專利名稱：：氣體阻擋膜以及使用其的有機器件的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及氣體阻擋性優(yōu)異的膜以及使用其的有機器件，特別涉及適合于各種有機器件的基板或被覆膜的層疊型氣體阻擋膜。另外，涉及使用了上述氣體阻擋膜的、耐久性和撓性優(yōu)異的有機器件、特別是有機EL元件。技術背景近年來正在研究在液晶顯示元件或太陽能電池、電致發(fā)光(EL)元件等有機器件中，將薄、輕、且柔軟性優(yōu)異的透明塑料膜用于基板中來代替沉重且易開裂的玻璃基板。透明的塑料基板大面積化容易，也可以采用輥對輥(RolltoRoll)的生產方式，因此比玻璃的生產率高，在降低成本方面也有利。但是，透明塑料基板與玻璃比較，存在氣體阻擋性差的問題。有機器件通常其構成材料容易由于水或空氣而引起劣化或變質。例如，如果液晶顯示元件的基板使用氣體阻擋性差的基材，則使液晶單元內的液晶劣化，劣化部位成為顯示缺陷，結果使顯示質量下降。為了解決這樣的問題，對如上所述的塑料膜基板本身賦予氣體阻擋功能，或者用具有氣體阻擋性的透明塑料膜將器件整體進行密封即可。作為氣體阻擋性膜，一般已知有在塑料膜上形成有金屬氧化物薄膜的產品。作為用于液晶顯示元件的氣體阻擋性膜，例如有在塑料膜上蒸鍍有氧化硅的膜(例如，參照日本特公昭53-12953號公報(第1頁第3頁))、或蒸鍍有氧化鋁的膜(例如，參照日本特開昭58-217344號公報(第1頁第4頁))。它們均具有水蒸氣透過率約為lg/m々天的水蒸氣阻擋性。但是，近年來,要求更高阻擋性的有機EL顯示器或高精彩彩色液晶顯示器等的開發(fā)不斷開展，因此要求一種基材，其維持可以用于這些顯示器的透明性，并且具有高阻擋性、特別是水蒸氣阻擋性，具有水蒸氣透過率低于0.1g/m2/天的性能。為了適應這樣的要求，作為可以期待更高阻擋性能的方法，進行了基于以下方法的成膜的研究通過使用由低壓條件下的輝光放電產生的等離子體來形成薄膜的濺射法或CVD法。另外，提出了通過真空蒸鍍法來制作具有有機層/無機層的交替層疊結構的阻擋膜的技術(例如，參照美國專利第6，413,645B1號公報(第4頁[2-54]第8頁[8-22]))。有機層和無機層一起成膜時，盡量不使灰塵等異物混入對于得到高阻擋性是重要的。至今已公開有具有防靜電層的阻擋膜的技術，這些技術的目的在于在形成阻擋層之后賦予防靜電層，成品膜的處理或防止帶塵(參照日本特開2005—305801號公報(第1頁第11頁))。另外，也有使用混入有導電性微粒的防靜電膜來形成阻擋層的氣體阻擋膜的例子(例如，參照日本特開2002—137323號公報(第1頁第7頁))；或在基板膜上涂布混入有導電性微粒的涂料并在與涂布面相反一側上設置有阻擋層的阻擋膜的例子(例如，參照日本特開平8—294991號公報(第1頁第12頁)、日本特開2006—88538號公報(第1頁第38頁))。但是，前者因在基板膜上混入微粒，所以膜表面的平滑性變差，作為結果阻擋性不是很高。另外，后者指出了以下問題阻擋層的形成限于單面，而且混入的導電性微粒剝落，對阻擋層的成膜帶來影響。另一方面，也公開了使用具有季銨鹽的丙烯酸酯類的方法，但在真空中防靜電性變差而不能使用(例如，參照日本特開平10—58621號公報(第1頁第8頁)8)。另外，也公開了使用通過濺射法形成有防靜電層的ITO薄膜或聚苯胺等的方法，但在成本方面不太理想(例如，參照日本特開2001—246688號公報(第1頁第6頁)、日本特開平11—28780號公報(第1頁第9頁))。期望可解決這些種種問題，形成可以用于阻擋膜的成膜的防靜電層。
發(fā)明內容本發(fā)明的目的在于解決上述各種問題，提供顯示高阻擋性、可以具有透明性的撓性的氣體阻擋膜，另外，其目的在于使用該膜，提供即使長時間使用也難以劣化的有機器件(例如，有機EL元件或色素增感型太陽能電池等)。上述課題可以通過以下手段來解決。[l]一種氣體阻擋膜，其在可撓性支撐基板上具有防靜電層和包含至少l層無機層的氣體阻擋層，其特征在于，所述防靜電層由使下述通式(1)表示的單體或其低聚物共聚而成的丙烯酸樹脂或由使下述通式(1)表示的單體或其低聚物共聚而成的甲基丙烯酸樹脂構成，通式(1)(Ac1—L1)m—M—(L2—Ac2)n[式中，Ac^和A一分別獨立地表示丙烯?；蚣谆；?，i;和1^分別獨立地表示碳原子數為118的取代或未取代的亞烷基、碳原子數為618的取代或未取代的亞芳基、醚基、亞氨基、羰基、或者這些基團多個串聯結合而成的2價連接基團，M表示金屬原子，m和n分別獨立地表示06的整數，m與n之和為l6]。[2]如[1]所述的氣體阻擋膜，其中，所述防靜電層的表面電阻在25。C、相對濕度60。％的氣氛下為1X10"Q/口以下。[3]如[1]或[2]所述的氣體阻擋膜，其中，所述氣體阻擋層包含至少1層的所述無機層和至少1層有機層。[4]如[1][3]中任一項所述的氣體阻擋膜，其中，所述防靜電層的厚度為0.25lim。[5]—種有機器件，其特征在于，其使用了[1][4]中任一項所述的氣體阻擋膜。[6]—種有機器件，其特征在于，其用[1][4]中任一項所述的氣體阻擋膜進行密封。根據本發(fā)明，可以提供具有高阻擋性的撓性的氣體阻擋膜。另外，根據本發(fā)明，也可以提供進一步具有透明性的氣體阻擋膜。并且根據本發(fā)明，可以提供濕熱耐久性優(yōu)異的有機器件。具體實施方式以下，對于本發(fā)明的氣體阻擋膜和有機器件進行詳細地說明。以下記載的構成要素的說明是基于本發(fā)明的代表性實施方式來進行的，但本發(fā)明并不限于這些實施方式。另外，本說明書中使用""表示的數值范圍，是指含有""前后記載的數值作為下限值和上限值的范圍?！稓怏w阻擋膜》(氣體阻擋膜的構成)本發(fā)明的氣體阻擋膜在可撓性支撐基板上具有防靜電層和包含至少1層無機層的氣體阻擋層。本發(fā)明的氣體阻擋膜可以是在可撓性支撐基板的單面上具有氣體阻擋層的結構，也可以是在雙面上具有氣體阻擋層的結構。在雙面上具有氣體阻擋層的情況下，在各面上形成的氣體阻擋層可以互相相同，也可以不同。另外，本發(fā)明的氣體阻擋膜可以在可撓性支撐基板的同一面上同時具有防靜電層和氣體阻擋層，也可以在可撓性支撐基板的一個面上具有防靜電層，在另一個面上具有氣體阻擋層。在可撓性支撐基板的同一面上同時具有防靜電層和氣體阻擋層的情況下，優(yōu)選在可撓性支撐基板和氣體阻擋層之間具有防靜電層。(塑料膜)本發(fā)明中的氣體阻擋膜通常使用塑料膜作為增塑性支撐基板。使用的塑料膜只要是可以保持有機層、無機層等層疊體的膜就行，對于材質、厚度等沒有特別限制，可以根據使用目的等適宜選擇。作為上述塑料膜，具體可以列舉出金屬支撐體(鋁、銅、不銹鋼等)、聚酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸-馬來酸共聚物、聚苯乙烯樹脂、透明含氟樹脂、聚酰亞胺、氟化聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、聚醚酰亞胺樹脂、纖維素?；飿渲⒕郯滨渲?