本發(fā)明屬于無(wú)機(jī)壓電材料技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種復(fù)合高溫壓電陶瓷材料,具體涉及一種高溫環(huán)境領(lǐng)域使用的復(fù)合無(wú)鉛壓電陶瓷材料。
背景技術(shù):
隨著航空航天、汽車、冶金與石油化工等工業(yè)的迅猛發(fā)展,噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)、核能發(fā)電的自動(dòng)監(jiān)控,以及航天航空、衛(wèi)星、導(dǎo)彈的自動(dòng)控制、汽車發(fā)動(dòng)機(jī)燃油監(jiān)控等眾多特殊領(lǐng)域,都亟需能在高溫下工作而不失效的壓電傳感器件。
鉍層狀結(jié)構(gòu)高溫壓電陶瓷作為研究較多的一種高溫壓電陶瓷,具有以下特點(diǎn):較高的居里溫度、較低的老化率、優(yōu)異的絕緣電阻和耐壓特性、較高的機(jī)械品質(zhì)因數(shù)。其中bi3tatio9作為典型的鉍層狀結(jié)構(gòu)壓電陶瓷,其鐵電居里溫度(tc)約850℃,500℃下的電阻率ρ約為104ω·m,但其板狀的晶體特征導(dǎo)致了該陶瓷的壓電常數(shù)d33較低,常溫下約為8pc/n,嚴(yán)重限制了其在工業(yè)中的應(yīng)用(y.h.suna,etal,mater.lett.175,79,(2016))。
bifeo3是一種被廣泛研究的多鐵性材料,其結(jié)構(gòu)為菱面體鈣鈦礦結(jié)構(gòu),其tc大約是810℃,同時(shí)常溫下它的壓電常數(shù)d33可以達(dá)到40pc/n。但是,在400℃及其以上溫度時(shí),bifeo3的電阻率卻小于103ω·m,限制了它在高溫壓電陶瓷領(lǐng)域的應(yīng)用(a.perejón,etal,j.eur.ceram.soc.35,2283(2015))。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
針對(duì)現(xiàn)有的bi3tatio9壓電陶瓷中存在的壓電常數(shù)較低的問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種復(fù)合高溫壓電陶瓷材料。該復(fù)合高溫壓電陶瓷材料通過(guò)將bi3tatio9陶瓷粉體和bifeo3陶瓷粉體按比例進(jìn)行混合,在高溫下燒結(jié)制得。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種復(fù)合高溫壓電陶瓷材料,所述陶瓷的組分為bi3tatio9-xbifeo3,其中x為bifeo3與bi3tatio9的重量百分比,x=20wt%~50wt%。
優(yōu)選地,x=30wt%~40wt%。
進(jìn)一步地,本發(fā)明還提供上述復(fù)合高溫壓電陶瓷材料的制備方法,首先由初始原料ta2o5、bi2o3、tio2制得單相bi3tatio9納米顆粒,由bi2o3、fe2o3制得單相bifeo3微米顆粒,然后將bi3tatio9納米顆粒和bifeo3微米顆粒經(jīng)過(guò)球磨、烘干、快速燒結(jié)制得復(fù)合高溫壓電陶瓷材料,具體步驟如下:
步驟1,將bi3tatio9陶瓷粉體和bifeo3陶瓷粉體濕法球磨,使其混合均勻,烘干得到bi3tatio9-xbifeo3粉體,其中x表示bifeo3與bi3tatio9的質(zhì)量百分比,x=20wt%~50wt%;
步驟2,在bi3tatio9-xbifeo3粉體中添加作為粘結(jié)劑的聚乙烯醇溶液,研磨后壓制成陶瓷圓片;
步驟3,將陶瓷圓片在550℃~650℃保溫2~3小時(shí)進(jìn)行排膠后,以50-100℃/min的升溫速率升至750℃~900℃,燒結(jié)1~2小時(shí),燒結(jié)結(jié)束后,以50-100℃/min的速率降至室溫,制得復(fù)合高溫壓電陶瓷材料。
優(yōu)選地,步驟1中,所述的bi3tatio9陶瓷粉體通過(guò)以下步驟制備:將單相bi3tatio9陶瓷塊體在轉(zhuǎn)速300r/min的球磨機(jī)中球磨6~12小時(shí),烘干得到超過(guò)80%顆粒為納米直徑的bi3tatio9陶瓷粉體。
