陶瓷基超材料及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及陶瓷基超材料及其制造方法，其中該制造方法提供已燒結(jié)陶瓷基片、中間層，所述中間層包括至少兩第一亞層、至少一第二亞層，所述第一亞層、第二亞層為陶瓷材料，第一亞層為陶瓷生坯；在至少一第二亞層上設(shè)置金屬微結(jié)構(gòu)，疊置并壓合所述已燒結(jié)陶瓷基片、中間層，以使第一亞層分別粘結(jié)已燒陶瓷基片和第二亞層，而金屬微結(jié)構(gòu)以第二亞層為基體；排膠和燒結(jié)以使所述已燒結(jié)陶瓷基片與所述中間層通過燒結(jié)結(jié)合成一體；其中，第一亞層的燒結(jié)溫度低于第二亞層的燒結(jié)溫度，以使第二亞層在燒結(jié)過程中能保護(hù)所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)避免導(dǎo)體結(jié)構(gòu)擴(kuò)散或流失。
【專利說明】
陶瓷基超材料及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ] 本發(fā)明涉及陶瓷基超材料及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]二塊平面或曲面狀的已燒陶瓷基片的連接，相對于耐高溫透波材料而言，一般只用比基片低的玻璃片或/和氧化物。如果要在陶瓷基片內(nèi)側(cè)面(被連接面)上印刷金屬導(dǎo)體漿料電路或圖案，或如果要在已燒或未燒的低熔點玻璃或/和氧化物層內(nèi)設(shè)置金屬導(dǎo)體圖案，則問題就來了。也就是說低熔點的連接層，雖能粘結(jié)陶瓷基片，但在取得粘結(jié)強度的同時，很難保證金屬導(dǎo)體圖案不變形，不擴(kuò)散或不流失。要想使陶瓷基片間的連接層既能連接又能使金屬導(dǎo)體圖案共存，這樣的材料(玻璃/氧化物)構(gòu)成的連接層要經(jīng)過大量的工作才能找到較合適的材料組合和配方。因此如何在陶瓷基片的內(nèi)側(cè)面容易地設(shè)置金屬微結(jié)構(gòu)是一項本領(lǐng)域的重要研究課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種超材料的制造方法，其中金屬微結(jié)構(gòu)的設(shè)置變得容易O
[0004]本發(fā)明的另一目的是提供依照該制造方法形成的陶瓷基超材料。
[0005]一種陶瓷基超材料的制造方法，其特點是，包括
[0006]提供已燒結(jié)陶瓷基片、中間層的步驟，所述中間層包括至少兩第一亞層、至少一第二亞層，所述第一亞層、第二亞層為陶瓷材料，第一亞層為陶瓷生坯；
[0007]疊壓步驟，在至少一第二亞層上設(shè)置金屬微結(jié)構(gòu)，疊置并壓合所述已燒結(jié)陶瓷基片、中間層，以使第一亞層分別粘結(jié)已燒陶瓷基片和第二亞層，而金屬微結(jié)構(gòu)以第二亞層為基體；
[0008]排膠和燒結(jié)步驟，以使所述已燒結(jié)陶瓷基片與所述中間層通過燒結(jié)結(jié)合成一體；
[0009]其中，第一亞層的燒結(jié)溫度低于第二亞層的燒結(jié)溫度，以使第二亞層在燒結(jié)過程中能保護(hù)所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)避免導(dǎo)體結(jié)構(gòu)擴(kuò)散或流失。
[0010]所述的制造方法，其進(jìn)一步的特點是，第一亞層的熱膨脹系數(shù)高于第二亞層的熱膨脹系數(shù)，避免所述金屬微結(jié)構(gòu)受拉應(yīng)力產(chǎn)生裂紋。
[0011]所述的制造方法，其進(jìn)一步的特點是，第一亞層在所述燒結(jié)過程中對所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)有侵蝕或破壞性。