、聚醚醚酮樹脂、聚碳酸酯樹脂、脂環(huán)式聚烯烴樹脂、聚芳酯樹脂、聚醚砜樹脂、聚砜樹脂、環(huán)烯烴共聚物、芴環(huán)改性聚碳酸酯樹脂、脂環(huán)改性聚碳酸酯樹脂、芴環(huán)改性聚酯樹脂、丙烯酰基化合物等熱塑性樹脂。將本發(fā)明的氣體阻擋膜作為后述有機EL元件等器件的基板來使用時，塑料膜優(yōu)選由具有耐熱性的材料構成。具體而言，優(yōu)選由玻璃化轉變溫度(Tg)為10(TC以上和/或線熱膨脹系數為40ppmTC以下且耐熱性高的透明材料構成。通過添加劑等可以調整Tg或線膨脹系數。作為這樣的熱塑性樹脂，可以列舉出例如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN:12CTC)、聚碳酸酯(PC:140°C)、脂環(huán)式聚烯烴(例如日本Zeon株式會社制造的Zeonorl600:160。C)、聚芳酯(PAr:210°C)、聚醚砜(PES:220°C)、聚砜(PSF:190°C)、環(huán)烯烴共聚物(COC:日本特開2001-150584號公報的化合物162°C)、聚酰亞胺(例如，三菱氣體化學株式會社氺才:7。y厶260°C)、芴環(huán)改性聚碳酸酯(BCF-PC:日本特開2000-227603號公報的化合物225°C)、脂環(huán)改性聚碳酸酯(IP-PC:日本特開2000-227603號公報的化合物205°C)、丙烯?；衔?日本特開2002-80616號公報的化合物30(TC以上)(括號內表示Tg)。特別是在要求透明性時優(yōu)選使用脂環(huán)式聚烯烴等。將本發(fā)明的氣體阻擋膜與偏振片組合使用時，優(yōu)選使氣體阻擋膜的氣體阻擋層面(形成有包含至少1層無機層和至少1層有機層的層疊體的面)面向單元的內側，并配置在最內側(與元件相鄰接)。此時，由于氣體阻擋膜配置在比偏振片更靠單元的內側，因此氣體阻擋膜的延遲值變得重要。在這種形態(tài)下的氣體阻擋膜的使用方式優(yōu)選為，將使用了延遲值為10nm以下的基材膜的阻擋膜與圓偏振片(1/4波長板+(1/2波長板)+直線偏6，或者在使用了可以作為1/4波長板使用的、延遲值為100nm180nm的基材膜的氣體阻擋膜上組合使用直線偏振片。作為延遲值為10nm以下的基材膜，可以列舉出纖維素三乙酸酯(富士膠片株式會社富士TAC)、聚碳酸酯(帝人化成株式會社匕。二7工一7、Kaneka株式會社工/^:7夕)、環(huán)烯烴聚合物(JSR株式會社ARTON、日本Zeon株式會社Zeonor)、環(huán)烯烴共聚物(三井化學株式會社APL(顆粒)、POLYPLASTICS株式會社Topas(顆粒))、聚芳酯(Unitika株式會社U100(顆粒))、透明聚酰亞胺(三菱氣體化學株式會社氺才7°U厶)等。另外，作為1/4波長板，可以使用通過將上述膜進行適宜拉伸來調節(jié)至期望的延遲值而得到的膜。由于利用本發(fā)明的氣體阻擋膜作為有機EL元件等器件，因此塑料膜是透明的，即光線透過率通常為80%以上，優(yōu)選為85%以上，進一步優(yōu)選為90%以上。光線透過率可以使用JIS-K7105中記載的方法、即使用積分球式光線透過率測定裝置來測定總光線透過率及散射光量，從總光線透過率減去擴散透過率來算出。即使在將本發(fā)明的氣體阻擋膜用于顯示器用途的情況下，在不設置在觀察側時等也不一定要求透明性，因此，這樣的情況也可以使用不透明的材料作為塑料膜。作為不透明的材料，可以列舉出例如聚酰亞胺、聚丙烯腈、公知的液晶聚合物等。用于本發(fā)明的氣體阻擋膜的塑料膜的厚度可以根據用途來適宜選擇，因此沒有特別限制，典型為l800um，優(yōu)選為10200ixm。這些塑料膜可以具有透明導電層、底漆層等功能層。關于功能層，在日本特開2006-289627號公報的段落號00360038中有詳細記載。作為這些以外的功能層的例子，可以列舉出消光劑層、保護層、平滑化層、粘附改良層、遮光層、防止反射層、硬涂層、應力緩和層、防霧層、防污層、被印刷層、易粘接層等。(氣體阻擋層的構成)構成本發(fā)明的氣體阻擋膜的氣體阻擋層具有至少1層無機層。優(yōu)選的氣體阻擋層具有至少1層無機層和至少1層有機層。更優(yōu)選為有機層和無機層進行交替層疊而成的結構，從可撓性支撐基板側可以依次層疊無機層、有機層，也可以依次層疊有機層、無機層。氣體阻擋層的最上層可以為無機層，也可以為有機層。(無機層)本發(fā)明中的無機層通常為由無機材料構成的可以抑制氣體分子的透過的致密結構的薄膜層，例如，可以列舉出由金屬化合物構成的薄膜(金屬化合物薄膜)。關于上述無機層的形成，只要是可以形成目標薄膜的方法就行，可以使用任何方法。作為上述形成方法，例如，濺射法、真空蒸鍍法、離子鍍法、等離子體CVD法等比較適宜，具體可以采用日本專利注冊第3400324號、日本特開2002-322561號公報、日本特開2002-361774號公報等中記載的形成方法。構成上述無機層的成分只要滿足上述性能就行，沒有特別限定，可以使用例如含有選自Si、Al、In、Sn、Zn、Ti、Cu、Ce和Ta等中的1種以上金屬的氧化物、氮化物或者氮氧化物，優(yōu)選從選自Si、Al、In、Sn、Ti和Zn中的至少1種以上的金屬中進行選擇。本發(fā)明中特別優(yōu)選為氧化硅、或氧化鋁、或鋁和硅的混合氧化物。通過采用這些無機物，有機層和無機層的粘附性進一步提高。由于上述無機層為可以抑制氣體分子透過的致密結構的薄膜，因此，薄膜的膜密度優(yōu)選在2.1g/cm37.0g/cn^的范圍，更優(yōu)選在2.1g/cm36.0g/cr^的范圍，進一步優(yōu)選在2.6g/cmS6.0g/cr^的范圍。薄膜的膜密度的測定，例如可以由在Si晶片上形成的薄膜的X射線反射率測定來算出。另外，關于上述無機層的厚度也沒有特別限制，但厚度過厚時可能因彎曲應力而產生裂縫，過薄時膜分布成島狀，因此，均具有氣體阻擋性變差的々頁向。由此，各無機層的厚度分別優(yōu)選在5nm1000nm的范圍內，進一步優(yōu)選為10nm1000nm，最優(yōu)選為10nm200nm。本發(fā)明中，為了同時具有氣體阻擋性和高透明性，作為上述無機層，優(yōu)選使用硅氧化物或硅氮化物或者硅氮氧化物。作為上述無機層使用硅氧化物SiOx時，為了同時具有良好的氣體阻擋性和高光線透過率，優(yōu)選為1.6<x<1.9。作為上述無機層使用硅氮化物SiNy時，優(yōu)選為1.2<y<1.3。當y〈L2時，有時著色變大，用于顯示器用途時也有成為制約的情況。另外，作為上述無機層使用硅氮氧化物SiOxNy時，如果重視粘附性提高，則優(yōu)選為富氧膜，具體而言優(yōu)選滿足l<x<2以及0<7<1。另一方面，如果重視氣體阻擋性的提高，則優(yōu)選為富氮膜，具體而言優(yōu)選滿足0<x<0.8以及0.8<y<1.3。(有機層)在本發(fā)明中，有機層優(yōu)選為以丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體混合物的聚合物作為主要成分的層。"以丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體混合物的聚合物作為主要成分"是指"丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體混合物的聚合物"在有機層整體中所占比例為80質量％以上，優(yōu)選為90質量％以上。在有機層中可以含有其它的聚合物作為20質量％以下的成分。作為其它的聚合物的例子，可以列舉出聚酯、甲基丙烯酸-馬來酸共聚物、聚苯乙烯、透明含氟樹脂、聚酰亞胺、氟化聚酰亞胺、聚酰胺、聚酰胺酰亞胺、聚醚酰亞胺、纖維素?；铩⒕郯滨?、聚醚酮、聚碳酸酯、脂環(huán)式聚烯烴、聚芳酯、聚醚砜、聚砜、芴環(huán)改性聚碳酸酯、脂環(huán)改性聚碳酸酯、芴環(huán)改性聚酯等。本發(fā)明中單體混合物的聚合物通過聚合單體混合物來得到。本發(fā)明中的單體混合物優(yōu)選為7595質量％為2官能或3官能的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體(主單體)，525質量％為4官能以上的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體(多官能單體)。所述單體混合物也可以含有20質量。％以下的單官能丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體(單官能單體)。本發(fā)明中的主單體、多官能單體可以為單一的，也可以為2種以上的混合物。含有單官能單體時，上述單官能單體可以為單一的，也可以為2種以上的混合物。本發(fā)明中優(yōu)選使用的主單體為由下述通式(2)表示的單體。通式(2)(Ac—0)n—L式中，Ac表示丙烯?；蚣谆；?，L表示總碳原子數為318的n價連接基團，n表示2或3。當n為2時，L表示碳原子數為318的2價連接基團。作為由L表示的碳原子數為318的2價連接基團，可以列舉出亞烷基(例如，1，3-亞丙基、2，2-二甲基-1，3-亞丙基、2-丁基-2-乙基-l，3-亞丙基、1,6-亞己基、1，9-亞壬基、1，12-亞十二烷基、1，16-亞十六烷基等)、醚基、亞氨基、羰基、9以及這些基團多個串聯結合而成的2價連接基團(例如，聚乙烯氧基(polyethyleneoxy)、聚丙烯氧基(polypropyleneoxy)、丙酰氧乙烯基、丁酰氧丙烯基、己酰氧乙烯基、己酰氧丁烯基等)。當n為3時，L表示碳原子數為318的3價連接基團。作為由L表示的碳原子數為318的3價連接基團，可以列舉出從上述2價的連接基團除去任意1個氫原子而得到的3價殘基；或從上述2價的連接基團除去任意l個氫原子、并將亞烷基、醚基、羰基、以及將它們串聯結合成的2價基團取代到此處而得到的3價殘基。L也可以具有取代基。作為可以取代L的取代基的例子，可以列舉出烷基(例如甲基、乙基、丁基等)、芳基(例如苯基等)、氨基(例如氨基、甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基等)、烷氧基(例如甲氧基、乙氧基、丁氧基、2-乙基己氧基等)、?；?例如乙酰基、苯甲?；?、甲?；⑷谆阴；?、垸氧羰基(例如甲氧羰基、乙氧羰基等)、羥基、鹵原子(例如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子)、氰基等。作為取代基，優(yōu)選為烷基、烷氧基。以下示出由通式(2)表示的主單體的具體例子，但在本發(fā)明中可以使用的由通式(2)表示的主單體并不限于這些。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>可以用于本發(fā)明的多官能單體，只要是4官能以上的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體就行，沒有特別的限制，典型為46官能的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體。作為優(yōu)選的骨架的例子，可以列舉出季戊四醇骨架、或者二季戊四醇骨架。以下示出可以用于本發(fā)明的優(yōu)選的多官能單體的具體例子，但本發(fā)明中可以使用的多官能單體并不限于這些。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>可以用于本發(fā)明的單官能單體，只要是丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體就行，沒有特別的限制，典型為分子量為150600的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體。以下示出可以用于本發(fā)明的單官能單體的優(yōu)選的具體例子，但本發(fā)明中可以使用的單官能單體并不限于這些。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>作為有機層的形成方法，可以列舉出通常的溶液涂布法、或真空成膜法等。作為溶液涂布法，可以通過例如浸漬涂布法、氣刀涂布法、簾式淋涂法、輥涂法、繞線棒涂布法、凹版涂布法、滑動涂布法、或者美國專利第2681294號說明書中記載的使用漏斗的擠出涂布法進行涂布。作為真空成膜法，沒有特別限制，但優(yōu)選美國專利第4842893號、美國專利第4954371號、美國專利第5032461號的各說明書中記載的閃蒸蒸鍍法。作為單體聚合法沒有特別限制，但優(yōu)選使用加熱聚合、光(紫外線、可見光)聚合、電子束聚合、等離子體聚合、或者它們的組合。其中，特別優(yōu)選光聚合。在進行光聚合時，并用光聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑的例子，可以列舉出由CibaSpecialtiesChemicals公司在市場上出售的Irgacure系歹!](例如Irgacure651、Irgacure754、Irgacure184、Irgacure2959、Irgacure907、Irgacure369、Irgacure379、Irgacure819等)、Darocure系歹U(例如DarocureTPO、Darocure1173等)、QuantacurePDO、由Sartomer公司在市場上出售的Ezacure系列(例如EzacureTZM、EzacureTZT等)等。照射的光通常為由高壓水銀燈或低壓水銀燈產生的紫外線。照射能量優(yōu)選為0.5J/cn^以上，更優(yōu)選為2J/cr^以上。丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯由于空氣中的氧而阻礙聚合，因此優(yōu)選降低聚合時的氧濃度或氧分壓。在通過氮置換法使聚合時的氧濃度降低時，優(yōu)選氧濃度為2%以下，更優(yōu)選為0.5%以下。在通過減壓法使聚合時的氧分壓降低時，優(yōu)選總壓為1000Pa以下，更優(yōu)選為100Pa以下，另外，特別優(yōu)選在100Pa以下的減壓條件下照射2J/cm2以上的能量來進行紫外線聚合。關于有機層的膜厚沒有特別限定，但過薄時難以得到膜厚的均勻性，過厚時由外力產生裂紋而降低阻擋性。