專(zhuān)利名稱(chēng)：一種抗靜電聚酰亞胺薄膜的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制備抗靜電聚酰亞胺薄膜的方法，尤其涉及通過(guò)添加導(dǎo)電填料對(duì) 聚酰亞胺薄膜進(jìn)行抗靜電改性。
背景技術(shù)：
抗靜電高分子復(fù)合材料具有抗靜電、電磁屏蔽、耐化學(xué)腐蝕、體質(zhì)輕盈柔軟、封合 方式多樣等特點(diǎn)。以滿(mǎn)足化工產(chǎn)品、微電子器件等對(duì)包裝材料有殊要求的領(lǐng)域。根據(jù)表面電阻率的不同，可把材料分為導(dǎo)電，抗靜電和絕緣三大類(lèi)。當(dāng)材料的表面 電阻率大于IO12 Ω的時(shí)，屬于絕緣材料，小于IO5 Ω時(shí)為導(dǎo)電材料，在IO5 Ω IO12 Ω的范圍 時(shí)屬于抗靜電材料，而在106Ω 109Ω之間則是抗靜電的最佳控制范圍。目前國(guó)內(nèi)外對(duì)抗靜電樹(shù)脂的研究已經(jīng)相當(dāng)成熟，但其研究的基材主要集中在聚乙 烯(PE)、聚丙烯(PP)，聚氯乙烯(PVC)等熱塑性樹(shù)脂材料，而該種材料最大的缺點(diǎn)是不能耐 高溫，一般在160°C左右即可熔化。聚酰亞胺(Polyimide，簡(jiǎn)稱(chēng)PI)薄膜作為一種高性能特種工程塑料薄膜，在較寬 的溫度范圍內(nèi)具有穩(wěn)定而優(yōu)良的物理性能、化學(xué)性能和電性能，尤其具有高熱穩(wěn)定性和玻 璃化轉(zhuǎn)變溫度，是眾所周知的耐高溫材料，能在_269°C 400°C的寬闊溫度范圍內(nèi)使用，熱 分解溫度達(dá)到500°C左右，甚至能夠在短時(shí)間內(nèi)耐受555°C的高溫，而其各項(xiàng)物理性能都不 變，可在333°C下長(zhǎng)期使用。自從20世紀(jì)60年代以來(lái)，人們對(duì)如何提高高分子材料的抗靜電性能進(jìn)行了廣泛 的研究，組建形成了 4種典型的復(fù)合改性方法，分別是①添加導(dǎo)電填料，常用的導(dǎo)電填料 可分為碳系和金屬系兩大類(lèi)；②添加抗靜電劑；③與結(jié)構(gòu)型導(dǎo)電高分子共混；④表面涂覆。杜世國(guó)在抗靜電劑的研究進(jìn)展中報(bào)道了目前國(guó)內(nèi)外用抗靜電劑外部涂覆法生產(chǎn) 抗靜電薄膜的方法，即在高分子材料表面涂上一層抗靜電劑，從而使其起到表面抗靜電的 作用。具體步驟是先用水、乙醇或醋酸乙酯等溶劑將抗靜電劑配制成0.5% 2.0%濃 度的溶液，然后直接噴涂、浸漬或涂刷在材料表面，再經(jīng)室溫或熱空氣干燥而形成抗靜電涂 層。該法的優(yōu)點(diǎn)是操作簡(jiǎn)單、用量較少，并且不影響制品的成型加工性能。缺點(diǎn)是使用壽命 較短，經(jīng)過(guò)水洗或摩擦后，抗靜電涂層容易脫落或消失，因此是一種暫時(shí)性的抗靜電處理方 法。李?lèi)?ài)英采用三種不同的抗靜電劑與載體樹(shù)脂聚丙烯(PP)和其他助劑制成母料， 然后用自制的抗靜電劑母料，內(nèi)加于PP薄膜的芯層，擠出造料，壓片制成抗靜電雙向拉伸 聚丙烯(BOPP)薄膜。三種不同的抗靜電劑分別是有機(jī)抗靜電劑、無(wú)機(jī)微米抗靜電劑、無(wú)機(jī) 納米抗靜電劑。結(jié)果表明，無(wú)機(jī)納米抗靜電劑母料制備的抗靜電性PP材料，抗靜電效果較 好。但是這種方法過(guò)程繁瑣，對(duì)高速混合機(jī)的混合條件要求高，如果混合條件選擇不當(dāng)，將 會(huì)直接引起擠出機(jī)的下料過(guò)程出現(xiàn)原料架橋現(xiàn)象，造成擠出機(jī)斷料，影響產(chǎn)品質(zhì)量和收率。CN1807541A中公開(kāi)了一種防靜電包裝材料，這種包裝材料的特征是在包裝材料 表面涂覆或融合至少一層導(dǎo)電聚合物層。