專利名稱：：環(huán)氧樹脂組合物，導(dǎo)電薄膜形成方法，導(dǎo)電圖案形成方法，以及多層布線板制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及環(huán)氧樹脂組合物，形成導(dǎo)電薄膜的方法，導(dǎo)電圖案形成方法和多層布線板制造方法。更具體地，涉及包含適于制備接枝聚合物的環(huán)氧樹脂的環(huán)氧樹脂組合物，使用該環(huán)氧樹脂作為襯底的導(dǎo)電薄膜，適于導(dǎo)電圖案和多層布線板的環(huán)氧樹脂組合物，以及形成導(dǎo)電薄膜的方法，導(dǎo)電圖案形成方法，以及使用該環(huán)氧樹脂組合物的多層布線板制造方法。
背景技術(shù)：
：在絕緣-件。隨著近來對小型化和高功能電子器件的需要，對于布線板，需要高密度和薄的電路。作為制造多層布線板的方法，通常，有所謂的順序?qū)訅悍?，其中將銅箔布置在薄層電路板上，將半固化片插在二者中間和使用熱板壓呢機加熱鑄模為一體，通過用例如絕緣樹脂浸漬諸如玻璃織物的襯底制造所述半固化片。然而，在該順序?qū)訅悍ㄖ校捎诓迦朐摪牍袒潜匦璧?，難以獲得所需的薄的電路板，以及因此，難以響應(yīng)在當(dāng)前形式下對高密度和薄的多層布線板的需要。相反，近年來使用所謂的內(nèi)建法(build-upmethod)(使用該方法可以在絕緣樹脂層上直接形成導(dǎo)體電路，無需使用熱板壓呢機熱壓成型)制造多層布線板的方法已受到關(guān)注。根據(jù)使用所述內(nèi)建法制造多層布線板的方法，由于使導(dǎo)體電路層和絕緣樹脂層交替形成、層壓以及成為多層，所以不需要各層間插入的粘合材料，由此可響應(yīng)高密度和薄的電路板的需求。然而，與使用半固化片熱壓成型制造的多層布線板相比，使用所述內(nèi)建法制造的多層布線板在所述絕緣樹脂層和所述導(dǎo)體電路之間具有更低的粘合性，使得易于獲得降低的剝離強度。具體地，與使用所述順序?qū)訅悍ǖ拇笠?guī)模生產(chǎn)相比，使用所述內(nèi)建法的大規(guī)模生產(chǎn)導(dǎo)致更低的剝離強度，這是由于所述絕緣樹脂層的表面打磨產(chǎn)生的不均勻表面形狀所導(dǎo)致的。所述剝離強度的降低所引起的問題是，極大地影響所述電路的連接可靠性或?qū)娱g絕緣性。為解決這些問題，提出了在打磨所述絕緣樹脂層之前或之后輻射短波紫外線的技術(shù)。(例如，參見日本專利申請待審公開(JP-A)No.2001-85840)。利用這個技術(shù)，可通過提高打磨處理溶液潤濕性或提高打磨后化學(xué)鍍催化劑的吸附性能改進剝離強度。不過，不可能獲得足夠形成實踐中具有均一性和高可靠性的優(yōu)良電路的粘合強度，所以不能獲得連接可靠性和令人滿意的導(dǎo)電性。此外，需要復(fù)雜的步驟，諸如抗蝕劑應(yīng)用、抗蝕劑曝光、蝕刻和抗蝕劑去除，以及在該技術(shù)中處理蝕刻廢水的措施是必需的。需要包括適于制備接枝聚合物的環(huán)氧樹脂的環(huán)氧樹脂組合物(該組合物具有優(yōu)異的剝離強度和導(dǎo)電性)，以及導(dǎo)電薄膜形成方法、導(dǎo)電圖案形成方法和使用該環(huán)氧樹脂組合物的多層布線板制造方法。
發(fā)明內(nèi)容考慮到上面的情形形成了本發(fā)明，本發(fā)明的第一方面提供了熱固性環(huán)氧樹脂組合物，該組合物包括在一個分子中具有兩個或多個環(huán)氧基的環(huán)氧樹脂；在一個分子中具有兩個或多個與所述環(huán)氧基反應(yīng)的官能團的固化劑；和光聚合引發(fā)劑。本發(fā)明的第二方面提供了導(dǎo)電薄膜形成方法，該方法包括(a)在絕緣襯底上形成包括第一方面的熱固性環(huán)氧樹脂組合物的環(huán)氧樹脂層；(b)通過施加能量至所述環(huán)氧樹脂層的整個表面和使具有與化學(xué)鍍催化劑或其前體相互作用的官能團的聚合物結(jié)合至整個表面，在所述環(huán)氧樹脂層表面上形成接枝聚合物；(c)將所述化學(xué)鍍催化劑或其前體提供至所述接枝聚合物；和(d)通過實施化學(xué)鍍形成導(dǎo)電薄膜。本發(fā)明的第三方面提供了導(dǎo)電圖案形成方法，該方法包括(A)在絕緣襯底上形成包括第一方面的熱固性環(huán)氧樹脂組合物的環(huán)氧樹脂層；(B)通過以圖案方式(pattern-wise)施加能量至所述環(huán)氧樹脂層的表面，并使具有與化學(xué)鍍催化劑或其前體相互作用的官能團的聚合物結(jié)合至已施加能量的環(huán)氧樹脂層部分，在所述環(huán)氧樹脂層表面上形成接枝聚合物；(C)將所述化學(xué)鍍催化劑或其前體提供至所述接枝聚合物；和(D)通過實施化學(xué)鍍形成導(dǎo)電圖案。本發(fā)明的第四方面提供了多層布線板制造方法，該方法包括(a')在絕緣襯底上形成的第一導(dǎo)電圖案上形成包括第一方面的熱固性環(huán)氧樹脂組合物的環(huán)氧樹脂層；(b')通過施加具有雙鍵的化合物和具有與化學(xué)鍍催化劑或其前體相互作用的官能團的化合物，并用紫外光以圖案方式輻射所述環(huán)氧樹脂層表面，在所述環(huán)氧樹脂層上形成接枝聚合物圖案；(c')在所述環(huán)氧樹脂層上形成所述接枝聚合物圖案之前或之后，在所述環(huán)氧樹脂層中形成通路孔；和(d')通過對所述環(huán)氧樹脂層實施化學(xué)鍍，從而形成對應(yīng)于所述接枝聚合物圖案的第二導(dǎo)電圖案和使第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案電連接的掩埋通路，以形成導(dǎo)電通路(conductivepath)，。本發(fā)明的多層布線板制造方法具有兩種實施方式第一實施方式，該實施方式如下(a')在絕緣襯底上形成的第一導(dǎo)電圖案上形成包括第一方面的熱固性環(huán)氧樹脂組合物的環(huán)氧樹脂層；(c')在所述環(huán)氧樹脂層中形成通路孔；(b')通過施加具有雙鍵的化合物和具有與化學(xué)鍍催化劑或其前體相互作用的官能團的化合物，并使用紫外光以圖案方式輻射所述環(huán)氧樹脂層表面，在所述環(huán)氧樹脂層上形成接枝聚合物圖案；和(d')通過對所述環(huán)氧樹脂層實施化學(xué)鍍形成導(dǎo)電通路，從而形成對應(yīng)于所述接枝聚合物圖案的第二導(dǎo)電圖案和使第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案電連接的掩埋通路，以及第二實施方式，該實施方式如下(a')在絕緣襯底上形成的第一導(dǎo)電圖案上形成包括第一方面的熱固性環(huán)氧樹脂組合物的環(huán)氧樹脂層；(b')通過施加具有雙鍵的化合物和具有與化學(xué)鍍催化劑或其前體相互作用的官能團的化合物，并使用紫外光以圖案方式輻射所述環(huán)氧樹脂層表面，在所述環(huán)氧樹脂層上形成接枝聚合物圖案；(c')在所述環(huán)氧樹脂層中形成通路孔；和(d')通過對所述環(huán)氧樹脂層實施化學(xué)鍍，從而形成對應(yīng)于所述接枝聚合物圖案的第二導(dǎo)電圖案和使第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案電連接的掩埋通路，以形成導(dǎo)電通路。實施本發(fā)明的最佳方式在本發(fā)明的導(dǎo)電薄膜形成方法中，導(dǎo)電圖案形成方法中，以及多層布線板制造方法中，在包括本發(fā)明熱固性環(huán)氧樹脂組合物的環(huán)氧樹脂層的表面上形成接枝聚合物圖案，該熱固性環(huán)氧樹脂組合物包括均在一個分子中具有兩個或多個環(huán)氧基的至少一種環(huán)氧樹脂，均在一個分子中具有兩個或多個與所述環(huán)氧基反應(yīng)的官能團的至少一種固化劑，以及至少一種光聚合引發(fā)劑，以及使用所述接枝聚合物作為起點實施化學(xué)鍍。由于所述接枝聚合物經(jīng)共價鍵緊密結(jié)合至所述環(huán)氧樹脂層表面，所以使用所述接枝聚合物作為起點形成的鍍膜(金屬膜)也緊密結(jié)合至所述環(huán)氧樹脂層的環(huán)氧樹脂。由此，無需通常實施的絕緣層的表面打磨，就在所述環(huán)氧樹脂層和所述鍍膜之間獲得強的粘合性，以及可獲得優(yōu)異的剝離強度、導(dǎo)電性和連接可靠性。此外，由于所述表面沒有經(jīng)過打磨且是平整的，使用所述導(dǎo)電薄膜形成方法形成的導(dǎo)電薄膜，使用所述導(dǎo)電圖案形成方法獲得的導(dǎo)電圖案，以及使用所述多層布線板制造方法獲得的多層布線板具有優(yōu)選的高頻功率傳輸(high-frequencypowertransmission)性能。根據(jù)本發(fā)明的方法，可形成良好的布線，該布線與環(huán)氧樹脂具有強粘合性和可用于導(dǎo)電薄膜、導(dǎo)電圖案和多層布線板。在本發(fā)明中，所述環(huán)氧樹脂組合物優(yōu)選包括所述環(huán)氧樹脂組合物的所有組分的至少20質(zhì)量％的環(huán)氧樹脂。在所述環(huán)氧樹脂組合物的所有組分中所述環(huán)氧樹脂的含量優(yōu)選為80質(zhì)量°/?；蚋?。即，在形成包括所述環(huán)氧樹脂組合物的環(huán)氧樹脂層中，為改進所述環(huán)氧樹脂的性能，諸如機械強度、耐熱性、耐氣候性、耐燃性、耐水性和電特性，所述環(huán)氧樹脂組合物優(yōu)選包含所述環(huán)氧樹脂組合物的所有組分的20質(zhì)量％或更多的環(huán)氧樹脂?？紤]到粘合強度和導(dǎo)體的導(dǎo)電性，所述環(huán)氧樹脂組合物包括至少一種光聚合引發(fā)劑，以及還可包括任意其它樹脂和至少一種填料以控制所述組合物的導(dǎo)電性。當(dāng)所述環(huán)氧樹脂組合物包括至少一種所述環(huán)氧樹脂以外的樹脂時，其它一種或多種樹脂的含量通常為所述環(huán)氧樹脂的30至300質(zhì)量％,以及優(yōu)選50至200質(zhì)量°/。。當(dāng)其它一種或多種樹脂的含量少于所述環(huán)氧樹脂的30質(zhì)量°/。時，不能充分獲得包括其它一種或多種樹脂的效果。當(dāng)其它一種或多種樹脂的含量超過所述環(huán)氧樹脂的300質(zhì)量％時，可能損害所述環(huán)氧樹脂的特性，諸如強度，且形成接枝聚合物的反應(yīng)不容易進行。如上述，本發(fā)明的所述環(huán)氧樹脂組合物包括(A)在一個分子中具有兩個或多個環(huán)氧基的至少一種環(huán)氧化合物，(B)在一個分子中具有兩個與兩個或多個環(huán)氧基反應(yīng)的官能團的至少一種化合物(此后，稱作固化劑)，以及(C)至少一種光聚合引發(fā)劑。在所述化合物(B)中的每個官能團選自羧基、羥基、氨基和巰醇基。(A)該環(huán)氧化合物(包括稱作環(huán)氧樹脂的化合物)在一個分子中具有兩個或多個環(huán)氧基，優(yōu)選具有2至50個環(huán)氧基，以及更優(yōu)選具有2至20個環(huán)氧基。所述環(huán)氧基具有環(huán)氧乙烷的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，該環(huán)氧基的實例包括縮水甘油基、氧化乙烯基和環(huán)氧環(huán)己基。在例如由ShinboMasaki所編并在1987年由NikkanKogyoShimbun,Ltd.出版的EPOXYRESINHANDBOOK中才皮露了該多價的環(huán)氧化合物，以及其中披露的化合物可用于本發(fā)明中。所述環(huán)氧化合物的具體實例包括雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、溴化的雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、二苯醚型環(huán)氧樹脂、氫醌型環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、聯(lián)二苯型環(huán)氧樹脂、藥型環(huán)氧樹脂、酚醛型環(huán)氧樹脂、鄰曱酚醛型環(huán)氧樹脂、toris-羥基苯基曱烷型環(huán)氧樹脂、三功能型環(huán)氧樹脂、四苯基oletane型環(huán)氧樹脂、二環(huán)戊二烯苯酚型環(huán)氧樹脂、氫化的雙酚A型環(huán)氧樹脂、核心含有多元醇的雙酚A型環(huán)氧樹脂(bisphenolA-containingnuclearpolyol-typeepoxyresin)、聚丙二醇型環(huán)氧樹月旨、縮7jc甘油酯型環(huán)氧樹脂、縮水甘油基胺型環(huán)氧樹脂、乙二醛型環(huán)氧樹脂、脂環(huán)族環(huán)氧樹脂和雜環(huán)環(huán)氧樹脂?？蓡为毷褂眠@些環(huán)氧樹脂中的一種，以及可同時使用這些環(huán)氧樹脂中的兩種或多種。使用多功能性環(huán)氧化物、環(huán)氧當(dāng)量低的環(huán)氧化物、萘型環(huán)氧化物或二環(huán)戊二烯型環(huán)氧化物能夠獲得具有優(yōu)良耐熱性的環(huán)氧樹脂。所述固化劑(B)的實例包括諸如對酞酸的多功能性羧酸化合物，諸如雙酚A、雙酚F、雙酚S、間苯二酚衍生物和鄰苯二酚衍生物的雙官能的苯酚化合物，諸如酚/醛樹脂和甲酚/醛樹脂的酚樹脂，以及諸如氨基樹脂、1，3，5-三氨基三。秦和4,4'-二氨苯砜的多官能的氨基化合物。在這些之中，該固化劑優(yōu)選為具有至少兩個羥基和氨基作為與所述環(huán)氧基反應(yīng)的官能性基團的化合物。至于所述環(huán)氧樹脂組合物中該固化劑的量，所述一種或多種固化劑的官能基團的數(shù)目與所述一種或多種環(huán)氧樹脂的環(huán)氧基的數(shù)目的比率優(yōu)選在0.1至5.0的范圍內(nèi)，以及更優(yōu)選在0.3至2.0的范圍內(nèi)。所述光聚合引發(fā)劑(C)優(yōu)選具有至少一個可自由基、陰離子或陽離子聚合，且具有至少一個具有光聚合引發(fā)能力的位點作為至少一個側(cè)鏈(pendant)的可光聚合基團。