從這樣的觀點出發(fā)，上述鄰接有機層的厚度優(yōu)選為50nm2000nm，進一步優(yōu)選為200nm1500nm。由此設置的有機層期望是平滑的。作為有機層的平滑性由AFM進行測定時的Ra值，優(yōu)選為10nm以下，更優(yōu)選為5nm以下，特別優(yōu)選為2nm以下。(防靜電層)本發(fā)明的氣體阻擋膜的防靜電層是由使通式(1)表示的單體或其低聚物共聚而成的丙烯酸樹脂、或者由使通式(1)表示的單體或其低聚物共聚而成的甲基丙烯酸樹脂構成。本發(fā)明的氣體阻擋膜由于具有以下防靜電層，因此，可以得到高阻擋性，所述防靜電層由通式(1)表示的單體或其低聚物共聚而成的丙烯酸樹脂或甲基丙烯酸樹脂構成。用于防靜電層的丙烯酸樹脂或甲基丙烯酸樹脂沒有特別的限制，例如也可以優(yōu)選使用有機層中優(yōu)選使用的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯作為用于提供防靜電層的樹脂的單體。由通式(1)表示的單體或其低聚物相對于該單體以外的丙烯酸酯單體或甲基丙烯酸酯單體，優(yōu)選使用180重量％，更優(yōu)選使用1050重量％。下面對由通式(1)表示的單體進行詳細地說明。通式(1)(Ac1—L1)m—M—(L2—Ac2)naJ和a(^分別獨立地表示丙烯?；蚣谆；?，U和I分別獨立地表示碳原子數為118的取代或未取代的亞烷基、碳原子數為618的取代或未取代的亞芳基、醚基、亞氨基、羰基、或者這些基團多個串聯結合而成的2價連接基團，M表示金屬原子，m和n分別獨立地表示06的整數，m與n之和為16。作為由"和1^表示的碳原子數為118的亞烷基，例如可以列舉出亞甲基、亞乙基、1，3-亞丙基、2,2-二甲基-1，3-亞丙基、2-丁基-2-乙基-1,3-亞丙基、1，6-亞己基、1，9-亞壬基、1,12-亞十二烷基、1,16-亞十六烷基。作為碳原子數為618的亞芳基，例如可以列舉出1，4-亞苯基。另外，作為亞烷基、亞芳基、醚基、亞氨基、羰基多個串聯結合而成的2價連接基團，例如可以列舉出聚乙烯氧基、聚丙烯氧基、丙酰氧乙烯基、丁酰氧丙烯基、己酰氧乙烯基、己酰氧丁烯基。L、和I也可以具有取代基。作為可以取代lJ和17的取代基的例子，可以列舉出烷基(例如甲基、乙基、丁基等)、芳基(例如苯基等)、氨基(例如氨基、甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基等)、烷氧基(例如甲氧基、乙氧基、丁氧基、2-乙基己氧基等)、酰基(例如乙酰基、苯甲酰基、甲?；?、三甲基乙?；?、烷氧羰基(例如甲氧羰基、乙氧羰基等)、羥基、鹵原子(例如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子)、氰基等。作為取代基，優(yōu)選為垸基、烷氧基。M為金屬原子，可以列舉出鋅原子、鋁原子、銦原子、.錫原子等，優(yōu)選為鋅原子。m和n之和為l6，優(yōu)選為26，更優(yōu)選為25。以下示出由通式(1)表示的單體的具體例子，但是本發(fā)明中可以使用的由通式(1)表示的單體并不限于這些。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>本發(fā)明中可以使用的低聚物具有由通式(1)表示的單體進行聚合而成的結構。本發(fā)明中，可以將重復單元數不同的低聚物組合使用，也可以將低聚物和單體組合使用。由通式(1)表示的單體或其低聚物進行共聚而成的丙烯酸樹脂或甲基丙烯酸樹脂，可以通過使由通式(1)表示的單體或其低聚物與丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯按照一般的聚合方法進行共聚來得到。例如，可以優(yōu)選使用作為有機層的單體聚合法記載的方法或材料。本發(fā)明的氣體阻擋膜的防靜電層中也可以含有上述丙烯酸樹脂或甲基丙烯酸樹脂以外的成分。作為這樣的成分，例如可以列舉出聚酯、聚苯乙烯、聚氨酯等。這樣的成分的含量優(yōu)選為80質量％以下，更優(yōu)選為50質量％以下，進一步優(yōu)選為30質量％以下。防靜電層例如可以通過將樹脂溶解于有機溶劑中并使用繞線棒等在可撓性支撐基板上進行涂布干燥來形成。防靜電層的表面電阻優(yōu)選在25""C、相對濕度60%的氣氛下為1X1011Q/口以下，更優(yōu)選為1X10SQ/口5X1oWQ/口。防靜電層具有防止因灰塵等異物而在無機層上產生缺陷并損壞氣體阻擋性的效果。因此，為了得到更加高的氣體阻擋性，特別優(yōu)選防靜電層在無機層形成之前預先在可撓性支撐基板上形成。另外，防靜電層可以在可撓性支撐基板上的任意面上形成，另外，也可以僅在單面?zhèn)然螂p面上形成。防靜電層的厚度優(yōu)選為0.25ixm，更優(yōu)選為0.55um，進一步優(yōu)選為0.53um。(其它層)本發(fā)明的氣體阻擋膜可以在可撓性支撐基板上進一步具有防靜電層或氣體阻擋層以外的層。例如，可以適宜設置消光劑層、保護層、防靜電層、平滑化層、粘附改良層、遮光層、防止反射層、硬涂層等。這些層可以根據本發(fā)明的氣體阻擋膜的使用目的或使用方式等來適宜設置。(氣體阻擋膜的形狀)本發(fā)明的氣體阻擋膜只要是膜狀就行，對其形狀沒有特別的限制。例如，可以為正方形、長方形、圓形、橢圓形，也可以為輥狀。另外，對使用時的形態(tài)也沒有特別的限制，可以以平面狀來使用本發(fā)明的氣體阻擋膜，也可以以非平面狀來使用。另外，也可以使用時為平面狀，搬運時或保存時成輥狀等非平面狀。《有機器件》本發(fā)明的有機器件是指例如圖像顯示元件(圓偏振片*液晶顯示元件、電子紙或有機EL元件)以及色素增感型太陽能電池、觸摸面板等。對本發(fā)明的氣體阻擋膜的用途沒有特別限定，可以作為該有機器件的基板或密封膜來適宜使用。<圓偏振片>上述圓偏振片可以通過在本發(fā)明的氣體阻擋膜上層疊A/4板和偏振片來制造。此時，以X/4板的慢軸和偏振片的吸收軸成45。來進行層疊。這樣的偏振片優(yōu)選使用在相對于長度方向(MD)為45。的方向上進行了拉伸的偏振片，例如，可以適宜使用日本特開2002-865554號公報中記載的偏振片°<液晶顯示元件>所述液晶顯示裝置可以大致分為反射型液晶顯示裝置和透射型液晶顯示裝置。所述反射型液晶顯示裝置具有下述的構成從下面開始依次包含下基板、反射電極、下取向膜、液晶層、上取向膜、透明電極、上基板、入/4板、以及偏振膜。本發(fā)明的氣體阻擋膜可以作為所述透明電極和上基板使用。在所述反射型液晶顯示裝置中具有顏色顯示功能時，優(yōu)選在所述反射電極與所述下取向膜之間、或者所述上取向膜與所述透明電極之間進一步設置濾色器層。另外，所述透射型液晶顯示裝置具有下述的構成從下面開始依次包含背光、偏振片、入/4板、下透明電極、下取向膜、液晶層、上取向膜、上透明電極、上基板、入/4板以及偏振膜。其中本發(fā)明的氣體阻擋膜可以作為所述上透明電極和上基板使用。另外，在所述透射型液晶顯示裝置中具有顏色顯示功能時，優(yōu)選在所述下透明電極與所述下取向膜之間、或者所述上取向膜與所述上透明電極之間進一步設置濾色器層。