[0012]所述的制造方法，其進(jìn)一步的特點是，第二亞層與已燒結(jié)陶瓷基片的粘結(jié)強度要低于第一亞層與已燒結(jié)陶瓷基片的粘結(jié)強度。
[0013]所述的制造方法，其進(jìn)一步的特點是，第二亞層在所述燒結(jié)前是已燒結(jié)或者未燒結(jié)陶fe片。
[0014]所述的制造方法，其進(jìn)一步的特點是，第一亞層和第二亞層通過流延法制得。
[0015]所述的制造方法，其進(jìn)一步的特點是，所述金屬微結(jié)構(gòu)為銀鈀漿料絲印而成。
[0016]所述的制造方法，其進(jìn)一步的特點是，所述第一亞層是熔融石英粉與介質(zhì)玻璃或低熔點氧化物的組合物，在低溫共燒時，不與銀鈀漿料起反應(yīng)，但不粘于所述燒結(jié)陶瓷基片。
[0017]所述的制造方法，其進(jìn)一步的特點是，所述第一亞層是熔融石英粉和燒結(jié)助劑的組合物，在低溫共燒時，不與銀鈀漿料起反應(yīng)，但不粘于所述燒結(jié)陶瓷基片。
[0018]所述的制造方法，其進(jìn)一步的特點是，所述第二亞層為介質(zhì)玻璃或低熔點氧化物。
[0019]所述的制造方法，其進(jìn)一步的特點是，中間層設(shè)置在兩個所述已燒結(jié)陶瓷基片之間。
[0020]所述的制造方法，其進(jìn)一步的特點是，金屬微結(jié)構(gòu)由兩所述第二亞層夾持。
[0021]本發(fā)明的陶瓷基超材料，其特點是，根據(jù)前述任一項的制造方法制造。
[0022]本發(fā)明提供一種新的超材料的制造方法，其在陶瓷基片的內(nèi)側(cè)面很容易地設(shè)置金屬微結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的各實施例將單層的連接結(jié)構(gòu)替換為兩種已知的連接亞層，其中一種主要起連接已燒陶瓷基片的作用，而另一種起著與金屬微結(jié)構(gòu)共燒的作用，這樣不同材料的組合更方便實現(xiàn)多層結(jié)構(gòu)的陶瓷基超材料。
[0023]除此之外，陶瓷基片與其間的連接層，一般具有不同的熱膨脹系數(shù)，因而有熱應(yīng)力問題，通過前述亞層結(jié)構(gòu)設(shè)計，將搭載金屬微結(jié)構(gòu)的亞層的熱膨脹系數(shù)選擇得更低，就可以緩解熱膨脹匹配問題和由此而生的界面層裂紋問題。
【附圖說明】
[0024]本發(fā)明的上述的以及其他的特征、性質(zhì)和優(yōu)勢將通過下面結(jié)合附圖和實施例的描述而變得更加明顯，其中:
[0025]圖1為本發(fā)明一實施例中陶瓷基超材料疊壓前的示意圖。
[0026]圖2為圖1中陶瓷基超材料疊壓后的示意圖。
[0027]圖3為圖2中陶瓷基超材料疊燒結(jié)后的示意圖。
[0028]圖4為一比較例中陶瓷基超材料在疊壓前的示意圖。
[0029]圖5為圖4中陶瓷基超材料疊壓后的示意圖。
[0030]圖6為圖4中陶瓷基超材料疊燒結(jié)后的示意圖。
[0031]圖7是本發(fā)明另一實施例中陶瓷基超材料疊壓前的示意圖。
[0032]圖8是本發(fā)明再一實施例中陶瓷基超材料疊壓前的示意圖。
[0033]圖9是本發(fā)明又一實施例中陶瓷基超材料疊壓前的示意圖。
【具體實施方式】
[0034]下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，在以下的描述中闡述了更多的細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明顯然能夠以多種不同于此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下根據(jù)實際應(yīng)用情況作類似推廣、演繹，因此不應(yīng)以此具體實施例的內(nèi)容限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0035]需要注意的是，圖1至圖3以及后續(xù)其他的附圖均僅作為示例，其并非是按照等比例的條件繪制的，并且不應(yīng)該以此作為對本發(fā)明實際要求的保護(hù)范圍構(gòu)成限制。
