專利名稱：三層抗靜電聚酰亞胺薄膜的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及抗靜電聚酰亞胺薄膜的制備方法，尤其涉及通過添加導電填料的三層抗靜電聚酰亞胺薄膜的制備方法。
背景技術(shù)：
隨著塑料、合成橡膠、合成纖維等合成高分子材料的開發(fā)、應用，在人們的生活中， 絕緣材料的使用日益廣泛，靜電危害也越來越多，為提高生活質(zhì)量，人們也越來越重視防止靜電的問題，抗靜電薄膜的開發(fā)應用，也正是基于這樣的現(xiàn)實背景。目前國內(nèi)外對抗靜電樹脂的研究已經(jīng)相當成熟，但其研究的基材主要集中在聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)等熱塑性樹脂材料，而該種材料最大的缺點是不能耐高溫，一般在160°C左右即可熔化；另一方面，常用的生產(chǎn)抗靜電薄膜的方法主要有添加導電填料、抗靜電劑、與結(jié)構(gòu)型導電高分子共混、表面涂覆，以上方法總存在著一些缺陷如導電填料的加入雖能降低表面電阻率，滿足抗靜電需求，但同時也會降低體積電阻率，影響薄膜本身的絕緣性能；抗靜電劑改性的薄膜抗靜電性能存在不能持久的問題；表面涂覆改性也存在粘接不牢、使用壽命短等缺陷。聚酰亞胺(Polyimide，簡稱PI)是指主鏈上含有酰亞胺環(huán)的一類高聚物，其不僅擁有良好的耐高、低溫性能，還具有良好的物理性能、電性能和力學性能。聚酰亞胺在很大的溫度范圍內(nèi)可以保持物理性能穩(wěn)定，可以耐受_269°C 400°C的環(huán)境溫度。除此之外，選用合適的填料和采用適宜的成膜技術(shù)可得到抗靜電的聚酰亞胺膜，填料粒子可在聚酰亞胺基體中形成導電網(wǎng)絡，使得聚合物表面電阻率降低，防止了靜電的積聚。劉方等人采用不同型號的導電炭黑對HDPE(高密度聚乙烯)進行抗靜電改性稱取HDPE、氯化聚乙烯、炭黑及其他助劑制得抗靜電母料，在150°C處理得到抗靜電膜。當導電炭黑用量為15 20%質(zhì)量分數(shù)時，膜的表面電阻率可降到108Ω。但該方法使用了黑色的炭黑填料，制得的產(chǎn)品顏色較深，可能會影響其使用范圍。Ζ. Ounaies通過原位聚合法將二胺1，3_雙(3_氨基苯氧基)苯(APB)、六氟異亞丙基二鈦酸二酐(6-FDA)超聲作用池在N，N-二甲基甲酰胺(DMF)中形成穩(wěn)定的混合溶液，撤去超聲裝置，繼續(xù)攪拌幾個小時形成單層碳納米管(SWNTs)/PAA溶液，以乙酸酐和吡啶為催化劑進行化學亞胺化。梯度升溫處得SWNTs/PI納米復合薄膜。實驗結(jié)果表明，納米復合薄膜具有抗靜電性能。但是通過這種方法抗靜電改性，成本很高，亞胺化過程加入了催化劑會對復合薄膜造成污染，限制了其大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。CN101553533A公開了一種抗靜電苯乙烯聚合物組合物的制備方法及利用該組合物通過擠出成型、共擠出成型、注模、熱成型模制、壓?；蛘叽的＋@得的多層結(jié)構(gòu)的薄膜、薄片或物品，該組合物包含按苯乙烯聚合物總重量計30至70重量％的苯乙烯聚合物，5至40 重量％的鉀離聚物，1至10重量％—種或多種多羥基化合物，以及2至20重量％的乙烯共聚物，同時公開了所述組合物制成的制品，例如多層共擠出獲得的薄膜。該方法制得的薄膜表面電阻率可達到7. 52Χ108Ω，能有效地起到抗靜電的作用，但該薄膜不耐高溫，一定程度上限制了其應用領(lǐng)域。US6663956B2將聚噻吩、表面活性劑、水混合制備了抗靜電涂料，將此涂料涂于基體薄膜表面形成抗靜電薄膜。