對上述液晶層的結構沒有特別限定，但優(yōu)選為例如TN(扭曲向列)型、STN(超扭曲向列)型或HAN(混合取向向列)型、VA(垂直取向)型、ECB(電控雙折射)型、OCB(光學補償彎曲)型、或者CPA(連續(xù)焰火狀排列)型、IPS(面內切換)型。(觸摸面板)作為上述觸摸面板，可以使用在日本特開平5-127822號公報、日本特開2002-48913號公報等中記載的基板上使用了本發(fā)明的氣體阻擋膜的觸摸面板。<有機EL元件>以下對作為本發(fā)明中的有機器件的代表例子的"有機EL元件"(以下有時簡稱為"發(fā)光元件")進行詳細的說明。本發(fā)明的有機EL元件在基板上具有陰極和陽極，在兩電極之間具有包含有機發(fā)光層(以下有時僅稱為"發(fā)光層")的有機化合物層。從發(fā)光元件的性質考慮，優(yōu)選陽極和陰極中的至少一個電極是透明的。作為本發(fā)明中的有機化合物層的層疊方式，優(yōu)選為從陽極側開始依次層疊空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層的方式。另外，在空穴傳輸層和發(fā)光層之間、或者在發(fā)光層和電子傳輸層之間可以具有電荷阻止層等。可以在陽極和空穴傳輸層之間具有空穴注入層，也可以在陰極和電子傳輸層之間具有電子注入層。另外，各層可以分為多個二次層。(陽極)陽極通常只要具有作為向有機化合物層供給空穴的電極的功能即可，對于其形狀、結構、大小等沒有特別限制，可以根據發(fā)光元件的用途、目的從公知的電極材料中適宜選擇。如上所述，陽極通常作為透明陽極來進行設置。作為陽極的材料，可以適宜列舉出例如金屬、合金、金屬氧化物、導電性化合物、或者它們的混合物。作為陽極材料的具體例子，可以列舉出摻入有銻或氟等的氧化錫(ATO、FTO)、氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅銦(IZO)等導電性金屬氧化物、金、銀、鉻、鎳等金屬、以及這些金屬與導電性金屬氧化物的混合物或者層疊物、碘化酮、硫化銅等無機導電性物質、聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等有機導電性材料、以及它們與ITO的層疊物等。其中，優(yōu)選為導電性金屬氧化物，特別是從生產率、高導電性、透明性等觀點考慮，優(yōu)選為ITO。陽極可以根據以下方法在上述基板上形成，所述方法是從例如印刷方式、涂布方式等濕式方式、真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等物理方式、CVD、等離子體CVD法等化學方式等中，考慮與構成陽極的材料的適應性來進行適宜選擇的方法。例如，作為陽極的材料，在選擇ITO時，陽極的形成可以根據直流或高頻濺射法、真空蒸鍍法、離子鍍法等來進行。本發(fā)明的有機電場發(fā)光元件中，作為陽極的形成位置沒有特別的限制，可以根據發(fā)光元件的用途、目的來適宜選擇。但優(yōu)選在上述基板上形成。此時，陽極可以在基板上的一個表面的全部上形成，也可以在其一部分上形成。另外，作為形成陽極時的布圖，可以通過光刻法等的化學蝕刻來進行，也可以通過激光等的物理蝕刻來進行，另外，可以通過重疊掩模后進行真空蒸鍍或濺射等來進行，也可以通過剝離法或印刷法來進行。作為陽極的厚度，可以根據構成陽極的材料來適宜選擇，不能一概規(guī)定，但通常約為10nm50ym，優(yōu)選為50nm20um。作為陽極的電阻值，優(yōu)選為1030/口以下，更優(yōu)選為1020/口以下。當陽極是透明的情況下，可以是無色透明，也可以是有色透明。為了從透明陽極側取出發(fā)光，作為其透射率優(yōu)選為60%以上，更優(yōu)選為70%以上。另外，關于透明陽極，在澤田豐監(jiān)修"透明電極膜的新展開"CMC刊(1999)中有詳細敘述，可以將在此記載的事項應用于本發(fā)明。使用耐熱性低的塑料基材時，優(yōu)選為使用ITO或IZO并在150°C以下的低溫下進行成膜而得到的透明陽極。(陰極)陰極通常只要具有作為向有機化合物層注入電子的電極的功能即可，對于其形狀、結構、大小等沒有特別限制，可以根據發(fā)光元件的用途、目的從公知的電極材料中適宜選擇。作為構成陰極的材料，可以列舉出例如-金屬、合金、金屬氧化物、電傳導性化合物、它們的混合物等。作為具體例子，可以列舉出堿金屬(例如，Li、Na、K、Cs等)、堿土類金屬(例如，Mg、Ca等)、金、銀、鉛、鋁、鈉一鉀合金、鋰一鋁合金、鎂一銀合金、銦、鐿等稀土類金屬等。它們可以單獨使用1種，但從同時具有穩(wěn)定性和可以適宜并用2種以上。它們之中，作為構成陰極的材料，從電子注入性的觀點考慮，優(yōu)選為堿金屬或堿土類金屬，從保存穩(wěn)定性優(yōu)異的觀點考慮，優(yōu)選為以鋁作為主體的材料。以鋁作為主體的材料是指單獨的鋁、鋁與0.0110質量％的堿金屬或堿土類金屬的合金、或者它們的混合物(例如，鋰一鋁合金、鎂一鋁合金等)。另外，對于陰極的材料，在日本特開平2-15595號公報、日本特開平5-121172號公報中進行了詳述，這些公報中記載的材料在本發(fā)明中也可以應用。對陰極的形成方法，沒有特別的限制，可以根據公知的方法來進行?？梢愿鶕韵路椒▉硇纬桑龇椒ㄊ菑睦缬∷⒎绞?、涂布方式等濕式方式、真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等物理方式、CVD、等離子體CVD法等化學方式等中，考慮與構成上述陰極的材料的適應性來進行適宜選擇的方法。例如，選擇金屬等作為陰極的材料時，可以將其中1種或2種以上同時或依次按照濺射法等來進行。形成陰極時的布圖可以通過光刻等的化學^^U來進行，也可以通過激光等的物理蝕刻來進行，可以通過重疊掩模后進行真空蒸鍍或濺射等來進行，也可以通過剝離法或印刷法來進行。本發(fā)明中，對陰極形成位置沒有特別限制，可以在全部有機化合物層上形成，也可以在其一部分上形成。另外，可以在陰極與上述有機化合物層之間以0.15nm的厚度來插入由堿金屬或堿土類金屬的氟化物、氧化物等形成的電介體層。該電介體層也可以視為一種電子注入層。電介體層可以通過例如真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等形成。陰極的厚度可以根據構成陰極的材料來適宜選擇，不能一概規(guī)定，但通常約為10nm5um，優(yōu)選為50nm1ym。另外，陰極可以是透明的也可以是不透明的。透明的陰極可以通過將陰極材料薄薄地成膜為110nm的厚度，再將ITO或IZO等透明的導電性材料進行層疊來形成。(有機化合物層)對于本發(fā)明中的有機化合物層進行說明。本發(fā)明的有機電場發(fā)光元件具有包含發(fā)光層的至少一層有機化合物層，作為有機發(fā)光層以外的其它有機化合物層，如上所述，可以列舉出空穴傳輸層、電子傳輸層、電荷阻止層、空穴注入層、電子注入層等各層。((有機化合物層的形成))23在本發(fā)明的有機電場發(fā)光元件中，構成有機化合物層的各層可以通過蒸鍍法或濺射法等干式制膜法、轉印法、印刷法等中任一種來適宜形成。