換句話說，在所述光聚合引發(fā)劑的結(jié)構(gòu)中，至少一種可光聚合基團和至少一種具有聚合引發(fā)能力的官能性基團在一個分子中共存。具有光聚合引發(fā)能力的位點的實例包括衍生自以下的位點(a)芳香酮、(b)镥鹽化合物、(c)有機過氧化物、(d)疏代化合物、(e)六芳基二咪唑化合物、(f)酮肟酯化合物、(g)硼化合物、(h)azinium化合物、(i)活性酯化合物、(j)含碳-卣素鍵的化合物和(k)吡啶鐨(pyridiumcompounds),此后將描述所述化合物(a)至(k)的具體實例，但本發(fā)明不受這些實例所限制。(a)芳香酮在本發(fā)明中優(yōu)選作為所述化合物(具有光聚合引發(fā)能力的位點衍生自該化合物)的芳香酮(a)可為具有二苯曱酮或噻噸酮骨架和在"RADIATIONCURINGINPOLYMERSCIENCEANDTECHNOLOGY"J.P.Fouassier,J.F.Rabek(1993),p.77-117中描述的化合物。該化合物的實例包括以下化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>所述芳香酮(a)優(yōu)選為日本專利申請公開(JP-B)No.S47-6416中描述的a-二苯曱巰酮化合物，或JP-BNo.47-3981中描述的安息香醚化合物，諸如下面示出的化合物。此外，所述芳香酮(a)優(yōu)選為JP-BNo.S47-22326中描述的a-取代的安息香化合物，諸如下面示出的化合物。CH2O2CCH3C—C-兒IOOH而且，所述芳香酮(a)優(yōu)選為JP-BNo.S47-23664中描述的安息香衍生物、JP-ANo.S57-30704中描述的芳酰基膦酸酯或JP-BNo.S60-26483中描述的二烷氧基二苯曱酮，諸如下面示出的化合物。C~~OCH2CH=CH2OCH2CH=CH2此外，所述芳香酮(a)優(yōu)選為JP隱BNo.S60-26403或JP-ANo.S62-81345中描述的安息香醚，諸如下面示出的化合物。而且，所述芳香酮(a)優(yōu)選為JP-BNo.H01-34242、美國專利No.4，318，791或EPNo.0284561A1中描述的a-氨基二苯曱酮，諸如下面示出的<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>此外，所述芳香酮(a)優(yōu)選為JP-ANo.H02-211452中描述的p-二(二曱基氨基苯曱?；?苯，諸如下面示出的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>而且，所述芳香酮(a)優(yōu)選為JP-ANo.S61-194062中描述的硫代的芳香酮，諸如下面示出的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>此外，所述芳香S同(a)優(yōu)選為JP-BNo.H02-9597中描述的石克化?；?，諸如下面示出的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>此外，所述芳香酮(a)優(yōu)選為JP-BNo.H02-9596中描述的酰基膦，諸如下面示出的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>而且，所述芳香酮(a)優(yōu)選為JP-BNo.S63-61950中描述的p塞噸酮；或JP-BNo.S59-42864中描述的香豆素。(b)錯鹽化合物在本發(fā)明中優(yōu)選作為所述化合物(具有光聚合引發(fā)能力的位點衍生自該化合物)的餚鹽化合物(b)可為下式(l)至(3)所表示的任意化合物。式(l)Ar'—I+—Ar2(Z2)-式(2)式(3)(z4)-在式(1)中，Ar'和A一獨立地表示具有20或更少碳原子的取代或未取代的芳基。所述取代的芳基的一個或多個取代基的典型實例包括卣原子、硝基、具有12或更少碳原子的烷基、具有12或更少碳原子的烷氧基和具有12或更少碳原子的芳氧基。(Z^表示相反的離子，該相反的離子選自卣素離子、高氯酸鹽離子、羧酸鹽離子、四氟硼酸鹽離子、六氟磷酸鹽離子和磺酸鹽離子，以及優(yōu)選為高氯酸鹽離子、六氟磷酸鹽離子或芳基磺酸鹽離子。在式(2)中，&3表示具有20或更少碳原子的取代或未取代的芳基。所述取代芳基的一個或多個取代基的典型實例包括卣素原子、硝基、具有12或更少碳原子的烷基、具有12或更少碳原子的烷氧基、具有12或更少碳原子的芳氧基、具有12或更少碳原子的烷基氨基、具有12或更少碳原子的二烷基氨基、具有12或更少碳原子的芳基氨基和具有12或更少碳原子的二芳基氨基。(zV表示與(z")-具有相同意義的相反的離子。在式(3)中，R23，R24和R25可彼此相同或不同，以及獨立地表示具有20或更少碳原子的取代或未取代的羥基。所述取代羥基的一個或多個取代基的典型實例包括鹵素原子、硝基、具有12或更少碳原子的烷基、具有12或更少碳原子的烷氧基和具有12或更少碳原子的芳氧基。(Z"-表示與(Z2)—具有相同意義的相反的離子。該镎鹽化合物(b)的優(yōu)選實例包括JP-ANo.2001-133969的段落號至、JP-ANo.2001-305734的段落號至和JP-ANo.2001-343742的段落號至中描述的化合物。(c)有機過氧化物在本發(fā)明中優(yōu)選作為所述化合物(具有光聚合引發(fā)能力的位點衍生自該化合物)的有機過氧化物(c)的實例包括幾乎所有的在分子中具有一個或多個氧-氧鍵的有機化合物。其具體實例包括過氧化曱乙酮、過氧化環(huán)己酮、過氧化乙酰丙酮、1，1，3,3-四曱基丁基過氧氫、過氧化二^k丁基、過氧化月桂酸叔丁酯、過氧化碳酸叔丁酯、3，3'4，4'-四-(叔丁基過氧化羰基)二苯曱酮、3，3'4,4'-四-(叔戊基過氧化羰基)二苯甲酮、3,3'4，4'-四-(叔己基過氧化羰基)二苯曱酮、3,3'4，4'-四-(叔辛基過氧化羰基)二苯曱酮、3,3'4，4'-四-(異丙苯基過氧化羰基)二苯曱酮、3，3'4，4'-四-(對異丙基異丙苯基過氧化羰基)二苯曱酮、羰基-二(t-誄又丁基過氧二氫二鄰苯二曱酸酯)(carbonyl-di(t-butylperoxydihydrogendiphthalate)和羰基-二(t-叔己基過氧二氬二鄰苯二曱酸酯)(carbonyl陽di(t-hexylperoxydihydrogendiphthalate)。(d)硫代化合物L(fēng)能力的位點衍<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>在式(4)中，R"表示烷基或取代或未取代的芳基，以及R"表示氬原子或烷基。R"和R"可彼此鍵合，從而形成五至七元的非金屬環(huán)，該環(huán)可包括至少一個選自氧、硫和氮原子的雜原子。式(4)表示的疏代化合物的具體實例包括下表1中顯示的化合物。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>生自該化合物)的六芳基二咪唑化合物(e)可為JP-BNos.S45-37377和S44-86516中披露的任意的2,4,5-三苯基咪唑二聚體。其具體實例包括2，2'-雙(鄰氯苯基)-4，4',5，5'-四苯基二咪唑、2，2'-雙(鄰溴苯基)-4，4',5，5'-四苯基二咪唑、2，2'-雙(鄰，對-二氯苯基)-4,4'，5,5'-四苯基二咪唑、2,2'-雙(鄰氯苯基)-4,4'，5,5'-四(間曱氧基苯基)二咪唑、2,2'-雙(o,o'-二氯苯基)-4，4'，5，5'-四苯基二咪唑、2,2'-雙(鄰硝基苯基)-4，4',5，5'-四苯基二咪唑、2，2'-雙(鄰曱基苯基)-4,4'，5，5'-四苯基二咪唑和2,2'-雙(鄰三氟苯基)-4，4',5，5'-四苯基二咪唑。(f)酮將酯化合物生自該化合物)的所述酮肟酯化合物(f)的實例包括3-苯曱酸基亞氨基丁酮、3-乙酸基亞氨基丁酮、3-丙酸基亞氨基丁酮、2-乙酸基亞氨基戊-3-酮、2-乙酸基亞氨基-l-苯基丙-l-酮、2-苯曱酸基亞氨基-l-苯基丙-l-酮、3-對曱苯磺酸基亞氨基丁酮和2-乙氧基羰基氧亞氨基-l-苯基丙-l-酮。(g)硼化合物生自該化合物)的硼化合物(g)是例如下式(5)表示的化合物。式(5)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>在式(5)中，R28，R29，R30,以及R"可彼此相同或不同，以及獨立地表示取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基或取代或未取代的雜環(huán)基。R28，R29，R3Q，以及R"中的至少兩種基團可彼此鍵合，形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。所述R28，R29,R3G,以及R"中的至少一種是取代或未取代的烷基。(zY表示堿金屬陽離子或季銨鹽陽離子。在式(5)中，R28，R29，R3Q,以及R"所表示的烷基可為線型的，帶支鏈的或環(huán)狀的，以及優(yōu)選具有1至18個碳原子。所述未取代烷基的具體實例包括曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、戊基、己基、辛基、硬酯?；h(huán)丁基、環(huán)戊基和環(huán)己基。所述取代烷基的實例包括通過用鹵素原子(例如，-CI或-Br)、氰基、硝基、芳基(優(yōu)選，苯基)、羥基、-(:001132基(此處，R32表示氫原子，具有1至14碳原子的烷基，或芳基)、-00)1133基和-01134基(此處，1133和1134獨立地表示具有1至14碳原子的烷基，或芳基)和下列取代基中的至少一種取代所述未取代烷基的至少一個氫原子所得到的取代烷基。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>在上面的取代基中，R"和R"獨立地表示氫原子、具有1至14碳原子的烷基或芳基。由式(5)化合物表示的化合物的具體實例包括在美國專利Nos.3,567,453和4,343,891和EPNos.109,772和109,773中描述的化合物，以及下列化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>(h)AziniumSalt化合物優(yōu)選在本發(fā)明中作為所述化合物(所述具有光聚合引發(fā)能力的位點衍生自該化合物)的aziniumsalt化合物(h)的實例包括具有至少一個N-0鍵和在JP-ANos.S63陽138345、S63-142345、S63國142346、S63-143537和JP陽BNo.S46-42363中描述了的化合物。Q活性酯化合物優(yōu)選在本發(fā)明中作為所述化合物(所述具有光聚合引發(fā)能力的位點衍生自該化合物)的活性酯化合物(i)的實例包括在JP-BNo.S62-6223中描述的亞氨基磺酸酯化合物，以及在JP-BNo.S63-14340和JP-ANo.S59-174831中描述的活性磺酸酯。(j)含碳-卣素鍵的化合物優(yōu)選在本發(fā)明中作為所述化合物(所述具有光聚合引發(fā)能力的位點衍生自該化合物)的含碳-卣素鍵的化合物G)是例如下式(6)或式(7)表示的化合物。式(6)在式(6)中，XS表示卣原子，以及Y表示-C(X2)3、-NH2、-NHR38、-NR38或-OR38。R"表示取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基。R"表示-C(X2)3、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基或取代的烯基。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>在式(7)中，R"表示取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基、卣原子、取代或未取代的烷氧基、硝基或氰基。乂3表示卣原子。n是l至3的整數(shù)。由式(6)和(7)表示的化合物的具體實例包括下列化合物。式(7)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>(k)吡咬镎化合物優(yōu)選在本發(fā)明中作為所述化合物(所述具有光聚合引發(fā)能力的位點衍生自該化合物)的吡啶錯化合物(k)是例如下式(8)表示的化合物。式(8)■m€)在式(8)中，rs優(yōu)選為氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的烯基或取代或未取代的炔基。r6,r7，r8，r9,以及r"可彼此相同或不同和單獨地表示氫原子、卣原子或單價有機殘基。r6，r7，r8，r9，以及r"的至少一種具有下式(9)表示的基團。此外，rs和r6,rS和R1、f^和r7,if和r8，rs和r9,和/或W和r^可彼此鍵合成環(huán)。此外，X表示反陰離子。m是l至4的整數(shù)。式(9)Rii12在式(9)中，1112和1113單獨地表示氫原子、囟原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的烯基或取代或未取代的炔基。r11表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、羥基、取代的氧基(substitutedoxygroup),巰基、取代的硫基(substitutedthiogroup)或取代或未取代的氨基。此外，r12和r13，r"和r12，和/或r"和r"可彼此鍵合成環(huán)。l表示含至少一個雜原子的二價連接基團。所述化合物(具有光聚合引發(fā)能力的位點衍生自該化合物)優(yōu)選為耐熱光聚合引發(fā)劑，以及，從這點出發(fā)，優(yōu)選為芳香酮。所述芳香酮優(yōu)選具有下式(I)、(n)、(III)或(IV)表示的結(jié)構(gòu)。式(I)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>當(dāng)使具有光聚合引發(fā)能力和衍生自由式(I)表示的結(jié)構(gòu)的位點結(jié)合至聚合物鏈以形成高分子量光聚合引發(fā)劑時，結(jié)合至該聚合物鏈的連接基團優(yōu)選結(jié)合至所述位點的苯基?