薄膜收率。本發(fā)明的另一目的是設(shè)計(jì)一種提高聚酰胺酸薄膜側(cè)邊亞胺化率的設(shè)施,在聚酰胺酸薄膜從鋼帶上剝離后薄膜行進(jìn)過程中其一定寬度的邊側(cè)部分的上方和/或下方安裝加熱管,隨接近外緣,加熱管與薄膜表面距離逐漸縮小,使薄膜邊側(cè)部分的溫度升高亞胺化率提高。本發(fā)明設(shè)計(jì)的一種提高聚酰胺酸薄膜側(cè)邊亞胺化率的方法,聚酰胺酸溶液在鋼帶上流涎成型為聚酰胺酸液膜,經(jīng)過熱風(fēng)烘箱干燥成為自支撐的聚酰胺酸薄膜,再進(jìn)行拉伸、亞胺化處理。對(duì)從鋼帶上剝離的聚酰胺酸薄膜,在進(jìn)行拉伸之前,薄膜兩邊側(cè)部分寬X的范圍加溫8秒~80秒,隨接近外緣溫度逐漸升高,最外緣薄膜表面溫度T=150~200℃,所述X=20~200mm。為進(jìn)一步提高聚酰胺酸薄膜兩側(cè)邊的亞胺化率,對(duì)從鋼帶上剝離的聚酰胺酸薄膜,在進(jìn)行拉伸之前,薄膜寬X的邊側(cè)部分噴淋化學(xué)亞胺化沐浴液8秒~80秒,對(duì)邊側(cè)部分進(jìn)行局部化學(xué)亞胺化,所述X=20~200mm。薄膜邊側(cè)部分的聚酰亞胺含量進(jìn)一步增大、亞胺化率再次得以提高,其強(qiáng)度進(jìn)一步加強(qiáng)。所述化學(xué)亞胺化沐浴液為業(yè)內(nèi)公知的化學(xué)亞胺化沐浴液、含有脫水劑和催化劑。其中脫水劑為乙酸酐、丙酸酐、丁酸酐、苯甲酸酐、低級(jí)脂肪族鹵化物、芳基磺酸二鹵化物、亞硫酸鹵和磷的鹵化物中的任意一種或任意幾種的混合物;其中的催化劑為吡啶及其衍生物、甲基吡啶及其衍生物、二甲基吡啶、喹啉、異喹啉、卟啉、咪唑、三乙胺、三乙醇胺、三亞乙基二胺和二異丙基乙基胺中的任意一種或任意幾種的混合物。化學(xué)亞胺化溶液的配比為一般公知配比。拉伸時(shí)提高聚酰胺酸薄膜兩邊側(cè)的表面溫度,也可進(jìn)一步改進(jìn)薄膜邊側(cè)的強(qiáng)度。拉伸設(shè)備內(nèi)聚酰胺酸薄膜中部的表面溫度G=150℃~250℃,邊側(cè)部分寬Y=20~200mm范圍內(nèi)表面溫度g為G的1.0~1.5倍,隨接近薄膜外緣薄膜表面溫度逐漸提高,g最高為375℃。亞胺化時(shí),在進(jìn)入高溫區(qū)之前,提高聚酰胺酸薄膜兩邊側(cè)的表面溫度,使薄膜邊側(cè)預(yù)先完成亞胺化、增加其強(qiáng)度。亞胺化設(shè)備內(nèi)聚酰胺酸薄膜中部的表面溫度H=320℃~450℃逐漸升高,邊側(cè)部分寬Y=20~200mm范圍內(nèi)在進(jìn)入高溫區(qū)之前,表面溫度h為H的1.0~1.5倍,隨接近薄膜外緣薄膜表面溫度逐漸提高,h最高為650℃。本發(fā)明設(shè)計(jì)的一種提高聚酰胺酸薄膜側(cè)邊亞胺化率的設(shè)施包括成型模具,承載流涎成型聚酰胺酸液膜的循環(huán)鋼帶及烘箱,其后為拉伸設(shè)備和亞胺化設(shè)備,聚酰胺酸薄膜從鋼帶上剝離后,在進(jìn)入拉伸設(shè)備前,薄膜行進(jìn)過程中其橫向?qū)扻范圍內(nèi)邊側(cè)部分的上方和/或下方安裝加熱管,所述X=20~200mm,在寬X范圍內(nèi)、在薄膜上方和/或下方排列等間距的2~6列長(zhǎng)度方向與薄膜行進(jìn)方向平行的加熱管,加熱管列的長(zhǎng)度L=u*v,其中u表示薄膜行進(jìn)速度、v表示薄膜處理時(shí)間,且0.5m/min≤u≤20.0m/min,8秒≤v≤80秒。