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小粒徑、超高比表面積納米氧化硅的制備方法

文檔序號:8495253閱讀:1770來源:國知局
小粒徑、超高比表面積納米氧化硅的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種納米氧化硅的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 納米材料是指由極細晶粒組成,特征維度尺寸在納米量級(1~100nm)的固體材 料,由于這類材料的尺度處于原子簇和宏觀物體的交界區(qū)域,因而具有表面效應(yīng)、小尺寸效 應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng),同時在電學(xué)、磁學(xué)、光學(xué)、吸附、催化以及生物等領(lǐng) 域具有傳統(tǒng)材料和器件沒有的特殊性能,因此具有極為廣泛的應(yīng)用。
[0003] 納米氧化硅(也稱納米二氧化硅)是一種典型的納米材料,因其粒徑很小,比表面 積大,表面吸附力強,表面能大,化學(xué)純度高、分散性能好、熱阻、電阻等方面具有特異的性 能,以其優(yōu)越的穩(wěn)定性、補強性、增稠性和觸變性,在眾多學(xué)科及領(lǐng)域內(nèi)獨具特性,有著不可 取代的作用,其可作為添加劑、催化劑載體,脫色劑,消光劑,橡膠補強劑,塑料充填劑,油墨 增稠劑,金屬軟性磨光劑,絕緣絕熱填充劑,高級日用化妝品填料及噴涂材料等廣泛應(yīng)用于 石油化工、醫(yī)藥、環(huán)保、蓄電池等各種領(lǐng)域。例如,由于體積效應(yīng)和量子隧道效應(yīng)而產(chǎn)生的滲 透作用,納米二氧化硅粒子可深入到高分子化合物的鍵附近,形成空間網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),從而 可提高高分子化合物材料的力學(xué)強度、耐磨性和耐老性能。
[0004] 納米氧化硅顆粒的粒徑和比表面積是影響其性能的關(guān)鍵因素,粒徑越小且比表面 積越大,則其活性越高,親和力和補強性能越好,產(chǎn)品的結(jié)合力越強。制備更小粒徑并同時 具有更高比表面積的納米氧化硅是業(yè)界不斷追求的目標(biāo)。
[0005]目前,常見的納米二氧化硅的制備方法包括有"氣相法"和"液相法"兩種。其中, 沉淀法是液相法中典型的一種,其是由可溶性硅酸鹽以酸分解,制得不溶性的Si02。該方法 通過將反應(yīng)物溶液與其它輔助劑混合,然后在混合溶液中加入酸化劑沉淀,生成的沉淀再 經(jīng)干燥與煅燒得到納米二氧化硅。該方法因其工藝簡單、原料來源廣泛而得到廣泛地研宄 與應(yīng)用,但其產(chǎn)品性狀難以控制的問題尚沒得到較好的解決,制備的納米二氧化硅的純度 不高,通常在90%左右,比表面積較?。ㄍǔ?00m 2/g以下),且制得的產(chǎn)品粒徑大、粒度 分布寬,此外,沉淀過程無法控制,顆粒團聚嚴重,使產(chǎn)品性狀受到嚴重制約。
[0006] 盡管氣相法制備納米二氧化硅的生產(chǎn)工藝比較簡單,易控制反應(yīng)條件,產(chǎn)品純度 可以高達99. 8 %,比表面積可達200-400m2/g,活性高,表面羥基少,適合高純納米二氧化娃 的合成。但是,該方法仍然存在顆粒粒徑和比表面積不可控,其微觀結(jié)構(gòu)、分散性以及孔隙 率等無法有效保證的缺陷,使得制備的納米二氧化硅仍然存在顆粒粒徑大、比表面積不高 的問題,無法滿足現(xiàn)階段各行業(yè)應(yīng)用的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 針對現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷或改進需求,本發(fā)明提供一種小粒徑、超高比表面積納 米氧化娃的制備方法,其對沉淀法制備納米氧化娃工藝進行改進,通過將無機酸與水玻璃 的中和反應(yīng)設(shè)置為在條件不同的分級多次反應(yīng),同時采用特殊的洗滌工藝,由此實現(xiàn)制備 過程中納米氧化硅的粒徑和比表面積可控,從而可以制備出小粒徑和超高比表面積的納米 氧化硅。
[0008] 為實現(xiàn)上述目的,按照本發(fā)明的一個方面,提供了一種小粒徑、超高比表面積納米 氧化硅的制備方法,其通過將反應(yīng)過程設(shè)置為具有不同反應(yīng)條件的多次進行,由此實現(xiàn)制 備過程中納米氧化硅的粒徑和比表面積可控,其特征在于,該方法包括:
[0009] 將計量好的無機酸、水玻璃、成核劑、分散劑和純水加入反應(yīng)容器中,并高速剪切 乳化攪拌,以進行一級成核反應(yīng);
[0010] 將計量好的所述一級反應(yīng)產(chǎn)物、所述無機酸、成核劑加入反應(yīng)容器中,攪拌,以進 行二級反應(yīng)。二級反應(yīng)為強酸條件,使所述分散劑及鈉鹽實現(xiàn)占位造孔,納米氧化硅粒子內(nèi) 部形成多微孔的結(jié)構(gòu),利于納米氧化硅粒子小粒徑與高比表面積的生成;
