有機(jī)半導(dǎo)體組合物的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及有機(jī)共聚物和包含這些材料的有機(jī)半導(dǎo)體組合物，包括包含這樣的有機(jī)半導(dǎo)體組合物的層和器件。本發(fā)明還涉及這樣的有機(jī)半導(dǎo)體組合物和層的制備方法及其用途。本發(fā)明具有在印刷電子器件領(lǐng)域中的應(yīng)用并且作為用于顯示器用有機(jī)薄膜晶體管(OFET)背板、集成電路、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、光電探測(cè)器、有機(jī)光伏(OPV)電池、傳感器、存儲(chǔ)元件和邏輯電路的配制物的半導(dǎo)體材料是特別有用的。
【專利說明】有機(jī)半導(dǎo)體組合物

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)共聚物和包含這些材料的有機(jī)半導(dǎo)體組合物，包括包含這樣的有 機(jī)半導(dǎo)體組合物的層和器件。本發(fā)明還涉及這樣的有機(jī)半導(dǎo)體組合物和層的制備方法及其 用途。本發(fā)明具有在印刷電子器件（印刷電子學(xué)）領(lǐng)域中的應(yīng)用并且作為用于顯示器用有 機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（0FET)背板（backplane)、集成電路、有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)、光電探測(cè) 器、有機(jī)光伏（0PV)電池、傳感器、存儲(chǔ)元件和邏輯電路的配制物的半導(dǎo)體材料是特別有用 的。

【背景技術(shù)】
[0002] 最近幾年中，存在對(duì)于作為常規(guī)的基于硅的半導(dǎo)體的替代物的有機(jī)半導(dǎo)體材料的 日益增加的興趣。有機(jī)半導(dǎo)體材料具有相對(duì)于基于硅的那些的若干優(yōu)點(diǎn)，例如更低的成本、 更容易的制造、在低溫下的溶液加工性能以及增加的柔性、機(jī)械強(qiáng)度、與各種各樣的柔性基 底的良好相容性、和輕的重量。它們因此提供制造更便利的高性能電子器件的可能性。
[0003] 多并苯化合物和它們的類似物特別地已顯示出在該【技術(shù)領(lǐng)域】中的前途。例如， W02005/055248公開了有機(jī)半導(dǎo)體層配制物，其包含具有3. 3或更小的在1000Hz下的電容 率（介電常數(shù)）（ε )的有機(jī)粘結(jié)劑、和多并苯化合物。然而，W02005/055248中描述的用于 制備0FET的方法實(shí)際上是有限的且僅對(duì)于制造具有相對(duì)長(zhǎng)的溝道長(zhǎng)度（典型地>50微米） 的頂柵0FET是有用的。被本發(fā)明克服的W02005/055248的進(jìn)一步缺點(diǎn)是，其頻繁地使用不 合乎需要的氯化溶劑。W02005/055248中公開的最高性能半導(dǎo)體組合物具有彡1. Οαι^ν? 的遷移率，引入1，2-二氯苯作為溶劑（第54頁表5以及實(shí)施例14、21和25)。此外，這些 溶劑不是在印刷過程中將是工業(yè)上可接受的溶劑，并且這些對(duì)于環(huán)境也是有破壞性的。因 此，對(duì)于這些半導(dǎo)體組合物的制造使用更溫和的（benign)溶劑將是合乎需要的。而且，通 常認(rèn)為，僅可使用具有小于3. 3的電容率的聚合物粘結(jié)劑，因?yàn)榫哂懈唠娙萋实娜魏尉?合物導(dǎo)致0FET器件的遷移率值的非常顯著的降低。
[0004] 遷移率值的該降低可進(jìn)一步在W02007/078993中看到，W02007/078993公開了將 2, 3, 9, 10-取代的并五苯化合物與具有大于3.3的在1000Hz下的介電常數(shù)的絕緣聚合物組 合使用。這些化合物被報(bào)道為呈現(xiàn)1〇_ 2-1〇_7(：πι2ν?的遷移率值，其太低以致于不能是工業(yè) 上有用的。
