1.一種超低介電損耗的KNN基儲能微晶玻璃材料，其特征在于：是由玻璃相和晶相經(jīng)混合、熔融、冷卻成型、退火及晶化熱處理制得的；其中，按摩爾百分數(shù)計，玻璃相占20～50％，余量為晶相；晶相是由摩爾比為(3-x)：(3-x)：6：2x的K2CO3、Na2CO3、Nb2O5和BaCO3組成的，0＜x≤2.5。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超低介電損耗的KNN基儲能微晶玻璃材料，其特征在于：玻璃相是由摩爾比為(2～4)：1的SiO2和H3BO3組成的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超低介電損耗的KNN基儲能微晶玻璃材料，其特征在于：玻璃相和晶相中還添加有占玻璃相和晶相總摩爾量0～4％的玻璃晶核劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種超低介電損耗的KNN基儲能微晶玻璃材料，其特征在于：玻璃晶核劑為CeO2。
5.一種超低介電損耗的KNN基儲能微晶玻璃材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
1)按照摩爾比為(3-x)：(3-x)：6：2x取K2CO3、Na2CO3、Nb2O5和BaCO3混合，得到晶相，其中0＜x≤2.5；將晶相和玻璃相混合，得到混合物A，向混合物A中加入占混合物A總摩爾量0～4％的玻璃晶核劑并混合均勻，得到混合物B；
2)將步驟1)中的混合物B加熱直至形成均勻的熔體；將熔體倒入模具急冷成型，得到玻璃樣品，對玻璃樣品進行退火處理；
3)將經(jīng)過退火處理的玻璃樣品進行晶化處理，得到超低介電損耗的KNN基儲能微晶玻璃材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種超低介電損耗的KNN基儲能微晶玻璃材料的制備方法，其特征在于：步驟1)的玻璃相是由摩爾比為(2～4)：1的SiO2和H3BO3混合得到的；步驟1)的混合物A中加入玻璃晶核劑后球磨5～10h混合均勻。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種超低介電損耗的KNN基儲能微晶玻璃材料的制備方法，其特征在于：步驟2)中加熱的過程是：將石英坩堝或氧化鋁坩堝隨爐從室溫加熱至900～1200℃時，開始加入混合物B，然后繼續(xù)加熱到1300～1400℃，使混合物B充分熔融且無氣泡。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種超低介電損耗的KNN基儲能微晶玻璃材料的制備方法，其特征在于：混合物B在1300～1400℃保溫20～40min。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種超低介電損耗的KNN基儲能微晶玻璃材料的制備方法，其特征在于：步驟2)中的退火處理是在500～700℃保溫5～10h。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種超低介電損耗的KNN基儲能微晶玻璃材料的制備方法，其特征在于：步驟3)中的晶化處理是在800～1000℃保溫1～6h。