[0036]在本發(fā)明的一實施例中，陶瓷基超材料包括兩已燒結(jié)陶瓷基片、中間層，結(jié)合圖1，中間層2位于兩陶瓷基片1A、1B之間。中間層2包括兩第一亞層21、兩第二亞層22以及金屬微結(jié)構(gòu)23，第一亞層21、第二亞層22為不同種類的陶瓷材料。此處的陶瓷材料在考慮后述的情況后，可以從已知的陶瓷材料種類中廣泛選取，例如可以是A1203、3A1203.2Si02、2A1203.2Mg0.5Si02、Mg0.Si02、2Mg0.Si02、AIN、Sic、BeO0 第一亞層 21、第二亞層 22 在燒成前的成型方法可以是粉末壓制成型、擠壓成型、流延成型或者射出成型。金屬微結(jié)構(gòu)23作為超材料的基本單元，具有能對入射電磁波電場和/或磁場產(chǎn)生響應(yīng)的平面或立體拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，改變每個超材料基本單元上的金屬微結(jié)構(gòu)的圖案和/或尺寸即可改變每個超材料基本單元對入射電磁波的響應(yīng)。多個超材料基本單元按一定規(guī)律排列即可使得超材料對電磁波具有宏觀的響應(yīng)。金屬微結(jié)構(gòu)23可以通過蝕刻、鉆刻、雕刻、電子刻或離子刻或光刻或者絲網(wǎng)印刷等設(shè)置在一第二亞層22上。金屬微結(jié)構(gòu)23的金屬可以是銀、鉑、鉬、鎢、或銀鈀合金等。
[0037]第一亞層21相對于第二亞層22具有較低的燒結(jié)溫度，或者對于陶瓷基片1A、1B來說具有更好地粘結(jié)性，此外相對于第二亞層22還具有更高的熱膨脹系數(shù)。第一亞層21主要起到層間連接作用。
[0038]第二亞層22相對于第一亞層21來說具有較高的燒結(jié)溫度，在第一亞層21燒結(jié)成瓷后，其也接近于燒結(jié)成瓷的狀態(tài)，能夠?qū)υO(shè)置于其上的金屬微結(jié)構(gòu)23起到保護(hù)作用。第二亞層22上搭載金屬微結(jié)構(gòu)23，金屬微結(jié)構(gòu)23不與第一亞層21接觸，在達(dá)到第一亞層21燒結(jié)溫度后，第一亞層21對于第二亞層22以及陶瓷基片1A、1B具有良好的結(jié)合能力。通常情況下，第一亞層21對金屬微結(jié)構(gòu)23具有侵蝕或破壞性，難于與金屬微結(jié)構(gòu)23共存，但是金屬微結(jié)構(gòu)23通過第二亞層22與第一亞層21隔離，因此可以無需顧慮該不利影響，充分利用第一亞層21的粘結(jié)性。第二亞層22通常情況下難以與陶瓷基片1A、IB粘結(jié)或者粘結(jié)性不夠好，但是與金屬微結(jié)構(gòu)23不易起反應(yīng)，不會造成金屬微結(jié)構(gòu)被侵蝕、破壞、擴(kuò)散或流失。因此第一亞層21和第二亞層22將粘結(jié)和與金屬微結(jié)構(gòu)的共燒功能分離開來，這樣一來，第一亞層21和第二亞層22的材料就有更寬泛的選擇。
[0039]在前述實施例的一比較例中，如圖4至圖6所示，兩陶瓷基片IA或IB之間設(shè)置金屬微結(jié)構(gòu)23，金屬微結(jié)構(gòu)23的基體為一連接層24，要提高層間粘結(jié)強度，則要求燒結(jié)溫度足夠高，但半熔狀態(tài)下的連接層24易蝕壞金屬微結(jié)構(gòu)23，即便連接層24是其組合和配方經(jīng)過大量的工作才能找到的較合適的材料，但在冷卻過程中，連接層24易產(chǎn)生來自陶瓷基片IA或IB的平面方向的拉應(yīng)力，形成裂紋，如果裂紋較寬，它會產(chǎn)生切斷金屬微結(jié)構(gòu)23的線條的作用，對超材料帶來一種有害影響。