該發(fā)明中的導(dǎo)電聚合物由碳粉、聚胺酯、添加劑、溶劑等組成，其中添加劑包括分散劑、偶聯(lián)劑、稀釋劑。它是以導(dǎo)電的碳粉為基料，佐以其他 原料有機(jī)結(jié)合，并涂覆或融合與包裝基材上，這種方法可賦予包裝基材抗靜電的功能。但是 該方法操作過(guò)程復(fù)雜，成本高，還會(huì)存在涂覆不均勻的問(wèn)題。Park通過(guò)原位聚合法將二胺1，3_雙(3_氨基苯氧基)苯(APB)、六氟異亞丙基二 鈦酸二酐(6-FDA)超聲作用在N，N-二甲基甲酰胺(DMF)中形成穩(wěn)定的混合溶液，撤去超聲 裝置，繼續(xù)攪拌1 形成單層碳納米管(SWNTs)/PAA溶液，以乙酸酐和吡啶為催化劑進(jìn)行化 學(xué)亞胺化。梯度升溫處理4小時(shí)，得到單層碳納米管(SWNTs)/PI納米復(fù)合薄膜。實(shí)驗(yàn)結(jié)果 表明，納米復(fù)合薄膜具有抗靜電性能。但是通過(guò)這種方法抗靜電改性，納米粒子易團(tuán)聚，而 且成本高。亞胺化過(guò)程加入了催化劑會(huì)對(duì)復(fù)合薄膜造成污染。Srinivasan采用可溶的酚羥基聚酰亞胺(HPI)和導(dǎo)電聚合物聚噻吩乙酸(PTAA) 制備了低表面電阻率的復(fù)合聚酰亞胺薄膜。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該復(fù)合聚酰亞胺薄膜是抗靜電 應(yīng)用較理想的選擇。但實(shí)驗(yàn)過(guò)程中HPI的制備條件要求苛刻，要在200°C加熱條件下反應(yīng)制 得。PTAA要通過(guò)化學(xué)氧化手段合成，使用前需用AsFs、I2或Br2做摻雜劑對(duì)其進(jìn)行摻雜處 理，該類(lèi)摻雜劑具有毒性，同時(shí)導(dǎo)電聚合物的價(jià)格比金屬及普通塑料高，而且導(dǎo)電聚合物主 鏈中的共軛結(jié)構(gòu)使分子鏈僵硬，不溶不融，從而給成形加工帶來(lái)困難。Taylor以4，4，_ 二氨基二苯醚(ODA)、二酐為原料，在N，N-二甲基乙酰胺(DMAc) 中制備了聚酰胺酸(PAA)溶液，然后將錫絡(luò)合物溶解在PAA溶液中，攪拌2 池，得到PAA/ 絡(luò)合物復(fù)合溶液，亞胺化前先在靜止的空氣中60°C干燥2h，并討論了不同亞胺化環(huán)境對(duì)錫 改性的聚酰亞胺薄膜抗靜電性能的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在空氣固化環(huán)境下，空氣面電阻率 可達(dá)抗靜電的范圍，而玻璃面降低的不顯著。在隊(duì)中處理的薄膜，膜兩側(cè)的電阻率值接近 不改性的薄膜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了改善目前抗靜電薄膜的基體不能耐高溫，以及產(chǎn)品抗靜電性 能不持久等缺點(diǎn)，從而提供了一種抗靜電聚酰亞胺薄膜的制作方法。本發(fā)明的技術(shù)方案是一種抗靜電聚酰亞胺薄膜的制備方法，其具體步驟如下A、導(dǎo)電懸浮液的制備將導(dǎo)電填料加入非質(zhì)子極性有機(jī)溶劑中，加入硅烷偶聯(lián)劑，控溫超聲攪拌，使導(dǎo)電 填料均勻地分散在非質(zhì)子極性有機(jī)溶液中，制成穩(wěn)定均勻的導(dǎo)電懸浮液；B、導(dǎo)電填料/聚酰胺酸(PAA)復(fù)合溶液的制備在步驟A中制得的導(dǎo)電懸浮液中加入二胺，控制溫度攪拌，待其完全溶解后再分 批加入與二胺等摩爾量的二酐，連續(xù)攪拌成均勻相，制得導(dǎo)電填料/聚酰胺酸(PAA)抗靜導(dǎo) 電復(fù)合溶液，其中聚酰胺酸(PAA)為二胺和二酐的縮聚物；C、聚酰亞胺(PI)抗靜電復(fù)合薄膜的制備將導(dǎo)電填料/聚酰胺酸(PAA)抗靜電復(fù)合溶液浸涂在無(wú)孔載體上，放入真空烘箱 中階梯升溫，脫水環(huán)化制得聚酰亞胺(PI)抗靜電復(fù)合薄膜。上述步驟A中所述的控溫超聲攪拌是控制溫度為15°C 30°C ；超聲波頻率 20KHz IOOKHz ；攪拌時(shí)間15min 60min。其中導(dǎo)電填料與非質(zhì)子極性有機(jī)溶劑的質(zhì)量 比為0. 005 0. 25 ；硅烷偶聯(lián)劑與導(dǎo)電填料的質(zhì)量比0. 02 0. 1。
