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一種半導(dǎo)體用超純電子級化學(xué)試劑純化裝置制造方法

文檔序號:3482903閱讀:303來源:國知局
一種半導(dǎo)體用超純電子級化學(xué)試劑純化裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體用超純電子級化學(xué)試劑純化裝置,包括物料儲罐、恒溫水浴槽、真空蒸餾塔、壓力表、壓縮機(jī)、熱交換器、電滲析裝置、閥門、高純化試劑儲罐并按其順序相連接,本發(fā)明優(yōu)點在于,采用低溫真空蒸餾,將化學(xué)試劑在低溫下蒸發(fā)成蒸汽,然后在熱交換器的作用下,轉(zhuǎn)成液態(tài)化學(xué)試劑,并通過電滲析裝置,最終使半導(dǎo)體用化學(xué)試劑的離子濃度降低到1ppb以下,達(dá)到了EMI-C8的要求,本發(fā)明處理效果高,處理得到的試劑純度高;整個處理過程的自動化程度非常高,可以連續(xù)進(jìn)行運行。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及化學(xué)試劑純化設(shè)備領(lǐng)域,具體涉及一種半導(dǎo)體用超純電子級化學(xué)試劑 的純化裝置。 一種半導(dǎo)體用超純電子級化學(xué)試劑純化裝置

【背景技術(shù)】
[0002] 超純電子級化學(xué)試劑(Ultra-clean and High-purity Reagents),又稱工藝化學(xué) 品(Process Chemicals),是超大規(guī)模集成電路制作過程中的關(guān)鍵性基礎(chǔ)化工材料之一。超 純電子級N-甲基甲酰胺(NMF),二甘醇胺(DGA)、二甲基乙酰胺(DMAC)、二甲基亞砜(DMS0) 等都是微電子化學(xué)試劑中很重要的品中,已廣泛用于半導(dǎo)體元件的生產(chǎn)、超大龜毛集成電 路裝配以及加工過程中的清洗、腐蝕等方面。
[0003] 近年來由于IT工業(yè)的迅速發(fā)展,對所用化學(xué)試劑純度要求越來越高,特別是隨著 集成電路的尺寸向微小化和處理向高速化方向發(fā)展,對電子級化學(xué)品的純度提出了更為苛 刻的要求;電子級N-甲基甲酰胺(NMF),二甘醇胺(DGA)、二甲基乙酰胺(DMAC)、二甲基亞 砜(DMS0)等的純度已由單一陽離子含量的ppm級,發(fā)展到目前的ppb級;與之相應(yīng)的對電 子級N-甲基甲酰胺(NMF),二甘醇胺(DGA)、二甲基乙酰胺(DMAC)、二甲基亞砜(DMS0)等的 要求也已從SEMI-C1和SEMI-C7標(biāo)準(zhǔn)提升至SEMI-C8和SEMI-C12標(biāo)準(zhǔn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的是針對目前半導(dǎo)體元件中用到的化學(xué)試劑N-甲基甲酰胺(NMF),二 甘醇胺(DGA)、二甲基乙酰胺(DMAC)、二甲基亞砜(DMS0)中金屬含量高的弊端,提供一種 利用真空蒸餾和電滲析來去除金屬離子的裝置,具有對化學(xué)試劑中金屬離子去除率高且成 本低的特點。半導(dǎo)體用超純電子級化學(xué)試劑的純化裝置,主要包括物料儲罐、真空蒸餾塔、 壓縮機(jī)、熱交換器、電滲析裝置、閥門、壓力表、高純化試劑儲罐、恒溫水浴槽;將所述物料儲 罐、所述真空蒸餾塔、所述壓力表、所述壓縮機(jī)、所述熱交換器、所述電滲析裝置、所述閥門、 所述高純化學(xué)試劑儲罐按順序連接。
[0005] 依照本發(fā)明的一個方面,在真空蒸餾塔里,化學(xué)試劑在溫度為40?60°C進(jìn)行蒸 發(fā)。
[0006] 依照本發(fā)明的一個方面,利用壓縮機(jī)將真空蒸餾塔里面的壓力壓縮至200? 500Pa〇
[0007] 依照本發(fā)明的一個方面,恒溫水浴槽的溫度控制在60°C左右,利用恒溫水浴槽的 熱量,對真空蒸餾塔里面的化學(xué)試劑進(jìn)行加熱。
[0008] 依照本發(fā)明的一個方面,化學(xué)試劑在真空蒸餾塔里面由于氣壓下降,致使所處理 化學(xué)試劑的蒸汽壓下降。
[0009] 依照本發(fā)明的一個方面,從真空蒸餾塔出來試劑蒸汽通過熱交換器進(jìn)行冷卻。
[0010] 依照本發(fā)明的一個方面,冷卻后的化學(xué)試劑經(jīng)過電滲析裝置,使化學(xué)試劑的離子 濃度小于lppb以下。 toon] 本發(fā)明的特點是:采用低溫真空蒸餾,將化學(xué)試劑在低溫下蒸發(fā)成蒸汽,然后在熱 交換器的作用下,轉(zhuǎn)成液態(tài)化學(xué)試劑,并通過電滲析裝置,最終使半導(dǎo)體用化學(xué)試劑的離子 濃度降低到lppb以下。本發(fā)明處理效果高,處理得到的試劑純度高;整個處理過程的自動 化程度非常高,可以連續(xù)進(jìn)行運行。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012] 圖1為本發(fā)明所述的一種半導(dǎo)體用超純電子級化學(xué)試劑純化裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013] 圖中:
[0014] 1物料儲罐,2閥門,3真空蒸餾塔,4壓縮機(jī),5熱交換器,6電滲析裝置,7高純化學(xué) 試劑儲罐,8冷卻水管道,9壓力表,10恒溫水浴槽。