[0040]如圖2和圖3所示，在本發(fā)明的前述實施例中，在金屬微結(jié)構(gòu)23和陶瓷基片IA或IB之間設(shè)置了第一亞層21和第二亞層22，在燒結(jié)過程中金屬微結(jié)構(gòu)受到第二亞層22各方面的保護(hù)，例如，一方面第二亞層22相對于第一亞層21具有較高的燒結(jié)溫度，在第一亞層21已呈半熔融狀態(tài)下，第二亞層22的熔融程度不會對金屬微結(jié)構(gòu)造成擴(kuò)散或流失，另一方面第二亞層22的熱膨脹系數(shù)低于第一亞層21的熱膨脹系數(shù)，因此第二亞層22上的金屬微結(jié)構(gòu)23不會受到拉應(yīng)力，僅受到壓應(yīng)力，而壓應(yīng)力不會形成開裂的裂紋。另外，若第二亞層22也是陶瓷生坯的話，還可以利用生坯間比生坯與已燒結(jié)陶瓷基片間更易燒結(jié)形成結(jié)合強度這一優(yōu)點。
[0041]在本發(fā)明的實施例中，第二亞層22可以是與金屬微結(jié)構(gòu)23燒結(jié)后再與第一亞層21、陶瓷基片1A、IB疊壓、燒結(jié)，也可以是兩生坯狀態(tài)的第二亞層22夾持金屬微結(jié)構(gòu)23與第一亞層21、陶瓷基片1A、1B疊壓后再燒結(jié)。
[0042]在后述實施例中，參照如圖1至圖4所示的實施例對陶瓷基超材料的制造方法進(jìn)行示例性說明。在后述實施例中，第一亞層21、第二亞層22為流延片，金屬微結(jié)構(gòu)23是通過絲網(wǎng)印刷工藝印制在第二亞層22上。
[0043]本發(fā)明的一實施例中，陶瓷基超材料的制造方法包括以下步驟:
[0044]a、制備流延片:第二亞層22的組成為20wt%熔融石英粉，SOwt% (介質(zhì)玻璃/低熔點氧化物)，第一亞層21的組成為100wt%含介質(zhì)玻璃的低熔點氧化物，在對漿料真空除泡后，在流延機(jī)上進(jìn)行流延；
[0045]b、制備金屬微結(jié)構(gòu):將第一亞層21鋪放在陶瓷基片IA上，再蓋上絲印有銀鈀微結(jié)構(gòu)23的第二亞層22 ;
[0046]C、接著再鋪放另一第二亞層22、另一第一亞層21以及另一陶瓷基片1B，通過冷等靜壓技術(shù)(冷等靜壓技術(shù)或溫冷等靜壓技術(shù))在100?150MPa的壓力下定型；d、將定型后的共形結(jié)構(gòu)坯料排膠、燒結(jié)，獲得陶瓷基超材料，如圖2所示，在燒結(jié)過程中，第一亞層21與陶瓷基片IA或IB的粘結(jié)效果好，但易于與銀(Ag)在850°C條件下持續(xù)I小時條件下起反應(yīng)，第二亞層22在850°C條件下持續(xù)I小時低溫共燒時，不與銀鈀漿料起反應(yīng)，即銀保存完好，但第二亞層22不粘陶瓷基片IA或1B。
[0047]最后，對已制成的共形陶瓷超材料進(jìn)行切割、打磨等加工，獲得所需形狀、大小的產(chǎn)品；當(dāng)然切割、打磨等加工步驟也可以在冷等靜壓之后進(jìn)行，因為陶瓷坯料比燒結(jié)后的陶瓷更易加工。
[0048]在該實施例的基礎(chǔ)上可以有變化例，例如第二亞層22的組成為15_25wt%熔融石英粉，75-85wt% (含介質(zhì)玻璃的低熔點氧化物)。
[0049]在本發(fā)明的陶瓷基超材料的制造方法的另一實施例中，第一亞層21的組成為100被％介質(zhì)玻璃-低熔點氧化物，而第二亞層22(流延片)的組成還可以是60% (wt)的熔融石英粉和40wt%的燒結(jié)助劑，在燒結(jié)過程中，第二亞層22與銀鈀漿料不起反應(yīng)，也能形成陶瓷基超材料，保證既有層間結(jié)合強度又有微結(jié)構(gòu)的完整性。
[0050]燒結(jié)助劑的選擇有許多種，例如B2O3-S12-Li2O或CaO-CuO-ZnO-B2O3等。
[0051]低熔點氧化物的選擇也較寬泛，例如氧化錫，氧化鉛，氧化鉍等。
[0052]介質(zhì)玻璃例如為北旭電子有限公司的Si02— Al 203—Na2O 一 K2O體系。
[0053]在本發(fā)明的各實施例中通過設(shè)計連接層的亞層結(jié)構(gòu)，即至少使用二種連接亞層，其中一種主要起連接已燒陶瓷基片的作用，而另一種起著與金屬微結(jié)構(gòu)共燒的作用。這樣不同材料的組合更方便實現(xiàn)多層結(jié)構(gòu)的陶瓷基超材料，除此之外，陶瓷基片與其間的連接層，通過亞層結(jié)構(gòu)設(shè)計，可緩解熱膨脹匹配問題和由此而生的界面層裂紋問題。
