專利名稱：超低曝光后烘烤光致抗蝕劑材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻領(lǐng)域。更具體地說，本發(fā)明涉及含有縮醛鍵的光致抗蝕劑聚合物以及其在光刻(lithographic)光致抗蝕劑組合物中的用途，尤其是在化學(xué)增幅光致抗蝕劑中的用途。
背景技術(shù)：
化學(xué)增幅光致抗蝕劑由于在MSnm和更短的波長下具有更好的曝光速度 (photo-speed)，同時在亞0. 25微米的范圍中提供可接受的圖像空間分辨率，所以已取代斷鏈光致抗蝕劑(chain-scission photoresists)。但是，對于高級圖案化節(jié)點(advanced patterning nodes)在亞IOOnm尺度上的可接受空間分辨需要改良的化學(xué)增幅光致抗蝕劑材料和組合物。差的光刻圖像分辨率限制了集成電路裝置的縮放(scaling)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一方面為一種聚合物，其包含具有下列結(jié)構(gòu)的第一單體
權(quán)利要求
1. 一種聚合物，包含 下列結(jié)構(gòu)的第一單體
2.如權(quán)利要求1所述的聚合物，其中XpR1及R3不含氟原子。
3.如權(quán)利要求1所述的聚合物，其中&選自-ch2ch2co-、-ch2ch2cooch2ch2co-和
4.如權(quán)利要求1所述的聚合物，其中R1選自
5.如權(quán)利要求1所述的聚合物，其中&選自直鏈烷基氟代醇類、支鏈烷基氟代醇類、具有側(cè)鏈烷基氟代醇基的環(huán)烷類和具有側(cè)鏈烷基氟代醇基的雙環(huán)烷類。
6.如權(quán)利要求1所述的聚合物，其中民選自直鏈和支鏈烷基、雙環(huán)烷基和雜雙環(huán)烷基。
7.如權(quán)利要求1所述的聚合物，其中所述第一單體選自
8.如權(quán)利要求1所述的聚合物，其中所述第二單體選自
9.
10.一種光致抗蝕劑制劑，包含澆鑄溶劑； 光酸產(chǎn)生劑；以及聚合物，其包含 下列結(jié)構(gòu)的第一單體下列結(jié)構(gòu)的第二單體
11.如權(quán)利要求10所述的光致抗蝕劑制劑，其中XpR1和R3不含氟原子。
12.如權(quán)利要求10所述的光致抗蝕劑制劑，其中 R1選自
13.如權(quán)利要求10所述的光致抗蝕劑制劑，其中所述第一單體選自
14.如權(quán)利要求10所述的光致抗蝕劑制劑，其中所述第二單體選自
15.如權(quán)利要求10所述的光致蝕劑制劑，其中所述第三單體選自
16. 一種方法，包括(a)在襯底上形成光致抗蝕劑制劑層，該光致抗蝕劑制劑包含 澆鑄溶劑； 光酸產(chǎn)生劑；以及聚合物，其包含 下列結(jié)構(gòu)的第一單體
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中XpR1及R3不含氟原子。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中 R1選自
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第一單體選自
20.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第二單體選自
21.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第三單體選自
22.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述聚合物基本上由下述單體構(gòu)成
23.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述聚合物基本上由下述單體構(gòu)成
24.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述聚合物基本上由下述單體構(gòu)成
全文摘要
本發(fā)明涉及包含在聚合物骨架與酸不穩(wěn)定的縮醛基之間具有側(cè)鏈間隔基的第一甲基丙烯酸酯單體、具有包括氟代烷基的側(cè)基的第二甲基丙烯酸酯單體及具有側(cè)鏈烴基的第三甲基丙烯酸酯單體的聚合物。本發(fā)明還涉及包含該聚合物、光酸產(chǎn)生劑及澆鑄溶劑的光致抗蝕劑制劑。本發(fā)明還涉及將由該光致抗蝕劑制劑形成的光致抗蝕劑薄膜圖案化的方法，其特征為在約60℃或以下的溫度下進(jìn)行曝光后烘烤。
文檔編號C08F220/28GK102308258SQ201080007232
公開日2012年1月4日 申請日期2010年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月23日
發(fā)明者D·L·戈爾德法爾布, M·克霍雅斯特, P·瓦拉納西 申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司