由該方法制得的薄膜表面電阻率達到IO12 Ω以下，具有抗靜電性能。但是此種方法制得的抗靜電膜，使用壽命較短，經(jīng)過水洗或摩擦后，抗靜電涂層容易脫落或消失，影響其使用壽命。US7914881B2通過多層共擠出制備了三層抗靜電聚乳酸薄膜，其中底層膜是聚乳酸薄膜，中間層在聚乳酸中加入了穩(wěn)定劑和中和劑，覆蓋層的薄膜中除了含有聚乳酸同時含有一定質(zhì)量的GMS(硬脂酸單甘油酯)和抗靜電填料，所得三層薄膜表面電阻率達到 IO12 Ω，具有抗靜電性能。但仍有待進一步降低表面電阻率，使其抗靜電性能更佳。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了改善抗靜電薄膜抗靜電性能不能持久，加入導電填料會同時降低其體積電阻率，影響其絕緣性能等缺點，從而提供了制備三層抗靜電聚酰亞胺薄膜的方法。本發(fā)明的技術(shù)方案是，三層抗靜電聚酰亞胺薄膜的制備方法，其具體步驟如下Α、聚酰胺酸(PAA)/導電填料復合溶液制備將一定量的導電填料加入非質(zhì)子極性溶劑中，加入硅烷偶聯(lián)劑，控溫超聲攪拌，使導電填料均勻地分散在溶劑中，加入二胺，攪拌，待其完全溶解后，分批加入與二胺等摩爾量的二酐，連續(xù)攪拌至均勻相，制得固含量(導電填料和聚酰胺酸PAA總質(zhì)量)為12 25% 的聚酰胺酸PAA/導電填料復合溶液，聚酰胺酸(PAA)為二胺和二酐的縮聚物；B、聚酰胺酸(PAA)溶液制備在反應器中加入二胺，使其溶于非質(zhì)子極性溶劑中，控制溫度攪拌，待其完全溶解后，分批加入與二胺等摩爾量的二酐，攪拌，制得固含量(PAA質(zhì)量)為12 25%的PAA溶液；C、三層抗靜電聚酰亞胺薄膜的制備Cl 將步驟A制得的聚酰胺酸(PAA)/導電填料復合溶液浸涂在流延板上放入真空烘箱升溫至150 200°C，待薄膜冷卻至20 30°C，將步驟B制得的聚酰胺酸PAA溶液浸涂于薄膜表面，放入真空烘箱升溫至150 20(TC，待薄膜冷卻至20 30°C，再次將步驟A 制得的聚酰胺酸(PAA)/導電填料復合溶液涂于薄膜表面，放入真空烘箱階梯升溫，脫水環(huán)化制得三層抗靜電聚酰亞胺薄膜；或者是C2 將步驟A和B制得的溶液供給至三層共擠出口模，并在流延板上進行擴幅、流延，梯度升溫使其熱亞胺化成膜；其中三層共擠出口模中間層流路為步驟B制得的聚酰胺酸(PAA)溶液，其余流路為步驟A制得的聚酰胺酸/導電填料復合溶液。優(yōu)選上述步驟A和B中，分2 8批加入與二胺等摩爾量的二酐，加入二酐后攪拌時間為4 12h。上述步驟A中導電填料加入非質(zhì)子極性溶劑中，溫度控制在15°C 30°C，超聲波頻率20KHz ΙΟΟΚΗζ，攪拌時間15min 50min。步驟B中的溫度控制在20 30°C。優(yōu)選導電填料與聚酰胺酸的質(zhì)量比為0.05 0.5 1，硅烷偶聯(lián)劑與導電填料的質(zhì)量比0. 02 0. 1 1。
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優(yōu)選上述步驟Cl中所述的梯度升溫過程中，升溫速率為2 5°C /min，先升溫到 80°C 120°C恒溫30min 90min ；再升溫到180°C 220°C恒溫30min 90min ；最后升溫到 280°C 380°C恒溫 30min 90min。上述步驟C2中所述梯度升溫過程，升溫速率為80°C 100°C /min，先升溫到 100°C 130°C恒溫:3min 15min ；再升溫到180°C 250°C恒溫!Min 15min ；最后升溫到 320°C 380°C恒溫 3min 15min。