上述步驟B中，二胺加入步驟A中制得混合溶液，分2 8批加入與二胺等摩爾量 的二酐；攪拌時(shí)間為4 12h。其中導(dǎo)電填料與聚酰胺酸(PAA)的質(zhì)量比為0. 05 0. 5。上述步驟C中所述的階梯升溫過(guò)程中，控制升溫速率為2 5°C /min ；先升溫到 80°C 120°C恒溫30min 90min ；再升溫到180°C 220°C恒溫30min 90min ；最后升溫 到 280°C 380°C恒溫 30min 90min。上述步驟C中所述的無(wú)孔載體優(yōu)選為玻璃平板或鋼板等。本發(fā)明所用PAA由前驅(qū)物二酐與二胺在所述溶劑中反應(yīng)聚合而獲得。本發(fā)明所述的非質(zhì)子極性溶劑，優(yōu)選為N-甲基吡咯烷酮(NMP)，N, N- 二甲基甲酰 胺(DMF)，N，N-二甲基乙酰胺(DMAc)，二甲基亞砜(DMSO)或四氫呋喃。本發(fā)明中的二胺優(yōu)選為4，4’ - 二氨基二苯醚(0DA)，二甲基二苯甲烷二胺 (DMMDA)，1，3-雙(3-氨基苯氧基)苯(BAPB)，4，4’ -雙酚A 二苯醚二胺(BAPP)，全氟異亞 丙基雙胺G-BDAF)，4，4’-二(4-氨基苯氧基)二苯砜(BAPS)，4，4’-二(4-氨基苯氧基) 二苯醚(BAPE)，二氨基二苯(甲)酮(DABP)，4，4，- 二氨基三苯胺(DATPA)，4，4，- 二氨基 二苯甲烷(MDA)，二氨基二苯基砜(DDQ，3，4’- 二氨基二苯醚，4，4’- 二氨基二苯基甲烷，3， 3’ - 二甲基_4，4’ - 二氨基二苯基甲烷，4，，4’ - 二氨基-二苯氧基-1”，4”-苯，4，4’ - 二 氨基-二苯氧基-1”，3”-苯，3，3，- 二氨基-二苯氧基-1”，3”-苯或4，4，- 二氨基-二苯 氧基-4”，4- 二苯基異丙烷中的一種或兩種共混。本發(fā)明所用的二酐優(yōu)選為均苯四甲酸二酐(PMDA)，3，3’，4，4’ -聯(lián)苯四甲酸二 酐(BPDA)，4，4，-氧雙鄰苯二甲酸酐(ODPA)，異構(gòu)二苯硫醚二酐(TDPA)，三苯二醚四酸二 酐(HQDPA)，苯酮四甲酸二酐(BTDA)，二苯酮四酸二酐(BDPA)，六氟異亞丙基二鈦酸二酐 (6-FDA)或3，3’，4，4’ - 二苯基砜四羧酸酐(DSDA)中的一種或兩種共混。本發(fā)明中的硅烷偶聯(lián)劑優(yōu)選為Y-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)，，3環(huán) 氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷(KH560)，γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH570)， Ν-β-(氨乙基)-Y-氨丙基三甲氧基硅烷(ΚΗ7^)，Ν-β (氨乙基)-Y-氨丙基二甲氧基 硅烷(DL602)，乙烯基三甲氧基硅烷(DL171)中的一種。本發(fā)明中的導(dǎo)電填料優(yōu)選為微米級(jí)導(dǎo)電石墨或微米級(jí)導(dǎo)電碳黑。有益效果1、本發(fā)明采用的導(dǎo)電石墨和導(dǎo)電碳黑都是微米級(jí)的導(dǎo)電材料，可以很好的分散在 聚酰胺酸(PAA)樹(shù)脂中，形成均勻穩(wěn)定的懸浮液。