本發(fā)明涉及單晶硅技術領域,具體為一種單晶硅上料裝置。
背景技術:
單晶硅大多是用字拉法制備。在這種方法中,單晶硅錠的生產步驟如下:往熔爐中加入多晶硅,然后將一個籽晶加入硅熔體中,以一種足夠達到晶錠所希望直徑的方式提拉籽晶,并在那個直徑下生長單晶。當在給熔爐加料的過程中,傳統(tǒng)的加料方式,費時費力,而且容易發(fā)生堵塞,嚴重影響生產效率,因此需要改進。
技術實現要素:
本發(fā)明的目的在于提供一種單晶硅上料裝置,以解決上述背景技術中提出的問題。
為實現上述目的,本發(fā)明提供如下技術方案:一種單晶硅上料裝置,包括底板和第二電機,所述底板上設有熔爐本體,所述熔爐本體上設有進料口,所述進料口上設有進料斗,所述底板的上方通過安裝架固定安裝有第一電機,所述第一電機的輸出軸的下端轉動安裝有轉軸,所述轉軸的外壁焊接有螺旋刀片,所述底板的右側上方通過支架傾斜固定安裝有主梁,所述主梁的上下兩端轉動安裝有從動輪和主動輪,所述從動輪和主動輪的外壁套裝有傳送帶,所述主動輪的皮帶輪與第二電機的皮帶輪通過皮帶傳動連接。
優(yōu)選的,所述傳送帶的前后兩側的外部均套裝有環(huán)形限位板。
優(yōu)選的,所述傳送帶的外壁設有板塊,且板塊至少設有八個,且板塊呈等距分布設置。
優(yōu)選的,所述轉軸的左右兩側壁上均焊接有刮板,所述刮板與進料斗的斜壁平行。
優(yōu)選的,所述轉軸的底部套裝有軸承,所述軸承的外壁通過連接桿與進料口的內壁固定焊接。
優(yōu)選的,所述刮板為弧線型刮板設置。
與現有技術相比,本發(fā)明的有益效果是:該單晶硅上料裝置,使用時,依次啟動第一電機和第二電機,將原料放在傳送帶上,第二電機帶動主動輪帶動傳送帶旋轉,將運料運送至進料斗的上方,下落到進料斗的內部,第一電機帶動轉軸帶動螺旋刀片旋轉為熔爐本體進行強制供料,操作簡單,上料效率高,進行強制供料,有效的防止堵塞。該單晶硅上料裝置,操作簡單,上料效率高,進行強制供料,有效的防止堵塞,大大提高了生產效率。
附圖說明
圖1為本發(fā)明結構主視圖;
圖2為本發(fā)明傳送帶結構示意圖;
圖3為本發(fā)明刮板結構示意圖。
圖中:1底板、2熔爐本體、3進料口、4進料斗、5安裝架、6第一電機、7轉軸、8螺旋刀片、9支架、10主梁、11從動輪、12主動輪、13傳送帶、14第二電機、15環(huán)形限位板、16刮板、17軸承、18連接桿、19板塊。
具體實施方式
下面結合說明書附圖和實施例,對本發(fā)明的具體實施例做進一步詳細描述:
請參閱圖1-3,本發(fā)明提供一種技術方案:一種單晶硅上料裝置,包括底板1和第二電機14,所述底板1上設有熔爐本體2,所述熔爐本體2上設有進料口3,所述進料口3上設有進料斗4,所述底板1的上方通過安裝架5固定安裝有第一電機6,所述第一電機6的輸出軸的下端轉動安裝有轉軸7,所述轉軸7的外壁焊接有螺旋刀片8,所述底板1的右側上方通過支架9傾斜固定安裝有主梁10,所述主梁10的上下兩端轉動安裝有從動輪11和主動輪12,所述從動輪11和主動輪12的外壁套裝有傳送帶13,所述主動輪12的皮帶輪與第二電機14的皮帶輪通過皮帶傳動連接。
具體地,所述傳送帶13的前后兩側的外部均套裝有環(huán)形限位板15。防止原料從傳送帶13的前后兩側滑落。
具體地,所述傳送帶13的外壁設有板塊19,且板塊19至少設有八個,且板塊19呈等距分布設置。多個板塊19的限位作用,防止原料順著傳送帶13下滑,有利于平穩(wěn)上料。
具體地,所述轉軸7的左右兩側壁上均焊接有刮板16,所述刮板16與進料斗4的斜壁平行。轉軸7帶動刮板16旋轉,刮板16可刮動進料斗4的側壁上的原料。
具體地,所述轉軸7的底部套裝有軸承17,所述軸承17的外壁通過連接桿18與進料口3的內壁固定焊接。提高了轉軸7的穩(wěn)定性。
具體地,所述刮板16為弧線型刮板設置。刮板16在轉動時,可將進料斗4邊緣的飼料推動到進料斗4的中心。
該單晶硅上料裝置,使用時,依次啟動第一電機6和第二電機14,將原料放在傳送帶13上,第二電機14帶動主動輪12帶動傳送帶13旋轉,將運料運送至進料斗4的上方,下落到進料斗4的內部,第一電機6帶動轉軸7帶動螺旋刀片8旋轉為熔爐本體2進行強制供料,操作簡單,上料效率高,進行強制供料,有效的防止堵塞;
傳送帶13的前后兩側的外部均套裝有環(huán)形限位板15,防止原料從傳送帶13的前后兩側滑落;
多個板塊19的限位作用,防止原料順著傳送帶13下滑,有利于平穩(wěn)上料;
轉軸7帶動刮板16旋轉,刮板16可刮動進料斗4的側壁上的原料;
轉軸7的底部套裝有軸承17,軸承17的外壁通過連接桿18與進料口3的內壁固定焊接,提高了轉軸7的穩(wěn)定性;
刮板16為弧線型刮板設置,刮板16在轉動時,可將進料斗4邊緣的飼料推動到進料斗4的中心。
因此該單晶硅上料裝置,操作簡單,上料效率高,進行強制供料,有效的防止堵塞,大大提高了生產效率。
以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實施例而已,并非對本發(fā)明的技術范圍作出任何限制,故凡是依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何細微修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明的技術方案的范圍內。