專利名稱：高穿透率的封裝發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，特別是涉及一種高穿透率的封裝發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)相較于傳統(tǒng)白熾燈光具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì),省電、體積小、使用壽命長(zhǎng)、效率高，及低污染等優(yōu)點(diǎn)，使發(fā)光二極管成為取代現(xiàn)有照明設(shè)備的最佳方案。發(fā)光二極管的晶片因?yàn)楸旧聿痪呖寡趸⒖節(jié)駳獾缺Ｗo(hù)作用，因此需要先將該晶片封裝才能夠使用。封裝的制程是利用數(shù)條金屬線將該晶片的數(shù)個(gè)電極分別連接到一個(gè)基板上，使該晶片能夠利用該基板上的數(shù)個(gè)焊點(diǎn)與外界形成電路連接進(jìn)而發(fā)光。如

圖1所示，現(xiàn)有的一個(gè)封裝發(fā)光二極管包含一個(gè)基板11、一個(gè)晶片12、數(shù)條金屬線13，及一個(gè)透光層14。該晶片12形成在該基板11上。前述金屬線13分別連接該晶片12及該基板11，使該晶片12的電子回路能夠利用前述金屬線13傳輸?shù)皆摶?1后與外界電連接。該透光層14形成在該晶片12與該基板11上，該透光層14能使該晶片12發(fā)出的光線穿透，達(dá)到照明的功能，同時(shí)保護(hù)該晶片。然而，該透光層14的成分主要為環(huán)氧(Epoxy)樹(shù)脂或娃利光(Silicone)樹(shù)脂。環(huán)氧樹(shù)脂本身含有會(huì)吸收紫外線的芳香族苯環(huán)結(jié)構(gòu)，使用一段時(shí)間后該環(huán)氧樹(shù)脂會(huì)因?yàn)楸江h(huán)吸收紫外線(UV)或吸熱老化而產(chǎn)生黃變，造成該透光層14的穿透率衰降，亮度降低。而硅利光樹(shù)脂的機(jī)械強(qiáng)度低于環(huán)氧樹(shù)脂，且與該晶片12的粘合性較差，其折射率在1.4至1.5間，因此與該晶片12的折射率差異大，使穿透率較低且亮度也較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種不會(huì)黃變的高穿透率的封裝發(fā)光二極管。本發(fā)明高穿透率的封裝發(fā)光二極管包含一個(gè)基板、一個(gè)發(fā)光元件、一個(gè)引線單元，及一個(gè)耐熱層。該發(fā)光元件形成在該基板上。該引線單元連接該基板與該發(fā)光元件。該耐熱層至少形成在該發(fā)光元件上且該耐熱層的成分包括硅利光樹(shù)脂及0.1%至10%重量百分比的環(huán)氧基硅烷(Epoxysilane)，該耐熱層因?yàn)椴痪哂斜江h(huán)，因此不會(huì)黃變。且該環(huán)氧基硅烷是選自于通式(I)或通式(II):
權(quán)利要求
1.一種高穿透率的封裝發(fā)光二極管，包含一個(gè)基板、一個(gè)形成在該基板上的發(fā)光元件、一個(gè)連接該基板與該發(fā)光元件的引線單元、一個(gè)至少形成在該發(fā)光元件上的耐熱層，其特征在于: 該耐熱層的成分包括硅利光樹(shù)脂及0.1%至10%重量百分比的環(huán)氧基硅烷，且該環(huán)氧基硅烷是選自于通式(I)或通式(II):
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于:該耐熱層的成分還包括0%至20%重量百分比的納米級(jí)二氧化硅或硅氧擴(kuò)散粉。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于:該耐熱層利用點(diǎn)膠方式形成在該發(fā)光元件及該基板上并包覆該引線單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于:該發(fā)光元件為一個(gè)氮化鎵晶片。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于:該引線單元為數(shù)條金屬線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于:該耐熱層僅形成在該發(fā)光元件上，且該高穿透率的封裝發(fā)光二極管還包含一個(gè)形成在該耐熱層及該基板上并包覆該引線單元的透光層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于:該耐熱層通過(guò)濺鍍方式形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于:該耐熱層的厚度為 0.5um 至 Imnin
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于:該透光層通過(guò)射出成型方式形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于:該透光層的成分包括聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于:該透光層還包括Ippm至0.1 %重量百分比的熒光增白劑。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于:該透光層還包括0.1%至10%重量百分比的環(huán)氧基硅烷。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的高穿透率的封裝發(fā)光二極管，其特征在于:該透光層還包括0.1%至10%重量百分比的環(huán)氧基硅烷。
全文摘要
一種高穿透率的封裝發(fā)光二極管，包含一個(gè)基板、一個(gè)發(fā)光元件、一個(gè)引線單元，及一個(gè)耐熱層。該發(fā)光元件形成在該基板上。該引線單元連接該基板與該發(fā)光元件。該耐熱層至少形成在該發(fā)光元件上且該耐熱層的成分包括硅利光樹(shù)脂及0.1％至10％重量百分比的環(huán)氧基硅烷。借此，使該耐熱層的粘合效果較佳、穿透率較高，且不會(huì)黃變，能提高該高穿透率的封裝發(fā)光二極管的使用壽命。
文檔編號(hào)C08L83/04GK103208575SQ20121001112
公開(kāi)日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2012年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月13日
發(fā)明者蔡凱雄, 李建立 申請(qǐng)人:蔡凱雄, 李建立