加熱管與薄膜表面垂直距離為m,隨接近薄膜外緣m逐漸減小。在薄膜外緣上方和/或下方的加熱管與薄膜表面距離最小為M,M=10~30mm,m=(1~8)M。薄膜兩邊側(cè)部分上方和/或下方加熱管的安裝高度以薄膜縱向中心線上的鉛垂平面對(duì)稱。進(jìn)行化學(xué)亞胺化時(shí),從鋼帶上剝離的聚酰胺酸薄膜傳送行程上,在進(jìn)入拉伸設(shè)備之前,薄膜側(cè)邊設(shè)置化學(xué)亞胺化噴淋裝置,噴淋裝置包括噴淋頭和沐浴液管,在橫向?qū)扻范圍內(nèi)的薄膜上方和/或下方安裝噴淋頭,所述X=20~200mm,噴淋頭經(jīng)沐浴液管連接沐浴液泵,沐浴液泵連接沐浴液貯罐。噴淋頭朝向薄膜表面的為噴淋面,寬度為X,噴淋面上均布朝向薄膜表面的噴嘴。噴淋面靠近薄膜邊緣的噴嘴縱列的長(zhǎng)度為L(zhǎng),隨接近薄膜中心、噴嘴縱列的長(zhǎng)度逐漸減小至0。使邊側(cè)部分薄膜受到噴淋的時(shí)間隨接近邊緣逐漸增長(zhǎng)。噴淋頭下方,有沐浴液收集槽,噴淋頭的俯視投影落在沐浴液收集槽內(nèi)。沐浴液收集槽與沐浴液貯罐相連接。噴淋的沐浴液經(jīng)薄膜流入沐浴液收集槽內(nèi),再回到沐浴液貯罐內(nèi)回收循環(huán)使用。在靠近拉伸設(shè)備的噴淋頭端部和/或靠近薄膜中心的噴淋頭側(cè)邊安裝有氣刀,靠近拉伸設(shè)備的噴淋頭端部的氣刀長(zhǎng)度大于X,靠近薄膜中心噴淋頭側(cè)邊的氣刀長(zhǎng)度大于L。氣刀除去薄膜表面的沐浴液,并阻斷沐浴液流入薄膜的中心區(qū)域。為改變拉伸時(shí)邊側(cè)部分薄膜表面的溫度,在拉伸設(shè)備內(nèi)、邊側(cè)部分上方和/或下方設(shè)置提高溫度的靜壓箱,邊側(cè)部分的靜壓箱寬度Y=20~200mm,長(zhǎng)度與拉伸設(shè)備內(nèi)的拉伸區(qū)域長(zhǎng)度相同,邊側(cè)部分的靜壓箱與提高溫度的供熱設(shè)施相連接,中部靜壓箱熱風(fēng)溫度為G,邊側(cè)部分靜壓箱的熱風(fēng)溫度為(1.0~1.5倍)G,最高為375℃。亞胺化設(shè)備中,在進(jìn)入高溫區(qū)之前,為提高邊側(cè)部分薄膜表面的溫度,于薄膜寬Z的邊側(cè)部分的上方和/或下方加裝輔助加熱管,所述Z=20~200mm,所述輔助加熱管排列為等間距的2~6列、長(zhǎng)度方向與薄膜行進(jìn)方向平行,輔助加熱管列的前端與亞胺化設(shè)備的進(jìn)口端相平,延伸到亞胺化設(shè)備的高溫區(qū)之前,即輔助加熱管列的長(zhǎng)度為亞胺化區(qū)域長(zhǎng)度的1/2至3/4,輔助加熱管與薄膜表面垂直距離為k,隨接近薄膜外緣k逐漸減小。在薄膜外緣上方和/或下方的輔助加熱管與薄膜表面距離最小為K,K=10~30mm,k=(1~5)K。