；蛘?，所述苯基可直接結(jié)合至所述聚合物鏈。當(dāng)使具有光聚合引發(fā)能力和衍生自由式(II)或(III)表示的結(jié)構(gòu)的位點結(jié)合至聚合物鏈以形成高分子量光聚合引發(fā)劑時，結(jié)合至該聚合物鏈的連接基團優(yōu)選結(jié)合至所述位點的苯基或羥基。或者，所述苯基或羥基可直接結(jié)合至所述聚合物鏈。式(iv)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>當(dāng)使具有光聚合引發(fā)能力和衍生自由式(IV)表示的結(jié)構(gòu)的位點結(jié)合至聚合物鏈以形成高分子量光聚合引發(fā)劑時，結(jié)合至該聚合物鏈的連接基團優(yōu)選結(jié)合至所述位點的苯基?；蛘撸霰交芍苯咏Y(jié)合至所述聚合物鏈。所述連接基團是例如二價的或三價的。該連接基團的具體實例包括國O-、-OCO-、-CO誦、畫OCONH-、畫S陽、-CONH誦、-OCOO-和-N孓所述連接基團優(yōu)選為-o-或-oco-。包括在本發(fā)明的環(huán)氧樹脂組合物中的光聚合引發(fā)劑可為低分子量化合物或高分子量化合物。所述低分子量光聚合引發(fā)劑可為已知的自由基產(chǎn)生劑。其具體實例包括苯乙酮、二苯甲酮、米克勒酮、苯曱酸苯曱酰酯(benzoylbenzoate)、安息香、a國?；斡现?a-acyloximeester)、一石克化四曱基矛大蘭姆(tetramethylthiurammonosulfide)、三氯曱基三嗪和噻噸酮。此外，在本發(fā)明中可使用锍鹽或碘鉻鹽(iodiniumsalt)，所述锍鹽或碘鹽通常用作光酸產(chǎn)生劑，但是，當(dāng)用光輻射時，也起自由基產(chǎn)生劑的作用。為提高敏感度，本發(fā)明環(huán)氧樹脂組合物還可包括至少一種敏化劑(sensitizer),與一種或多種光自由基聚合引發(fā)劑同時使用。該敏化劑的具體實例包括正丁胺、三乙胺、三正丁基膦和噻噸酮衍生物。所述高分子量光聚合引發(fā)劑可為已知的光自由基產(chǎn)生劑。該高分子量光自由基產(chǎn)生劑可為在側(cè)鏈上或在側(cè)鏈中具有至少一個活性羰基的高分子量化合物，在JP-ANos.H09-77891和H10-45927中披露了該化合物。所述高分子量光聚合引發(fā)劑的實例包括下列化合物(a)至(n)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>考慮到在下面將詳述的導(dǎo)電薄膜形成方法、導(dǎo)電圖案形成方法和多層布線板制造方法的接枝形成中的接枝聚合性質(zhì)，所述光聚合引發(fā)劑優(yōu)選為高分子量光聚合引發(fā)劑。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>包括在所述本發(fā)明環(huán)氧樹脂組合物中的(A)環(huán)氧化合物(環(huán)氧樹脂)在分子中可具有具有光聚合引發(fā)能力的位點。當(dāng)(A)環(huán)氧樹脂本身具有光聚合引發(fā)能力和與所述光聚合引發(fā)劑具有相同功能時，所述環(huán)氧樹脂組合物可不包括與所述環(huán)氧樹脂分離的(c)光聚合引發(fā)劑。所述具有光聚合引發(fā)能力的環(huán)氧樹脂能夠通過，例如使至少一個具有環(huán)氧基的單體與至少一個具有光聚合引發(fā)基團的單體共聚容易地獲得。下面示出通過共聚具有環(huán)氧基的單體和具有光聚合引發(fā)基團和起所述環(huán)氧樹脂作用的單體獲得的共聚物的具體實例。然而，所述本發(fā)明環(huán)氧樹脂組合物不受這些實例所限制。在顯示共聚物的下式(C)至(N)中，x和y均表示摩爾分?jǐn)?shù)。此處，x和y的總凄史是lOO,以及x和y均不為0。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>在這些共聚物中，從膜強度和接枝聚合性質(zhì)考慮，x優(yōu)選為5至70，以及y優(yōu)選為30至95。更優(yōu)選地，x為5至50,以及y為50至95。甚至更優(yōu)選，x為10至30，以及y為70至90。在下面將詳述的導(dǎo)電薄膜形成方法、導(dǎo)電圖案形成方法和多層布線板制造方法中用于形成環(huán)氧樹脂層的環(huán)氧樹脂組合物中包括的一種或多種光聚合引發(fā)劑的理想含量取決于所用的表面接枝材料的使用。所述一種或多種光聚合引發(fā)劑的含量優(yōu)選在所述環(huán)氧樹脂組合物總的固體物質(zhì)的0.1至50質(zhì)量％的范圍內(nèi)，以及更優(yōu)選在所述環(huán)氧樹脂組合物總的固體物質(zhì)的1.0至30.0質(zhì)量％的范圍內(nèi)。如果包括在所述環(huán)氧樹脂組合物中的一種或多種光聚合引發(fā)劑的含量小于0.1質(zhì)量％，所述環(huán)氧樹脂組合物具有降低的接枝聚合性質(zhì)、粘合強度和導(dǎo)電性。如果所述光聚合引發(fā)劑的含量高于50質(zhì)量％，會引起涉及環(huán)氧樹脂層熱特性和電特性的問題，諸如降低的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg或升高的介電常數(shù)。所述環(huán)氧樹脂組合物具有自由基產(chǎn)生能力。通過使用所述具有自由基產(chǎn)生能力的環(huán)氧樹脂組合物所獲得的環(huán)氧樹脂層相對于導(dǎo)體具有提高的接枝聚合性能和粘合強度，以及改進導(dǎo)體的導(dǎo)電性。為獲得自由基產(chǎn)生能力，所述環(huán)氧樹脂組合物可包括至少一種具有至少一個自由基可聚合雙鍵的化合物。具有自由基可聚合雙鍵和包括在所述環(huán)氧樹脂組合物中的化合物可為丙烯酸酯化合物或甲基丙烯酸酯化合物。能夠用在本發(fā)明中的丙烯酸酯化合物或曱基丙歸酸酯化合物在分子中具有至少一個丙烯?；?，該丙烯酰基是烯屬(ethylenic)不飽和基團，以及對其沒有其它特殊限制。然而，考慮到提高的固化性(cumblity)和強度，所述丙烯酸酯化合物或曱基丙烯酸酯化合物優(yōu)選為多官能團單體?？捎迷诒景l(fā)明中的多官能團單體優(yōu)選為至少一種類型的多元醇和丙烯酸和曱基丙烯酸的至少一種的酯。所述多元醇的實例包括乙二醇、1,4-環(huán)己醇、季戊四醇、三羥曱基丙烷、三羥甲基乙烷、二季戊四醇、1，2，4-環(huán)己醇、聚氨酯用多醇和聚酯多醇。所述多元醇優(yōu)選為三羥曱基丙烷、季戊四醇、二季戊四醇或聚氨酯用多醇。所述環(huán)氧樹脂層可包括兩種類型或更多類型的多官能團單體。本發(fā)明中的多官能團單體在分子中具有至少兩個烯屬不飽和基團，以及優(yōu)選在分子中具有至少三個烯屬不飽和基團。所述多官能團單體可為在分子中具有3至6個丙烯酸酯基團的多官能團丙烯酸酯單體?；蛘?，所述多官能團單體也可以是具有數(shù)百至數(shù)千分子量，在分子中具有幾個丙烯酸酯基團，以及稱作聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯(polyesteracrylate)或環(huán)氧丙烯酸酯的低聚物，以及該低聚物可優(yōu)選用作本發(fā)明環(huán)氧樹脂層的組分中的一種。在分子中具有三個或更多丙烯酸基團的丙烯酸酯的具體實例包括聚丙烯酸多元醇酯，諸如三丙烯酸三羥甲基丙酯、四丙烯酸二-三羥甲基丙酯、三丙烯酸季戊四醇酯、四丙烯酸季戊四醇酯、五丙烯酸二季戊四醇酯和六丙烯酸二季戊四醇酯，以及能夠通過使聚異氰酸酯與具有至少一個輕基的丙烯酸酯諸如羥乙基丙烯酸酯反應(yīng)所獲得的聚氨酯丙烯酸酯。為改進所述環(huán)氧樹脂的特性，諸如機械強度、耐熱性、耐氣候性、耐燃性、耐水性或電特性，所述環(huán)氧樹脂組合物還可包括其它一種或多種組分。其它一種或多種組分的實例包括紙、玻璃纖維、硅石微粒(silicaparticles)、酚醛樹脂、聚酰亞胺樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、氟化樹脂和聚苯氧基樹脂。當(dāng)所述環(huán)氧樹脂組合物還可包括其它一種或多種組分時，關(guān)于100質(zhì)量份的環(huán)氧樹脂，該一種或多種組分的量優(yōu)選在1至200質(zhì)量份的范圍內(nèi)，以及更優(yōu)選在10至80質(zhì)量份范圍內(nèi)。當(dāng)該量少于l質(zhì)量份時，不能改進上面的特性。當(dāng)該量多于200質(zhì)量份時，所述樹脂的強度降低，以及接枝聚合反應(yīng)不易進行。本發(fā)明環(huán)氧樹脂組合物可包括至少一種有機溶劑。在這種情況中，所述環(huán)氧樹脂組合物為溶液或清漆的形式。所述有機溶劑的實例包括酮，諸如丙酮、曱基乙基酮和環(huán)己酮；乙酸酯，諸如乙酸乙酯、乙酸丁酯和丙二醇單曱醚乙酸酯；芳香烴，諸如曱苯和二曱苯；和二曱基曱酰胺，二曱基乙酰胺，以及N-曱基吡咯烷酮。所述有機溶劑優(yōu)選為酮，以及更優(yōu)選為曱基乙基酮或環(huán)己酮。這些有機溶劑中的一種可單獨使用，或者可兩種或多種一同使用。在所述環(huán)氧樹脂組合物中一種或多種有機溶劑的含量優(yōu)選在20至90質(zhì)量％的范圍內(nèi)，以及更優(yōu)選在30至60質(zhì)量％的范圍內(nèi)。下面將描述本發(fā)明的導(dǎo)電薄膜形成方法、導(dǎo)電圖案形成方法和多層布線板制造方法。本發(fā)明的導(dǎo)電薄膜形成方法包括(a)在絕緣襯底上形成包括上述熱固性環(huán)氧樹脂組合物的環(huán)氧樹脂層；(b)通過施加能量至所述環(huán)氧樹脂層的整個表面和使具有與化學(xué)鍍催化劑或其前體相互作用的官能團的聚合物結(jié)合至整個表面，在所述環(huán)氧樹脂層表面上形成接枝聚合物；(c)將所述化學(xué)鍍催化劑或其前體提供至所述接枝聚合物；和(d)通過實施化學(xué)鍍形成導(dǎo)電薄膜。本發(fā)明的導(dǎo)電圖案形成方法包括(A)在絕緣村底上形成包括上述熱固性環(huán)氧樹脂組合物的環(huán)氧樹脂層；(B)通過以圖案方式施加能量至所述環(huán)氧樹脂層的表面和使具有與化學(xué)鍍催化劑或其前體相互作用的官能團的聚合物結(jié)合至已施加能量的環(huán)氧樹脂層部分，在所述環(huán)氧樹脂層表面上形成接枝聚合物；(C)將所述化學(xué)鍍催化劑或其前體提供至所述接枝聚合物；和(D)通過實施化學(xué)鍍形成導(dǎo)電圖案。本發(fā)明的多層布線板制造方法包括(a')在絕緣襯底上形成的第一導(dǎo)電圖案上形成包括上述熱固性環(huán)氧樹脂組合物的環(huán)氧樹脂層；(b')通過施用具有雙鍵的化合物和具有與化學(xué)鍍催化劑或其前體相互作用的官能團的化合物和用紫外光以圖案方式輻射所述環(huán)氧樹脂層表面，在所述環(huán)氧樹脂層上形成接枝聚合物圖案；(c')在所述環(huán)氧樹脂層上形成所述接枝聚合物圖案之前或之后，在所述環(huán)氧樹脂層中形成通路孔；和(d')通過對所述環(huán)氧樹脂層實施化學(xué)鍍形成導(dǎo)電通路，從而形成對應(yīng)于所述接枝聚合物圖案的第二導(dǎo)電圖案和使第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案電連接的掩埋通路。下面將更詳細(xì)地描述本發(fā)明的導(dǎo)電薄膜形成方法、導(dǎo)電圖案形成方法和多層布線板制造方法。由于所述導(dǎo)電薄膜形成方法的步驟(a)和所述導(dǎo)電圖案形成方法的步驟(A)與所述多層布線板制造方法的步驟(a')相同，將與步驟(a')的說明一同描述步驟(a)和(A)的說明。同樣，由于所述導(dǎo)電圖案形成方法的步驟(B)與所述多層布線板制造方法的步驟(b')相同，將與步驟(b')的說明一同描述步驟(B)的說明。所述導(dǎo)電薄膜形成方法的步驟(b)和所述多層布線板制造方法的步驟(b')在以下方面彼此不相同在形成步驟中在所述環(huán)氧樹脂層的整個表面上輻射紫外光以在所述整個表面上形成接枝聚合物和在后面步驟中以圖案方式輻射紫外光至所述環(huán)氧樹脂層以形成接枝聚合物圖案。然而，其余步驟是相同的。因此，將與步驟(b')的說明一同描述步驟(b)的說明。所述導(dǎo)電薄膜形成方法的步驟(c)和(d)，以及所述導(dǎo)電圖案形成方法的步驟(C)和(D)與所述多層布線板制造方法的步驟(d')相同，除下列區(qū)別以外。在所述多層布線板制造方法的步驟(d')中，對所述環(huán)氧樹脂層實施化學(xué)鍍，從而對應(yīng)于所述接枝聚合物圖案形成第二導(dǎo)電圖案和至少一個使第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案電連接的掩埋通路，由此形成導(dǎo)電通路。相反，在所述導(dǎo)電薄膜形成方法的步驟(c)和(d)，以及所述導(dǎo)電圖案形成方法的步驟(C)和(D)中，不形成掩埋通路和導(dǎo)電通路和通過僅在所述接枝聚合物上化學(xué)鍍形成導(dǎo)電薄膜或圖案。然而，將與步驟(d')的說明一同描述步驟(c)、(d)、(Q和(D)的說明。在所述導(dǎo)電薄膜形成方法、所述導(dǎo)電圖案形成方法和所述多層布線板制造方法中，首先提供絕緣襯底。所述絕緣襯底的實例包括金屬片(例如，鋁、鋅和銅片)、硅襯底、塑料膜(例如，纖維素二乙酸酯、纖維素三乙酸酯、纖維素丙酸酯、纖維素丁酸酯、纖維素乙酸丁酸酯、硝酸纖維素、聚對苯二曱酸乙二醇酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚乙烯醇縮乙醛、聚酰亞胺和環(huán)氧樹脂膜)和剛性絕緣襯底(例如，玻璃環(huán)氧樹脂襯底)?？蓡为毷褂靡粋€襯底，或可使用兩個或多個襯底作為組合襯底。所述組合襯底的實例包括環(huán)氧襯底和塑料膜(在所述環(huán)氧襯底和塑料膜上均層壓或沉積至少一個金屬膜)，以及具有環(huán)氧層的襯底和金屬膜或圖案(所述金屬膜或圖案均設(shè)置在所述環(huán)氧層之間)。