[0011] 二級反應(yīng)后對反應(yīng)產(chǎn)物進行PH值調(diào)整,在強酸條件下進行,有利于納米氧化硅粒 子生長成形和多微孔孔隙的穩(wěn)定,保證納米氧化硅小粒徑和高比表面積的穩(wěn)定;同時該條 件位于納米氧化娃的等電點附近,納米氧化娃粒子間可形成三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),納米氧化娃處 于凝膠狀態(tài)易捕集,易洗滌提純。
[0012] 對上述產(chǎn)物在強酸條件下強制脫酸、脫鹽進行洗滌,即可獲得具有小粒徑和高比 表面積的納米氧化硅。
[0013] 本方案中,通過將無機酸與水玻璃的反應(yīng)過程設(shè)置為三次進行,并控制每次反應(yīng) 的條件和原料,使得每一次反應(yīng)過程都有助于小粒徑高比表面積粒子的穩(wěn)定形成。其中,第 一次反應(yīng)通過高速剪切乳化攪拌均化成核粒子,利于小粒徑高活性的生成,輔助分散助劑 則有利于成核粒子的穩(wěn)定,為納米氧化硅的小粒徑、高比表面積提供條件;第二次反應(yīng)通過 無機酸、分散劑的加入和普通低速的攪拌,使所述分散劑及鈉鹽實現(xiàn)占位造孔,使得納米氧 化硅粒子內(nèi)部形成多微孔的結(jié)構(gòu),利于納米氧化硅粒子小粒徑與高比表面積的生成。第三 次的陳化反應(yīng)則通過PH值的調(diào)節(jié),在PH值小于3的強酸條件下進行,有利于納米氧化硅粒 子的生長成形和多微孔孔隙的穩(wěn)定,保證納米氧化硅小粒徑和高比表面積的穩(wěn)定;同時該 條件位于納米氧化娃的等電點附近,納米氧化娃粒子間可形成三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),納米氧化娃 處于凝膠狀態(tài)易捕集,易洗滌提純。
[0014] 進一步優(yōu)選地,所述每一級反應(yīng)中,反應(yīng)前加料完成時的鈉鹽濃度與反應(yīng)后的體 系中鈉鹽濃度相同,即各級反應(yīng)體系中鈉鹽濃度處于平衡穩(wěn)定狀態(tài)。
[0015] 進一步優(yōu)選地,所述各級反應(yīng)中鈉鹽濃度的平衡通過對各級反應(yīng)中原料的配比實 現(xiàn)、或者在反應(yīng)后鈉鹽濃度上升時通過加入純水實現(xiàn)、或者在反應(yīng)后鈉鹽濃度下降是通過 加入鈉鹽實現(xiàn)。
[0016] 進一步優(yōu)選地,所述強酸條件下的PH值小于3。
[0017] 進一步優(yōu)選地,所述成核劑為任一種無機鈉鹽。
[0018] 進一步優(yōu)選地,所述無機酸為鹽酸、硝酸或硫酸,優(yōu)選是鹽酸。
[0019] 進一步優(yōu)選地,所述分散劑為易產(chǎn)生氣泡的水性分散劑,通過其可使得均化成核 粒子穩(wěn)定分散存在,利于小粒徑的穩(wěn)定和粒子孔隙的生成。
[0020] 進一步優(yōu)選地,所述PH值調(diào)整通過加入無機堿實現(xiàn),優(yōu)選但不限于為NaOH、K0H、 (順4)20)3或似20) 3。
[0021] 進一步優(yōu)選地,所述一級反應(yīng)的起始溫度控制在室溫,優(yōu)選為10-40 °C。
[0022] 進一步優(yōu)選地,所述強酸條件下的洗滌指在PH值小于3下進行純水洗滌,以強制 脫酸脫鹽。
[0023] 進一步優(yōu)選地,所述獲得的小粒徑、超高比表面積納米氧化娃的粒徑可達5-10nm, 且比表面積可高達1160m 2/g。
[0024] 進一步優(yōu)選地,還可以對經(jīng)洗滌后的納米氧化硅制品進行進一步處理,包括:對上 述生成的小粒徑、超高比表面積納米氧化硅進行移相干燥;以及對干燥處理后的納米氧化 硅采用高壓除雜過的冷干壓縮空氣進行超音速氣流對撞正壓粉碎,從而形成小粒徑、超高 比表面積納米氧化硅粉體。
[0025] 按照本發(fā)明的另一方面,提供了一種利用上述制備方法制備的納米氧化硅。
[0026] 本發(fā)明的方法以水玻璃、鹽酸等為原料,采用高速剪切乳化攪拌,分散劑及鹽水占 位造孔和強制脫鹽制備的方式,在整個反應(yīng)過程中,有成核與長大的過程,有溶膠向凝膠的 轉(zhuǎn)變過程,這些過程直接影響到納米粒子結(jié)構(gòu)、粒徑、比表面積、表觀密度以及分散性等,通 過影響上述參數(shù)對反應(yīng)條件如濃度、溫度、PH值、時間等進行相應(yīng)控制和優(yōu)化,實現(xiàn)了對納 米氧化硅結(jié)構(gòu)、粒徑、比表面積以及分散性的控制,從而可制備具有粒徑為5-10nm而比表 面積最尚可達1160m 2/g的小粒徑超尚比表面積的納米氧化娃。
[0027] 總體而言,通過本發(fā)明所構(gòu)思的以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比,能夠取得下列有 益效果:
[0028] (1)本發(fā)明中采用多級反應(yīng)模式,在反應(yīng)初期反應(yīng)放熱較大,攪拌采用高速剪切乳 化攪拌反應(yīng),通過高速剪切乳化攪拌均化成核粒子,利于小粒徑高活性的生成,輔助分散助 劑有利于小粒徑成核粒子
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