本實(shí)用新型涉及單晶硅生產(chǎn)設(shè)備，尤其是一種單晶爐。

背景技術(shù)：

公知的：隨著太陽(yáng)能的廣泛應(yīng)用，對(duì)單晶硅的需求也越來(lái)越大?，F(xiàn)有的單晶硅生產(chǎn)設(shè)備一般為單晶爐。

單晶爐是一種在惰性氣體氮?dú)狻⒑鉃橹鳝h(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化, 用直拉法生長(zhǎng)無(wú)錯(cuò)位單晶的設(shè)備?，F(xiàn)有的單晶爐由于坩堝拖桿從爐體底部延伸到爐體內(nèi)，因此坩堝拖桿會(huì)對(duì)在爐腔內(nèi)熱場(chǎng)的溫度產(chǎn)生影響，從而會(huì)影響單晶硅的生產(chǎn)質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能夠降低熱場(chǎng)溫度變化對(duì)單晶硅生產(chǎn)質(zhì)量造成影響的單晶爐。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：?jiǎn)尉t，包括爐體、石英坩堝；所述爐體上方設(shè)置有晶種提升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)；所述爐體下部設(shè)置有坩堝拖桿；所述坩堝拖桿一端從爐體的底部延伸到爐體的爐腔內(nèi)，且設(shè)置有鉗鍋托盤，所述石英坩堝安裝在鉗鍋托盤上；所述坩堝拖桿的另一端位于爐體的下方，且設(shè)置有坩堝上升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)；所述爐體的爐腔內(nèi)設(shè)置有加熱裝置，所述加熱裝置與爐體的內(nèi)壁之間設(shè)置有保溫層；所述爐體的爐腔底部設(shè)置有下部加熱器；所述爐體的爐腔底部設(shè)置有凸臺(tái)，所述坩堝拖桿從爐體底部貫穿凸臺(tái)延伸到爐腔內(nèi)，所述坩堝拖桿上設(shè)置有與凸臺(tái)匹配的環(huán)形套；所述環(huán)形套與凸臺(tái)配合；所述坩堝拖桿上設(shè)置有支撐板，所述支撐板位于鉗鍋托盤的下方，所述支撐板上設(shè)置有坩堝加熱器。

優(yōu)選的，所述支撐板為環(huán)形支撐板。

優(yōu)選的，所述加熱裝置采用電阻加熱板。

進(jìn)一步的，所述環(huán)形套外表面設(shè)置有隔熱層。

優(yōu)選的，所述環(huán)形套采用石墨制造。

本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型所述的單晶爐，由于在爐體的內(nèi)腔的底部設(shè)置有凸臺(tái)，在坩堝拖桿上設(shè)置由于凸臺(tái)匹配的環(huán)形套，通過(guò)環(huán)形套和凸臺(tái)的配合，避免爐腔內(nèi)熱量傳遞到坩堝拖桿上，同時(shí)在坩堝托盤下方設(shè)置有坩堝加熱器，由于坩堝加熱器設(shè)置在坩堝拖桿上，因此坩堝加熱器會(huì)跟隨坩堝拖桿一起上下運(yùn)動(dòng)，保持與石英坩堝之間的距離不變，從而保證一直未石英坩堝進(jìn)行加熱，保證石英坩堝的溫度，從而保證單晶硅的順利生產(chǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例中單晶爐的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例中單晶爐內(nèi)坩堝拖桿上升后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中標(biāo)示：1-爐體，2-坩堝拖桿，3-坩堝托盤，4-石英坩堝，5-加熱裝置，6-下部加熱器， 7-保溫層，8-支撐板，9-坩堝加熱器，10-環(huán)形套，11-凸臺(tái)，12-晶種提升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，13-坩堝上升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。

如圖1至圖2所示，本實(shí)用新型所述的單晶爐，包括爐體1、石英坩堝4；所述爐體1上方設(shè)置有晶種提升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)12；所述爐體1下部設(shè)置有坩堝拖桿2；所述坩堝拖桿2一端從爐體1的底部延伸到爐體1的爐腔內(nèi)，且設(shè)置有鉗鍋托盤3，所述石英坩堝4安裝在鉗鍋托盤3上；所述坩堝拖桿2的另一端位于爐體1的下方，且設(shè)置有坩堝上升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)13；所述爐體1的爐腔內(nèi)設(shè)置有加熱裝置5，所述加熱裝置5與爐體1的內(nèi)壁之間設(shè)置有保溫層7；所述爐體1的爐腔底部設(shè)置有下部加熱器6；所述爐體1的爐腔底部設(shè)置有凸臺(tái)11，所述坩堝拖桿2從爐體1底部貫穿凸臺(tái)11延伸到爐腔內(nèi)，所述坩堝拖桿2上設(shè)置有與凸臺(tái)11匹配的環(huán)形套10；所述環(huán)形套10與凸臺(tái)11配合；所述坩堝拖桿2上設(shè)置有支撐板8，所述支撐板8位于鉗鍋托盤3的下方，所述支撐板8上設(shè)置有坩堝加熱器9。

在使用的過(guò)程中，由于在爐體1的內(nèi)腔的底部設(shè)置有凸臺(tái)11，在坩堝拖桿2上設(shè)置有與凸臺(tái)11匹配的環(huán)形套10，通過(guò)環(huán)形套10和凸臺(tái)11的配合，避免爐腔內(nèi)熱量傳遞到坩堝拖桿2上，同時(shí)在坩堝托盤2下方設(shè)置有坩堝加熱器9，由于坩堝加熱器9設(shè)置在坩堝拖桿2 上，因此坩堝加熱器9會(huì)跟隨坩堝拖桿2一起上下運(yùn)動(dòng)，保持與石英坩堝4之間的距離不變，從而保證一直對(duì)石英坩堝4進(jìn)行加熱，保證石英坩堝4的溫度，從而保證單晶硅的順利生產(chǎn)。

為了增大支撐板8安裝坩堝加熱器8的安裝面積；具體的，所述支撐板8為環(huán)形支撐板。

為了便于控制加熱裝置5的加熱溫度，優(yōu)選的，所述加熱裝置5采用電阻加熱板。

為了最大限度的避免爐腔內(nèi)的熱量傳遞到坩堝拖桿2，進(jìn)一步的，所述環(huán)形套10外表面設(shè)置有隔熱層。

為了便于制造，同時(shí)便于保溫；優(yōu)選的，所述環(huán)形套10采用石墨制造。