該襯底優(yōu)選為聚酰亞胺膜或包括環(huán)氧樹脂作為主要組分的環(huán)氧襯底。用于制造多層布線板的絕緣襯底優(yōu)選包括環(huán)氧樹脂作為主要組分。用在本發(fā)明中的絕緣襯底優(yōu)選具有優(yōu)異的表面光滑度。所述絕緣襯底的Rz值(在JISB0601中規(guī)定的10-點平均高度(ten-pointaverageheight))優(yōu)選為3iam或更少，以及更優(yōu)選為lpm或更少。當(dāng)所述絕緣襯底和所述環(huán)氧樹脂層具有上面范圍內(nèi)的表面光滑度時，以及，換句話說，當(dāng)所述絕緣村底和所述環(huán)氧樹脂層基本不具有不平整性時，可在所述環(huán)氧樹脂上形成高精確布線。這甚至適用于布線非常精確的情況。因此，可制造具有高密度和高精確電路的布線板。用在具有環(huán)氧樹脂作為主要組分的襯底中的環(huán)氧樹脂可與上述環(huán)氧樹脂層的環(huán)氧樹脂相同。該環(huán)氧樹脂村底還可包括任意其它一種或多種樹脂，至少一種加強材料和/或至少一種填料，諸如紙、玻璃纖維和硅石微粒。在本發(fā)明多層布線板制造方法中，在所述絕緣襯底上形成第一導(dǎo)電圖案，從而形成層壓體(laminatedbody)。第一導(dǎo)電圖案可^f吏用任意方法形成。例如，蝕刻敷銅箔疊片以形成銅圖案或通過使用抗蝕劑和用已知方法化學(xué)鍍形成銅圖案?；蛘撸扇缭诘诙?dǎo)電圖案中使用接枝聚合物圖案形成第一導(dǎo)電圖案，這將在后面描述。在本發(fā)明多層布線板制造方法的步驟(a')中，在所述絕緣襯底上沉積的第一導(dǎo)電圖案上形成環(huán)氧樹脂層。在本發(fā)明所述導(dǎo)電薄膜形成方法的步驟(a)中和所述導(dǎo)電圖案形成方法的步驟(A)中，在所述絕緣襯底上形成環(huán)氧樹脂層。能夠通過以下方法形成所述環(huán)氧樹脂層通過已知方法，諸如絲網(wǎng)印刷法、噴霧法或幕涂法施加可固化環(huán)氧樹脂組合物至所述絕緣襯底和第一導(dǎo)電圖案，并干燥、加熱和固化所得涂層，或者將環(huán)氧樹脂膜層壓在所述絕緣襯底和第一導(dǎo)電圖案上，并加熱和固化所述環(huán)氧樹脂膜。在形成所述環(huán)氧樹脂層之前，可將所述環(huán)氧樹脂引入第一導(dǎo)電圖案中的凹進部分以使第一導(dǎo)電圖案表面變平。在這種情況中，在第一導(dǎo)電圖案上提供的環(huán)氧樹脂層也具有平坦表面，這使它可以高可靠性地進行隨后的優(yōu)選地，加熱和使所述環(huán)氧樹脂組合物固化的溫度和時間分別在150°C至220。C的范圍內(nèi)和在10至180分鐘的范圍內(nèi)。更優(yōu)選，所述溫度和時間分別在160°C至200°C的范圍內(nèi)和在20至120分鐘的范圍內(nèi)。通過使用所述環(huán)氧樹脂組合物獲得的環(huán)氧樹脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg優(yōu)選在150。C至230。C的范圍內(nèi)，以及更優(yōu)選在150。C至180。C的范圍內(nèi)。當(dāng)所述環(huán)氧樹脂層的Tg低于150°C時，在未固化的環(huán)氧樹脂層和已固化的環(huán)氧樹脂層之間的尺寸差別大，且由于焊接(soldering)使該環(huán)氧樹脂層對熱具有衰減的耐受性。當(dāng)所述環(huán)氧樹脂層的Tg超過230。C時，所述已固化的環(huán)氧樹脂層易于變脆和具有高吸水性，這犧牲了耐熱性的獲得。玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg在上面范圍內(nèi)的絕緣樹脂是，例如熱固性樹脂，以及所述熱固性樹脂的具體實例包括環(huán)氧樹脂，雙馬來酰亞胺樹脂，以及氰酸酯樹脂?？墒褂美鏣MA法獲得所述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg。在該方法中，以5°C/分鐘的升溫速度加熱樣品，以及使用熱分析儀測量樣品在厚度方向上的熱膨脹量。然后，根據(jù)測量值畫出顯示溫度和熱膨脹量之間關(guān)系的曲線。分別在熱膨脹系數(shù)改變的點之前和之后設(shè)置的每個點處在曲線上畫出切線，以及這些切線彼此相交的點被認(rèn)為是樣品的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。在本發(fā)明中用于制造多層布線板、導(dǎo)電薄膜和/或?qū)щ妶D案的環(huán)氧樹脂層的線性熱膨脹系數(shù)在等于或低于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg的溫度優(yōu)選在20ppm至80ppm的范圍內(nèi)，以及更優(yōu)選在20ppm至40ppm的范圍內(nèi)。當(dāng)所述絕緣樹脂層的線性熱膨脹系數(shù)大于80ppm時，在未加熱的絕緣樹脂層和已加熱的絕緣樹脂層之間的尺寸差別大，這產(chǎn)生大的應(yīng)力。因此，該絕緣樹脂層具有降低的抗裂性。當(dāng)所述絕緣樹脂層的線性熱膨脹系數(shù)小35于20ppm時，發(fā)生相同的問題?？紤]到降低熱膨脹系數(shù)，所述環(huán)氧樹脂組合物優(yōu)選包括至少一種諸如二氧化硅的無機填料。在下列測量條_件下使用例如熱機械分析(TMA)法測量線性熱膨脹系數(shù)。從環(huán)氧樹脂層切割寬度為4mm和長度為30mm的樣品。將該樣品用在使用設(shè)備(即，TAInstruments制造的TMAQ400)實施的測量中，栽荷為0.03N，夾頭(chucks)之間的距離為15mm，在25°C至250°C的溫度范圍內(nèi)升溫速率為5。C/分鐘。從測量結(jié)果獲得在等于或低于所述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度所述樣品的線性熱膨脹系數(shù)。可降低應(yīng)力以改進所述環(huán)氧樹脂層的抗裂性。為達(dá)到該目的，優(yōu)選在所述絕緣樹脂層中使用具有大的斷裂伸長率(elongationatbreak)的環(huán)氧樹脂。使用拉力試驗機(tensiontester)測量的所述環(huán)氧樹脂的斷裂伸長率優(yōu)選在5至15%的范圍內(nèi)，以及更優(yōu)選在8至12%的范圍內(nèi)。用于測量所述環(huán)氧樹脂層斷裂伸長率的拉力試驗機可為TENSILON(Orientec，Co.,Ltd.制造的RPM-50)所述環(huán)氧樹脂組合物優(yōu)選包括至少一種熱塑性樹脂以及所述環(huán)氧樹脂，以達(dá)到上面范圍內(nèi)的斷裂伸長率。所述熱塑性樹脂的具體實例包括聚醚砜、苯氧基樹脂和PPE。由于涉及環(huán)境保護的法律限制，在半導(dǎo)體和布線板的焊接材料的領(lǐng)域中具有高熔點且不包含鉛的焊料正在變?yōu)橹髁?。因此，例如，包裝半導(dǎo)體的重熔溫度(reflowtemperature)已變得高于傳統(tǒng)的重熔溫度，容易在絕緣層中產(chǎn)生龜裂。為解決該問題，需要具有更低熱膨脹系數(shù)以改進其耐熱性和降低產(chǎn)生應(yīng)力的環(huán)氧樹脂。選擇用于形成環(huán)氧樹脂層的環(huán)氧樹脂組合物的型號以獲得在各自范圍內(nèi)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg、線性熱膨脹系數(shù)和斷裂伸長率使得可實現(xiàn)降低的熱膨脹系數(shù)，從而改進所述環(huán)氧樹脂層耐熱性和降低產(chǎn)生的應(yīng)力。當(dāng)將金屬圖案用作使用本發(fā)明方法制造的多層布線板的布線(導(dǎo)電薄膜)時，降低材料的介電常數(shù)和介電損耗因子在抑制信號的延遲和衰減由此高速處理大量數(shù)據(jù)方面是有效的。在ELECTRONICSPACKAGINGINSTITUTIONALJOURNAL"vol.7，No.5，pp.397(2004)中具體描述了具有低介電損耗因子材料的用途。從更高速數(shù)據(jù)處理考慮，優(yōu)選使用具有低介電損耗因子的絕緣材料。在1GHz用于制造本發(fā)明多層布線板、導(dǎo)電薄膜和導(dǎo)電圖案的環(huán)氧樹脂組合物的介電常數(shù)(相對介電常數(shù))優(yōu)選在2.5至3.5的范圍內(nèi)，以及更優(yōu)選在2.5至3.1的范圍內(nèi)。在1GHz所述環(huán)氧樹脂組合物的介電損耗因子優(yōu)選在0.004至0.03的范圍內(nèi)，以及更優(yōu)選在0.004至0.028的范圍內(nèi)?？墒褂贸見方法，例如在18thJIEPAnnualMeeting,2004，p189的摘要中描述的方法測量所述環(huán)氧樹脂層的介電常數(shù)和介電損耗因子，其中使用了KeycomCo.,Ltd制造的用于測量超薄片sr和tan5的設(shè)備和系統(tǒng)和使用了空腔共振擾動法?？赏ㄟ^施用和固化環(huán)氧樹脂組合物(選擇該環(huán)氧樹脂組合物，使其滿足上面的物理性質(zhì))獲得本發(fā)明環(huán)氧樹脂層。不特殊限制所述環(huán)氧樹脂層的厚度和根據(jù)導(dǎo)電薄膜或圖案的目的適當(dāng)選擇所述環(huán)氧樹脂層的理想厚度。通常，所述環(huán)氧樹脂層的厚度在10至200pm的范圍內(nèi)。在本發(fā)明中，通過使至少一種均具有至少一個雙鍵的化合物與所述環(huán)氧樹脂層接觸和施加能量至與所述環(huán)氧樹脂層粘合的化合物在不實施諸如電子書輻射、等離子體輻射或輝光處理的表面活化處理的環(huán)氧樹脂層上容易地形成表面接枝聚合物，在所述表面活化處理中將高能量施加至所述環(huán)氧樹脂層和經(jīng)常實施該處理以增加電路和所述環(huán)氧樹脂層之間的粘合性。這是因為所述環(huán)氧樹脂組合物具有上述的性質(zhì)。考慮到將獲得的表面接枝聚合物的特性，優(yōu)選所述環(huán)氧樹脂層具有光滑表面。為達(dá)到這一點，優(yōu)選不對本發(fā)明樹脂層的表面進行任意表面處理和預(yù)處理。具體地，所述環(huán)氧樹脂層的表面優(yōu)選具有光滑度，其中，如上述在JISB0601(1994)中規(guī)定的lO-點平均高度測量法測量的該層平均粗糙度(Rz)為3pm或更少。粘合層當(dāng)在本發(fā)明多層布線板制造方法中使用內(nèi)建法在絕緣襯底上形成第一電路(第一導(dǎo)電圖案)和在第一電路上形成布線(多層布線層)時，可在第一導(dǎo)電圖案和將在第一導(dǎo)電圖案上形成的環(huán)氧樹脂層之間提供粘合層，從而增加它們之間的粘合性?？墒褂贸Ｒ?guī)粘合樹脂形成所述粘合層。如果能夠獲得樹脂的強粘合性和適合的流動性，可使用已知的技術(shù)。所述粘合層可為包括適合的導(dǎo)電顆粒諸如金屬微粒的導(dǎo)電粘合層。不特殊限制所述粘合層材料的類型。包含在粘合層中的粘合樹脂概略地分為兩組(A)包)舌熱塑性樹脂的可熱熔粘合劑和(B)使用熱固性樹脂固化反應(yīng)的可固化粘合劑。接著，在所述導(dǎo)電薄膜形成方法的步驟(b)、所述導(dǎo)電圖案形成方法的步驟(B)和所述多層布線板制造方法的步驟(b')中形成接枝聚合物。在本發(fā)明多層布線板制造方法中，在步驟(b')之前或之后實施在所述環(huán)氧樹脂層中形成通路孔的步驟(c')，這將在后面詳細(xì)描述。在步驟(b)、(b')和(B)中接枝聚合物的形成中，使至少一種均具有至少一個雙鍵的化合物與所述環(huán)氧樹脂層表面接觸，以及將諸如紫外光的能量施加至與所述環(huán)氧樹脂層粘合的化合物。當(dāng)施加能量時，與所述環(huán)氧樹脂層表面直接粘合的接枝聚合物圖案僅在所述環(huán)氧樹脂層施加能量的部分形成。下面，將詳述形成接枝聚合物圖案的方法。表面接枝聚合物形成方法在本發(fā)明所述導(dǎo)電薄膜形成方法、所述導(dǎo)電圖案形成方法和所述多層布線板制造方法中，如上述通過將至少一種均具有至少一個雙鍵的化合物施加至所述環(huán)氧樹脂層表面和通過輻射紫外光將能量施力o^所述環(huán)氧樹脂層表面，制備與所述環(huán)氧樹脂層表面直接結(jié)合的接枝聚合物。雙鍵化合物均具有至少一個雙鍵和施加至所述環(huán)氧樹脂層表面的至少一種化合物中的每種可為具有至少一個可聚合基團的單體或大分子單體，或具有至少一個雙鍵的高分子量化合物?？墒褂媚菢拥娜我庖阎衔铩Ｔ诒景l(fā)明中具有至少一個可聚合基團和至少一個極性官能團的化合物可起到具有至少一個雙鍵的化合物的作用。由于所述接枝聚合物具有該極性官能團，待形成的接枝聚合物可為親水性的且可與化學(xué)鍍催化劑或其前體相互作用。所述極性官能團可為親水基團，其實例包括羧基、羥基、氨基、磺基、膦酸基和胺基。具有至少一個雙鍵且施加至所述環(huán)氧樹脂層表面的單體是，例如具有1至24碳原子烷基的(曱基)丙烯酸酯。其實例包括(甲基)丙烯酸和堿金屬鹽和其胺鹽、衣康酸和其堿金屬鹽和胺鹽、對苯乙烯磺酸和其堿金屬鹽和胺鹽、2-疏代乙基(曱基)丙烯酸酯和其堿金屬鹽和胺鹽、2-丙烯酰胺2-曱基丙烷磺酸酯和其堿金屬鹽和胺鹽、酸性磷酸基氧代聚氧乙烯基乙二醇單(曱基)丙烯酸酯和其堿金屬鹽和胺鹽、聚氧乙烯基乙二醇單(曱基)丙烯酸酯、(曱基)丙烯酸2-羥基乙酯，(曱基)丙烯酰胺、N-單羥曱基(甲基)丙烯酰胺、N-二羥曱基(曱基)丙烯酰胺、烯丙胺和其氫鹵酸鹽、N-乙烯基吡咯烷酮、乙烯基咪唑、乙烯基吡啶、乙烯基噻吩、苯乙烯、(曱基)丙烯酸乙酯和(曱基)丙烯酸正丁酯。如上述，除了所述單體，也可優(yōu)選使用大分子單體或聚合物作為具有至少一個雙鍵和施加至所述環(huán)氧樹脂層表面的化合物?？赏ㄟ^使用已知方法聚合至少一種上面的單體制備具有至少一個雙鍵的大分子單體。制備所述大分子單體的方法可選自由YuyaYamashita所編和IPC出版(September20，1989)的CHEMISTRYANDINDUSTRYOF大分子單體的第二章"Synthesisof大分子單體"中提出的各種制備方法。