優(yōu)選上述步驟C中所用流延板為玻璃平板、不銹鋼流延板等無孔載體。根據(jù)本發(fā)明的制造方法三層膜中每層膜的厚度控制在3 20 μ m。本發(fā)明步驟A和步驟B所用二胺均優(yōu)選為4，4’_ 二氨基二苯醚(0DA)，二甲基二苯甲烷二胺(DMMDA)，1，3-雙(3-氨基苯氧基)苯(BAPB)，4，4’-雙酚A 二苯醚二胺(BAPP)， 全氟異亞丙基雙胺G-BDAF)，4，4，- 二(4-氨基苯氧基)二苯砜(BAPS)，4，4，- 二(4-氨基苯氧基)二苯醚(BAPE)，二氨基二苯(甲)酮(DABP)，4，4，- 二氨基三苯胺(DATPA)，4， 4’-二氨基二苯甲烷(MDA)，二氨基二苯基砜(DDS)，3，4’-二氨基二苯醚，4，4’-二氨基二苯基甲烷，3，3’- 二甲基-4，4’_ 二氨基二苯基甲烷，4，，4’_ 二氨基-二苯氧基-1”，4”-苯， 4，4’ - 二氨基-二苯氧基-1”，3”-苯，3，3’ - 二氨基-二苯氧基-1”，3”-苯或4，4’ - 二氨基-二苯氧基-4”，4- 二苯基異丙烷中的一種或兩種共混。本發(fā)明步驟A和步驟B所用二酐均優(yōu)選為均苯四甲酸二酐(PMDA)，3，3’，4， 4’-聯(lián)苯四甲酸二酐(BPDA)，4，4’-氧雙鄰苯二甲酸酐(ODPA)，異構(gòu)二苯硫醚二酐(TDPA)， 三苯二醚四酸二酐(HQDPA)，苯酮四甲酸二酐(BTDA)，二苯酮四酸二酐(BDPA)，六氟異亞丙基二鈦酸二酐(6-FDA)或3，3’，4，4’ - 二苯基砜四羧酸酐(DSDA)中的一種或兩種共混。本發(fā)明步驟A和步驟B所用非質(zhì)子極性溶劑均優(yōu)選為N-甲基吡咯烷酮(NMP)，N， N-二甲基甲酰胺(DMF)，N，N-二甲基乙酰胺(DMAc)，二甲基亞砜(DMSO)或四氫呋喃。本發(fā)明所用的硅烷偶聯(lián)劑可以是Y-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)，，3環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷(KH560)，γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH570)， Ν-β-(氨乙基)-Y-氨丙基三甲氧基硅烷(ΚΗ7^)，N-β (氨乙基)-Y-氨丙基二甲氧基硅烷(DL602)或乙烯基三甲氧基硅烷(DL171)中的一種。本發(fā)明所用的導電填料可以是導電石墨、導電炭黑、摻銻二氧化錫(ATO)或摻氟二氧化錫(FTO)等。有益效果1、本發(fā)明采用原位聚合法添加納米級導電填料，可以很好的分散在聚酰胺酸溶液中，形成穩(wěn)定的懸浮液。2、本發(fā)明采用在無孔載體上涂覆或者三層共擠出流延成膜方法，制備了三層抗靜電聚酰亞胺薄膜，抗靜電效果持久，所得薄膜兩面表面電阻率可降至抗靜電范圍(IO6 10"Ω)，同時體積電阻率接近1016Ω · cm，仍保持了較高的體積電阻率，有效避免加入導電填料對聚酰亞胺薄膜絕緣性能的影響。3、本發(fā)明制備的抗靜電薄膜，工藝簡單優(yōu)良，成品率高，并且機械性能優(yōu)異。4、本發(fā)明生產(chǎn)出來的抗靜電薄膜，熱性能穩(wěn)定，其熱膨脹系數(shù)(CTE)可達到 2. SOXlO-6K-1,比聚乙烯、聚丙烯等熱塑性樹脂基體材料具有明顯的優(yōu)勢，而且溫度使用范圍寬泛。


圖1為實例1 5所制得的導電填料不同質(zhì)量百分含量的抗靜電薄膜的熱膨脹系數(shù)圖。圖2為實例1 5所制得的導電填料不同質(zhì)量百分含量的抗靜電薄膜彈性模量圖。