優(yōu)選地,所述的球磨時(shí)間為8~10小時(shí)。
優(yōu)選地,步驟1中,所述的bifeo3陶瓷粉體通過(guò)以下步驟制備:將單相bifeo3陶瓷塊體在轉(zhuǎn)速300r/min的球磨機(jī)中球磨2~5小時(shí),烘干得到超過(guò)80%顆粒為微米直徑的bifeo3陶瓷粉體。
優(yōu)選地,所述的球磨時(shí)間為3~4小時(shí)。
優(yōu)選地,步驟3中,所述的燒結(jié)溫度為850℃~900℃。
本發(fā)明的復(fù)合高溫?zé)o鉛壓電陶瓷材料具有0-3型復(fù)合結(jié)構(gòu),以bi3tatio9陶瓷材料作為復(fù)合材料中的三維連續(xù)的基體,同時(shí)將bifeo3陶瓷材料分布在三維基體內(nèi)部,使bifeo3陶瓷顆粒在基體內(nèi)部彼此孤立。
本發(fā)明的復(fù)合壓電陶瓷材料的壓電常數(shù)d33達(dá)到24pc/n,相對(duì)于單相bi3tatio9壓電陶瓷材料(d33=13pc/n)明顯提升,且該復(fù)合陶瓷材料通過(guò)控制bifeo3與bi3tatio9的比例,即使在復(fù)合了低電阻率的bifeo3后,復(fù)合材料在500℃高溫下仍能保持較大的壓電常數(shù)(d33=24pc/n)和較大的電阻率(ρ≈104ω·m)。
附圖說(shuō)明
圖1為實(shí)施例1至11的陶瓷樣品的x射線衍射譜。
圖2為實(shí)施例2至11的陶瓷樣品在不同退火溫度下的壓電常數(shù)。
圖3為實(shí)施例3至11的陶瓷樣品在不同溫度下的電阻率。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。
實(shí)施例1
bifeo3陶瓷粉體的制備可參考【g.l.yuan,s.w.or,y.p.wang,z.g.liu,andj.m.liu,solidstatecommun.138,76(2006).】
本實(shí)施例以bi2o3、fe2o3粉末制備bifeo3陶瓷。在轉(zhuǎn)速300r/min的球磨機(jī)中球磨8小時(shí)并烘干,得到超過(guò)80%顆粒為微米直徑的bifeo3陶瓷粉體。
用x射線衍射儀對(duì)本實(shí)施例制得的bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行分析。結(jié)果如圖1所示,表明bifeo3陶瓷結(jié)晶良好。
實(shí)施例2
bi3tatio9陶瓷粉體的制備可參考【y.noguchi,r.satoh,m.miyayama,k.tetsuichi,j.ceram.soc.jpn.109,29(2001)】
本實(shí)施例以ta2o5、bi2o3、tio2粉末制備bi3tatio9陶瓷。在轉(zhuǎn)速300r/min的球磨機(jī)中球磨4小時(shí)并烘干,得到超過(guò)80%顆粒為納米直徑的bi3tatio9陶瓷粉體。并將燒好的陶瓷片樣品的上下表面刷上銀電極,放在甲基硅油中,加高壓電場(chǎng)進(jìn)行極化,極化電場(chǎng)為150kv/cm,極化時(shí)間為30分鐘。
用x射線衍射儀對(duì)本實(shí)施例制得的bi3tatio9陶瓷樣品進(jìn)行分析。結(jié)果如圖1所示,表明該陶瓷結(jié)晶良好。
用準(zhǔn)靜態(tài)d33測(cè)試儀對(duì)本實(shí)施例極化后的bi3tatio9陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試,同時(shí)在不同溫度退火后測(cè)試。結(jié)果如圖2所示,測(cè)得厚度0.6毫米的該陶瓷樣品20℃時(shí)的d33=13pc/n,在500℃退火后,仍然保持其20℃時(shí)的壓電常數(shù)。
用高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)對(duì)本實(shí)施例bi3tatio9陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試。測(cè)得該陶瓷樣品20℃時(shí)的電阻率約為109ω·m,在500℃時(shí)的電阻率約為104ω·m。
實(shí)施例3
本實(shí)施例以實(shí)施例1的bifeo3粉末和實(shí)施例2的bi3tatio9粉末制備bi3tatio9-20wt%bifeo3陶瓷,燒結(jié)溫度為750℃。