所述大分子單體的重均分子量優(yōu)選為250至100,000，以及更優(yōu)選400至30,000。在本發(fā)明中，可施加至所述環(huán)氧樹脂層表面的具有至少一個雙鍵的高分子量化合物是具有至少一種烯屬可加聚不飽和基團，諸如乙烯基、烯丙基或(曱基)丙烯酸基作為至少一種可聚合基團的聚合物。所述聚合物在一個或多個末端和側(cè)鏈上具有至少一個可聚合基團，以及優(yōu)選在一個或多個側(cè)鏈之上或之中具有至少一個可聚合基團。具有至少一個雙鍵的高分子量化合物優(yōu)選具有至少一種極性基團，諸如羧基，或至少一種能夠與至少一種待結(jié)合至所述環(huán)氧樹脂層表面的功能性材料相互作用的官能團。具有至少一種可聚合基團的高分子量化合物重均分子量優(yōu)選在500至500,000的范圍內(nèi)，以及更優(yōu)選在1,000至50,000的范圍內(nèi)。將接枝聚合物形成密度提高和通過使用在末端或多個末端和在一個或一個雙鍵和施加至所述環(huán)氧樹脂層表面的化合物，形成均勻且高密度的接枝聚合物。因此，當(dāng)將所述化學(xué)鍍催化劑或其前體提供至表面接枝聚合物時，提高在所述接枝聚合物和所述催化劑或前體之間的粘合密度和能夠獲得優(yōu)良的鍍接受區(qū)城。當(dāng)將具有高密度可聚合基團的大分子單體或聚合物用作具有至少一個雙鍵的化合物以使用已知方法形成接枝聚合物時，在該已知方法中使用聚合引發(fā)劑或使用高能電子束，基本制備出具有降低的可去除性的均聚物。因此，發(fā)現(xiàn)使用具有至少一個雙鍵的化合物使本發(fā)明的效果顯著?？紤]到制備方法，當(dāng)使用施加方法使所述環(huán)氧樹脂層表面與用作具有至少一個雙鍵的化合物的聚合物接觸時，容易形成具有均勻和理想厚度的高分子量涂層。這是因為必需施加含單體涂層溶液的保護層不是必需的。結(jié)果，形成的接枝聚合物具有改進的均勻度。因此，使用聚合物適于大面積導(dǎo)電薄膜生產(chǎn)或大規(guī)模生產(chǎn)。可通過共聚至少一種均具有至少一種官能團的單體和至少一種均具有至少一種可聚合基團的單體(方法(i));共聚至少一種均具有至少一種官能團的單體和至少一種均具有至少一個雙鍵前體位點的單體，以及例如使用堿處理所述雙鍵前體位點以將雙鍵引入所得共聚物(方法(ii));或者使至少一種具有官能團的聚合物與至少一種均具有至少一種可聚合基團的單體反應(yīng)以將雙鍵(即，可聚合基團)引入所述聚合物(方法(iii))合成具有至少一種官能團(相互作用基團)和至少一個雙鍵的高分子量化合物。從合成適用性考慮，優(yōu)選使用方法(ii)或者(iii)合成具有至少一種官能團和至少一個雙鍵的高分子量化合物。用于制備接枝聚合物的具有至少一種官能(相互作用)基團的單體的實例包括(曱基)丙烯酸和堿金屬鹽和其胺鹽、衣康酸和堿金屬鹽和其胺鹽、(曱基)丙烯酸2-羥乙酯、(曱基)丙烯酰胺、N-單羥曱基(曱基)丙烯酰胺、N-二羥曱基(曱基)丙烯酰胺、烯丙胺和其氳卣酸鹽、3-乙烯基丙酸和堿金屬鹽和其胺鹽、乙烯基磺酸和堿金屬鹽和其胺鹽、(曱基)丙烯酸2-磺乙酯、聚氧化亞乙基二醇單(曱基)丙烯酸酯、2-丙烯酰胺-2-曱基丙烷磺酸、酸性磷酸基氧化聚氧化亞乙基二醇單(曱基)丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯烷酮(下面的結(jié)構(gòu))、苯乙烯磺酸鈉和乙烯基苯曱酸。通常，可使用如這樣的具有至少一種諸如羧基、磺基、膦酸基、氨基或其鹽、羥基、氨基、膦基、咪唑基、吡啶基或其鹽、或醚基的官能團的任意單體。將與具有至少一種官能(相互作用)基團的單體共聚的具有至少一種可聚合基團的單體可為(曱基)丙烯酸烯丙基酯或曱基丙烯酸2-烯丙氧基乙酯。具有至少一個雙鍵前體位點的單體可為甲基丙烯酸2-(3-氯-l-氧丙氧基)乙酯或在JP-ANo.2003-335814中描述的任意化合物(i-l至i-60),以及優(yōu)選為下列化合物(i-l)。具有至少一種可聚合基團的單體的實例包括(曱基)丙烯酸、(曱基)丙烯酸縮水甘油酯、歸丙基縮水甘油醚和2-異氰酸根乙基(曱基)丙烯酸酯(2-isocyanatoethyl(meth)acrylate)，該可聚合基團用于將不飽和基團引入具有與可聚合基團反應(yīng)的官能(相互作用)基團(諸如羧基、氨基或其鹽、羥基或者環(huán)氧基)的聚合物。使至少一種均具有至少一種官能團的單體和至少一種均具有至少一個雙鍵前體位點的單體共聚，以及例如用堿處理所述雙4建前體位點以將雙鍵:引入所得共聚物的方法(ii)可為在JP-ANo.2003-335814中描述的方法。表面接枝聚合通常通過表面接枝聚合制備在環(huán)氧樹脂層表面上形成的接枝聚合物。接枝聚合是通過將引發(fā)單體聚合的活性中心提供至高分子量化合物鏈上，以及聚合所述單體進行接枝聚合物的合成。當(dāng)其上提供了活性中心的高分子量化合物形成固體表面時，該聚合特別地稱作表面接枝聚合。在本發(fā)明中，使至少一種均具有至少一個雙鍵的化合物(可聚合基團)與使用本發(fā)明環(huán)氧樹脂組合物獲得的環(huán)氧樹脂層表面接觸，將能量施加至粘附至表面的至少一種化合物以產(chǎn)生活性點，以及使該活性點與化合物的可聚合基團反應(yīng)以導(dǎo)致表面接枝聚合反應(yīng)。此處，在所述環(huán)氧樹脂組合物中包含的光聚合引發(fā)劑起表面接枝聚合引發(fā)劑的作用?？赏ㄟ^將在其上具有環(huán)氧樹脂層的絕緣襯底或者在其上具有第一導(dǎo)電圖案和環(huán)氧樹脂層的絕緣襯底浸漬在包括具有至少一個雙鍵的化合物的液體組合物中，使具有至少一個雙鍵的化合物與含環(huán)氧樹脂的環(huán)氧樹脂層表面接觸。然而，考慮到處理性能、生產(chǎn)效率或?qū)Υ纬傻碾娐返挠绊?，?yōu)選將具有至少一個雙鍵的化合物，或者含所述具有至少一個雙鍵的化合物作為主要組分的組合物施加至所述環(huán)氧樹脂層表面，以便在所述環(huán)氧樹脂層表面上形成包括具有至少一個雙鍵的化合物的層。為抑制不希望的均聚物的產(chǎn)生，優(yōu)選在不存在具有聚合引發(fā)能力的化合物時使具有至少一個雙鍵的化合物與所述環(huán)氧樹脂層表面接觸。當(dāng)僅使具有至少一個雙鍵的化合物與所述環(huán)氧樹脂層表面接觸時，在該表面上無其它化合物共存。然而，當(dāng)將具有至少一個雙鍵的化合物溶解或分散在溶劑中和使所述表面與所得溶液或分散體接觸時，必要的是，所述溶液或分散體不含與聚合反應(yīng)相關(guān)的化合物，諸如聚合引發(fā)劑。因此，優(yōu)選包括具有至少一個雙鍵的化合物和在所述浸漬或施加中使用的組合物僅包括具有至少一個雙鍵的化合物作為主要組分和溶劑或分散介質(zhì)。即使所述組合物包括其它一種或多種化合物，優(yōu)選其它一種或多種化合物只限于用于改進所述液體組合物物理性能，諸如施加性能或者表面性能的表面活性劑。當(dāng)將所述組合物施加至所述環(huán)氧樹脂層時，優(yōu)選干燥所得涂層，以在光輻射之前去除溶劑。必要的是，將作為所述組合物主要組分的具有至少一種可聚合基團的化合物和具有至少一種官能(相互作用)基團的化合物溶解或分散在所述組合物包含的溶劑中，以及對所述溶劑無其它特殊限制。該溶劑優(yōu)選為水性溶劑，諸如水或水溶性溶劑。所述組合物還可包括至少一種表面活性劑。所述溶劑的實例包括醇溶劑，諸如甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、丙三醇和丙二醇單曱醚；酸，諸如乙酸；酮溶劑，-清如丙酮和環(huán)己酮；和酰胺溶劑，諸如曱酰胺和二曱基乙酰胺。以及對該表面活性劑無其它特殊限制。所述表面活性劑的實例包括陰離子表面活性劑，諸如正十二烷基苯磺酸鈉；陽離子表面活性劑，諸如正十二烷基三曱基氯化銨；非離子表面活性劑，諸如聚氧乙烯壬酚醚(例如，KaoCorporation制造的EMULGEN910)、聚氧乙烯失水山梨醇單月桂酸酯(polyoxyethylenesorbitanmonolaurate)(例如，TWEEN20)，以及聚氧化乙烯十二烷基醚。當(dāng)將所述環(huán)氧樹脂層浸在所述液體組合物中時，對所得涂層的厚度無特殊限制。然而，在將所述組合物施加至所述環(huán)氧樹脂層表面中為獲得令人滿意的涂膜，施加的組合物固體物質(zhì)的量優(yōu)選在O.l至10g/m2的范圍內(nèi)，以及更優(yōu)選在0.5至5g/m2的范圍內(nèi)。施加能量通過輻射紫外光或諸如，射線或電子束的輻射射線將能量施加至具有至少一個雙鍵和粘附至所述環(huán)氧樹脂層的化合物，以產(chǎn)生活性點和從該活性點制備接枝聚合物。例如，可使用紫外燈或黑光實施該輻射。除了這些，也可使用汞燈、金屬卣化物燈、氙氣燈、化學(xué)燈或碳弧燈作為光源。此外，可使用g-射線、i-射線和深-紫外射線作為輻射光。施加能量所必需的時間依賴于待制備的接枝聚合物的量和光源的類型。然而，該時間通常在10秒至5小時的范圍內(nèi)。通過使用光源發(fā)出的光輻射整個環(huán)氧樹脂層表面或通過使用光以圖案方式輻射所述環(huán)氧樹脂層將能量施加至所述環(huán)氧樹脂層。為形成高清晰度的圖案，所述光源優(yōu)選為(低壓，中壓，高壓或超高壓)汞燈，該汞燈能夠發(fā)射波長為254nm和365nm的平4亍光束，以及所述輻射方法通常為輻射平行光束的觸點調(diào)準(zhǔn)法(contactalignermethod)?；蛘撸鲚椛浞椒蔀槭褂霉鈱W(xué)系統(tǒng)的光束掃描曝光法，或者使用掩膜的輻射法?？筛鶕?jù)希望的圖案的分辨率選擇所述輻射方法。具體地，使具有圖案開口的掩膜層與所述環(huán)氧樹脂層緊密接觸和在某些情況下通過掩膜層將所述環(huán)氧樹脂層曝光。或者，在某些條件下掃描所述環(huán)氧樹脂層。當(dāng)使用發(fā)射具有相對短波長的紫外光的平行光源，以及具有線寬為100pm或更少、優(yōu)選3至25pm的圖案開口的掩膜時，可形成與掩膜層一致的高清晰度圖案。通過使用諸如水的溶劑清洗襯底(在該襯底上具有已曝光的環(huán)氧樹脂)以去除部分未反應(yīng)的具有至少一個雙鍵的化合物，形成接枝聚合物圖案。在本發(fā)明方法中不形成在本發(fā)明中不希望的均聚物，以及通過使用簡單清洗方法容易去除雜質(zhì)。結(jié)果，根據(jù)輻射條件可形成高清晰度接枝聚合物圖案。所得接枝聚合物膜的厚度優(yōu)選為這樣，使得所述接枝聚合物膜的量在0.1至2.0g/m2的范圍內(nèi)。所述量更優(yōu)選在0.3至l.Og/m2的范圍內(nèi)，以及最優(yōu)選在0.5至1.0g/m2的范圍內(nèi)。由于所述形成了接枝聚合物圖案的區(qū)域關(guān)于化學(xué)鍍催化劑或其前體具有至少一種諸如極性基團或相互作用基團的官能團，在實施化學(xué)鍍中該區(qū)域具有優(yōu)良的鍍接受性能。在本發(fā)明多層布線板制造方法的步驟(c')中，在步驟(b')之前或之后在所述環(huán)氧樹脂層中形成至少一個形成至少一個掩埋通路的通路孔，該掩埋通路用作導(dǎo)電通道的一部分和使下述的第二導(dǎo)電圖案和第一導(dǎo)電圖案電連接?？捎靡阎O(shè)備，諸如鉆床、干等離子體裝置(dryplasmaapparatus),二氧化碳?xì)怏w激光器、紫外激光器或準(zhǔn)分子激光器形成至少一個通路孔。然而，優(yōu)選使用UV-YAG激光器或準(zhǔn)分子激光器實施該形成，以使形成的通路孔能夠具有小的直徑和好的形狀。當(dāng)通過使用例如二氧化碳?xì)怏w激光器發(fā)射的激光束輻射所述環(huán)氧樹脂層以加熱和分解該層形成至少一個通路孔時，優(yōu)選實施表面沾污去除處理。通過實施所述表面沾污去除處理，在隨后的處理中可在所述通路孔中形成更好的導(dǎo)電層。接著，將描述所述導(dǎo)電薄膜形成方法的步驟(c)和(d)、所述導(dǎo)電圖案形成方法的步驟(C)和(D),以及所述多層布線板制造方法的步驟(d')。在所述導(dǎo)電薄膜形成方法的步驟(c)中、所述導(dǎo)電圖案形成方法的步驟(C)中和所述多層布線板制造方法的步驟(d')中，將化學(xué)鍍催化劑或其前體提供至所述接枝聚合物。而且，在所述導(dǎo)電薄膜形成方法的步驟(d)中，以及所述導(dǎo)電圖案形成方法的步驟(D)中，實施化學(xué)鍍以形成導(dǎo)電薄膜或?qū)щ妶D案。將在所述環(huán)氧樹脂層上形成了接枝聚合物的區(qū)域(形成了接枝聚合物的區(qū)域)用作鍍接受區(qū)域。僅在所述形成了接枝聚合物的區(qū)域上選擇性實施化學(xué)鍍。當(dāng)在整個所述環(huán)氧樹脂層表面上形成所述接枝聚合物時，形成導(dǎo)電薄膜。當(dāng)在所述環(huán)氧樹脂層表面上以圖案方式形成所述接枝聚合物時，形成導(dǎo)電圖案。在本發(fā)明多層布線板制造方法的步驟(d')中，實施化學(xué)鍍，以同時形成與所述接枝聚合物圖案一致的第二導(dǎo)電圖案和至少一個使第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案電連接的掩埋通路。因此，形成導(dǎo)電通道。在該步驟中實施的鍍法中，不特殊限制所用金屬的類型，以及可實施已知的化學(xué)鍍，諸如銅鍍或鎳鍍。為實施所述化學(xué)鍍法，可將化學(xué)鍍催化劑或其前體提供至形成了所述接枝聚合物(鏈)的區(qū)域(接枝圖案)，以及可實施化學(xué)鍍法以形成圖案形式的金屬膜。<化學(xué)鍍催化劑>在該步驟中使用的化學(xué)鍍催化劑主要是零價金屬，諸如Pd、Ag、Cu、Ni、Al、Fe或Co。因為良好的處理性能和其高催化能力，在本發(fā)明中該化學(xué)鍍催化劑優(yōu)選為Pd或Ag。為將所述零價金屬固定在所述接枝聚合物圖案上，將具有電荷的金屬膠體提供至所述接枝聚合物圖案，已調(diào)節(jié)該金屬膠體的電荷，使其能夠與所述接枝聚合物圖案的官能團相互作用，所述接枝聚合物圖案的官能團與化學(xué)鍍催化劑或其前體相互作用?？赏ㄟ^制備包含金屬離子和至少一種表面活性劑或具有電荷的保護劑的溶液，以及還原溶液中的金屬離子制備所述金屬膠體?？墒褂帽砻婊钚詣┗虮Ｗo劑調(diào)節(jié)所述金屬膠體的電荷。使該已調(diào)節(jié)電荷的金屬膠體與接枝圖案的官能團相互作用。