本發(fā)明涉及石墨烯制備工藝控制，尤其涉及一種石墨烯的制備優(yōu)化方法和系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、石墨烯材料具有極高的強(qiáng)度、優(yōu)良的導(dǎo)電性和高導(dǎo)熱性，在能源電力裝備領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力?；阢~基體的石墨烯材料制備工藝中，溫度、壓力和氣體流量等參數(shù)協(xié)同高效控制，一直是制備石墨烯工藝的難點(diǎn)。石墨烯高效制備也是高質(zhì)量石墨烯走向復(fù)合導(dǎo)線(xiàn)工程應(yīng)用的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

2、針對(duì)現(xiàn)有石墨烯制備工藝過(guò)程控制與評(píng)估僅限于定性化描述，無(wú)法進(jìn)行定量，且制備的石墨烯僅存在與實(shí)驗(yàn)室層面，目前沒(méi)有作為高導(dǎo)電率復(fù)合導(dǎo)線(xiàn)實(shí)際應(yīng)用，沒(méi)有進(jìn)行過(guò)實(shí)際應(yīng)用環(huán)境下的測(cè)量。對(duì)工程人員制造高質(zhì)量的石墨烯銅復(fù)合導(dǎo)線(xiàn)帶來(lái)了困難。因此，亟需一種石墨烯的制備方案，從而制備出高質(zhì)量的石墨烯。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種石墨烯的制備優(yōu)化方法和系統(tǒng)，解決了如何制備高質(zhì)量石墨烯的技術(shù)問(wèn)題。

2、本發(fā)明第一方面提供的一種石墨烯的制備優(yōu)化方法，包括：

3、響應(yīng)對(duì)目標(biāo)制備裝置的制備優(yōu)化請(qǐng)求，確定所述目標(biāo)制備裝置內(nèi)的目標(biāo)銅箔基體；

4、采用預(yù)設(shè)檢測(cè)法對(duì)所述目標(biāo)銅箔基體進(jìn)行缺陷檢測(cè)，得到檢測(cè)指標(biāo)；

5、當(dāng)所述檢測(cè)指標(biāo)未滿(mǎn)足預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)條件時(shí)，采用預(yù)設(shè)優(yōu)化策略對(duì)所述目標(biāo)銅箔基體上的石墨烯進(jìn)行優(yōu)化制備，得到目標(biāo)優(yōu)化石墨烯。

6、可選地，所述預(yù)設(shè)檢測(cè)法包括光鏡圖觀測(cè)法和拉曼光譜法，所述采用預(yù)設(shè)檢測(cè)法對(duì)所述目標(biāo)銅箔基體進(jìn)行缺陷檢測(cè)，得到檢測(cè)指標(biāo)，包括：

7、采用所述光鏡圖觀測(cè)法對(duì)所述目標(biāo)銅箔基體上的石墨烯進(jìn)行缺陷檢測(cè)，得到碳點(diǎn)檢測(cè)指標(biāo)；

8、采用所述拉曼光譜法對(duì)所述目標(biāo)銅箔基體上的石墨烯進(jìn)行缺陷檢測(cè)，得到缺陷峰檢測(cè)指標(biāo)。

9、可選地，所述預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)條件為所述碳點(diǎn)檢測(cè)指標(biāo)小于預(yù)設(shè)碳點(diǎn)檢測(cè)閾值且所述缺陷峰檢測(cè)指標(biāo)小于預(yù)設(shè)缺陷峰檢測(cè)閾值。

10、可選地，所述當(dāng)所述檢測(cè)指標(biāo)未滿(mǎn)足預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)條件時(shí)，采用預(yù)設(shè)優(yōu)化策略對(duì)所述目標(biāo)銅箔基體上的石墨烯進(jìn)行優(yōu)化制備，得到目標(biāo)優(yōu)化石墨烯，包括：

11、當(dāng)所述檢測(cè)指標(biāo)未滿(mǎn)足預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)條件時(shí)，則獲取當(dāng)前時(shí)刻所述目標(biāo)制備裝置的反應(yīng)溫度值；

12、比對(duì)所述反應(yīng)溫度值與預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)溫度閾值；

13、若所述反應(yīng)溫度值大于或等于所述預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)溫度閾值，則獲取當(dāng)前時(shí)刻所述目標(biāo)制備裝置的氣氛體積比；

14、比對(duì)所述氣氛體積比與預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)體積比閾值；

15、若所述氣氛體積比大于或等于所述預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)體積比閾值，則獲取當(dāng)前時(shí)刻所述目標(biāo)制備裝置的反應(yīng)時(shí)間；

16、比對(duì)所述反應(yīng)時(shí)間與預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)時(shí)間閾值；

17、若所述反應(yīng)時(shí)間大于或等于所述預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)時(shí)間閾值，則獲取所述目標(biāo)銅箔基體上的石墨烯的石墨烯層數(shù)；