制備步驟為:
1.將實(shí)施例1中的bifeo3陶瓷粉體和實(shí)施例2中的bi3tatio9陶瓷粉體,按照bi3tatio9-20wt%bifeo3進(jìn)行稱量,放入行星球磨機(jī)中低速球磨1小時(shí)。
2.球磨結(jié)束后將漿料取出、烘干,在bi3tatio9-20wt%bifeo3粉體中添加聚乙烯醇溶液作為粘結(jié)劑,再次研磨后壓制成陶瓷圓片。
3.將壓制好的陶瓷圓片在550℃保溫3小時(shí)進(jìn)行排膠后,以80℃/min的速率升高溫度至750℃燒結(jié),保溫時(shí)間為1小時(shí),并以80℃/min的速率降低溫度至室溫,制得陶瓷樣品。該樣品編號(hào)為1號(hào)。
4.將步驟3中燒好的陶瓷片的上下表面刷上銀電極,放在甲基硅油中,加高壓電場(chǎng)進(jìn)行極化,極化電場(chǎng)為150kv/cm,極化時(shí)間為30分鐘。
用x射線衍射儀對(duì)本實(shí)施例燒結(jié)后的bi3tatio9-20wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行分析。結(jié)果如圖1中1所示,表明該陶瓷結(jié)晶良好。
用準(zhǔn)靜態(tài)d33測(cè)試儀對(duì)本實(shí)施例極化后的bi3tatio9-20wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試,同時(shí)在不同溫度退火后測(cè)試。結(jié)果如圖2所示,測(cè)得厚度0.6毫米的該陶瓷樣品20℃時(shí)的d33=15pc/n,在500℃退火后,仍然保持其20℃時(shí)的壓電常數(shù)。
用高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)對(duì)本實(shí)施例bi3tatio9-20wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試。結(jié)果如圖3中1所示,測(cè)得該陶瓷樣品20℃時(shí)的電阻率約為109ω·m,在500℃時(shí)的電阻率約為104ω·m。
實(shí)施例4
本實(shí)施例以實(shí)施例1的bifeo3粉末和實(shí)施例2的bi3tatio9粉末制備bi3tatio9-40wt%bifeo3陶瓷,燒結(jié)溫度為750℃。
制備步驟為:
1.將實(shí)施例1中的bifeo3陶瓷粉體和實(shí)施例2中的bi3tatio9陶瓷粉體,按照bi3tatio9-40wt%bifeo3進(jìn)行稱量,放入行星球磨機(jī)中低速球磨1小時(shí)。
2.球磨結(jié)束后將漿料取出、烘干,在bi3tatio9-40wt%bifeo3粉體中添加聚乙烯醇溶液作為粘結(jié)劑,再次研磨后壓制陶瓷圓片。
3.將壓制好的陶瓷圓片在600℃保溫2小時(shí)進(jìn)行排膠后,以80℃/min的速率升高溫度至750℃燒結(jié),保溫時(shí)間為1小時(shí),并以80℃/min的速率降低溫度至室溫,制得陶瓷樣品。該樣品編號(hào)為2號(hào)。
4.將步驟3中燒好的陶瓷片的上下表面刷上銀電極,放在甲基硅油中,加高壓電場(chǎng)進(jìn)行極化,極化電場(chǎng)為150kv/cm,極化時(shí)間為30分鐘。
用x射線衍射儀對(duì)本實(shí)施例燒結(jié)后的bi3tatio9-40wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行分析。結(jié)果如圖1中2所示,表明該陶瓷結(jié)晶良好。
用準(zhǔn)靜態(tài)d33測(cè)試儀對(duì)本實(shí)施例極化后的bi3tatio9-40wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試,同時(shí)在不同溫度退火后測(cè)試。結(jié)果如圖2所示,測(cè)得厚度0.6毫米的該陶瓷樣品20℃時(shí)的d33=23pc/n,在500℃退火后,仍然保持其20℃時(shí)的壓電常數(shù)。