因此，可使用所述接枝聚合物圖案選擇性吸附所述金屬膠體(化學(xué)鍍催化劑)。<化學(xué)鍍催化劑前體>在該步驟中使用的化學(xué)鍍催化劑前體是可通過化學(xué)反應(yīng)變?yōu)榛瘜W(xué)鍍催化劑的任意物質(zhì)。主要將用作化學(xué)鍍催化劑的零價金屬離子用作化學(xué)鍍催化劑前體。將用作化學(xué)鍍催化劑前體的金屬離子還原以變?yōu)橛米骰瘜W(xué)鍍催化劑的零價金屬?？蓪⒃摻饘匐x子施加至在襯底上布置的環(huán)氧樹脂層上的接枝聚合物圖案上并還原為用作化學(xué)鍍催化劑的零價金屬，以及可將該襯底浸在化學(xué)鍍浴中。或者，可將該金屬離子施加至在襯底上布置的環(huán)氧樹脂層上的接枝聚合物圖案上，以及可將該襯底浸在包括至少一種還原劑的化學(xué)鍍浴中以將所述金屬離子還原為零價金屬(化學(xué)鍍催化劑)和實施化學(xué)鍍。實際上，以金屬鹽的形式使用該用作化學(xué)鍍前體的金屬離子，以及將所述金屬鹽加至所述接枝聚合物圖案。必要的是，所述金屬鹽可溶于適當(dāng)?shù)娜軇┲幸苑蛛x為金屬離子和堿(陰離子)，以及對該金屬鹽無其它特殊限制。其實例包括M(N03)n、MCln、M2,n(S04)和M3/n(P04)。M是n-價金屬離子。所述金屬離子的具體實例包括Ag離子、Cu離子、Al離子、Ni離子、Co離子、Fe離子和Pd離子。從催化能力考慮，所述金屬離子優(yōu)選為Ag離子和/或Pd離子?？扇缦聦⒂米骰瘜W(xué)鍍催化劑的金屬膠體或用作化學(xué)鍍前體的金屬鹽提供至所述接枝聚合物圖案。將所迷金屬膠體分散在適合的分散介質(zhì)中，或?qū)⑺鼋饘冫}溶解在適合溶劑中以制備包含通過離解所述金屬膠體或所述金屬鹽所獲得的金屬離子的分散體或溶液。將所述分散體或溶液施加至所述接枝聚合物圖案，或者將在其上具有所述接枝聚合物圖案的襯底浸在所述分散體或溶液中。使所述接枝聚合物圖案與含金屬離子的分散體或溶液接觸導(dǎo)致所述金屬離子由所述官能(相互作用)基團吸附在所述形成了接枝聚合物的區(qū)域上或者由于離子-離子相互作用或偶極-離子相互作用滲透到所述形成了接枝聚合物的區(qū)域中。為充分進行該吸附或滲透，在所述分散體或溶液中所述金屬離子或鹽的濃度優(yōu)選以質(zhì)量記在1至50%的范圍內(nèi)和更優(yōu)選以質(zhì)量記在10至30°/。的范圍內(nèi)。此外，接觸時間優(yōu)選為約l分鐘至24小時和更優(yōu)選約5分鐘至1小時。通過對在所述絕緣襯底上形成的環(huán)氧樹脂層上布置的和已吸附了所述化學(xué)鍍催化劑或其前體的形成了接枝聚合物的區(qū)域?qū)嵤┗瘜W(xué)鍍，在上述步驟中獲得的接枝聚合物圖案上形成與所述接枝聚合物圖案一致的高密度金屬膜以產(chǎn)生第二導(dǎo)電圖案。結(jié)果，第二導(dǎo)電圖案具有優(yōu)異的導(dǎo)電性和對所述環(huán)氧樹脂層具有強粘合性。<化學(xué)鍍>化學(xué)鍍是沉積溶液(使金屬離子通過化學(xué)反應(yīng)溶解在該溶液中)中金屬的操作。通過，例如用水清洗襯底以去除所述化學(xué)鍍催化劑(例如，金屬)的剩余部分，以及將該襯底浸在化學(xué)鍍浴中實施在該步驟中的化學(xué)鍍，在所述襯底上具有環(huán)氧樹脂層和已提供有化學(xué)鍍催化劑的接枝聚合物圖案。所述化學(xué)鍍浴可具有通常已知的組合物。當(dāng)在襯底上具有環(huán)氧樹脂層和已吸附或浸漬有化學(xué)鍍催化劑前體的接枝聚合物圖案時，用水清洗該襯底以去除所述化學(xué)鍍催化劑前體(例如，金屬鹽)的剩余部分，以及浸在化學(xué)鍍浴中。在這種情況中，將所述前體還原和隨后在所述化學(xué)鍍浴中實施所述化學(xué)鍍。所述化學(xué)鍍浴可具有通常已知的組合物。所述化學(xué)鍍浴主要包括(l)用于鍍的金屬離子、(2)至少一種還原劑和(3)至少一種用于改進所述金屬離子穩(wěn)定性的添加劑(穩(wěn)定劑)。所述化學(xué)鍍浴還可包括已知的其它恭加劑，諸如用于鍍浴的穩(wěn)定劑。將在所述化學(xué)鍍浴中使用的金屬的實例包括銅、錫、鉛、鎳、金、鈀和銠。從良好的導(dǎo)電性考慮，該金屬優(yōu)選為銅或金。選擇所述一種或多種還原劑和一種或多種添加劑，使得最適于所述金屬的類型。例如，銅化學(xué)鍍浴包括Cu(S04)2作為銅鹽，HCOH作為還原劑，以及，用作銅離子穩(wěn)定劑的EDTA或諸如羅謝爾鹽(rochellesalt)的螯合劑作為添加劑。CoNiP化學(xué)鍍浴包括硫酸鈷和硫酸鎳作為金屬鹽，次磷酸鈉作為還原劑，以及丙二酸鈉、蘋果酸鈉和琥珀酸鈉作為絡(luò)合劑。鈀化學(xué)鍍浴包括(Pd(NH3)4)Cl2作為金屬離子，NH3和H2NNH2作為還原劑，以及EDTA作為穩(wěn)定劑。這些鍍浴還可包括其它組分?？赏ㄟ^控制鍍浴中所述金屬鹽或所述金屬離子的濃度、在鍍浴中的浸漬時間和/或鍍浴的溫度控制這樣形成的金屬膜的厚度。考慮到導(dǎo)電性，所述金屬膜厚度優(yōu)選為0.5nm或更多，以及更優(yōu)選0.3nm或更多。在鍍浴中的浸漬時間優(yōu)選在約1分鐘至3小時的范圍內(nèi)，以及更優(yōu)選在約1分鐘至1小時的范圍內(nèi)。電鍍方法在本發(fā)明中，可在化學(xué)鍍之后實施電鍍。在實施所述電鍍中，將通過實施所述化學(xué)鍍形成的金屬膜用作電極。在這種情況中，可容易地在與襯底具有強粘合性的金屬(導(dǎo)電)圖案上形成具有理想厚度的金屬圖案。即，該步驟能根據(jù)例如布線板的目的形成具有理想厚度和特性的金屬(導(dǎo)電)圖案。可使用常規(guī)已知的方法實施電鍍。在所述電鍍中使用的金屬的實例包括銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫和鋅?？紤]到導(dǎo)電性，該金屬優(yōu)選為銅、金或銀，以及更優(yōu)選為銅。使用所述電鍍獲得的金屬膜的理想厚度依賴于用作最終產(chǎn)品的布線板的使用?？赏ㄟ^調(diào)節(jié)鍍浴中金屬的濃度、浸漬時間和/或電流密度控制所述金屬膜的厚度。當(dāng)所述布線板用作布線時，從導(dǎo)電性考慮，所述金屬膜的厚度優(yōu)選為0.3pm或更多，以及更優(yōu)選3pm或更多。根據(jù)所述多層布線板制造方法，將由導(dǎo)電材料制成的第二導(dǎo)電圖案化學(xué)結(jié)合至接枝聚合物圖案，該接枝聚合物圖案與通過使用本發(fā)明環(huán)氧樹脂組合物獲得和與村底具有強粘合性的環(huán)氧樹脂層具有強粘合性。因此，所述環(huán)氧樹脂層和第二導(dǎo)電圖案的粘合強度實際上很高，甚至當(dāng)絕緣襯底和在絕緣襯底上提供的環(huán)氧樹脂層具有高度光滑度。而且，在步驟(C)中形成的至少一個通路孔填充有導(dǎo)電材料以在該步驟中產(chǎn)生至少一個掩埋通路。換句話說，同時實施第二導(dǎo)電圖案的形成和使第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案電連接的掩埋通路的形成，以形成導(dǎo)電通道。所述導(dǎo)電材料的具體實例包括，包含金屬元素，諸如銅、鎳、鉻、鈦、鋁、鉬、鵠、鋅、錫、銦、金和銀，以及其合金(例如，鎳鉻合金)的金屬材料；導(dǎo)電高分子量材料，諸如聚吡咯和聚噻吩；和非金屬無機導(dǎo)電材料，諸如石墨和導(dǎo)電陶瓷。使用化學(xué)鍍法或涂布法使所述通路孔填充有所述導(dǎo)電材料。根據(jù)這些方法，可使微空間諸如通路孔中的空間相對均勻和容易地填充有導(dǎo)電材料。例如，當(dāng)所述掩埋通路由至少一種上述金屬材料制成時，優(yōu)選將催化劑提供至通路孔內(nèi)部和實施化學(xué)金屬鍍(化學(xué)鍍)。當(dāng)在接枝聚合物表面上實施金屬鍍時，優(yōu)選在所述通路孔中同時實施金屬鍍。當(dāng)所述掩埋通路由至少一種導(dǎo)電高分子量材料制成時，采用化學(xué)鍍法或者涂布法形成所述掩埋通路。在所迷化學(xué)鍍法中，可將適當(dāng)?shù)难趸瘎┨峁┲翆訅后w中形成的通路孔內(nèi)部和然后可將該層壓體浸在包括吡咯或瘞吩作為單體的溶液中。在涂布法中，通過將諸如聚吡咯或聚-l，4-dioxithiophene的導(dǎo)電高分子量材料溶解在溶劑中獲得的溶液可施加至接枝聚合物層和通路孑L內(nèi)部。當(dāng)所述掩埋通路由至少一種非金屬無機導(dǎo)電材料諸如石墨制成時，優(yōu)選采用不使用催化劑的化學(xué)鍍法。例如，為進行石墨鍍，可用預(yù)處理液體處理在層壓體中形成的通路孔表面和可將所述層壓體浸在石墨分散液體中?？稍谠摲椒ㄖ惺褂玫氖円旱湫偷厥荕ecCo.，Ltd.生產(chǎn)的DIRECTPLATING(注冊的商標(biāo)名)。所述石墨鍍液是一套預(yù)處理液(MECSPROCESSSP-6560)和石墨分散液(MECSPROCESSSP-6601)為制造具有三層或更多層的多層布線板，重復(fù)與步驟(a')至(d')相同的步驟，除了所述環(huán)氧樹脂層由相應(yīng)的環(huán)氧樹脂層(例如，第二環(huán)氧樹脂層)代替和第一導(dǎo)電圖案由相應(yīng)的導(dǎo)電圖案(例如，第二導(dǎo)電圖案)代替和第二導(dǎo)電圖案由相應(yīng)的導(dǎo)電圖案(例如，第三導(dǎo)電圖案)代替。在本發(fā)明多層布線板制造方法中，優(yōu)選第二導(dǎo)電圖案和任選的第三導(dǎo)電圖案分別在均具有光滑表面的環(huán)氧樹脂層上形成。在這種情況中，使用本發(fā)明方法制造的多層布線板的第二和第三導(dǎo)電圖案緊密結(jié)合至光滑襯底，不同于在使用常規(guī)方法制造的表面粗糙的樹脂襯底上形成的化學(xué)鍍金屬層。因此，本發(fā)明能形成高清晰度導(dǎo)電圖案的方法可形成具有強粘合性和均勻特性、無襯底表面的粗糙引起的干擾細(xì)線和與設(shè)計精確符合的電路。在本發(fā)明多層布線板制造方法中，當(dāng)形成電路時容易得到絕緣特性。具體地，由于在常規(guī)半加成法中，將化學(xué)銅鍍或化學(xué)銅鍍催化劑提供至絕緣襯底的整個表面，所述金屬容易殘留，以及，因此，所得布線板的線間絕緣性質(zhì)容易降低。相反，由于在本發(fā)明制造方法中將化學(xué)銅鍍或化學(xué)銅鍍催化劑提供至布線必需的圖案，而不是絕緣襯底整個表面，化學(xué)銅鍍或催化劑不殘留在所述圖案以外的部分上，這些部分將會是絕緣的。因此，可用本發(fā)明布線板制造方法形成與襯底具有強粘合性和具有優(yōu)異絕緣性能的高密度電路(布線)。由于沒有必要實施諸如抗蝕劑施加或蝕刻的復(fù)雜步驟，以及不用蝕刻即可形成高清晰度圖案，不需要處理蝕刻廢水。即，從環(huán)境考慮，本發(fā)明制造方法是優(yōu)選的。根據(jù)本發(fā)明所述導(dǎo)電圖案形成方法，以及所述導(dǎo)電薄膜形成方法，通過將能量施加至使用本發(fā)明環(huán)氧樹脂組合物所獲得的環(huán)氧樹脂層整個表面或者以圖案方式施加至所述環(huán)氧樹脂層表面以產(chǎn)生活性點形成接枝聚合物。當(dāng)形成所述接枝聚合物時，包含在所述環(huán)氧樹脂層中的光聚合引發(fā)劑起聚合引發(fā)劑的作用。因此，所述接枝聚合物層或者在所述環(huán)氧樹脂層上形成的接枝聚合物圖案經(jīng)所述環(huán)氧樹脂層化學(xué)地和緊密地結(jié)合至絕緣襯底。結(jié)果，所述導(dǎo)電薄膜和所述導(dǎo)電圖案的每個的粘合強度實際上是足夠的，即使所述絕緣襯底具有高光滑度。實施例下面，將參考實施例和對比例更詳細(xì)地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明不受實施例和對比例的限制。術(shù)語"份"表示"質(zhì)量份"，除非在本申請中另有說明。實施例1第一，使用相減法(subtractivemethod)在玻璃環(huán)氧敷銅箔疊片上形成第一電路層(第一導(dǎo)電圖案)。接著，用幕涂機將下列材料施加至第一電路層，以及將所得涂層在'110。C干燥20分鐘，以及在170。C固化30分鐘以形成厚度為45pm的環(huán)氧樹脂層(步驟(a'))。環(huán)氧樹脂層組合物(A)環(huán)氧樹脂(JapanEpoxyResinsCo.，Ltd.制造的EPICOAT806，環(huán)氧當(dāng)量為167)16.7質(zhì)量份(B)氨基三"秦酚醛;青漆初于月旨(DaiNipponInkandChemicals.Incorporated制造的PHENOLITELA7052，不揮發(fā)物含量為62質(zhì)量％,不揮發(fā)性酚羥基當(dāng)量(nonvolatilephenolichydroxylequivalence)為120)6.6質(zhì)量份(C)苯氧基樹脂(TohtoKaseiCo.,Ltd.制造的FX293,不揮發(fā)物含量為40質(zhì)量％)30.5質(zhì)量份(D)2-乙基-4-甲基咪唑(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)0.18質(zhì)量份(E)環(huán)己酮(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)23質(zhì)量份(F)聚合引發(fā)劑A(重均分子量為46000)3.5質(zhì)量份所述聚合引發(fā)劑A是包含在本發(fā)明環(huán)氧樹脂組合物中的光聚合引發(fā)劑，以及可使用JP-ANo.H09-77891中描述的方法合成。所述聚合引發(fā)劑A在所述環(huán)氧樹脂層總固體含量中的含量是9.5質(zhì)量%。聚合引發(fā)劑A<formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula>所形成的環(huán)氧樹脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg是175。C，以及其線性熱膨脹系數(shù)是40ppm，以及其斷裂伸長率是9%。