[0054]本發(fā)明的其它實施例中，不限于兩第一亞層21、兩第二亞層22。
[0055]如圖7所示，陶瓷基超材料包括兩已燒結(jié)陶瓷基片1A、1B以及中間層2，中間層2位于兩陶瓷基片1A、IB之間。中間層2包括兩不同的金屬微結(jié)構(gòu)23，兩金屬微結(jié)構(gòu)23以不同的第二亞層22為基體，從上到下，依次的排列順序是陶瓷基片1A、第一亞層21、第二亞層
22、金屬微結(jié)構(gòu)23、第二亞層22、第一亞層21、第二亞層22、金屬微結(jié)構(gòu)23、第二亞層22、第一亞層21、陶瓷基片1B，其中第一亞層21和第二亞層22為不同種類的陶瓷材料。兩個不同的位置的金屬微結(jié)構(gòu)可是不同的金屬圖案，滿足對電磁波的不同調(diào)制要求。
[0056]如圖8所示，在搭載了金屬微結(jié)構(gòu)23的第二亞層22已燒結(jié)的情況下，第二亞層22搭載了金屬微結(jié)構(gòu)23的表面在一些場合可以直接與第一亞層21疊壓并燒結(jié)，即便第一亞層21在燒結(jié)溫度時呈半熔融狀態(tài)，其不會造成金屬微結(jié)構(gòu)23擴(kuò)散的情況。此時，從上到下，依次的排列順序是陶瓷基片1A、第一亞層21、第二亞層22、金屬微結(jié)構(gòu)23、第一亞層21、陶瓷基片1B，由于第二亞層22是已燒結(jié)過的，此時其熱膨脹系數(shù)很低，第二亞層22及其上的金屬微結(jié)構(gòu)23不會如圖6那樣由于第一亞層21熱變形受到平面方向的拉應(yīng)力，實質(zhì)上只受到壓應(yīng)力，因此金屬微結(jié)構(gòu)23不會出現(xiàn)為裂紋。
[0057]如圖9所示，在一些場合，只在一個陶瓷基片IA的基礎(chǔ)上設(shè)置金屬微結(jié)構(gòu)23，即在陶瓷基片IA上首先鋪設(shè)第一亞層21，然后再鋪設(shè)第二亞層22，在第二亞層22上形成金屬微結(jié)構(gòu)23，在金屬微結(jié)構(gòu)23上再形成一層第二亞層22 (覆蓋層)，最后疊壓，排膠再燒結(jié)，作為覆蓋層的第二亞層22可以替換為不與金屬微結(jié)構(gòu)23發(fā)生反應(yīng)的陶瓷材料均可，此時對覆蓋層沒有粘結(jié)要求，覆蓋層可以在厚度上更厚一些，增強對金屬微結(jié)構(gòu)23的保護(hù)。
[0058]本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改。比如第一亞層21、第二亞層22不限于流延法制成流延片，也可以是其他方法生成陶瓷生坯，其上的金屬微結(jié)構(gòu)也不限于絲印工藝，還可以是絲印后再轉(zhuǎn)印，或者蝕刻、光刻或其他金屬絲、線、帶、網(wǎng)組合金屬微結(jié)構(gòu)。
[0059]另外，前述不同實施例在沒有沖突的情況下，對一個實施例的說明也適合于另一個實施例。另外，在第一亞層21和第二亞層22的熱膨脹系數(shù)差不多的情況下，裂紋問題也可以得到改善。
[0060]因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何修改、等同變化及修飾，均落入本發(fā)明權(quán)利要求所界定的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種陶瓷基超材料的制造方法，其特征在于，包括 提供已燒結(jié)陶瓷基片、中間層的步驟，所述中間層包括至少兩第一亞層、至少一第二亞層，所述第一亞層為陶瓷生坯，所述第二亞層為陶瓷材料； 疊壓步驟，在至少一第二亞層上設(shè)置金屬微結(jié)構(gòu)，疊置并壓合所述已燒結(jié)陶瓷基片、中間層，以使第一亞層分別粘結(jié)已燒陶瓷基片和第二亞層，而金屬微結(jié)構(gòu)以第二亞層為基體； 排膠和燒結(jié)步驟，以使所述已燒結(jié)陶瓷基片與所述中間層通過燒結(jié)結(jié)合成一體； 其中，第一亞層的燒結(jié)溫度低于第二亞層的燒結(jié)溫度，以使第二亞層在燒結(jié)過程中能保護(hù)所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)避免導(dǎo)體結(jié)構(gòu)擴(kuò)散或流失。