技術(shù)編號：11658357
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及單晶硅生產(chǎn)設(shè)備，尤其是一種單晶爐。背景技術(shù)公知的：隨著太陽能的廣泛應(yīng)用，對單晶硅的需求也越來越大?，F(xiàn)有的單晶硅生產(chǎn)設(shè)備一般為單晶爐。單晶爐是一種在惰性氣體氮?dú)?、氦氣為主環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設(shè)備?，F(xiàn)有的單晶爐由于坩堝拖桿從爐體底部延伸到爐體內(nèi)，因此坩堝拖桿會對在爐腔內(nèi)熱場的溫度產(chǎn)生影響，從而會影響單晶硅的生產(chǎn)質(zhì)量。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠降低熱場溫度變化對單晶硅生產(chǎn)質(zhì)量造成影響的單晶爐。本實(shí)用新型解決其技術(shù)...
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