具體實施例方式通過下述實例將有助于理解本發(fā)明，但并不限制本發(fā)明的內(nèi)容。實施例1稱取0. 7531g導電石墨加入85. OOOlg N，N，_二甲基乙酰胺(DMAc)中，加入硅烷偶聯(lián)劑(KH550) 0. 0418g，在20°C下超聲攪拌30min超聲頻率為20KHz，加入6. 8205g4，4，_ 二氨基二苯醚(ODA)，待其完全溶解后，分3批加入與ODA等摩爾量的均苯四甲酸酐(PMDA)共 7. 4295g，繼續(xù)攪拌4h，固含量(PAA和導電石墨總質(zhì)量)為15%的聚酰胺酸(PAA)/石墨溶液，將制得的導電復合溶液涂覆在玻璃平板上，放入真空烘箱在180°C升溫，冷卻至20°C得到PAA/石墨薄膜。稱取7. 1738g4，4，- 二氨基二苯醚(0DA)，溶于 85. 0027g N，N，-二甲基乙酰胺 (DMAc)中，在20°C下攪拌均勻，然后分批加入與ODA等摩爾量的均苯四甲酸酐(PMDA)共 7. 6225g，繼續(xù)攪拌，隨著二酐單體的不斷溶解，聚合物的粘度也不斷增大，單體全部溶解后繼續(xù)在常溫下攪拌4h，制得固含量(質(zhì)量分數(shù))為15%的PAA溶液，將制備的PAA溶液涂覆于上述PAA/石墨薄膜表面，放入真空烘箱升溫至180°C，冷卻至20°C得到雙層薄膜。再次將制得的PAA/石墨導電復合溶液涂覆在上述雙層薄膜表面，放入真空烘箱階梯升溫(100°c lh, 200°C lh，320°C lh)，升溫速率為2V /min，脫水環(huán)化得三層薄膜。根據(jù)GB/T1410-2006/IEC60093 :1980 測試了薄膜表面電阻率為 3. 56Χ10"Ω，體積電阻率為4. 45 X IO15 Ω · cm，每層薄膜厚度控制為5 μ m。實施例2稱取1.8042g導電碳黑加入82. 0030g N, N，- 二甲基乙酰胺(DMAc)中，加入硅烷偶聯(lián)劑(KH550) 0. 0612g，在23°C下超聲攪拌30min超聲頻率為20KHz，加入6. 2091g4, 4’ - 二氨基二苯醚(ODA)，待其完全溶解后，分4批加入與ODA等摩爾量的4，4’ - 二苯甲酮四酸二酐(BTDA)共9. 9909g，繼續(xù)攪拌4. 5h，形成固含量(PAA和導電碳黑總質(zhì)量)為18% 的PAA/碳黑溶液，將制得的導電復合溶液涂覆在玻璃平板上，放入真空烘箱升溫至190°C， 冷卻至25°C得到PAA/碳黑薄膜。稱取6. 8990g4，4，- 二氨基二苯醚(ODA)，溶于 82. 0027g N, N，- 二甲基乙酰胺 (DMAc)溶劑中，在23°C下攪拌均勻，然后分批加入與ODA等摩爾量的二酐單體3，3’，4， 4’-二苯甲酮四酸二酐(BTDA)共11. 10g，繼續(xù)攪拌，隨著二酐單體的不斷溶解，聚合物的粘度也不斷增大，單體全部溶解后繼續(xù)在常溫下攪拌4. 5h，制得固含量(質(zhì)量分數(shù))為18% 的PAA溶液，將制備的PAA溶液涂覆于上述PAA/碳黑薄膜表面，放入真空烘箱在升溫至 190°C，冷卻至25°C得到雙層薄膜。再次將PAA/碳黑溶液浸涂于上述雙層薄膜表面，放入真空烘箱階梯升溫(120°C 0. 9h，190°C lh，320°C 1. lh)，升溫速率為2. 5°C /min，脫水環(huán)化得三層薄膜。根據(jù)GB/T1410-2006/IEC60093 :1980 測試了薄膜表面電阻率為 4. 16Χ108Ω，體積電阻率為3. 24Χ1015 Ω · cm，中間層薄膜厚度控制為10 μ m,其余兩層薄膜厚度控制為 4 μ m0實施例3稱取2. M96g導電摻銻二氧化錫(ATO)粉末加入85. 