[0005] 因此，本發(fā)明設(shè)法通過提供溶劑可溶解的、高遷移率、高柔性多環(huán)芳族烴共聚物、 尤其是具有可調(diào)的電容率值并呈現(xiàn)高的遷移率值的雜并苯共聚物和雜并苯類似物共聚物 而提供克服上述問題的有機(jī)半導(dǎo)體組合物。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 預(yù)期本發(fā)明的共聚物和組合物產(chǎn)生可溶解的材料，其在沉積時(shí)，提供和只由小分 子化合物制造的層不同的柔性的、非脆性的層。本發(fā)明的共聚物具有比在可印刷電子器件 領(lǐng)域中使用的典型的半導(dǎo)體粘結(jié)劑（例如具有在?10_6至10_ 3cm2/Vs等級(jí)的遷移率的聚三 芳基胺類的半導(dǎo)體粘結(jié)劑）顯著高的遷移率。本發(fā)明的共聚物在可卷繞的和柔性的電子器 件例如用于顯示器的OTFT陣列、大面積印刷傳感器和印刷邏輯電路的制造中將是工業(yè)上 有用的。特別地，本發(fā)明的半導(dǎo)體聚合物在用于具有短的溝道長(zhǎng)度30微米和甚至< 5 至10微米）的有機(jī)薄膜晶體管（OTFT)的配制物中將是有用的，所述有機(jī)薄膜晶體管可用 作用于電泳顯不器、高分辨率LCD和AMOLED顯不器的背板驅(qū)動(dòng)器。
[0007] 所述共聚物在溫和的、非氯化溶劑、例如典型地用于印刷中的那些中也是可溶解 的。
[0008] 本發(fā)明還提供高度柔性的、非脆性的半導(dǎo)體膜。
[0009] 多環(huán)芳族烴共聚物
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的多環(huán)芳族烴共聚物（在下文中PAHC)包含至少一種具有式（A)的雜 并苯單體單元和至少一種具有式（B/B'）的順式/反式-茚并芴單體單元的混合物：

【權(quán)利要求】
1.多環(huán)芳族烴共聚物（PAHC)，其包含至少一種具有式（A)的雜并苯單體單元和至少一 種具有式（BV(B'）的單體單元的混合物：
式（A)-代表順式和反式雜并苯
式代表順式和反式異構(gòu)體
式代表順式和反式異構(gòu)體 其中式（A)的單體可為純的順式異構(gòu)體、或純的反式異構(gòu)體、或順式和反式異構(gòu)體的 混合物； Y1和Y2獨(dú)立地為0、S、Se或NR"" R""為Η或環(huán)狀的、直鏈或支化的烷基，優(yōu)選H， k為0或1 1為〇或1 其中^、^^^^、^^"、儼和儼各自可相同或不同^蟲立地代表 氫；支化或未支化的、取代或未取代的烷基；支化或未支化的、取代或未取代的C2-C? 烯基；支化或未支化的、取代或未取代的c 2-c4(l炔基；任選地取代的c3-c4(l環(huán)烷基；任選地取 代的c 6-c4(l芳基；任選地取代的Ci-Q雜環(huán)基；任選地取代的Ci-Q雜芳基；任選地取代的 烷氧基；任選地取代的c6-c4(l芳氧基；任選地取代的c7-c 4(l烷基芳氧基；任選地取代的 c2-c4(l烷氧羰基；任選地取代的c7-c4(l芳氧羰基；氰基（-CN);氨基甲?；?c( = o)nr15r16); 羰基（_C( = 0)-R17);羧基（_C02R18);氰酸酯基（-OCN);異氰基（-NC);異氰酸酯基（-NCO); 硫氰酸酯基（-SCN)或異硫氰酸酯基（-NCS);任選地取代的氨基；羥基；硝基；CF 3基團(tuán)；鹵 素基團(tuán)（Cl、Br、F、I) ;-SR19「S03H ;-S02R2° ;-SF5 ;任選地取代的甲硅烷基；被-SiH2R22基團(tuán) 取代的C2-C 1(l炔基，被-SiHR22R23基團(tuán)取代的C2-C 1(l炔基，或被-Si (R22)x (R23)y (R24) z基團(tuán)取 代的C2-C1(l炔基部分； 其中各R22基團(tuán)獨(dú)立地選自支化或未支化的、取代或未取代的Ci-Q烷基，支化或未支 化的、取代或未取代的C2-C1(l炔基，取代或未取代的C2-C 2(l環(huán)烷基，取代或未取代的C2-C1(l烯 基，和取代或未取代的C 6-C2(l環(huán)烷基亞烷基； 各R23基團(tuán)獨(dú)立地選自支化或未支化的、取代或未取代的烷基，支化或未支化的、 取代或未取代的C2-C1(l炔基，取代或未取代的C2-C1(l烯基，取代或未取代的C 2-C2(l環(huán)烷基，和 取代或未取代的C6_C2(I環(huán)燒基亞燒基； R24獨(dú)立地選自氫，支化或未支化的、取代或未取代的C2-C1(l炔基，取代或未取代的 C2-C2(l環(huán)烷基，取代或未取代的C6-C2(l環(huán)烷基亞烷基，取代的C 5-C2(l芳基，取代或未取代的 C6-C2(l芳基亞烷基，乙酰基，取代或未取代的在環(huán)中包含0、N、S和Se的至少一個(gè)的C 3-C2Q雜 環(huán)； 其中 x=l 或 2;y = l 或 2;z = 0 或 1;且（x+y+z) = 3 ; 其中R15、R16、R18、R19和R 2°各自獨(dú)立地代表Η或任選地取代的任選地包含一個(gè)或多個(gè) 雜原子的CfC#碳基或烴基； 其中R17代表齒素原子、Η或任選地取代的任選地包含一個(gè)或多個(gè)雜原子的CfC#碳基 或Ci_C4(l煙基； 其中^^^^、儼和^的至少兩個(gè)為到另外的具有式㈧或出/^'彡的單體 單兀的由 *代表的鍵，和 其中對(duì)于茚并芴單體，R1'、!?2'、!?3'、!?4'、!? 