2、本發(fā)明可以很好的通過(guò)調(diào)節(jié)導(dǎo)電石墨和導(dǎo)電碳黑的含量來(lái)控制聚酰亞胺薄膜 的電阻率，從而達(dá)到抗靜電的最佳范圍(即表面電阻率為106Ω ΙΟ9Ω)。3、本發(fā)明采用原位聚合法制備抗靜電聚酰亞胺薄膜，操作簡(jiǎn)單，工藝優(yōu)良，產(chǎn)品兩 面的電阻率基本一致，制成的產(chǎn)品成品率高，并且機(jī)械性能優(yōu)異。4、本發(fā)明生產(chǎn)出來(lái)的抗靜電薄膜，熱性能穩(wěn)定，其熱膨脹系數(shù)(CTE)可達(dá)到 1. TlXlO-6K-1,比聚乙烯、聚丙烯等熱塑性樹(shù)脂基體材料具有明顯的優(yōu)勢(shì)，而且溫度使用范 圍寬泛。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例的流程工藝圖。
圖2為實(shí)例1 5所制得的導(dǎo)電填料不同質(zhì)量百分含量的抗靜電薄膜的拉伸強(qiáng)度圖。 圖3為實(shí)例1 5所制得的導(dǎo)電填料不同質(zhì)量百分含量的抗靜電薄膜的彈性模量圖。
具體實(shí)施例方式通過(guò) 下述實(shí)例將有助于理解本發(fā)明，但并不限制本發(fā)明的內(nèi)容。其制作流程如圖 1所示。實(shí)施例1稱(chēng)取0. 7497g的導(dǎo)電碳黑(平均粒徑8000目)放入84. 8364gN，N，- 二甲基甲 酰胺(DMF)溶劑中，加入硅烷偶聯(lián)劑(KH550)0.0408g，在20°C下超聲攪拌20min超聲頻率 20KHz，加入6. 8209g4，4，- 二氨基二苯醚(ODA)，待其完全溶解后，分4批加入與ODA等摩 爾量的二酐單體均苯四甲酸酐(PMDA)共7. 4297g，繼續(xù)攪拌4h，制得IOOg導(dǎo)電填料含量為 4. 9979%的PAA/導(dǎo)電填料復(fù)合溶液。將PAA/導(dǎo)電填料復(fù)合溶液浸涂在玻璃平板上，放入真空烘箱中階梯升溫，升溫速 率為3°C/min(90°C X0. 8h，200°C X0. 8h，360°C X lh)，得到脫水環(huán)化的PI/石墨抗靜電薄 膜。經(jīng)測(cè)量其表面電阻率為5. 60X IO12 Ω。實(shí)施例2稱(chēng)取2. 0042g的導(dǎo)電石墨(平均粒徑5000目)放入79. 9986gN，N，-二甲基乙酰 胺(DMAc)溶劑中，加入硅烷偶聯(lián)劑(KH792)0. lOOlg，在18°C下超聲攪拌40min超聲頻率 25KHz，加入8.6155g4，4，- 二氨基二苯醚(ODA)，待其完全溶解后，分5批加入與ODA等摩 爾量的二酐單體均苯四甲酸酐(PMDA)共9. 3853g，繼續(xù)攪拌他，制得IOOg導(dǎo)電填料含量為 10. 02%的PAA/導(dǎo)電填料復(fù)合溶液。將PAA/導(dǎo)電填料復(fù)合溶液浸涂在玻璃平板上，放入真空烘箱中階梯升溫，升溫速 率為4°C/min(100°C X lh, 200°C X0.9h，350°C X lh)，得到脫水環(huán)化的PI/石墨抗靜電薄 膜。經(jīng)測(cè)量其表面電阻率為6.23Χ10ιαΩ。實(shí)施例3稱(chēng)取2. 2505g的導(dǎo)電石墨(平均粒徑3000目)放入85. 0002gN-甲基吡咯燒 酮(NMP)溶劑中，加入硅烷偶聯(lián)劑(KH570)0.0903g，在25°C下超聲攪拌40min超聲頻率 30KHz，加入6. 1624g4,4' - 二氨基二苯醚(ODA)，待其完全溶解后，分4批加入與ODA等摩 爾量的二酐單體均苯四甲酸酐(PMDA)共6. 6478g，繼續(xù)攪拌10h，制得IOOg導(dǎo)電填料含量 為14. 94%的PAA/導(dǎo)電填料復(fù)合溶液。將PAA/導(dǎo)電填料復(fù)合溶液浸涂在玻璃平板上，放入真空烘箱中階梯升溫，升溫速 率為5°C/min(110°C X0. 