((有機發(fā)光層))有機發(fā)光層是具有以下功能的層，所述功能為在施加電場時，從陽極、空穴注入層、或空穴傳輸層接受空穴，從陰極、電子注入層或電子傳輸層接受電子，并提供空穴與電子的復合場所從而使其發(fā)光。本發(fā)明中的發(fā)光層可以僅由發(fā)光材料構成，也可以是形成了基質材料與發(fā)光材料的混合層的結構。發(fā)光材料可以為熒光發(fā)光材料也可以為磷光發(fā)光材料，摻雜物可以是1種也可以是2種以上。基質材料優(yōu)選為電荷傳輸材料?；|材料可以是1種也可以是2種以上，例如，可以列舉出混合有電子傳輸性的基質材料和空穴傳輸性的基質材料的構成。另外，在發(fā)光層中也可以含有不具有電荷傳輸性、且不發(fā)光的材料。另外，發(fā)光層可以為1層，也可以為2層以上，各個層可以以不同的發(fā)光色來進行發(fā)光。作為可以用于本發(fā)明的熒光發(fā)光材料的例子，例如可以列舉出苯并噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基苯衍生物、聚苯衍生物、二苯基丁二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、萘二甲酰亞胺衍生物、鄰吡喃酮衍生物、縮合芳香族化合物、紫環(huán)酮衍生物、噁二唑衍生物、噁嗪衍生物、醛連氮衍生物、pyraridine(日文原文tf，y衍生物、環(huán)戊二烯衍生物、雙苯乙烯基蒽衍生物、喹吖啶酮衍生物、吡咯并吡啶衍生物、噻二唑并吡啶衍生物、環(huán)戊二烯衍生物、苯乙烯基胺衍生物、二酮吡咯并吡咯衍生物、芳香族二亞甲基衍生物r以8-羥基喹啉衍生物的金屬絡合物或亞甲基吡咯衍生物的金屬絡合物為代表的各種金屬絡合物等、聚噻吩、聚苯、聚苯亞乙烯等聚合物化合物、有機硅烷衍生物等化合物等。另外，可以用于本發(fā)明的磷光發(fā)光材料，例如可以列舉出含有過渡金屬原子或鑭系原子的絡合物。作為過渡金屬原子，沒有特別的限定，可以優(yōu)選列舉出釕、銠、鈀、鎢、錸、鋨、銥和鉑。更優(yōu)選為錸、銥和鉑。作為鑭系原子，可以列舉出鑭、鈰、鐠、釹、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥。這些鑭系原子中，優(yōu)選為釹、銪和釓。作為絡合物的配體，例如可以列舉出G.Wilkinson等著,ComprehensiveCoordinationChemistry,PergamonPress公司1987年發(fā)行、H.Yersin著，"PhotochemistryandPhotophysicsofCoordinationCompounds"Springer-Verlag公司1987年發(fā)行、山本明夫著"有機金屬化學一基礎與應用一"裳華房公司1982年發(fā)行等中記載的配體等。作為具體的配體，優(yōu)選為鹵素配體(優(yōu)選為氯配體)、含氮雜環(huán)配體(例如苯基吡啶、苯并喹啉、羥基喹啉、聯二吡啶、菲咯啉等)、二酮配體(例如，乙酰丙酮等)、羧酸配體(例如，醋酸配體等)、一氧化碳配體、異腈基配體、氰基配體，更優(yōu)選為含氮雜環(huán)配體。上述絡合物可以在化合物中具有一個過渡金屬原子，或者也可以是具有2個以上的所謂多核絡合物。也可以同時含有不同種類的金屬原子。磷光發(fā)光材料在發(fā)光層中優(yōu)選含有0.140質量％，更優(yōu)選含有0.520質量％。另外，作為本發(fā)明中的發(fā)光層中含有的基質材料，例如可以列舉出具有咔唑骨架的材料、具有二芳基胺骨架的材料、具有吡啶骨架的材料、具有吡嗪骨架的材料、具有三嗪骨架的材料和具有芳基硅烷骨架的材料、或者在后述的空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層的各項中例示出的材料。對于發(fā)光層的厚度并沒有特別限定，通常優(yōu)選為lnm500nm，更優(yōu)選為5nm200nm，進一步優(yōu)選為10nm100nm。((空穴注入層、空穴傳輸層))空穴注入層、空穴傳輸層是具有從陽極或陽極側接受空穴并傳輸至陰極側的功能的層。具體而言，空穴注入層、空穴傳輸層優(yōu)選為含有咔唑衍生物、三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基鏈垸烴衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、氨基取代查爾酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、硅氮烷衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳香族二亞甲基類化合物、卟啉類化合物、有機硅烷衍生物、碳等的層。從降低驅動電壓的觀點考慮，空穴注入層、空穴傳輸層的厚度分別優(yōu)選為500nm以下。作為空穴傳輸層的厚度，優(yōu)選為lnm500nm，更優(yōu)選為5nm200nm，進一步優(yōu)選為10nm100nm。另外，作為空穴注入層的厚度，優(yōu)選為0.1nm200nm，更優(yōu)選為0.5nm100nm，進一步優(yōu)選為lnm100nm?？昭ㄗ⑷雽印⒖昭▊鬏攲涌梢允怯缮鲜霾牧系?種或2種以上構成的單層結構，也可以是由同一組成或不同種類組成的多層構成的多層結構。((電子注入層、電子傳輸層))電子注入層、電子傳輸層是具有從陰極或陰極側接受電子并傳輸至陽極側的功能的層。具體而言，電子注入層、電子傳輸層優(yōu)選為含有三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、芴酮衍生物、蒽醌二甲垸衍生物、蒽酮衍生物、二苯醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、碳化二亞胺衍生物、亞芴基甲垸衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、萘、茈等芳香環(huán)四羧酸酐、酞菁衍生物、以8-羥基喹啉衍生物的金屬絡合物、或將金屬酞菁、苯并噁唑、苯并噻唑作為配體的金屬絡合物為代表的各種金屬絡合物、有機硅烷衍生物等的層。從降低驅動電壓的觀點考慮，電子注入層、電子傳輸層的厚度分別優(yōu)選為500nm以下。作為電子傳輸層的厚度，優(yōu)選為lnm500nm，更優(yōu)選為5nm200nm，進一步優(yōu)選為10nm100nm。另外，作為電子注入層的厚度，優(yōu)選為0.1nm200nm，更優(yōu)選為0.2nm100nm，進一步優(yōu)選為0.5nm50nm。電子注入層、電子傳輸層可以是由上述材料的1種或2種以上構成的單層結構，也可以是由同一組成或不同種類組成的多層構成的多層結構。((空穴阻止層))空穴阻止層是具有防止從陽極側傳輸到發(fā)光層的空穴在陰極側穿過的功能的層。在本發(fā)明中，作為在陰極側與發(fā)光層鄰接的有機化合物層，可以設置空穴阻止層。