5'、!?6'和R7'可相同或不同，各自獨(dú)立地代表氫； 支化或未支化的、取代或未取代的烷基；支化或未支化的、取代或未取代的C2-C4(l烯 基；支化或未支化的、取代或未取代的C 2-C4(l炔基；任選地取代的C3-C4(l環(huán)烷基；任選地取 代的C 6-C4(l芳基；任選地取代的雜環(huán)基；任選地取代的雜芳基；任選地取代的 烷氧基；任選地取代的C 6-C4(l芳氧基；任選地取代的C7-C4(l烷基芳氧基；任選地取代的 c2-c4(l烷氧羰基；任選地取代的C7-C4(l芳氧羰基；氰基（-CN);氨基甲?；╛C( = 0)NR15R16); 羰基（_C( = 0)-R17);羧基（_C02R18);氰酸酯基（-OCN);異氰基（-NC);異氰酸酯基（-NCO); 硫氰酸酯基（-SCN)或異硫氰酸酯基（-NCS);任選地取代的氨基；羥基；硝基；CF 3基團(tuán)；鹵 素基團(tuán)（Cl、Br、F、I) ;-SR19 ;-S03H ;-S02R2° ;-SF5 ;任選地取代的甲硅烷基； 其中優(yōu)選地，R1'、R2'、R3'、R4'、R 5'、R6'和R7'的至少一個(gè)被至少一個(gè)極性或更極化的基團(tuán) 取代，所述極性或更極化的基團(tuán)獨(dú)立地選自硝基，腈基，被硝基、腈基、氰酸酯基、異氰酸酯 基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代的烷基；任選地被硝基、腈基、氰酸酯基、異氰酸酯 基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代的^_ 4(|烷氧基；任選地被硝基、腈基、氰酸酯基、異氰酸 酯基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代的^_4(|羧酸基；任選地被硝基、腈基、氰酸酯基、異氰 酸酯基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代的C 2_4(l羧酸酯；任選地被硝基、腈基、氰酸酯基、異 氰酸酯基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代的磺酸；任選地被硝基、腈基、氰酸酯基、異氰酸 酯基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代的磺酸酯；氰酸酯基，異氰酸酯基，硫氰酸酯基，異硫 氰酸酯基；和任選地被硝基、腈基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代 的氨基；及其組合。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的PAHC，其包含至少20-40 %的單體（A)和至少60-80 %的單體（B/ B'），基于所述共聚物中的所有單體單元（A)和（B/B'）的總量。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2的PAHC，其中R2 = R1(l，其代表H，F(xiàn)，Cl，Br，I，CN，任 選地氟化或全氟化的具有1-20個(gè)碳原子的直鏈或支化的烷基，任選地氟化或全氟化的具 有1-20個(gè)碳原子的直鏈或支化的烷氧基，或任選地氟化或全氟化的具有6-30個(gè)碳原子的 芳基。
4. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求的PAHC，其中k = 1 = 0或1。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4的PAHC，其中k = 0且1 = 0。
6. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求的PAHC，其中所述共聚物具有500-100, 000的數(shù)均分子量 (Μη)。
7. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求的PAHC，其中所述共聚物為具有大于1. 5、優(yōu)選3. 4-8的在 1000Hz下的電容率的半導(dǎo)體共聚物。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7的PAHC，其中所述共聚物為具有3. 4-8. 0的在1000Hz下的電容率 的半導(dǎo)體共聚物。
9. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求的PAHC，其中基團(tuán)R1、R3、R4、R 5、R6、R7、R8、R9、R 11、R12、R13和 儼的至少一個(gè)、優(yōu)選2個(gè)為（三- Ci_2Q烴基甲硅烷基）Ci_4炔基、優(yōu)選（三烴基甲硅烷基）乙 塊基。
10. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求的PAHC，其中R1、R3、R4、R8、R 9和R11為氫。
11. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求的PAHC，其中-Si (R22) x (R23) y (R24) z選自三甲基甲硅烷基、三 乙基甲娃燒基、二丙基甲娃燒基、-甲基乙基甲娃燒基、-乙基甲基甲娃燒基、_甲基丙基 甲硅烷基、二甲基異丙基甲硅烷基、二丙基甲基甲硅烷基、二異丙基甲基甲硅烷基、二丙基 乙基甲娃燒基、-異丙基乙基甲娃燒基、-乙基異丙基甲娃燒基、二異丙基甲娃燒基、二甲 氧基甲娃燒基、二乙氧基甲娃燒基、二苯基甲娃燒基、-苯基異丙基甲娃燒基、-異丙基苯 基甲娃燒基、-苯基乙基甲娃燒基、_乙基苯基甲娃燒基、_苯基甲基甲娃燒基、二苯氧基 甲娃燒基、-甲基甲氧基甲娃燒基、-甲基苯氧基甲娃燒基、和甲基甲氧基苯基。
12. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求的PAHC，其具有式（A1)或（A2)

其中R25、R26和R27獨(dú)立地選自CrQ烷基和c2-c 6烯基，優(yōu)選獨(dú)立地選自甲基、乙基、丙 基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、1_丙稀基和2-丙稀基，更優(yōu)選乙基、正丙基和異丙基。
13. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求的PAHC，其中所述雜并苯單體單元具有式（A3)和（A4):
14. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求的PAHC，其中對(duì)于茚并芴單體（B/B'），R1'、R2'、R 3'、R4'、R5'、 R6'和R7'可相同或不同，且R1'、R2'、R 3'、R4'、R5'、R6'和R7'的至少一個(gè)、其中優(yōu)選至少一個(gè)被 至少一個(gè)極性基團(tuán)或更極化的基團(tuán)取代，且η = 1-20。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14的PAHC，其中所述一個(gè)或多個(gè)極性或極化基團(tuán)獨(dú)立地選自硝基， 臆基，被硝基、臆基、氛酸醋基、異氛酸醋基、硫氛酸醋基或異硫氛酸醋基取代的燒基； 任選地被硝基、腈基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代的烷氧 基；任選地被硝基、腈基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代的(ν 4(ι羧 酸基；任選地被硝基、腈基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代的c2_ 4(l 羧酸酯；任選地被硝基、腈基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代的磺 酸；任選地被硝基、腈基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代的磺酸 酯；氰酸酯基，異氰酸酯基，硫氰酸酯基，異硫氰酸酯基；和任選地被硝基、腈基、氰酸酯基、 異氰酸酯基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代的氨基；及其組合。
16. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求的PAHC，其進(jìn)一步包含一種或多種單體（C)、(D)、(D'）和/ 或（E):
其中各R1''、!?2''、!?3"和R4'''各自可相同或不同，選自與如在權(quán)利要求1中所定義的R 1、 R2、R3和R4相同的基團(tuán)； Ari、Ar2和Ar3可相同或不同，各自獨(dú)立地代表任選地取代的C 6_4Q芳族基團(tuán)（單環(huán)的或 多環(huán)的）；優(yōu)選地，Ai^、Ar2和Ar3的至少一個(gè)被至少一個(gè)極性或更極化的基團(tuán)取代，且η = 1- 20、優(yōu)選1-10和更優(yōu)選1-5 ;優(yōu)選地，Ari、Ar2和Ar3的至少一個(gè)被1、2、3或4個(gè)，更優(yōu)選 1、2或3個(gè)，更優(yōu)選1或2個(gè)，優(yōu)選1個(gè)極性或更極化的基團(tuán)取代； 其中η" = 1_3 ;和 其中單體（Α)以至少20重量％的量存在；單體（Β)以至少60重量％的量存在，且剩余 部分由單體（C)、(D)、(D'）和/或（Ε)構(gòu)成，基于所述共聚物中的所有單體單元的總重量。