6h,200°C Xlh，320°C X lh)，得到脫水環(huán)化的PI/石墨抗靜電薄 膜。經(jīng)測(cè)量其表面電阻率為5. 68 X IO8 Ω。實(shí)施例4稱(chēng)取6. 0025g的導(dǎo)電石墨(平均粒徑8000目)放入70. 0012gN，N，-二甲基乙酰 胺(DMAc)溶劑中，加入硅烷偶聯(lián)劑(DL602)0. 1602g，在下超聲攪拌50min超聲頻率 50KHz，加入11. 4870g4，4’_ 二氨基二苯醚(ODA)，待其完全溶解后，分7批加入與ODA等摩爾量的二酐單體3，3，，4，4，_聯(lián)苯四甲酸二酐(BPDA)共12. 5138g，繼續(xù)攪拌他，制得IOOg 導(dǎo)電填料含量為20. 01%的PAA/導(dǎo)電填料復(fù)合溶液。將PAA/導(dǎo)電填料復(fù)合溶液浸涂在玻璃平板上，放入真空烘箱中階梯升溫，升溫速 率為3°C/min(120°C XL lh，200°C X0. 8h，360°C X lh)，得到脫水環(huán)化的PI/石墨抗靜電 薄膜。經(jīng)測(cè)量其表面電阻率為3.80Χ107Ω。實(shí)施例5稱(chēng)取2. 5002g的導(dǎo)電碳黑(平均粒徑6000目)放入90. OOOlgN, N，- 二甲基甲 酰胺(DMF)溶劑中，加入硅烷偶聯(lián)劑(KH792)0. 1803g，在25°C下超聲攪拌25min超聲頻率 20KHz，加入3. 5899g全氟異亞丙基雙胺G-BDAF)，待其完全溶解后，分2批加入與4-BDAF 等摩爾量的二酐單體均苯四甲酸酐(PMDA)共3. 9106g，繼續(xù)攪拌《!，制得IOOg導(dǎo)電填料含 量為25. 00%的PAA/導(dǎo)電填料復(fù)合溶液。將PAA/導(dǎo)電填料復(fù)合溶液浸涂在玻璃平板上，放入真空烘箱中階梯升溫，升溫速 率為5°C/min(110°C X lh, 200 °C XL 2h,320°C X 1. Oh)，得到脫水環(huán)化的PI/石墨抗靜電 薄膜。經(jīng)測(cè)量其表面電阻率為8. 02X IO5 Ω。實(shí)施例1 5的機(jī)械性能見(jiàn)圖2和圖3。從圖2和圖3中可以看出，實(shí)施例1 5 的拉伸強(qiáng)度和彈性模量較好。
權(quán)利要求
1.一種抗靜電聚酰亞胺薄膜的制備方法，其具體步驟如下A、導(dǎo)電懸浮液的制備將導(dǎo)電填料加入非質(zhì)子極性有機(jī)溶劑中，加入硅烷偶聯(lián)劑，控溫超聲攪拌，使導(dǎo)電填料 均勻地分散在有機(jī)溶液中，制成穩(wěn)定均勻的懸浮液；B、導(dǎo)電填料/聚酰胺酸復(fù)合溶液的制備在步驟A中制得的導(dǎo)電懸浮液中加入二胺，控制溫度攪拌，待其完全溶解后再分批加 入與二胺等摩爾量的二酐，連續(xù)攪拌成均勻相，制得導(dǎo)電填料/聚酰胺酸導(dǎo)電復(fù)合溶液，其 中聚酰胺酸為二胺和二酐的縮聚物；C、聚酰亞胺抗靜電復(fù)合薄膜的制備將導(dǎo)電填料/聚酰胺酸抗靜電復(fù)合溶液浸涂在無(wú)孔載體上，放入真空烘箱中階梯升 溫，脫水環(huán)化制得聚酰亞胺抗靜電復(fù)合薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于上述步驟A中控溫超聲攪拌時(shí)的溫度 控制在15°C 30°C ；超聲波頻率為20KHz IOOKHz ；攪拌時(shí)間為15min 60min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟A中導(dǎo)電填料與非質(zhì)子極性溶劑 的質(zhì)量比為0. 005 0. 25 ；硅烷偶聯(lián)劑與導(dǎo)電填料的質(zhì)量比0. 02 0. 1 ；步驟B中控制導(dǎo) 電填料與聚酰胺酸的質(zhì)量比為0. 