1.一種砷化鎵多晶合成裝置,包括從外到內(nèi)依次設(shè)置的合成爐體、石墨保溫罩和石墨坩堝，石墨坩堝內(nèi)設(shè)有若干氮化硼坩堝，石墨坩堝的底部連接有石墨坩堝桿，石墨坩堝和石墨保溫罩之間設(shè)有加熱器，其特征在于：所述加熱器為環(huán)形，加熱器沿周向分布在石墨坩堝的外側(cè)，所述石墨保溫罩的內(nèi)壁從上到下設(shè)有若干個保溫罩環(huán)形凸臺，加熱器的外壁上設(shè)有若干個加熱器環(huán)形凸臺，保溫罩環(huán)形凸臺與加熱器環(huán)形凸臺的位置相適配；單個加熱器環(huán)形凸臺壓靠在對應(yīng)的保溫罩環(huán)形凸臺上；保溫罩環(huán)形凸臺與加熱器環(huán)形凸臺在橫向方向上的寬度均小于石墨保溫罩的內(nèi)壁到加熱器外壁的間距；加熱器環(huán)形凸臺壓放在保溫罩環(huán)形凸臺上；加熱器的內(nèi)側(cè)壁上沿圓周方向設(shè)有凸出于加熱器的內(nèi)側(cè)壁的防撞條，防撞條在豎向方向上依次間隔分布，防撞條靠近石墨坩堝的內(nèi)側(cè)面上設(shè)有若干個乳狀凸起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的砷化鎵多晶合成裝置，其特征在于：防撞條在橫向方向上的厚度為石墨坩堝外壁與加熱器內(nèi)壁間距的四分之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的砷化鎵多晶合成裝置，其特征在于：防撞條為弧形，防撞條弧形的半徑與加熱器內(nèi)側(cè)壁的弧形半徑相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的砷化鎵多晶合成裝置，其特征在于：防撞條為石墨材質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的砷化鎵多晶合成裝置，其特征在于：保溫罩環(huán)形凸臺的截面形狀為“L”形，加熱器環(huán)形凸臺的截面形狀為倒“L”形，保溫罩環(huán)形凸臺與加熱器環(huán)形凸臺相扣合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的砷化鎵多晶合成裝置，其特征在于：保溫罩環(huán)形凸臺與加熱器環(huán)形凸臺的材質(zhì)為石墨。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的砷化鎵多晶合成裝置，其特征在于：乳狀凸起的表面涂覆有顏色層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的砷化鎵多晶合成裝置，其特征在于：加熱器環(huán)形凸臺位于所對應(yīng)的保溫罩環(huán)形凸臺的上側(cè)。