17. 有機(jī)半導(dǎo)體組合物，其包含根據(jù)權(quán)利要求1-16任一項(xiàng)的PAHC和多并苯小分子，其 中所述PAHC具有3. 4-8. 0的在1000Hz下的電容率。
18. 有機(jī)半導(dǎo)體組合物，其包含根據(jù)權(quán)利要求1-16任一項(xiàng)的PAHC和多并苯小分子，其 中所述PAHC具有3. 4-4. 5的在1000Hz下的電容率。
19. 有機(jī)半導(dǎo)體組合物，其包含根據(jù)權(quán)利要求1-16任一項(xiàng)的多環(huán)芳族烴共聚物 (PAHC)，其中所述組合物具有3-6. 5的在1000Hz下的電容率。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19的有機(jī)半導(dǎo)體組合物，其包含有機(jī)粘結(jié)劑，其中所述有機(jī)粘結(jié)劑 具有3. 4-8、優(yōu)選4-6. 5的在1000Hz下的電容率。
21. 根據(jù)權(quán)利要求17-20任一項(xiàng)的有機(jī)半導(dǎo)體組合物，其具有至少0. 5(?^1 s'優(yōu)選 2- 5. 的電荷遷移率值。
22. 有機(jī)半導(dǎo)體層，其包含根據(jù)任一前述權(quán)利要求的PAHC或有機(jī)半導(dǎo)體組合物。
23. 電子器件，其包含根據(jù)任一前述權(quán)利要求的PAHC、有機(jī)半導(dǎo)體組合物或半導(dǎo)體層。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23的電子器件，其選自有機(jī)薄膜晶體管（OTFT)、有機(jī)發(fā)光二極管 (OLED)、光電探測(cè)器、有機(jī)光伏（OPV)電池、傳感器、激光器、存儲(chǔ)元件和邏輯電路。
25. 墨，其包含根據(jù)權(quán)利要求1-21任一項(xiàng)的PAHC或有機(jī)半導(dǎo)體組合物。
26. 用于制造多環(huán)芳族烴共聚物（PAHC)的方法，其包括使含有至少一種選自結(jié)構(gòu)（A) 的雜并苯單體單元和順式/反式-茚并芴單體（B/B'）'的組合物共聚，
其中式（A)的單體可為純的順式異構(gòu)體、或純的反式異構(gòu)體、或順式和反式異構(gòu)體的 混合物； Y1和Y2獨(dú)立地為0、S、Se或NR"" R""為Η或環(huán)狀的、直鏈或支化的烷基，優(yōu)選H， 其中^、^^^^、^^"、儼和儼各自可相同或不同^蟲立地代表 氫；支化或未支化的、取代或未取代的烷基；支化或未支化的、取代或未取代的C2-C? 烯基；支化或未支化的、取代或未取代的C 2-C4(l炔基；任選地取代的C3-C4(l環(huán)烷基；任選地取 代的C 6-C4(l芳基；任選地取代的雜環(huán)基；任選地取代的雜芳基；任選地取代的 烷氧基；任選地取代的c6-c4(l芳氧基；任選地取代的c7-c 4(l烷基芳氧基；任選地取代的 c2-c4(l烷氧羰基；任選地取代的c7-c4(l芳氧羰基；氰基（-CN);氨基甲酰基（-c( = o)nr15r16); 羰基（_C( = 0)-R17);羧基（_C02R18);氰酸酯基（-OCN);異氰基（-NC);異氰酸酯基（-NCO); 硫氰酸酯基（-SCN)或異硫氰酸酯基（-NCS);任選地取代的氨基；羥基；硝基；CF 3基團(tuán)；鹵 素基團(tuán)（Cl、Br、F、I) ;-SR19「S03H ;-S02R2° ;-SF5 ;任選地取代的甲硅烷基；被-SiH2R22基團(tuán) 取代的C2-C 1(l炔基，被-SiHR22R23基團(tuán)取代的C2-C 1(l炔基，或被-Si (R22)x (R23)y (R24) z基團(tuán)取 代的C2-C1(l炔基部分； 其中各R22基團(tuán)獨(dú)立地選自支化或未支化的、取代或未取代的Ci-Q烷基，支化或未支 化的、取代或未取代的C2-C1(l炔基，取代或未取代的C2-C 2(l環(huán)烷基，取代或未取代的C2-C1(l烯 基，和取代或未取代的C 6-C2(l環(huán)烷基亞烷基； 各R23基團(tuán)獨(dú)立地選自支化或未支化的、取代或未取代的烷基，支化或未支化的、 取代或未取代的C2-C1(l炔基，取代或未取代的C2-C1(l烯基，取代或未取代的C 