用高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)對(duì)本實(shí)施例bi3tatio9-40wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試。結(jié)果如圖3中2所示,測(cè)得該陶瓷樣品20℃時(shí)的電阻率約為109ω·m,在500℃時(shí)的電阻率約為104ω·m。
實(shí)施例5
本實(shí)施例以實(shí)施例1的bifeo3粉末和實(shí)施例2的bi3tatio9粉末制備bi3tatio9-50wt%bifeo3陶瓷,燒結(jié)溫度為750℃。
制備步驟為:
1.將實(shí)施例1中的bifeo3陶瓷粉體和實(shí)施例2中的bi3tatio9陶瓷粉體,按照bi3tatio9-50wt%bifeo3進(jìn)行稱量,放入行星球磨機(jī)中低速球磨1小時(shí)。
2.球磨結(jié)束后將漿料取出、烘干,在bi3tatio9-50wt%bifeo3粉體中添加聚乙烯醇溶液作為粘結(jié)劑,再次研磨后壓制成陶瓷圓片。
3.將壓制好的陶瓷圓片在600℃保溫2小時(shí)進(jìn)行排膠后,以100℃/min的速率升高溫度至750℃燒結(jié),保溫時(shí)間為1小時(shí),并以100℃/min的速率降低溫度至室溫,制得陶瓷樣品。該樣品編號(hào)為3號(hào)。
4.將步驟3中燒好的陶瓷片的上下表面刷上銀電極,放在甲基硅油中,加高壓電場(chǎng)進(jìn)行極化,極化電場(chǎng)為150kv/cm,極化時(shí)間為30分鐘。
用x射線衍射儀對(duì)本實(shí)施例燒結(jié)后的bi3tatio9-50wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行分析。結(jié)果如圖1中3所示,表明該陶瓷結(jié)晶良好。
用準(zhǔn)靜態(tài)d33測(cè)試儀對(duì)本實(shí)施例極化后的bi3tatio9-50wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試,同時(shí)在不同溫度退火后測(cè)試。結(jié)果如圖2所示,測(cè)得厚度0.6毫米的該陶瓷樣品20℃時(shí)的d33=19pc/n,在500℃退火后,仍然保持其20℃時(shí)的壓電常數(shù)。
用高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)對(duì)本實(shí)施例bi3tatio9-50wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試。結(jié)果如圖3中3所示,測(cè)得該陶瓷樣品20℃時(shí)的電阻率約為109ω·m,在500℃時(shí)的電阻率約為104ω·m。
實(shí)施例6
本實(shí)施例以實(shí)施例1的bifeo3粉末和實(shí)施例2的bi3tatio9粉末制備bi3tatio9-20wt%bifeo3陶瓷,燒結(jié)溫度為820℃。
制備步驟為:
1.將實(shí)施例1中的bifeo3陶瓷粉體和實(shí)施例2中的bi3tatio9陶瓷粉體,按照bi3tatio9-20wt%bifeo3進(jìn)行稱量,放入行星球磨機(jī)中低速球磨1小時(shí)。
2.球磨結(jié)束后將漿料取出、烘干,在bi3tatio9-20wt%bifeo3粉體中添加聚乙烯醇溶液作為粘結(jié)劑,再次研磨后壓制成陶瓷圓片。
3.將壓制好的陶瓷圓片在650℃保溫2小時(shí)進(jìn)行排膠后,以80℃/min的速率升高溫度至820℃燒結(jié),保溫時(shí)間為2小時(shí),并以80℃/min的速率降低溫度至室溫,制得陶瓷樣品。該樣品編號(hào)為4號(hào)。
4.將步驟3中燒好的陶瓷片的上下表面刷上銀電極,放在甲基硅油中,加高壓電場(chǎng)進(jìn)行極化,極化電場(chǎng)為150kv/cm,極化時(shí)間為30分鐘。
用x射線衍射儀對(duì)本實(shí)施例燒結(jié)后的bi3tatio9-20wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行分析。結(jié)果如圖1中4所示,表明該陶瓷結(jié)晶良好。