在1GHz所述環(huán)氧樹脂層的介電損耗因子是0.025，以及在1GHz其介電常數(shù)是3.0。使用TMA法測量玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg。在該法中，以5。C/分鐘的升溫速率加熱樣品，以及用熱分析儀測量所述樣品在它的厚度方向上的熱膨脹量。接著，根據(jù)測量值畫出顯示溫度和熱膨脹量之間關(guān)系的圖。分別在玻璃化轉(zhuǎn)變溫度之前和之后的每個曲線上畫出切線，以及這些切線彼此相交的點被認(rèn)為是樣品的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。所述樣品具有4mm的寬度和30mm的長度和從所述環(huán)氧樹脂層切割。用設(shè)備(即，TAInstruments制造的TMAQ400)進行該測量，栽荷為0.03N，夾頭之間的距離為15mm,在25°C至250。C的溫度范圍內(nèi)升溫速率為5°C/分鐘。從測量結(jié)果獲得在等于或低于所述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度所述樣品的線性熱膨脹系數(shù)。使用在18thJIEPAnnualMeeting,2004，p189的摘要中描述的方法測量所述環(huán)氧樹脂的介電常數(shù)和介電損耗因子，其中使用了KeycomCo.，Ltd制造的用于測量超薄片sr和tan5的設(shè)備和體系和使用了空腔共振擾動法。使用TENSILON(即，Orientec，Co.,Ltd.制造的RTM-50)測量所述環(huán)氧樹脂層的斷裂伸長率，十字頭速度(crossheadspeed)為10mm/分鐘，夾頭間的距離為50mm，樣品寬度為4mm，溫度為室溫(23。C),相對濕度(RH)為50%。持續(xù)測量直到所述樣品斷裂。獲得斷裂點的應(yīng)力和伸長率。使用二氧化碳?xì)怏w激光器在步驟(a)中獲得的環(huán)氧樹脂層中形成通路孔(步驟(c))。此處，脈沖寬度為15/12/5nS，以及發(fā)射(shots)數(shù)目為1/1/1(HitachiViaMechanics,Ltd.制造的激光加工才幾LCO-1B21)此后，在下列條件下將具有雙鍵的高分子量化合物施加至所述環(huán)氧樹脂層表面(步驟(b))。具有雙鍵的高分子量化合物的施加使用弁6棒(rodbar#6)將包含具有至少一個丙烯酸基，以及具有至少一個羧基，以及在一個或多個側(cè)鏈之上或之中具有至少一種可聚合基團的親水聚合物(根據(jù)下述的合成方法獲得的P-l)作為具有雙鍵的化合物的水溶液施加至所述環(huán)氧樹脂層，以及將所得涂層在100°C干燥1分鐘以形成厚度為2pm的接枝聚合物前體層。具有聚合基團的化合物(接枝前體聚合物的施加)<涂布組合物液體1>在側(cè)鏈中具有可聚合基團的親水聚合物(P-1)3.1g水24.6gl-曱氧基-2-丙醇12.3g在側(cè)鏈中具有可聚合基團的親水聚合物(P-1)的合成將18g聚丙烯酸(平均分子量為25，000)溶解在300g二曱基乙酰胺(DMAC)中，以及將0.41g氫醌、19.4g2-曱基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯和0.25g二月桂酸二丁錫加至所得溶液和在65。C反應(yīng)4小時。所得聚合物的酸值為7.02meq/g。接著，用1摩爾/升(lN)氬氧化鈉水溶液中和該聚合物的羧基，以及將乙酸乙酯加至所述反應(yīng)體系以使所述聚合物沉淀。充分洗滌該聚合物，獲得18.4g在側(cè)鏈之中或之上具有可聚合基團的親水聚合物(P-l)。曝光導(dǎo)致的接枝聚合物形成將具有與電路圖案一致的圖案的掩膜與所述村底緊密接觸，以及在下列條件下通過掩膜將能量施加至聚合物(P-1)層表面以獲得半成品，在該半成品中接枝聚合物圖案直接結(jié)合至所述環(huán)氧樹脂層。通過在氬氣氛中用1500W高壓汞燈(UshioInc.制造的、波長為254nm的、光密度為38mW/cm2的光輻射表面5分鐘進行施加能量。在輻射光之后，用去離子水充分洗滌所述襯底。此后，將該襯底浸在5wt。/。碳酸氫鈉溶液中5分鐘，然后用水洗滌?；瘜W(xué)鍍將所述襯底浸在1質(zhì)量。/。硝酸銀水溶液(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)中1分鐘，以及用蒸餾水洗滌。然后在具有下列組合物的化學(xué)鍍浴中在60。C對襯底實施化學(xué)鍍20分鐘。<化學(xué)鍍浴組合物>蒸餾水180ml五水合-克酸銅1.9gEDTA'2Na5.6gNaOH1.6gPEG10000.02gFormalin1.0g電鍍?nèi)缓笥?A/dm2的電流密度在具有下列組合物的電鍍浴中對所述襯底實施電鍍20分鐘以形成厚度為8的電解銅鍍層，以及在150°C堅膜(post-baked)該電解銅鍍層60分鐘。因此，獲得第二電路層和制造了多層布線板。已證實，所述多層布線板具有掩埋通路，該掩埋通if各通過在實施電鍍中用銅填充所迷通路孔獲得和作為導(dǎo)電電路的一部分。<電鍍浴組合物>蒸餾水1300ml五水合-克酸銅133g濃石克酸340g鹽酸0.25mlCopperGleamPCM(MeltexInc.制造)9ml實施例2除了使用下列材料形成環(huán)氧樹脂層以外，使用與實施例1中相同的方式制造多層布線板。環(huán)氧樹脂層組合物.(A)環(huán)氧樹脂(NipponKayakuCo.，Ltd.制造的NC3000，環(huán)氧當(dāng)量為275)30質(zhì)量4分(B)氨基三嗪酚醛清漆樹脂(DaiNipponInkandChemicals,Incorporated制造的PHENOLITELA7052，不揮發(fā)物含量為62質(zhì)量％，以及不揮發(fā)性酚羥基當(dāng)量為120)7.1質(zhì)量份(C)苯氧基樹脂(TohtoKaseiCo.,Ltd.制造的YP-50EK35,不揮發(fā)物含量為35質(zhì)量％)50質(zhì)量份(D)2-乙基-4-曱基咪唑(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)0.29質(zhì)量份(E)環(huán)己酮(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)40質(zhì)量l分(F)IRGACURE2959(CibaSpecialtyChemicalsK.K.制造)5.8質(zhì)量份在所述環(huán)氧樹脂層的總固體含量中，用作聚合引發(fā)劑的IRGACURE2959的含量為10質(zhì)量％。OCH3IRGACURE2959在實施例2中，所述環(huán)氧樹脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg為170°C，以及在1GHz其線性熱膨脹系數(shù)為60ppm,以及其斷裂伸長率為11%。在1GHz所述環(huán)氧樹脂層的介電損耗因子為0.027,以及在1GHz其介電常數(shù)為3.0。用與實施例1中相同的方式測量玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg、線性熱膨脹系數(shù)、斷裂伸長率、介電損耗因子和介電常數(shù)。實施例3除了使用下列材料形成環(huán)氧樹脂層以外，使用與實施例1中相同的方式制造多層布線板。環(huán)氧樹脂層組合物(A)環(huán)氧樹脂(JapanEpoxyResinsCo"Ltd.制造的EPICOAT807,環(huán)氧當(dāng)量為170)16.7質(zhì)量份(B)氨基三。秦酚醛;青漆杉十月旨(DaiNipponInkandChemicals,Incorporated制造的PHENOLITELA7052，不揮發(fā)物含量為62質(zhì)量％，不揮發(fā)性酚輕基當(dāng)量為120)6.6質(zhì)量份(C)苯氧基樹脂(TohtoKaseiCo.,Ltd.制造的FX293,不揮發(fā)物含量為40質(zhì)量％)32質(zhì)量份(D)2國乙基-4-曱基咪唑(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)0.18質(zhì)量份(E)曱基乙基酮(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)60質(zhì)量4分(F)聚合引發(fā)劑B(重均分子量為35,000)6質(zhì)量份(G)球形二氧化硅」微粒(平均粒徑為1pm，以及使用氨基硅烷處理)25質(zhì)量份可使用JP-ANo.H09-77891中描述的方法合成聚合引發(fā)劑B。在所述環(huán)氧樹脂層的總固體含量中聚合引發(fā)劑B的含量為9.3質(zhì)量％。聚合引發(fā)劑B在實施例3中，所述環(huán)氧樹脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg為172°C，以及在1GHz其線性熱膨脹系數(shù)為38ppm，以及其斷裂伸長率為9%。在1GHz所述環(huán)氧樹脂層的介電損耗因子為0.026，以及在1GHz其介電常數(shù)為3.0。用與實施例1中相同的方式測量玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg、線性熱膨脹系數(shù)、斷裂伸長率、介電損耗因子和介電常數(shù)。實施例4除了使用下列材料形成環(huán)氧樹脂層以外，使用與實施例1中相同的方式制造多層布線板。環(huán)氧樹脂層組合物(A)環(huán)氧樹脂(JapanEpoxyResinsCo"Ltd.制造的EPICOAT806,環(huán)氧equivalence為167)16.7質(zhì)量份(B)氨基三口秦酚醛清漆樹月旨(DaiNipponInkandChemicals,Incorporated制造的PHENOLITELA7052，不揮發(fā)物含量為62質(zhì)量％，不揮發(fā)性酚羥基當(dāng)量為120)6.6質(zhì)量份(C)苯氧基樹脂(TohtoKaseiCo.,Ltd.制造的FX293,不揮發(fā)物含量為40質(zhì)量％)32質(zhì)量份(D)2-乙基-4-曱基咪唑(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)0.18質(zhì)量份(E)環(huán)己酮(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)60質(zhì)量份(F)聚合引發(fā)劑A(重均分子量為46,000)6質(zhì)量份(G)球形二氧化硅纟效粒(平均粒徑為1pm,以及用氨基硅烷處理)25質(zhì)量份在所述環(huán)氧樹脂層的總固體含量中所述聚合引發(fā)劑A的含量為9.3質(zhì)量％。在實施例4中，所述環(huán)氧樹脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg為168°C，以及在1GHz其線性熱膨脹系數(shù)為37ppm，以及其斷裂伸長率為9%。在1GHz所述環(huán)氧樹脂層的介電損耗因子為0.028,以及在1GHz其介電常數(shù)為3.1。用與實施例1中相同的方式測量玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg、線性熱膨脹系數(shù)、斷裂伸長率、介電損耗因子和介電常數(shù)。實施例5用涂布棒將在實施例1中使用的形成環(huán)氧樹脂層的材料施加至聚酰亞胺膜(DuPont-TorayCo.,Ltd.制造的KAPTON500H,厚度為128pm)，以及將所得涂層在170°C固化30分鐘以形成厚度為8nm的環(huán)氧樹脂層。在實施例5中，所述環(huán)氧樹脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg為173。C，以及在1GHz其線性熱膨脹系數(shù)為41ppm，以及其斷裂伸長率為10%。在1GHz所述環(huán)氧樹脂層的介電損耗因子為0.026，以及在1GHz其介電常數(shù)為3.1。用與實施例1中相同的方式測量玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg、線性熱膨脹系數(shù)、斷裂伸長率、介電損耗因子和介電常數(shù)。用與實施例1中相同的方式將具有雙鍵的高分子量化合物施加至所述環(huán)氧樹脂層表面。曝光導(dǎo)致的接枝聚合物形成在下列條件下將能量施加至整個所述環(huán)氧樹脂層表面以獲得半成品，在該半成品中接枝聚合物直接結(jié)合至所述環(huán)氧樹脂層。通過在氬氣氛中用1500W高壓汞燈(UshioInc.制造的UVX-02516S1LP01)發(fā)出的、波長為254nm的、光密度為38mW/cmS的光輻射表面5分鐘進行施加能量。在輻射光之后，用去離子水充分洗滌所述襯底。此后，將該襯底浸在5wt%碳酸氫鈉溶液中5分鐘，然后用水洗滌?；瘜W(xué)鍍將所述襯底浸在1質(zhì)量％硝酸銀水溶液(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)中1分鐘，以及用蒸餾水洗滌。然后在具有與實施例1中相同組合物的化學(xué)鍍浴中在60。C對襯底實施化學(xué)鍍20分鐘。電鍍?nèi)缓笥?A/dn^的電流密度在具有與實施例1中相同組合物的電鍍浴中對所述襯底實施電鍍20分鐘以形成厚度為8pm的電解銅鍍層，以及在100。C堅膜該電解銅鍍層60分鐘。因此，形成導(dǎo)電薄膜。實施例6除了使用下列材料形成環(huán)氧樹脂層以外，用與實施例5中相同的方式制造導(dǎo)電薄膜。環(huán)氧樹脂層組合物(A)聚合引發(fā)劑A(重均分子量為46,000的環(huán)氧樹脂)2質(zhì)量份(B)雙酚-F(TokyoChemicalIndustryCo.Ltd.