05 0. 5。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟B中分2 8批加入與二胺等摩 爾量的二酐；攪拌時(shí)間為4 12h。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟C中所述的階梯升溫過(guò)程中控制 升溫速率為2 5°C /min ；先升溫到80°C 120°C恒溫30min 90min ；再升溫到180°C 220°C恒溫 30min 90min ；最后升溫到 280°C 380°C恒溫 30min 90min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于所述的非質(zhì)子極性溶劑為N-甲基吡咯 烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、二甲基亞砜或四氫呋喃；所述的硅烷偶聯(lián)劑 為Y-氨丙基三乙氧基硅烷、Y-O，3環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基 丙基三甲氧基硅烷、N- β -(氨乙基)-Y -氨丙基三甲氧基硅烷、N- β (氨乙基)-Y -氨丙基 二甲氧基硅烷或乙烯基三甲氧基硅烷中的一種；所述的導(dǎo)電填料為微米級(jí)導(dǎo)電石墨或微米 級(jí)導(dǎo)電碳黑。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于所述的二胺為4，4’-二氨基二苯醚、 二甲基二苯甲烷二胺、1，3_雙(3-氨基苯氧基)苯、4，4’ -雙酚A 二苯醚二胺、全氟異亞丙 基雙胺、4，4’ - 二(4-氨基苯氧基)二苯砜、4，4’ - 二(4-氨基苯氧基)二苯醚、二氨基二 苯(甲)酮、4，4，-二氨基三苯胺、4，4，-二氨基二苯甲烷、二氨基二苯基砜、3，4，-二氨基 二苯醚、4，4’ - 二氨基二苯基甲烷、3，3’ - 二甲基_4，4’ - 二氨基二苯基甲烷、4，，4’ - 二氨 基-二苯氧基-1”，4”-苯、4，4’ - 二氨基-二苯氧基-1”，3”-苯、3，3’ - 二氨基-二苯氧 基-1”，3”-苯或4，4’ - 二氨基-二苯氧基-4”，4- 二苯基異丙烷中的一種或兩種共混；所 述的二酐為均苯四甲酸二酐、3，3’，4，4’ -聯(lián)苯四甲酸二酐、4，4’ -氧雙鄰苯二甲酸酐、異 構(gòu)二苯硫醚二酐、三苯二醚四酸二酐、苯酮四甲酸二酐、二苯酮四酸二酐、六氟異亞丙基二 鈦酸二酐或3，3’，4，4’ - 二苯基砜四羧酸酐中的一種或兩種共混；
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟C中所述的無(wú)孔載體為玻璃平板 或鋼板。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種抗靜電聚酰亞胺(PI)薄膜的制備方法。原料采用二胺，二酐和導(dǎo)電填料及添加偶聯(lián)劑，利用原位聚合法制備了相分散性均勻的聚酰胺酸(PAA)導(dǎo)電填料復(fù)合溶液，熱亞胺化處理，得到抗靜電的聚酰亞胺薄膜。該方法制備的抗靜電聚酰亞胺薄膜，操作簡(jiǎn)單，工藝優(yōu)良，產(chǎn)品兩面的電阻率基本一致，制成的產(chǎn)品成品率高、耐高溫并且機(jī)械性能優(yōu)異。可應(yīng)用于化工產(chǎn)品、微電子器件等對(duì)包裝材料有特殊要求的領(lǐng)域。
文檔編號(hào)C08K3/04GK102120826SQ20111002377
公開(kāi)日2011年7月13日 申請(qǐng)日期2011年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月21日
發(fā)明者吳海紅, 黃培 申請(qǐng)人:南京工業(yè)大學(xué)