用準(zhǔn)靜態(tài)d33測(cè)試儀對(duì)本實(shí)施例極化后的bi3tatio9-20wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試,同時(shí)在不同溫度退火后測(cè)試。結(jié)果如圖2所示,測(cè)得厚度0.6毫米的該陶瓷樣品20℃時(shí)的d33=15pc/n,在500℃退火后,仍然保持其20℃時(shí)的壓電常數(shù)。
用高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)對(duì)本實(shí)施例bi3tatio9-20wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試。結(jié)果如圖3中4所示,測(cè)得該陶瓷樣品20℃時(shí)的電阻率約為109ω·m,在500℃時(shí)的電阻率約為104ω·m。
實(shí)施例7
本實(shí)施例以實(shí)施例1的bifeo3粉末和實(shí)施例2的bi3tatio9粉末制備bi3tatio9-40wt%bifeo3陶瓷,燒結(jié)溫度為820℃。
制備步驟為:
1.將實(shí)施例1中的bifeo3陶瓷粉體和實(shí)施例2中的bi3tatio9陶瓷粉體,按照bi3tatio9-40wt%bifeo3進(jìn)行稱量,放入行星球磨機(jī)中低速球磨1小時(shí)。
2.球磨結(jié)束后將漿料取出、烘干,在bi3tatio9-40wt%bifeo3粉體中添加聚乙烯醇溶液作為粘結(jié)劑,再次研磨后壓制成陶瓷圓片。
3.將壓制好的陶瓷圓片在600℃保溫2小時(shí)進(jìn)行排膠后,以80℃/min的速率升高溫度至820℃燒結(jié),保溫時(shí)間為1小時(shí),并以80℃/min的速率降低溫度至室溫,制得陶瓷樣品。該樣品編號(hào)為5號(hào)。
4.將步驟3中燒好的陶瓷片的上下表面刷上銀電極,放在甲基硅油中,加高壓電場(chǎng)進(jìn)行極化,極化電場(chǎng)為150kv/cm,極化時(shí)間為30分鐘。
用x射線衍射儀對(duì)本實(shí)施例燒結(jié)后的bi3tatio9-40wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行分析。結(jié)果如圖1中5所示,表明該陶瓷結(jié)晶良好。
用準(zhǔn)靜態(tài)d33測(cè)試儀對(duì)本實(shí)施例極化后的bi3tatio9-40wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試,同時(shí)在不同溫度退火后測(cè)試。結(jié)果如圖2所示,測(cè)得厚度0.6毫米的該陶瓷樣品20℃時(shí)的d33=24pc/n,在500℃退火后,仍然保持其20℃時(shí)的壓電常數(shù)。
用高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)對(duì)本實(shí)施例bi3tatio9-40wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試。結(jié)果如圖3中5所示,測(cè)得該陶瓷樣品20℃時(shí)的電阻率約為109ω·m,在500℃時(shí)的電阻率約為104ω·m。
實(shí)施例8
本實(shí)施例以實(shí)施例1的bifeo3粉末和實(shí)施例2的bi3tatio9粉末制備bi3tatio9-50wt%bifeo3陶瓷,燒結(jié)溫度為820℃。
制備步驟為:
1.將實(shí)施例1中的bifeo3陶瓷粉體和實(shí)施例2中的bi3tatio9陶瓷粉體,按照bi3tatio9-50wt%bifeo3進(jìn)行稱量,放入行星球磨機(jī)中低速球磨1小時(shí)。
2.球磨結(jié)束后將漿料取出、烘干,在bi3tatio9-50wt%bifeo3粉體中添加聚乙烯醇溶液作為粘結(jié)劑,再次研磨后壓制成陶瓷圓片。
3.將壓制好的陶瓷圓片在600℃保溫2小時(shí)進(jìn)行排膠后,以80℃/min的速率升高溫度至820℃燒結(jié),保溫時(shí)間為1小時(shí),并以80℃/min的速率降低溫度至室溫,制得陶瓷樣品。該樣品編號(hào)為6號(hào)。