作為構成空穴阻止層的有機化合物的例子，可以列舉出BAlq等鋁絡合物、三唑衍生物、BCP等菲咯啉衍生物等。作為空穴阻止層的厚度，優(yōu)選為lnm500nm，更優(yōu)選為5nm200nm，進一步優(yōu)選為10nm100nm?？昭ㄗ柚箤涌梢允怯缮鲜霾牧系?種或2種以上構成的單層結構，也可以是由同一組成或不同種類組成的多層構成的多層結構。(保護層)本發(fā)明中，有機EL元件整體可以通過保護層來進行保護。作為保護層中含有的材料，優(yōu)選為具有以下功能的材料，所述功能是抑制具有平坦化作用的材料、水分或氧進入到元件內。作為具體例子，可以列舉出In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等金屬、MgO、SiO、Si02、A1203、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe203、Y203、Ti02等金屬氧化物、SiNx等金屬氮化物、SiNxOy等金屬氮氧化物、MgF2、LiF、A1F3、CaF2等金屬氟化物、聚乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、聚脲、聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚二氯二氟乙烯、氯三氟乙烯與二氯二氟乙烯的共聚物、使包含四氟乙烯和至少1種共聚單體的單體混合物進行共聚而得到的共聚物、在共聚主鏈上具有環(huán)狀結構的含氟共聚物、吸水率為1%以上的吸水性物質、吸水率為0.1%以下的防濕性物質等。它們之中，優(yōu)選為金屬的氧化物、氮化物、氮氧化物，特別優(yōu)選為硅的氧化物、氮化物、氮氧化物。對于保護層的形成方法，沒有特別限制，例如可以采用真空蒸鍍法、濺射法、反應性濺射法、MBE(分子束外延)法、離子團束法、離子鍍法、等離子體聚合法(高頻激發(fā)離子鍍法)、等離子體CVD法、激光CVD法、熱CVD法、氣源CVD法、真空紫外CVD法、涂布法、印刷法、轉印法。在本發(fā)明中，也可以使用保護層作為導電性層。(密封)另外，本發(fā)明的有機電場發(fā)光元件可以使用密封容器對元件整體進行密封。另外，在密封容器與發(fā)光元件之間的空間內可以封入水分吸收劑或惰性液體。作為水分吸收劑，沒有特別的限定，例如可以列舉出氧化鋇、氧化鈉、氧化鉀、氧化鈣、硫酸鈉、硫酸鈣、硫酸鎂、五氧化二磷、氯化鈣、氯化鎂、氯化銅、氟化銫、氟化鈮、溴化鈣、溴化釩、分子篩、沸石、氧化鎂等。作為惰性液體，沒有特別的限定，例如，可以列舉出石蠟類、液體石蠟類、全氟鏈烷烴或全氟胺、全氟醚等氟類溶劑、氯類溶劑、硅油類。作為其它的密封法，可以使用所謂的固體密封法。固體密封法是在有機EL元件上形成保護層之后重疊粘接劑層、阻擋性支撐體層并進行固化的方法。對于粘接劑沒有特別限制，可以例示出熱固化性環(huán)氧樹脂、光固化性丙烯酸酯樹脂等。阻擋性支撐體可以是玻璃，也可以是本發(fā)明的氣體阻擋膜。另外，作為其它的密封法，也可以使用所謂的膜密封法。膜密封法是在有機EL元件上設置無機層、有機層的交替層疊體的方法。在設置交替層疊體之前，可以用保護層覆蓋有機EL元件。本發(fā)明的有機電場發(fā)光元件可以通過在陽極和陰極之間施加直流(根據需要也可以含有交流成分)電壓(通常2伏15伏)、或者直流電流來得到發(fā)光。關于本發(fā)明的有機電場發(fā)光元件的驅動方法，可以采用日本特開平2-148687號、日本特開平6-301355號、日本特開平5-29080號、日本特開平7-134558號、日本特開平8-234685號、日本特開平8-241047號的各公報、日本專利第2784615號、美國專利第5,828,429號、美國專利第6,023,308號的各說明書等中記載的驅動方法。以下列舉實施例對本發(fā)明的特征進一步具體說明。以下實施例中示出的材料、使用量、比例、處理內容、處理順序等只要不脫離本發(fā)明的主旨則可以適宜變更。因此，本發(fā)明的范圍并不應該由以下示出的具體例子來限定地解釋。[實施例l]氣體阻擋膜的制作和評價根據下述順序制作在可撓性支撐基板上設置有無機層和有機層的氣體阻擋膜(試樣N0.111)。各氣體阻擋膜的詳細結構如表1所示。在可撓性支撐基板上使用厚度為100um的PEN(帝人杜邦株式會社制，Q65A)膜。(1)無機層(X)的形成使用等離子體CVD裝置形成無機層。以下示出具體的成膜條件。用油旋轉泵和渦輪分子泵將等離子體CVD裝置的真空腔室減壓至達到壓力為4X10—3Pa。接著導入氬氣作為放電氣體，由放電電源施加放電功率500W。在腔室內導入硅烷氣體(SiH4)和氮氣，將成膜壓力調節(jié)為0.45Pa并成膜一定時間，形成氮化硅的無機層(X)。所得到的氮化硅膜的膜厚為100nm，膜密度為2.86g/cm3。(2)有機層(Y)的形成使作為光聚合性丙烯酸酯的三丙二醇二丙烯酸酯(TPGDA:DAICEL-CYTEC公司制)9g、和光聚合引發(fā)劑(CibaSpecialtiesChemicals制，Irgacure907)O.lg溶解于甲乙酮190g中，得到涂布液。使用繞線棒將該涂布液涂布在可撓性支撐基板上，在氧濃度為0.1%以下的氮氣吹掃下使用160W/cm的空冷金屬鹵化物燈(EYEGRAPHICS株式會社制)，照射照度為350mW/cm2、照射量為500mJ/cm2的紫外線，形成有機層(Y)。膜厚約為500nrn。(3)防靜電層(A)的形成防靜電層的形成通過以下方法進行。[防靜電層(A-l):本發(fā)明]使作為光聚合性丙烯酸酯的三丙二醇二丙烯酸酯(TPGDA:DAICEL-CYTEC公司制)9g、二丙烯酸鋅(ZA:Aldrich公司制)4g、和光聚合引發(fā)劑(CibaSpecialtiesChemicals制，Irgacure907)O.lg懸浮于甲乙酮/甲醇的混合溶劑(甲醇含有率80容量％)190g中，得到涂布液。使用繞線棒將該涂布液涂布在可撓性支撐基板上，在氧濃度為0.1%以下的氮氣吹掃下使用160W/cm的空冷金屬鹵化物燈(EYEGRAPHICS株式會社制)，照射照射量為500mJ/cn^的紫外線，形成防靜電層(A-l)。膜厚約為1000nm，表面電阻為3Xl()9Q/口。除了將防靜電層(A-l)的二丙烯酸鋅的添加量變更為2g以外，與防靜電層(A-l)同樣進行，形成防靜電層(A-2)。膜厚約為800mn，表面電阻為6X10'。Q/口。除了將防靜電層(A-1)的二丙烯酸鋅變更為二甲基丙烯酸鋅(SR-9016:Sartomer公司制)以夕卜，與防靜電層(A-l)同樣進行，形成防靜電層(A-3)。膜厚約為900nm，表面電阻為9X109^/口。除了將防靜電層(A-l)的二丙烯酸鋅變更為丙烯酸鋅低聚物(CN-2404:Sartomer公司制)lg以外，與防靜電層(A-1)同樣進行，形成防靜電層(A-4)。膜厚約為900nm，表面電阻為3X1090/口。除了將防靜電層(A-l)的二丙烯酸鋅變更為丙烯酸鋅低聚物(CN-2405:Sartomer公司制)lg以夕卜，與防靜電層(A-l)同樣進行，形成防靜電層(A-5)。