18、比對(duì)所述石墨烯層數(shù)與預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)層數(shù)；

19、若所述石墨烯層數(shù)小于所述預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)層數(shù)，則獲取所述目標(biāo)銅箔基體上的石墨烯的石墨烯碳點(diǎn)數(shù)；

20、比對(duì)所述石墨烯碳點(diǎn)數(shù)與預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)碳點(diǎn)數(shù)；

21、若所述石墨烯碳點(diǎn)數(shù)小于所述預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)碳點(diǎn)數(shù)，則將當(dāng)前時(shí)刻所述目標(biāo)銅箔基體上的石墨烯作為目標(biāo)優(yōu)化石墨烯。

22、可選地，還包括：

23、若所述反應(yīng)溫度值小于所述預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)溫度閾值，則對(duì)所述目標(biāo)制備裝置啟動(dòng)加熱操作，直至所述反應(yīng)溫度值大于或等于所述預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)溫度閾值。

24、可選地，還包括：

25、若所述氣氛體積比小于所述預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)體積比閾值，則對(duì)所述目標(biāo)制備裝置啟動(dòng)加壓操作，直至所述氣氛體積比大于或等于所述預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)體積比閾值。

26、可選地，還包括：

27、若所述反應(yīng)時(shí)間小于所述預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)時(shí)間閾值，則對(duì)所述目標(biāo)制備裝置啟動(dòng)反應(yīng)時(shí)間延長(zhǎng)操作，直至所述反應(yīng)時(shí)間大于或等于所述預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)時(shí)間閾值。

28、可選地，還包括：

29、若所述石墨烯層數(shù)大于或等于所述預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)層數(shù)，則跳轉(zhuǎn)至所述比對(duì)所述氣氛體積比與預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)體積比閾值的步驟。

30、可選地，還包括：

31、若所述石墨烯碳點(diǎn)數(shù)大于或等于所述預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)碳點(diǎn)數(shù)，則跳轉(zhuǎn)至所述比對(duì)所述反應(yīng)溫度值與預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)溫度閾值的步驟。

32、可選地，還包括：

33、采用范德堡法電導(dǎo)率測(cè)量法對(duì)所述目標(biāo)優(yōu)化石墨烯關(guān)聯(lián)的目標(biāo)銅箔基體進(jìn)行電導(dǎo)率測(cè)量，得到目標(biāo)電導(dǎo)率；

34、根據(jù)所述目標(biāo)電導(dǎo)率所處的預(yù)設(shè)電導(dǎo)率分級(jí)區(qū)間，確定所述目標(biāo)優(yōu)化石墨烯的質(zhì)量等級(jí)。

35、本發(fā)明第二方面提供的一種石墨烯的制備優(yōu)化系統(tǒng)，包括：

36、響應(yīng)模塊，用于響應(yīng)對(duì)目標(biāo)制備裝置的制備優(yōu)化請(qǐng)求，確定所述目標(biāo)制備裝置內(nèi)的目標(biāo)銅箔基體；

37、缺陷檢測(cè)模塊，用于采用預(yù)設(shè)檢測(cè)法對(duì)所述目標(biāo)銅箔基體進(jìn)行缺陷檢測(cè)，得到檢測(cè)指標(biāo)；

38、優(yōu)化制備模塊，用于當(dāng)所述檢測(cè)指標(biāo)未滿(mǎn)足預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)條件時(shí)，采用預(yù)設(shè)優(yōu)化策略對(duì)所述目標(biāo)銅箔基體上的石墨烯進(jìn)行優(yōu)化制備，得到目標(biāo)優(yōu)化石墨烯。

39、本發(fā)明第三方面提供的一種電子設(shè)備，包括存儲(chǔ)器及處理器，所述存儲(chǔ)器中儲(chǔ)存有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被所述處理器執(zhí)行時(shí)，使得所述處理器執(zhí)行如上述任一項(xiàng)所述的石墨烯的制備優(yōu)化方法的步驟。

40、本發(fā)明第四方面提供的一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上述任一項(xiàng)所述的石墨烯的制備優(yōu)化方法。

41、本發(fā)明第五方面提供的一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括存儲(chǔ)在非暫態(tài)計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上的計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序包括程序指令，其中，當(dāng)所述程序指令被計(jì)算機(jī)執(zhí)行時(shí)，使所述計(jì)算機(jī)執(zhí)行如上述任一項(xiàng)所述的石墨烯的制備優(yōu)化方法。