2.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基超材料的制造方法，其特征在于，第一亞層的熱膨脹系數(shù)高于第二亞層的熱膨脹系數(shù)。3.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基超材料的制造方法，其特征在于，第一亞層在所述燒結(jié)過程中對所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)有侵蝕或破壞性。4.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基超材料的制造方法，其特征在于，第二亞層與已燒結(jié)陶瓷基片的粘結(jié)強度低于第一亞層與已燒結(jié)陶瓷基片的粘結(jié)強度。5.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基超材料的制造方法，其特征在于，第二亞層在所述燒結(jié)前是未燒結(jié)陶瓷片。6.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基超材料的制造方法，其特征在于，第一亞層和第二亞層通過流延法制得。7.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基超材料的制造方法，其特征在于，所述金屬微結(jié)構(gòu)為銀鈀漿料絲印而成。8.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基超材料的制造方法，其特征在于，所述第一亞層是熔融石英粉與介質(zhì)玻璃或低熔點氧化物的組合物，在低溫共燒時，不與銀鈀漿料起反應(yīng)，但不粘于所述燒結(jié)陶瓷基片。9.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基超材料的制造方法，其特征在于，所述第一亞層是熔融石英粉和燒結(jié)助劑的組合物，在低溫共燒時，不與銀鈀漿料起反應(yīng)，但不粘于所述燒結(jié)陶瓷基片O10.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基超材料的制造方法，其特征在于，所述第二亞層為介質(zhì)玻璃或熔點低于金屬微結(jié)構(gòu)的金屬熔點的低熔點氧化物。11.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基超材料的制造方法，其特征在于，中間層設(shè)置在兩個所述已燒結(jié)陶瓷基片之間。12.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基超材料的制造方法，其特征在于，金屬微結(jié)構(gòu)由兩所述第二亞層夾持。13.一種陶瓷基超材料，其特征在于，根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求12中任一項的陶瓷基超材料的制造方法制造。
【文檔編號】C04B37/00GK106032327SQ201510124670
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2015年3月20日
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請人】深圳光啟高等理工研究院, 深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司