制造)2.4質(zhì)量份(C)曱基乙基酮(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)15.6質(zhì)量份(D)2腸乙基-4-曱基咪唑(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)0.02質(zhì)量份在實施例6中，所述環(huán)氧樹脂層的厚度約為3pm。所述環(huán)氧樹脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg為151°C,以及在1GHz其線性熱膨脹系數(shù)為77ppm，以及其斷裂伸長率為6°/。。在1GHz所述環(huán)氧樹脂層的介電損耗因子為0.028，以及在1GHz其介電常數(shù)為3.3。用與實施例1中相同的方式測量玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg、線性熱膨脹系數(shù)、斷裂伸長率、介電損耗因子和介電常數(shù)。實施例7除了使用下列材料形成環(huán)氧樹脂層以外，用與實施例5中相同的方式制造導(dǎo)電薄膜。環(huán)氧樹脂層組合物(A)聚合引發(fā)劑A(重均分子量為46,000的環(huán)氧樹脂)2質(zhì)量份(B)4,4'-二氨基二苯石風(fēng)(TokyoChemicalIndustryCo"Ltd.制造)2.4質(zhì)量份(C)甲基乙基酮(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)15.6質(zhì)量份(D)2-乙基-4-曱基咪唑(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)0.02質(zhì)量份在實施例7中，所述環(huán)氧樹脂層的厚度約為3pm。所述環(huán)氧樹脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg為156。C,以及在1GHz其線性熱膨脹系數(shù)為70ppm,以及其斷裂伸長率為7%。在1GHz所述環(huán)氧樹脂層的介電損耗因子為0.027，以及在1GHz其介電常數(shù)為3.4。用與實施例1中相同的方式測量玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg、線性熱膨脹系數(shù)、斷裂伸長率、介電損耗因子和介電常數(shù)。實施例8用涂布棒將在實施例1中使用的形成環(huán)氧樹脂層的材料施加至聚酰亞胺膜(DuPont-TorayCo.,Ltd.制造的KAPTON500H，厚度為128pm),以及將所得涂層在170°C固化30分鐘以形成厚度為8pm的環(huán)氧樹脂層。用與實施例1中相同的方式將具有雙鍵的高分子量化合物施加至所述環(huán)氧樹脂層表面。曝光引起的接枝聚合物形成將具有與電路圖案一致的圖案的掩膜與所述村底緊密接觸，以及在下列條件下通過掩膜將能量施加至所述環(huán)氧樹脂層以獲得半成品，在該半成品中接枝聚合物圖案直接結(jié)合至所述環(huán)氧樹脂層。通過在氬氣氛中用1500W高壓汞燈(UshioInc.制造的UVX-02516S1LP01)發(fā)出的、波長為254nm的、光密度為38mW/cm2的光輻射表面5分鐘進行施加能量。在輻射光之后，用去離子水充分洗滌所述襯底。此后，將該襯底浸在5wt%碳酸氫鈉溶液中5分鐘，然后用水洗滌?；瘜W(xué)鍍將所述襯底^^在4質(zhì)量l^^銀水溶液(Wak0^tir^Gheffliealrfedustries，Ltd.制造)中1分鐘，以及用蒸餾水洗滌。然后在具有與實施例1中相同組銅鍍層。然后，在100。C將所得電鍍堅膜60分鐘以形成導(dǎo)電圖案。對比例1除了不使用聚合引發(fā)劑A以外，用與實施例1中相同的方式制造多層布線板。對比例2除了不使用聚合引發(fā)劑(IRGACURE2959)以外，用與實施例2中相同的方式制造多層布線板。對比例3除了不使用聚合引發(fā)劑A以外，用與實施例5中相同的方式制造導(dǎo)電薄膜。對比例4除了不使用聚合引發(fā)劑A以外，用與實施例8中相同的方式制造導(dǎo)電圖案。如下測量在實施例l至8和對比例1至4中獲得的導(dǎo)電薄膜、導(dǎo)電圖案和多層布線板的剝離強度和表面電阻值。根據(jù)JISC6481使用設(shè)備TENSILON(OrientecCo.，Ltd.制造的RTM-100)測量導(dǎo)體(導(dǎo)電圖案)的最大和最小剝離強度，以及使用最大和最小值的平均值作為所述導(dǎo)體的剝離強度。根據(jù)JISK7194使用表面電阻測量設(shè)備(MitsubishiChemicalCorporation制造的LORESTA-EPModelNo.MCP-T360)通過四點探針法測量表面電阻值。在表2中顯示測量結(jié)果。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage60</column></row><table>從表2中顯示的結(jié)果清楚地看出，已證實，與不使用聚合引發(fā)劑的對比例1至4中對應(yīng)的導(dǎo)體或?qū)щ妶D案剝離強度相比，在實施例1至8中制造的多層布線板、導(dǎo)電薄膜和導(dǎo)電圖案的每個均具有更高的導(dǎo)體或?qū)щ妶D案剝離強度。還證實，本冬明所有的多層布線板在通過掩埋通路連接的導(dǎo)體之間均具有高的電連接可靠性。權(quán)利要求1.一種熱固性環(huán)氧樹脂組合物，其包括在一個分子中具有兩個或多個環(huán)氧基的環(huán)氧樹脂；在一個分子中具有兩個或多個官能團的固化劑，該官能團與所述環(huán)氧基反應(yīng)；和光聚合引發(fā)劑。2.如權(quán)利要求1所述的熱固性環(huán)氧樹脂組合物，其中所述環(huán)氧樹脂包括具有光聚合引發(fā)能力的結(jié)構(gòu)作為部分結(jié)構(gòu)。3.如權(quán)利要求1所述的熱固性環(huán)氧樹脂組合物，其中所述光聚合引發(fā)劑是高分子量化合物。4.如權(quán)利要求1所述的熱固性環(huán)氧樹脂組合物，其中所述固化劑是包含羥基或氨基的化合物。5.—種導(dǎo)電薄膜形成方法，其包括(a)在絕緣襯底上形成包含權(quán)利要求1所述的熱固性環(huán)氧樹脂組合物的環(huán)氧樹脂層；(b)通過將能量施加至整個環(huán)氧樹脂層表面，并將具有與化學(xué)鍍催化劑或其前體反應(yīng)的官能團的聚合物結(jié)合至整個表面，在所述環(huán)氧樹脂層表面上形成接枝聚合物；(c)將該化學(xué)鍍催化劑或其前體提供至該接枝聚合物；和(d)通過實施化學(xué)鍍形成導(dǎo)電薄膜。6.如權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電薄膜形成方法，其中通過引入具有雙鍵的化合物和具有與所述化學(xué)鍍催化劑或其前體反應(yīng)的官能團的化合物使其與所述環(huán)氧樹脂層接觸，將能量施加至整個環(huán)氧樹脂層表面以產(chǎn)生活性點，以及使用活性點作為起始點，使具有雙鍵的化合物和具有與所述化學(xué)鍍催化劑或其前體反應(yīng)的官能團的化合物聚合，所述接枝聚合物在所述環(huán)氧樹脂層表面上形成，且直接結(jié)合至所述環(huán)氧樹脂層表面。7.如權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電薄膜形成方法，還包括在形成所述導(dǎo)電薄膜之后實施電鍍。8.如權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電薄膜形成方法，其中所述環(huán)氧樹脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg在150。C至230。C的范圍內(nèi)。9.如權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電薄膜形成方法，其中在等于或低于所述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg的溫度，所述環(huán)氧樹脂層的線性熱膨脹系數(shù)在20ppm至80ppm的范圍內(nèi)。10.如權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電薄膜形成方法，其中所述環(huán)氧樹脂層的斷裂伸長率在5%至15%的范圍內(nèi)。11.如權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電薄膜形成方法，其中所述環(huán)氧樹脂層的介電正切在1GHz是0.004至0.03。12.如權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電薄膜形成方法，其中所述環(huán)氧樹脂層的介電常數(shù)在1GHz是2.5至3.5。13.—種導(dǎo)電圖案形成方法，其包括(A)在絕緣村底上形成包含權(quán)利要求1的熱固性環(huán)氧樹脂組合物的環(huán)氧樹脂層；(B)通過以圖案方式將能量施加至所述環(huán)氧樹脂層表面，并使具有與化學(xué)鍍催化劑或其前體反應(yīng)的官能團的聚合物結(jié)合至已施加能量的環(huán)氧樹脂層部分，在所述環(huán)氧樹脂層表面上形成接枝聚合物；(C)將所述化學(xué)鍍催化劑或其前體提供至所述接枝聚合物；和(D)通過實施化學(xué)鍍形成導(dǎo)電圖案。14.如權(quán)利要求13所述的導(dǎo)電圖案形成方法，其中通過引入具有雙鍵的化合物和具有與所述化學(xué)鍍催化劑或其前體反應(yīng)的官能團的化合物使其與所述環(huán)氧樹脂層接觸，以圖案方式將能量施加至所述環(huán)氧樹脂層表面以產(chǎn)生活性點，以及使用活性點作為起始點，使具有雙鍵的化合物和具有與所述化學(xué)鍍催化劑或其前體反應(yīng)的官能團的化合物聚合，所述接枝聚合物在所述環(huán)氧樹脂層表面上形成，且直接結(jié)合至所述環(huán)氧樹脂層表面。15.如權(quán)利要求13所述的導(dǎo)電圖案形成方法，還包括在形成所述導(dǎo)電薄膜之后實施電鍍。16.如權(quán)利要求13所述的導(dǎo)電圖案形成方法，其中所述環(huán)氧樹脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg在150。C至230°C的范圍內(nèi)。17.如權(quán)利要求13所述的導(dǎo)電圖案形成方法，其中在等于或低于所述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg的溫度，所述環(huán)氧樹脂層的線性熱膨脹系數(shù)在20ppm至80ppm的范圍內(nèi)。18.如權(quán)利要求13所述的導(dǎo)電圖案形成方法，其中所述環(huán)氧樹脂層的斷裂伸長率在5%至15°/。的范圍內(nèi)。19.如權(quán)利要求13所述的導(dǎo)電圖案形成方法，其中所述環(huán)氧樹脂層的介電正切在1GHz是0.004至0.03。20.如權(quán)利要求13所述的導(dǎo)電圖案形成方法，其中所述環(huán)氧樹脂層的介電常數(shù)在1GHz是2.5至3.5。21.—種多層布線板制造方法，其包括(a')在絕緣襯底上形成的第一導(dǎo)電圖案上形成包含權(quán)利要求1的熱固性環(huán)氧樹脂組合物的環(huán)氧樹脂層；(b')通過施加具有雙鍵的化合物和具有與化學(xué)鍍催化劑或其前體相互作用的官能團的化合物，并使用紫外光以圖案方式輻射所述環(huán)氧樹脂層表面，在所述環(huán)氧樹脂層上形成接枝聚合物圖案；(c')在所述環(huán)氧樹脂層上形成所述接枝聚合物圖案之前或之后在所述環(huán)氧樹脂層中形成通路孔；和(d')通過對所述環(huán)氧樹脂層實施化學(xué)鍍，從而形成與該接枝聚合物圖案一致的第二導(dǎo)電圖案和使第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案電連接的掩埋通路，以形成導(dǎo)電通路。22.如權(quán)利要求21所述的多層布線板制造方法，其中在所述環(huán)氧樹脂層上形成的接枝聚合物圖案包括存在接枝聚合物的第一區(qū)域和不存在接枝聚合物的第二區(qū)域，且所述第二導(dǎo)電圖案是在該第一區(qū)域上選擇形成的鍍膜。23.如權(quán)利要求21所述的多層布線板制造方法，其中所述環(huán)氧樹脂層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg在150°C至230°C的范圍內(nèi)。24.如權(quán)利要求21所述的多層布線板制造方法，其中在等于或低于所述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg的溫度，所述環(huán)氧樹脂層的線性熱膨脹系數(shù)在20ppm至80ppm的范圍內(nèi)。25.如權(quán)利要求21所述的多層布線板制造方法，其中所述環(huán)氧樹脂層的斷裂伸長率在5%至15%的范圍內(nèi)。26.如權(quán)利要求21所述的多層布線板制造方法，其中所述環(huán)氧樹脂層的介電正切在1GHz是0.004至0.03。27.如權(quán)利要求21所述的多層布線板制造方法，其中所述環(huán)氧樹脂層的介電常數(shù)在1GHz是2.5至3.5。全文摘要本發(fā)明披露了包括在一個分子中具有兩個或多個環(huán)氧基的環(huán)氧樹脂、在一個分子中具有兩個或多個與環(huán)氧基反應(yīng)的官能團的固化劑和光聚合引發(fā)劑的熱固性環(huán)氧樹脂組合物，以及形成導(dǎo)電薄膜的方法，形成導(dǎo)電圖案的方法，以及使用所述環(huán)氧樹脂組合物的多層布線板的制造方法。文檔編號C08G59/68GK101300284SQ200680041099公開日2008年11月5日申請日期2006年11月6日優(yōu)先權(quán)日2005年11月4日發(fā)明者佐藤弘司申請人:富士膠片株式會社