0132g N，N，- 二甲基甲酰胺 (DMF)中，加入硅烷偶聯(lián)劑(KH570)0. 0917g，在30°C下超聲攪拌30min超聲頻率為40KHz， 加入5. 0015g4，4’ - 二氨基二苯醚(ODA)，待其完全溶解后，分5批加入與ODA等摩爾量的 4，4’-氧雙鄰苯二甲酸酐(ODPA)共7. 7485g，繼續(xù)攪拌釙，形成固含量(PAA和導電ATO總質(zhì)量)為15%的聚酰胺酸(PAA)/ATO溶液，將制備的PAA溶液涂覆于上述ΡΑΑ/ΑΤ0薄膜表面，放入真空烘箱升溫至165°C，冷卻至30°C得到ΡΑΑ/ΑΤ0薄膜。稱取5. 8841g4，4，- 二氨基二苯醚(0DA)，溶于 85. 0205g N，N，-二甲基甲酰胺 (DMF)溶劑中，在30°C下攪拌均勻，然后分5批加入與ODA等摩爾量的二酐單體4，4’-氧雙鄰苯二甲酸酐(ODPA)共9. 1159g，繼續(xù)攪拌，隨著二酐單體的不斷溶解，聚合物的粘度也不斷增大，單體全部溶解后繼續(xù)在常溫下攪拌證，制得固含量(質(zhì)量分數(shù))為15%的PAA溶液，將制備的PAA溶液涂覆于上述ΡΑΑ/ΑΤ0薄膜表面，放入真空烘箱中升溫至165°C，冷卻至 30°C得到雙層薄膜。再次將ΡΑΑ/ΑΤ0溶液浸涂于上述雙層薄膜表面，放入真空烘箱階梯升溫 (800C Ilh, 2000C lh，330°C 0. 9h)，升溫速率為3°C /min，脫水環(huán)化得三層薄膜。根據(jù)GB/T1410-2006/IEC60093 :1980 測試了薄膜表面電阻率為 6. 60Χ1(ΓΩ，體積電阻率為8. 48 X IO15 Ω · cm，中間層薄膜厚度控制為15 μ m,其余兩層薄膜厚度控制為 10 μ m。實施例4稱取9. 57kg全氟異亞丙基雙胺G-BDAF)，溶于80. 02kg N, N，- 二甲基甲酰胺 (DMF)溶劑中，在20°C下攪拌均勻，然后緩慢加入與4-BDAF等摩爾量的二酐單體均苯四甲酸酐(PMDA)共10. 4 ,繼續(xù)攪拌，隨著二酐單體的不斷溶解，聚合物的粘度也不斷增大， 單體全部溶解后繼續(xù)在常溫下攪拌他，制得固含量(質(zhì)量分數(shù))為20%的PAA溶液。稱取4. Okg導電摻銻二氧化錫(ATO)粉末加入80. IOkgDMAc中，加入硅烷偶聯(lián)劑 (KH570) 0. 32kg，在20°C下超聲攪拌40min超聲頻率為80KHz，加入7. 66kg4_BDAF，待其完全溶解后，分6批加入與4-BDAF等摩爾量的二酐PMDA共8. 34kg，繼續(xù)攪拌他，形成固含量 (PAA和導電ATO總質(zhì)量)為20. 01 %的ΡΑΑ/ΑΤ0溶液。將上述PAA溶液導入三層共擠出模的中央層流路，ΡΑΑ/ΑΤ0溶液導入其余流路， 將從共擠出口模的唇口擠出的的三層液膜流延在流延板上進行加熱(100°c XlOmin、 200°C X10min,350°C X5min)，升溫速率為100°C/min，使三層膜干燥亞胺化。根據(jù)GB/T1410-2006/IEC60093 :1980 測試了薄膜表面電阻率為 8. 42Χ109Ω，體積電阻率為5. 14 X IO15 Ω · cm，每層薄膜厚度控制為10 μ m。實施例5稱取7. 7kg全氟異亞丙基雙胺G-BDAF)，溶于80. Okg N-甲基吡咯烷酮(NMP)溶劑中，在25°C下攪拌均勻，然后分4批加入與4-BDAF等摩爾量的二酐單體3，3’，4，4’ - 二苯甲酮四酸二酐(BTDA)共12. 3kg，繼續(xù)攪拌，隨著二酐單體的不斷溶解，聚合物的粘度也不斷增大，單體全部溶解后繼續(xù)在常溫下攪拌10h，制得固含量(質(zhì)量分數(shù))為20%的PAA 溶液。