技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種SiC納米線增強Cf/SiC陶瓷基復合材料，由碳纖維編織體、熱解碳界面層、原位生長SiC納米線和SiC基體組成，其特征在于所述的熱解碳界面層包覆在碳纖維表面，厚度為0.1～0.2μm；所述的熱解碳界面層也包覆在SiC納米線表面，厚度為0.02～0.04μm；所述的SiC納米線直徑為20～150nm，納米線數(shù)量比為20～50％的SiC納米線兩端粘結在碳纖維的熱解碳表面上，數(shù)量比為10～30％的SiC納米線一端粘結在碳纖維的熱解碳表面上；SiC基體填充在碳纖維和SiC納米線之間的空隙中；所述的復合材料體積密度大于1.8g/cm3，開口孔隙率小于10％。

技術研發(fā)人員：陳照峰;廖家豪
受保護的技術使用者：南京航空航天大學
技術研發(fā)日：2017.06.14
技術公布日：2017.11.03