42、從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)：

43、在本發(fā)明中，響應(yīng)對(duì)目標(biāo)制備裝置的制備優(yōu)化請(qǐng)求，確定目標(biāo)制備裝置內(nèi)的目標(biāo)銅箔基體，采用預(yù)設(shè)檢測(cè)法對(duì)目標(biāo)銅箔基體上的石墨烯進(jìn)行缺陷檢測(cè)，得到檢測(cè)指標(biāo)，檢測(cè)指標(biāo)未滿(mǎn)足預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)條件時(shí)，采用預(yù)設(shè)優(yōu)化策略對(duì)目標(biāo)銅箔基體上的石墨烯進(jìn)行優(yōu)化制備，得到目標(biāo)優(yōu)化石墨烯；本發(fā)明采用預(yù)設(shè)檢測(cè)法對(duì)當(dāng)前時(shí)刻的石墨烯進(jìn)行缺陷檢測(cè)，當(dāng)石墨烯的檢測(cè)指標(biāo)未滿(mǎn)足預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)條件時(shí)，則采用預(yù)設(shè)優(yōu)化策略調(diào)整目標(biāo)制備裝置制備石墨烯的過(guò)程中的制備條件，從而得到高質(zhì)量的石墨烯；解決了如何制備高質(zhì)量石墨烯的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)特征：

1.一種石墨烯的制備優(yōu)化方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯的制備優(yōu)化方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)檢測(cè)法包括光鏡圖觀測(cè)法和拉曼光譜法，所述采用預(yù)設(shè)檢測(cè)法對(duì)所述目標(biāo)銅箔基體進(jìn)行缺陷檢測(cè)，得到檢測(cè)指標(biāo)，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石墨烯的制備優(yōu)化方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)條件為所述碳點(diǎn)檢測(cè)指標(biāo)小于預(yù)設(shè)碳點(diǎn)檢測(cè)閾值且所述缺陷峰檢測(cè)指標(biāo)小于預(yù)設(shè)缺陷峰檢測(cè)閾值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯的制備優(yōu)化方法，其特征在于，所述當(dāng)所述檢測(cè)指標(biāo)未滿(mǎn)足預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)條件時(shí)，采用預(yù)設(shè)優(yōu)化策略對(duì)所述目標(biāo)銅箔基體上的石墨烯進(jìn)行優(yōu)化制備，得到目標(biāo)優(yōu)化石墨烯，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的石墨烯的制備優(yōu)化方法，其特征在于，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的石墨烯的制備優(yōu)化方法，其特征在于，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的石墨烯的制備優(yōu)化方法，其特征在于，還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的石墨烯的制備優(yōu)化方法，其特征在于，還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的石墨烯的制備優(yōu)化方法，其特征在于，還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯的制備優(yōu)化方法，其特征在于，還包括：

11.一種石墨烯的制備優(yōu)化系統(tǒng)，其特征在于，包括：

12.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括存儲(chǔ)器及處理器，所述存儲(chǔ)器中儲(chǔ)存有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被所述處理器執(zhí)行時(shí)，使得所述處理器執(zhí)行如權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的石墨烯的制備優(yōu)化方法的步驟。

13.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)程序被執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的石墨烯的制備優(yōu)化方法。

14.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括存儲(chǔ)在非暫態(tài)計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上的計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序包括程序指令，其中，當(dāng)所述程序指令被計(jì)算機(jī)執(zhí)行時(shí)，使所述計(jì)算機(jī)執(zhí)行如權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的石墨烯的制備優(yōu)化方法。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及石墨烯制備工藝控制技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種石墨烯的制備優(yōu)化方法和系統(tǒng)，響應(yīng)對(duì)目標(biāo)制備裝置的制備優(yōu)化請(qǐng)求，確定目標(biāo)制備裝置內(nèi)的目標(biāo)銅箔基體，采用預(yù)設(shè)檢測(cè)法對(duì)目標(biāo)銅箔基體上的石墨烯進(jìn)行缺陷檢測(cè)，得到檢測(cè)指標(biāo)，檢測(cè)指標(biāo)未滿(mǎn)足預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)條件時(shí)，采用預(yù)設(shè)優(yōu)化策略對(duì)目標(biāo)銅箔基體上的石墨烯進(jìn)行優(yōu)化制備，得到目標(biāo)優(yōu)化石墨烯；本發(fā)明采用預(yù)設(shè)檢測(cè)法對(duì)當(dāng)前時(shí)刻的石墨烯進(jìn)行缺陷檢測(cè)，當(dāng)石墨烯的檢測(cè)指標(biāo)未滿(mǎn)足預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)條件時(shí)，則采用預(yù)設(shè)優(yōu)化策略調(diào)整目標(biāo)制備裝置制備石墨烯的過(guò)程中的制備條件，從而得到高質(zhì)量的石墨烯；解決了如何制備高質(zhì)量石墨烯的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：成傳暉,王玉,卓然,付瑩,張瑞祥,黃之明,羅顏,陳秋霖,趙思誠(chéng),高萌,楊偉鴻
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南方電網(wǎng)科學(xué)研究院有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23