2-C2(l環(huán)烷基，和 取代或未取代的C6_C2(I環(huán)燒基亞燒基； R24獨(dú)立地選自氫，支化或未支化的、取代或未取代的C2-C1(l炔基，取代或未取代的 C2-C2(l環(huán)烷基，取代或未取代的C6-C2(l環(huán)烷基亞烷基，取代的C 5-C2(l芳基，取代或未取代的 C6-C2(l芳基亞烷基，乙酰基，取代或未取代的在環(huán)中包含0、N、S和Se的至少一個(gè)的C 3-C2Q雜 環(huán)； 其中 x=l 或 2;y = l 或 2;z = 0 或 1;且（x+y+z) = 3 ; 其中R15、R16、R18、R19和R 2°各自獨(dú)立地代表Η或任選地取代的任選地包含一個(gè)或多個(gè) 雜原子的CfC#碳基或烴基； 其中R17代表齒素原子、Η或任選地取代的任選地包含一個(gè)或多個(gè)雜原子的CfC#碳基 或Ci_C4(l煙基； 其中k和1獨(dú)立地為0或1 ; 其中R1'、R2'、R3'、R4'、R 5'、R6'和R7'可相同或不同，各自獨(dú)立地代表氫；支化或未支化的、 取代或未取代的CfC#烷基；支化或未支化的、取代或未取代的C2-C4(l烯基；支化或未支化 的、取代或未取代的C 2-C4(l炔基；任選地取代的C3-C4(l環(huán)烷基；任選地取代的C 6-C4(l芳基；任 選地取代的Q-C#雜環(huán)基；任選地取代的Q-C#雜芳基；任選地取代的Ci-C#烷氧基；任選 地取代的C 6-C4(l芳氧基；任選地取代的C7-C4(l烷基芳氧基；任選地取代的C 2-C4(l烷氧羰基； 任選地取代的C7-C4(l芳氧羰基；氰基（-CN);氨基甲?；╛C( = 0)NR15R16);羰基（_C(= 〇)_R17);羧基（_C0 2R18);氰酸酯基（-OCN);異氰基（-NC);異氰酸酯基（-NCO);硫氰酸酯基 (-SCN)或異硫氰酸酯基（-NCS);任選地取代的氨基；羥基；硝基；CF 3基團(tuán)；鹵素基團(tuán)（C1、 fc、F、I) ;-SR19 ;-S03H ;-S02R2° ;-SF5 ;任選地取代的甲硅烷基； 其中優(yōu)選地，R1'、R2'、R3'、R4'、R 5'、R6'和R7'的至少一個(gè)被至少一個(gè)極性或更極化的基團(tuán) 取代，所述極性或更極化的基團(tuán)獨(dú)立地選自硝基，腈基，被硝基、腈基、氰酸酯基、異氰酸酯 基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代的烷基；任選地被硝基、腈基、氰酸酯基、異氰酸酯 基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代的^_ 4(|烷氧基；任選地被硝基、腈基、氰酸酯基、異氰酸 酯基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代的^_4(|羧酸基；任選地被硝基、腈基、氰酸酯基、異氰 酸酯基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代的C 2_4(l羧酸酯；任選地被硝基、腈基、氰酸酯基、異 氰酸酯基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代的磺酸；任選地被硝基、腈基、氰酸酯基、異氰酸 酯基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代的磺酸酯；氰酸酯基，異氰酸酯基，硫氰酸酯基，異硫 氰酸酯基；和任選地被硝基、腈基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基或異硫氰酸酯基取代 的氨基；及其組合； 其中R1'、R2'、R3'、R4'、R 5'、R6'和R7'基團(tuán)的至少一個(gè)為極性或極化基團(tuán)，且η = 1-20 ; 其中X'為鹵素原子或環(huán)狀硼酸酯基團(tuán)；和 其中Ζ'為鹵素原子。
27. 根據(jù)權(quán)利要求26的用于制造多環(huán)芳族烴共聚物（PAHC)的方法，進(jìn)一步包括如權(quán)利 要求2-16中所限定的任意特征。
28. 根據(jù)權(quán)利要求26或27的方法能獲得的多環(huán)芳族烴共聚物（PAHC)。
【文檔編號(hào)】C08K5/01GK104204029SQ201380015957
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2013年2月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月23日
【發(fā)明者】R.J.格里菲思 申請(qǐng)人:斯馬特凱姆有限公司