稱取4. 9kg導電摻氟二氧化錫(FTO)粉末加入80kgDMAc中，加入硅烷偶聯(lián)劑 (KH570) 0. 15kg，在25°C下超聲攪拌50min超聲頻率為IOOKHz，加入5. Ag4_BDAF，待其完全溶解后，分4批加入與4-BDAF等摩爾量的二酐BTDA共9. 2kg,繼續(xù)攪拌他，形成固含量 (PAA和導電FTO總質(zhì)量)為24. 99%的PAA/FT0溶液。將上述PAA溶液導入三層共擠出模的中央層流路，PAA/FT0溶液導入其余流路，將從共擠出口模的唇口擠出的的三層液膜流延在流延板上進行加熱(130°C X8min、 250°C X 15min,360°C X IOmin)，升溫速率為90°C /min,使三層膜干燥亞胺化。根據(jù)GB/T1410-2006/IEC60093 :1980 測試了薄膜表面電阻率為 7. 6 X 101° Ω，體積電阻率為5. 22 X IO15 Ω · cm，中間層薄膜厚度控制為18 μ m,其余兩層薄膜厚度控制為7 μ m。從圖1和圖2可以看出，實施例1 5所制得的三層抗靜電聚酰亞胺薄膜，具有良好的熱性能和機械性能。
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權(quán)利要求
1.三層抗靜電聚酰亞胺薄膜的制備方法，其具體步驟如下A、聚酰胺酸PAA/導電填料復合溶液制備將導電填料加入非質(zhì)子極性溶劑中，加入硅烷偶聯(lián)劑，控溫超聲攪拌，使導電填料均勻地分散在溶劑中，然后加入二胺，攪拌，待其完全溶解后，分批加入與二胺等摩爾量的二酐， 連續(xù)攪拌至均勻相，制得質(zhì)量固含量為12 25 %的聚酰胺酸PAA/導電填料復合溶液，聚酰胺酸PAA為二胺和二酐的縮聚物；B、聚酰胺酸PAA溶液制備在反應器中加入二胺，使其溶于非質(zhì)子極性溶劑中，控制溫度攪拌，待其完全溶解后， 分批加入與二胺等摩爾量的二酐，攪拌，制得質(zhì)量固含量為12 25%的PAA溶液；C、三層抗靜電聚酰亞胺薄膜的制備Cl 將步驟A制得的聚酰胺酸PAA/導電填料復合溶液浸涂在流延板上放入真空烘箱升溫至150 200°C，待薄膜冷卻至20 30°C，將步驟B制得的聚酰胺酸PAA溶液浸涂于薄膜表面，放入真空烘箱升溫至150 200°C，待薄膜冷卻至20 30°C，再次將步驟A制得的聚酰胺酸PAA/導電填料復合溶液涂于薄膜表面，放入真空烘箱階梯升溫，脫水環(huán)化制得三層抗靜電聚酰亞胺薄膜；或者是C2 將步驟A和B制得的溶液供給至三層共擠出口模，并在流延板上進行擴幅、流延，梯度升溫使其熱亞胺化成膜；其中三層共擠出口模中間層流路為步驟B制得的聚酰胺酸PAA溶液，其余流路為步驟A制得的聚酰胺酸/導電填料復合溶液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟A和B中，分2 8批加入與二胺等摩爾量的二酐；加入二酐后攪拌時間為4 12h。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟A中所述的控溫超聲攪拌過程中， 溫度控制在15°C 30°C;超聲波頻率20KHz IOOKHz ；攪拌時間為15min 50min ；步驟B 中的溫度控制在20 30°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟A中導電填料與聚酰胺酸的質(zhì)量比為0.05 0.5 1，硅烷偶聯(lián)劑與導電填料的質(zhì)量比0.02 0. 