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明一種提高聚酰胺酸薄膜側(cè)邊亞胺化率的方法及設(shè)施的優(yōu)點(diǎn)為:1、聚酰胺酸薄膜兩邊側(cè)部分的亞胺化率提高,使之強(qiáng)度增加,即在此后拉伸或張緊時(shí)夾持裝置的鏈鋏或者扣針著力處薄膜的強(qiáng)度增加,使因夾破、拉破造成的脫鋏或脫扣故障不易發(fā)生,由實(shí)驗(yàn)來看,破邊、斷膜的情況極少發(fā)生,薄膜產(chǎn)品收率大大提高;2、本方法和設(shè)施易于實(shí)現(xiàn),只需調(diào)節(jié)化學(xué)亞胺化處理的時(shí)間、加熱管與薄膜表面的垂直距離或單獨(dú)控溫的靜壓箱熱風(fēng)溫度,即可控制聚酰胺酸薄膜兩邊側(cè)部分的亞胺化率,得到兩側(cè)加強(qiáng)的聚酰胺酸薄膜。附圖說明圖1為本提高聚酰胺酸薄膜側(cè)邊亞胺化率的設(shè)施實(shí)施例自支撐聚酰胺酸薄膜從鋼帶上剝離后進(jìn)入拉伸設(shè)備前、行進(jìn)過程中的薄膜邊側(cè)部分上方局部加熱管示意圖。圖2為圖1一個(gè)邊側(cè)的橫截面圖。圖3為本提高聚酰胺酸薄膜側(cè)邊亞胺化率的設(shè)施實(shí)施例在從鋼帶上剝離的自支撐聚酰胺酸薄膜傳送行程上,在進(jìn)入拉伸設(shè)備前,在薄膜側(cè)邊設(shè)置的化學(xué)亞胺化設(shè)施示意圖。圖4為圖3的A-A向剖視圖;圖5為本提高聚酰胺酸薄膜側(cè)邊亞胺化率的設(shè)施實(shí)施例橫拉機(jī)內(nèi)拉伸區(qū)域的靜壓箱橫截面示意圖。圖6為本提高聚酰胺酸薄膜側(cè)邊亞胺化率的設(shè)施實(shí)施例橫拉機(jī)內(nèi)亞胺化區(qū)域邊側(cè)的輔助加熱管俯視圖。圖7為圖6的一個(gè)邊側(cè)的橫截面圖。圖中標(biāo)號(hào)為:1、薄膜,2、加熱管,3、氣刀,4、沐浴液收集槽,5、噴淋頭,6、沐浴液貯罐,7、沐浴液管,8、靜壓箱,9、輔助加熱管,10、亞胺化加熱管。具體實(shí)施方式提高聚酰胺酸薄膜側(cè)邊亞胺化率的設(shè)施實(shí)施例本提高聚酰胺酸薄膜側(cè)邊亞胺化率的設(shè)施實(shí)施例包括成型模具,承載流涎成型聚酰胺酸液膜的循環(huán)鋼帶及烘箱,其后為橫拉機(jī),橫拉機(jī)分為拉伸區(qū)域和亞胺化區(qū)域,在橫拉機(jī)的兩個(gè)區(qū)域內(nèi)分別完成橫向拉伸和亞胺化。聚酰胺酸薄膜1從鋼帶上剝離后,在進(jìn)入橫拉機(jī)前,薄膜1行進(jìn)過程中其橫向?qū)扻=100mm范圍內(nèi)邊側(cè)部分上方安裝加熱管2,如圖1所示,在寬100mm范圍內(nèi)橫向等間距排列4列長(zhǎng)度方向與薄膜1行進(jìn)方向平行的加熱管2,加熱管2列的長(zhǎng)度L=u*t,其中u表示薄膜1行進(jìn)速度,本例u=6.0m/min、t表示薄膜1處理時(shí)間,本例t=45秒,本例L=4.5m。如圖2所示,本例在薄膜1外緣上方的加熱管2與薄膜1表面垂直距離最小M=20mm,隨離開薄膜1外緣m逐漸加大,與薄膜1外緣水平距離100mm處的上方加熱管2與薄膜1表面的垂直距離為60mm。聚酰胺酸薄膜1從鋼帶上剝離后,在進(jìn)入橫拉機(jī)前,薄膜1側(cè)邊設(shè)置化學(xué)亞胺化噴淋裝置,如圖3所示,噴淋裝置包括噴淋頭5和沐浴液管7,本例在橫向?qū)扻=120mm范圍內(nèi)的薄膜1上方安裝噴淋頭5,噴淋頭5經(jīng)沐浴液管7連接沐浴液泵,沐浴液泵連接沐浴液貯罐6。