4.將步驟3中燒好的陶瓷片的上下表面刷上銀電極,放在甲基硅油中,加高壓電場(chǎng)進(jìn)行極化,極化電場(chǎng)為150kv/cm,極化時(shí)間為30分鐘。
用x射線衍射儀對(duì)本實(shí)施例燒結(jié)后的bi3tatio9-50wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行分析。結(jié)果如圖1中6所示,表明該陶瓷結(jié)晶良好。
用準(zhǔn)靜態(tài)d33測(cè)試儀對(duì)本實(shí)施例極化后的bi3tatio9-50wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試,同時(shí)在不同溫度退火后測(cè)試。結(jié)果如圖2所示,測(cè)得厚度0.6毫米的該陶瓷樣品20℃時(shí)的d33=21pc/n,在500℃退火后,仍然保持其20℃時(shí)的壓電常數(shù)。
用高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)對(duì)本實(shí)施例bi3tatio9-50wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試。結(jié)果如圖3中6所示,測(cè)得該陶瓷樣品20℃時(shí)的電阻率約為109ω·m,在500℃時(shí)的電阻率約為104ω·m。
實(shí)施例9
本實(shí)施例以實(shí)施例1的bifeo3粉末和實(shí)施例2的bi3tatio9粉末制備bi3tatio9-20wt%bifeo3陶瓷,燒結(jié)溫度為900℃。
制備步驟為:
1.將實(shí)施例1中的bifeo3陶瓷粉體和實(shí)施例2中的bi3tatio9陶瓷粉體,按照bi3tatio9-20wt%bifeo3進(jìn)行稱量,放入行星球磨機(jī)中低速球磨1小時(shí)。
2.球磨結(jié)束后將漿料取出、烘干,在bi3tatio9-20wt%bifeo3粉體中添加聚乙烯醇溶液作為粘結(jié)劑,再次研磨后壓制成陶瓷圓片。
3.將壓制好的陶瓷圓片在600℃保溫2小時(shí)進(jìn)行排膠后,以50℃/min的速率升高溫度至900℃燒結(jié),保溫時(shí)間為1小時(shí),并以50℃/min的速率降低溫度至室溫,制得陶瓷樣品。該樣品編號(hào)為7號(hào)。
4.將步驟3中燒好的陶瓷片的上下表面刷上銀電極,放在甲基硅油中,加高壓電場(chǎng)進(jìn)行極化,極化電場(chǎng)為150kv/cm,極化時(shí)間為30分鐘。
用x射線衍射儀對(duì)本實(shí)施例燒結(jié)后的bi3tatio9-20wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行分析。結(jié)果如圖1中7所示,表明該陶瓷結(jié)晶良好。
用準(zhǔn)靜態(tài)d33測(cè)試儀對(duì)本實(shí)施例極化后的bi3tatio9-20wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試,同時(shí)在不同溫度退火后測(cè)試。結(jié)果如圖2所示,測(cè)得厚度0.6毫米的該陶瓷樣品20℃時(shí)的d33=16pc/n,在500℃退火后,仍然保持其20℃時(shí)的壓電常數(shù)。
用高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)對(duì)本實(shí)施例bi3tatio9-20wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試。結(jié)果如圖3中7所示,測(cè)得該陶瓷樣品20℃時(shí)的電阻率約為109ω·m,在500℃時(shí)的電阻率約為104ω·m。
實(shí)施例10
本實(shí)施例以實(shí)施例1的bifeo3粉末和實(shí)施例2的bi3tatio9粉末制備bi3tatio9-40wt%bifeo3陶瓷,燒結(jié)溫度為900℃。
制備步驟為:
1.將實(shí)施例1中的bifeo3陶瓷粉體和實(shí)施例2中的bi3tatio9陶瓷粉體,按照bi3tatio9-40wt%bifeo3進(jìn)行稱量,放入行星球磨機(jī)中低速球磨1小時(shí)。