【具體實施方式】
[0015] 以下結(jié)合具體實施例,對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0016] 參考圖1,本發(fā)明提供一種電子化學(xué)試劑純化裝置,包括物料儲罐1、閥門2、真空 蒸餾塔3、壓縮機(jī)4、熱交換器5、電滲析裝置6、高純化學(xué)試劑儲罐7、冷卻水管道8、壓力表 9、恒溫水浴槽10,并按其順序進(jìn)行連接。
[0017] 將待處理化學(xué)試劑通過管道進(jìn)入物料儲罐1中,然后在負(fù)壓的作用下含有金屬離 子的化學(xué)試劑進(jìn)入到真空蒸餾塔3里面,在真空蒸餾塔里面,由于壓縮機(jī)4的作用,里面的 壓力降到200?500Pa,使得待處理化學(xué)試劑的飽和蒸汽壓下降,在外部恒溫水槽10的加熱 下,待處理化學(xué)試劑快速蒸發(fā),通過管道進(jìn)入到熱交換器5里面,通過熱交換,化學(xué)試劑蒸 汽將冷卻成液體,然后冷卻的化學(xué)試劑進(jìn)入到電滲析裝置6中,使冷卻液的離子濃度進(jìn)一 步降低,降低到lppb以下,最后處理后的高純化學(xué)試劑進(jìn)入到高純化學(xué)試劑儲罐7中。
[0018] 真空蒸餾塔3在整個裝置中所起的作用是化學(xué)試劑在低溫下進(jìn)行蒸發(fā)。
[0019] 恒溫水槽10在整個裝置中所起的作用是對真空蒸餾塔里面的化學(xué)試劑進(jìn)行加 熱。
[0020] 壓縮機(jī)4在整個裝置中所起的作用是將真空蒸餾塔里面的壓力壓縮到200? 500Pa〇
[0021] 熱交換器5在整個裝置中所起的作用是將化學(xué)試劑的蒸汽冷卻,轉(zhuǎn)化成液態(tài)化學(xué) 試劑。
[0022] 電滲析裝置6在整個裝置中所起的作用是將化學(xué)試劑中的離子濃度進(jìn)一步降低, 降低到lppb以下。
[0023] 本發(fā)明的特點是:采用低溫真空蒸餾,將化學(xué)試劑在低溫下蒸發(fā)成蒸汽,然后在熱 交換器的作用下,轉(zhuǎn)成液態(tài)化學(xué)試劑,并通過電滲析裝置,最終使半導(dǎo)體用化學(xué)試劑的離子 濃度降低到lppb以下。本發(fā)明處理效果高,處理得到的試劑純度高;整個處理過程的自動 化程度非常高,可以連續(xù)進(jìn)行運行。
[0024] 下面通過實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明,但實施例并不限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0025] 實施例1
[0026] 將二甘醇胺(DGA)放入試劑儲罐中,然后開啟本發(fā)明裝置的閥門和壓縮機(jī),進(jìn)行 對二甘醇胺(DGA)的純化,純化結(jié)果見表1。
[0027] 表1二甘醇胺(DGA)處理前后離子濃度比較
[0028]

【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體用超純電子級化學(xué)試劑純化裝置,其特征在于,包括物料儲罐、恒溫水浴 槽、真空蒸餾塔、壓力表、壓縮機(jī)、熱交換器、電滲析裝置、閥門、高純化試劑儲罐并按其順序 相連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用超純電子級化學(xué)試劑純化裝置,其特征在于,在真 空蒸餾塔里,化學(xué)試劑在溫度為40?60°C下進(jìn)行蒸發(fā)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用超純電子級化學(xué)試劑純化裝置,其特征在于,利用 恒溫水浴槽的熱量,對真空蒸餾塔里面的化學(xué)試劑進(jìn)行加熱。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用超純電子級化學(xué)試劑純化裝置,其特征在于,壓縮 機(jī)將真空蒸餾塔里面的壓力壓縮到200?500Pa。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用超純電子級化學(xué)試劑純化裝置,其特征在于,熱交 換器將化學(xué)試劑的蒸汽冷卻,轉(zhuǎn)化成液態(tài)化學(xué)試劑。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用超純電子級化學(xué)試劑純化裝置,其特征在于,電滲 析裝置將化學(xué)試劑中的離子濃度進(jìn)一步降低,降低到lppb以下。
【文檔編號】C07C213/10GK104109101SQ201310222439
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2013年6月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月6日
【發(fā)明者】張雷, 吳小飛, 石耀洲 申請人:上海志誠化工有限公司
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