如圖4所示,噴淋頭5朝向薄膜1表面的為噴淋面,寬度為120mm,噴淋面上均布朝向薄膜1表面的噴嘴。噴淋面靠近薄膜1邊緣的噴嘴縱列的長(zhǎng)度為4.5m,隨接近薄膜1中心、噴嘴縱列的長(zhǎng)度逐漸減小至0。噴淋頭5下方,有沐浴液收集槽4,噴淋頭5的俯視投影落在沐浴液收集槽4內(nèi)。沐浴液收集槽4與沐浴液貯罐6相連接。噴淋的沐浴液經(jīng)薄膜1流入沐浴液收集槽4內(nèi),再回到沐浴液貯罐6內(nèi)回收循環(huán)使用。本例在靠近橫拉機(jī)的噴淋頭5端部和靠近薄膜中心的噴淋頭5側(cè)邊均安裝有氣刀3,靠近橫拉機(jī)的噴淋頭5端部的氣刀3長(zhǎng)度為200mm,靠近薄膜1中心的噴淋頭5側(cè)邊的氣刀3長(zhǎng)度為5.0m。本例在橫拉機(jī)中的拉伸區(qū)域邊側(cè)部分的上方設(shè)置單獨(dú)控溫的靜壓箱8,邊側(cè)部分的靜壓箱8寬度Y=120mm,如圖5所示。本例靜壓箱的長(zhǎng)度與橫拉機(jī)的拉伸區(qū)域長(zhǎng)度相同為7.5m。薄膜1兩邊側(cè)部分上方單獨(dú)控溫的靜壓箱8的安裝位置以薄膜1縱向中心線上的鉛垂平面對(duì)稱。邊側(cè)部分的靜壓箱8與提高溫度的供熱設(shè)施相連接,本例中部靜壓箱熱風(fēng)溫度210℃,邊側(cè)部分靜壓箱8熱風(fēng)溫度為中部靜壓箱熱風(fēng)溫度的1.25倍、為262.5℃。本例在橫拉機(jī)中的亞胺化區(qū)域,在進(jìn)入高溫區(qū)之前,邊側(cè)部分寬Z=120mm范圍內(nèi),在薄膜1上方排列等間距的4列長(zhǎng)度方向與薄膜1行進(jìn)方向平行的輔助加熱管9,輔助加熱管9列的長(zhǎng)度與橫拉機(jī)的亞胺化區(qū)域長(zhǎng)度的3/4為6.0m,如圖6所示,圖中原有的亞胺化加熱管10與薄膜1行進(jìn)方向垂直,輔助加熱管9列的前端與亞胺化設(shè)備的進(jìn)口端相平,延伸到亞胺化設(shè)備的高溫區(qū)之前。如圖7所示,輔助加熱管9與薄膜1表面垂直距離為k,隨接近薄膜1外緣k逐漸減小,本例在薄膜1外緣上方的輔助加熱管9與薄膜1表面距離最小為K,K=30mm,與薄膜1外緣水平距離120mm處的上方輔助加熱管9與薄膜1表面的垂直距離為80mm。薄膜1兩邊側(cè)部分上方輔助加熱管9的安裝高度以薄膜1縱向中心線上的鉛垂平面對(duì)稱。提高聚酰胺酸薄膜側(cè)邊亞胺化率的方法實(shí)施例本例使用上述提高聚酰胺酸薄膜側(cè)邊亞胺化率的設(shè)施實(shí)施例。從鋼帶上剝離的自支撐聚酰胺酸薄膜1在進(jìn)入橫拉機(jī)前,在行進(jìn)過程中薄膜1邊側(cè)部分X=100mm范圍內(nèi)被其上方安裝的加熱管2進(jìn)行局部加熱處理,本例薄膜1外緣表面加熱溫度達(dá)180℃,由邊緣向中心方向薄膜1表面溫度逐漸下降至室溫。邊側(cè)部分局部加熱時(shí)間為60秒。對(duì)從鋼帶上剝離的聚酰胺酸薄膜1,在進(jìn)入橫拉機(jī)前,薄膜1寬X=120mm范圍的邊側(cè)部分噴淋化學(xué)亞胺化沐浴液56秒,進(jìn)行局部化學(xué)亞胺化。