2.球磨結(jié)束后將漿料取出、烘干,在bi3tatio9-40wt%bifeo3粉體中添加聚乙烯醇溶液作為粘結(jié)劑,再次研磨后壓制成陶瓷圓片。
3.將壓制好的陶瓷圓片在600℃保溫2小時(shí)進(jìn)行排膠后,以80℃/min的速率升高溫度至900℃燒結(jié),保溫時(shí)間為1小時(shí),并以80℃/min的速率降低溫度至室溫,制得陶瓷樣品。該樣品編號(hào)為8號(hào)。
4.將步驟3中燒好的陶瓷片的上下表面刷上銀電極,放在甲基硅油中,加高壓電場(chǎng)進(jìn)行極化,極化電場(chǎng)為150kv/cm,極化時(shí)間為30分鐘。
用x射線衍射儀對(duì)本實(shí)施例燒結(jié)后的bi3tatio9-40wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行分析。結(jié)果如圖1中8所示,表明該陶瓷結(jié)晶良好。
用準(zhǔn)靜態(tài)d33測(cè)試儀對(duì)本實(shí)施例極化后的bi3tatio9-40wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試,同時(shí)在不同溫度退火后測(cè)試。結(jié)果如圖2所示,測(cè)得厚度0.6毫米的該陶瓷樣品20℃時(shí)的d33=22pc/n,在500℃退火后,仍然保持其20℃時(shí)的壓電常數(shù)。
用高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)對(duì)本實(shí)施例bi3tatio9-40wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試。結(jié)果如圖3中8所示,測(cè)得該陶瓷樣品20℃時(shí)的電阻率約為109ω·m,在500℃時(shí)的電阻率約為104ω·m。
實(shí)施例11
本實(shí)施例以實(shí)施例1的bifeo3粉末和實(shí)施例2的bi3tatio9粉末制備bi3tatio9-50wt%bifeo3陶瓷,燒結(jié)溫度為900℃。
制備步驟為:1.將實(shí)施例1中的bifeo3陶瓷粉體和實(shí)施例2中的bi3tatio9陶瓷粉體,按照bi3tatio9-50wt%bifeo3進(jìn)行稱量,放入行星球磨機(jī)中低速球磨1小時(shí)。
2.球磨結(jié)束后將漿料取出、烘干,在bi3tatio9-50wt%bifeo3粉體中添加粉體總重量1wt%的聚乙烯醇溶液作為粘結(jié)劑,再次研磨后壓制成陶瓷圓片。
3.將壓制好的陶瓷圓片在600℃保溫2小時(shí)進(jìn)行排膠后,以80℃/min的速率升高溫度至900℃燒結(jié),保溫時(shí)間為1小時(shí),并以80℃/min的速率降低溫度至室溫,制得陶瓷樣品。該樣品編號(hào)為9號(hào)。
4.將步驟3中燒好的陶瓷片的上下表面刷上銀電極,放在甲基硅油中,加高壓電場(chǎng)進(jìn)行極化,極化電場(chǎng)為150kv/cm,極化時(shí)間為30分鐘。
用x射線衍射儀對(duì)本實(shí)施例燒結(jié)后的bi3tatio9-50wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行分析。結(jié)果如圖1中9所示,表明該陶瓷結(jié)晶良好。
用準(zhǔn)靜態(tài)d33測(cè)試儀對(duì)本實(shí)施例極化后的bi3tatio9-50wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試,同時(shí)在不同溫度退火后測(cè)試。結(jié)果如圖2所示,測(cè)得厚度0.6毫米的該陶瓷樣品20℃時(shí)的d33=18pc/n,在500℃退火后,仍然保持其20℃時(shí)的壓電常數(shù)。
用高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)對(duì)本實(shí)施例bi3tatio9-50wt%bifeo3陶瓷樣品進(jìn)行測(cè)試。結(jié)果如圖3中9所示,測(cè)得該陶瓷樣品20℃時(shí)的電阻率約為109ω·m,在500℃時(shí)的電阻率約為104ω·m。