膜厚約為900nm，表面電阻為4X109Q/ED。使用由含銻的氧化錫微粒和丙烯酸類樹脂構成的水分散涂料TWU—1(三菱7于]J7W制)，在可撓性支撐基板上用棒材涂布機進行涂布。接著在氧濃度為0.1。％以下的氮氣吹掃下使用160W/cm的空冷金屬鹵化物燈(EYEGRAPHICS株式會社制)，照射照射量為150mJ/cm2的紫外線，形成防靜電層(A-6)。膜厚約為1000nm，表面電阻為3X108Q/□。[防靜電層(A-7):比較例]如日本特開平8-294991號公報的實施例1所記載，將混合有N-(P-氨基乙基)-Y-氨基-丙基甲氧基硅烷水溶液、導電性金屬粒子的分散液(將氯化鋁(III)六水合物、聚乙烯醇、乙醇、水進行回流而形成的鋁分散水溶液)和水分散性丙烯酸樹脂的涂布液(固體成分0.5質量％)用棒材涂布機涂布到基板膜上，再在200230'C下進行熱處理4.0秒，形成防靜電層(A-7)。膜厚約為200nm，表面電阻為1X108Q/口。(4)氣體阻擋膜的制作阻擋膜是按照表1所記載的各樣品的構成在預先形成有防靜電層的可撓性支撐基板上依次形成上述無機層和有機層。(5)氣體阻擋膜的物性評價使用下述裝置對氣體阻擋膜的各物性進行評價。[層構成(膜厚)]使用日立株式會社制造的掃描型電子顯微鏡"S-900型"觀察膜樣品的29超薄切片來進行測定。[水蒸氣透過率(g/mV天)]使用MOCON公司制造的"PERMATRAN-W3/31"(條件40°C、相對濕度90%)進行測定。另外，上述MOCON裝置的測定極限O.Olg/mV天以下的值，使用以下的方法進行補充。首先，在氣體阻擋膜上直接蒸鍍金屬Ca，使該蒸鍍Ca成為內側，將該膜與玻璃基板用市售的有機EL用密封材料進行密封，制成測定樣品。接著，將該測定樣品保持在上述溫濕度條件下，由氣體阻擋膜上的金屬Ca的光學濃度變化(金屬光澤因氫氧化或氧化而減少)來求得水蒸氣透過率。[表面電阻]將僅涂布有防靜電層的可撓性支撐基板在25°C、相對濕度60%的氣氛下放置24小時后，在同一環(huán)境下進行測定。[X射線反射率測定]使用在Si晶片上成膜的評價用樣品，并使用理學電氣制造的ATX-G進行測定。由測定結果計算出薄膜的膜密度。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>由表1可以判定，按照本發(fā)明設有防靜電層的氣體阻擋膜比以往設有防靜電層的氣體阻擋膜優(yōu)異(樣品No.15、811、1213)。另外，防靜電層的表面電阻值越小，水蒸氣透過率越小，越有效(樣品No.15)。特別是在設有多個無機層和有機層的情況下，判定本發(fā)明的效果更大(樣品No.4、10)。另外可以判定在本發(fā)明中在可撓性支撐體的任意面上形成防靜電層均可以得到優(yōu)異的效果(樣品No.16、10、12)。另外，本發(fā)明的樣品(樣品No.16、10、12)與使用了導電性微粒的樣品(樣品No.8、9、11、13)相比，表面的平滑性良好。[實施例2]有機EL元件的制作及評價(1)有機EL元件的制作將具有ITO膜的導電性玻璃基板(表面電阻值為10Q/口)用2-丙醇洗滌后，進行UV—臭氧處理10分鐘。在該基板(陽極)上用真空蒸鍍法依次蒸鍍以下的有機化合物層。(第l空穴傳輸層)銅酞菁膜厚10nm(第2空穴傳輸層)N，N'-二苯基-N，N'-二萘基聯苯胺膜厚40nm(發(fā)光層兼電子傳輸層)三(8-羥基喹啉)鋁膜厚60nm最后依次蒸鍍氟化鋰lnm、金屬鋁100nm來作為陰極，在其上通過平行平板CVD法施加厚度為5lim的氮化硅膜，從而制作成有機EL元件。(2)有機EL元件上的氣體阻擋層的設置使用熱固化型粘接劑(Epo-Tek310，DaizoNichimoly株式會社制)，與實施例1中制成的阻擋膜(樣品No.l、7、10、11)進行貼合，在65。C下加熱3小時，使粘接劑固化。將由此密封的有機EL元件(樣品No.1417)各制作20個元件。(3)有機EL元件發(fā)光面狀的評價使用電壓電流發(fā)生器(Source-MeasureUnit)(SMU2400型，Keithley公司制)，施加7V的電壓，使剛制作完成的有機EL元件(樣品No.1417)發(fā)光。使用顯微鏡觀察發(fā)光面狀，結果確認了任一元件均提供無黑斑的均勻發(fā)光。然后，將各元件在60°C、相對濕度90%的暗室內靜置24小時后，觀察發(fā)光面狀。將觀察到直徑大于300Um的黑斑的元件的比率定義為故障率，將各元件的故障率示于表2中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>由表2可以判定，使用本發(fā)明的氣體阻擋膜進行密封的有機EL元件的濕熱耐久性優(yōu)異。另外判定，具有由2層以上的有機層和2層以上的無機層構成的氣體阻擋層的本發(fā)明的氣體阻擋膜，在有機EL實裝體系中的故障率更加低，特別優(yōu)選。本發(fā)明的氣體阻擋膜是具有高阻擋性、且可以具有透明性的撓性氣體阻擋膜。因此，在要求高阻擋性和柔軟性的情況下，可以廣泛利用本發(fā)明的氣體阻擋膜。特別是如果使用本發(fā)明的氣體阻擋膜，則可以制造濕熱耐久性優(yōu)異的有機器件，因此，產業(yè)上利用的可能性高。權利要求1、一種氣體阻擋膜，其在可撓性支撐基板上具有防靜電層和包含至少1層無機層的氣體阻擋層，其特征在于，所述防靜電層由使下述通式(1)表示的單體或其低聚物共聚而成的丙烯酸樹脂或者由使下述通式(1)表示的單體或其低聚物共聚而成的甲基丙烯酸樹脂構成，通式(1)(Ac1-L1)m-M-(L2-Ac2)n式中，Ac1和Ac2分別獨立地表示丙烯?；蚣谆；?，L1和L2分別獨立地表示碳原子數為1～18的取代或未取代的亞烷基、碳原子數為6～18的取代或未取代的亞芳基、醚基、亞氨基、羰基、或者這些基團多個串聯結合而成的2價連接基團，M表示金屬原子，m和n分別獨立地表示0～6的整數，m與n之和為1～6。2、如權利要求1所述的氣體阻擋膜，其中，所述防靜電層的表面電阻在25'C、相對濕度60%的氣氛下為1X10"Q/口以下。3、如權利要求1或2所述的氣體阻擋膜，其中，所述氣體阻擋層包含至少1層所述無機層和至少1層有機層。4、如權利要求1或2所述的氣體阻擋膜，其中，所述防靜電層的厚度為0.25ym。5、一種有機器件，其特征在于，其使用了權利要求14中任一項所述的氣體阻擋膜。6、一種有機器件，其特征在于，其用權利要求14中任一項所述的氣體阻擋膜進行密封。全文摘要一種氣體阻擋膜，其在可撓性支撐基板上具有防靜電層和氣體阻擋層，所述防靜電層由使下述通式(1)表示的單體或其低聚物共聚而成的丙烯酸樹脂或者甲基丙烯酸樹脂構成，通式(1)中，Ac¹和Ac²表示丙烯?；蚣谆；?，L¹和L²表示亞烷基、亞芳基、醚基、亞氨基、羰基、或者這些基團多個串聯結合而成的2價連接基團，M表示金屬原子，m、n表示0～6的整數，m與n之和為1～6。通式(1)(Ac¹-L¹)m-M-(L²-Ac²)n。文檔編號C08L33/04GK101323192SQ20081012595公開日2008年12月17日申請日期2008年6月11日優(yōu)先權日2007年6月11日發(fā)明者阿形祐也,饗場聰申請人:富士膠片株式會社