本例化學(xué)亞胺化沐浴液中脫水劑為乙酸酐和三氟乙酸酐,催化劑為喹啉和三乙醇胺。化學(xué)亞胺化沐浴液的配比以重量份物質(zhì)記:乙酸酐35~45份、三氟乙酸酐25~30份、喹啉45~50份、三乙醇胺50~60份。本例橫拉機(jī)中拉伸區(qū)域的邊側(cè)部分獨(dú)立控溫的靜壓箱8熱風(fēng)溫度提高,聚酰胺酸薄膜1中部的表面溫度為210℃,邊側(cè)部分寬Y=120mm范圍內(nèi)表面溫度為265.5℃,為中部薄膜1表面溫度的1.25倍。本例橫拉機(jī)亞胺化區(qū)域內(nèi)的聚酰胺酸薄膜1,在進(jìn)入高溫區(qū)之前邊側(cè)部分Z=120mm范圍內(nèi)被其上方安裝的輔助加熱管9進(jìn)一步加熱,聚酰胺酸薄膜1中部的表面溫度H=320℃~450℃逐漸升高,本例薄膜1外緣寬Z=120mm范圍內(nèi)薄膜1表面溫度比中部薄膜1表面溫度高70℃~200℃,由邊緣向中心方向薄膜1表面溫度逐漸下降至與中部薄膜1表面溫度相同,最高為650℃。以亞胺化率均勻?yàn)镼=32%的薄膜為對(duì)比例,在相同條件的橫向拉伸和張緊亞胺化的工序中,與本實(shí)施例處理的薄膜進(jìn)行比較,結(jié)果如表1所示:表1本實(shí)施例處理的薄膜和對(duì)比例薄膜各工序加工情況比較表本實(shí)施例對(duì)比例進(jìn)入橫拉工序前中部亞胺化率3232進(jìn)入橫拉工序前側(cè)緣最大亞胺化率6432橫拉破邊數(shù)(個(gè)/h)0.0021.041橫拉斷膜數(shù)(次/h)00.9進(jìn)入亞胺化工序前中部亞胺化率4646進(jìn)入亞胺化工序前側(cè)緣最大亞胺化率7846亞胺化破邊數(shù)(個(gè)/h)0.0010.896亞胺化斷膜數(shù)(次/h)00.75進(jìn)入高溫亞胺化前中部亞胺化率6868進(jìn)入高溫亞胺化前側(cè)緣最大亞胺化率8668高溫亞胺化破邊數(shù)(個(gè)/h)0.0010.802高溫亞胺化斷膜數(shù)(次/h)00.72橫拉和亞胺化工序的破邊總數(shù)(個(gè)/h)00.851橫拉和亞胺化工序的斷膜總數(shù)(個(gè)/h)00.73薄膜收率(%)10086薄膜良率(%)9874采用本發(fā)明提高聚酰胺酸薄膜側(cè)邊亞胺化率的方法,使聚酰胺酸薄膜邊側(cè)部分的亞胺化率明顯高于薄膜中部的亞胺化率,薄膜邊側(cè)的強(qiáng)度提高。在橫拉工序的破邊數(shù)僅為常規(guī)薄膜的0.2%,在亞胺化工序中破邊次數(shù)也明顯降低,聚酰亞胺薄膜生產(chǎn)線上的拉伸和張緊亞胺化過程中總斷膜次數(shù)趨于0,產(chǎn)品收率趨于100.0%,產(chǎn)品良率高達(dá)98.0%。上述實(shí)施例,僅為對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)一步詳細(xì)說明的具體個(gè)例,本發(fā)明并非限定于此。凡在本發(fā)明的公開的范圍之內(nèi)所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
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