1 1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟Cl中所述的梯度升溫過程中， 升溫速率為2 5°C /min ；先升溫到80°C 120°C恒溫30min 90min ；再升溫到180°C 220°C恒溫30min 90min ；最后升溫到280°C 380°C恒溫30min 90min ；步驟C2中所述梯度升溫過程，升溫速率為80°C 100°C /min ；先升溫到100°C 130°C恒溫^iin 15min ； 再升溫到180°C 250°C恒溫:3min 15min ；最后升溫到320°C 380°C恒溫!Min 15min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于三層膜中每層膜的厚度控制在3 20 μ m0
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟A和步驟B所述的二胺均為4， 4’ - 二氨基二苯醚、二甲基二苯甲烷二胺、1，3_雙(3-氨基苯氧基)苯、4，4’ -雙酚A 二苯醚二胺、全氟異亞丙基雙胺、4，4’_ 二(4-氨基苯氧基)二苯砜、4，4’_ 二(4-氨基苯氧基) 二苯醚、二氨基二苯(甲)酮、4，4，- 二氨基三苯胺、4，4，- 二氨基二苯甲烷、二氨基二苯基砜、3，4’ - 二氨基二苯醚、4，4’ - 二氨基二苯基甲烷、3，3’ - 二甲基_4，4’ - 二氨基二苯基甲烷、4，，4’ - 二氨基-二苯氧基-1”，4”-苯、4，4’ - 二氨基-二苯氧基-1”，3”-苯、3， 3’ - 二氨基-二苯氧基-1 ”，3”-苯或4，4’ - 二氨基-二苯氧基-4”，4- 二苯基異丙烷中的一種或兩種共混；步驟A和步驟B所述的二酐均為均苯四甲酸二酐、3，3’，4，4’ -聯(lián)苯四甲酸二酐、4，4’_氧雙鄰苯二甲酸酐、異構(gòu)二苯硫醚二酐、三苯二醚四酸二酐、苯酮四甲酸二酐、二苯酮四酸二酐、六氟異亞丙基二鈦酸二酐或3，3’，4，4’ - 二苯基砜四羧酸酐中的一種或兩種共混；步驟A和步驟B所述的非質(zhì)子極性溶劑均為N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、二甲基亞砜或四氫呋喃；所述的硅烷偶聯(lián)劑是Y-氨丙基三乙氧基硅烷、Y-O，3環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、Y -甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、 N- β -(氨乙基)-Y -氨丙基三甲氧基硅烷、N- β (氨乙基)-γ -氨丙基二甲氧基硅烷或乙烯基三甲氧基硅烷中的一種；所述的導電填料是導電石墨、導電炭黑、摻銻二氧化錫或摻氟二氧化錫。
全文摘要
本發(fā)明涉及三層抗靜電聚酰亞胺薄膜的制備方法。制備聚酰亞胺前體樹脂溶液以及抗靜電聚酰亞胺前體聚合物，其中抗靜電聚酰亞胺前驅(qū)體中添加了導電填料，將上述兩種樹脂溶液供給到三層共擠出口模并進行擴幅、流延、成膜，或者將兩種樹脂溶液在流延板上依次涂覆成膜。本發(fā)明制備工藝簡單易控制，得到的產(chǎn)物抗靜電性能持久，同時避免了添加導電填料降低體積電阻率影響其絕緣性能的缺點，可應用于化工產(chǎn)品、微電子器件等對包裝材料有特殊要求的領(lǐng)域。
文檔編號C08K3/04GK102516574SQ20111040386
公開日2012年6月27日 申請日期2011年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月7日
發(fā)明者俞娟, 尤鶴翔, 王曉東, 黃培 申請人:南京工業(yè)大學