1.一種控制SiC晶型單一化生長的裝置，其特征在于，所述裝置包括：氣體過濾系統(tǒng)、保護(hù)氣體調(diào)節(jié)系統(tǒng)、晶體生長室和控制系統(tǒng)，其中，
所述氣體過濾系統(tǒng)一端與所述晶體生長室相連，另一端與質(zhì)流閥相連，用于過濾氣源中的氣體，使所述氣體成為高純度氣體通入所述晶體生長室中；所述質(zhì)流閥分別與所述氣體過濾系統(tǒng)、氣源和保護(hù)氣體調(diào)節(jié)系統(tǒng)相連，用于調(diào)節(jié)氣源的輸出量；
所述晶體生長室包括：上測孔、下測孔、自動控溫系統(tǒng)和石墨坩堝，所述上測孔位于所述晶體生長室的上端，所述下測孔位于所述晶體生長室的下端，所述自動控溫系統(tǒng)設(shè)置在所述晶體生長室的側(cè)面，與中頻感應(yīng)加熱電源相連，所述石墨坩堝位于所述晶體生長室的內(nèi)部，用于控制SiC晶型單一化的形成；
所述控制系統(tǒng)包括：提拉頭運(yùn)動系統(tǒng)、坩堝運(yùn)動系統(tǒng)、上測孔溫度檢測裝置、真空測量裝置、中頻感應(yīng)加熱電源、水冷系統(tǒng)和下測孔溫度檢測裝置，其中，所述提拉頭運(yùn)動系統(tǒng)分別與所述控制系統(tǒng)和上測孔相連，用于控制所述晶體生長室的抖動，加快SiC晶型單一化形成的反應(yīng)速率；所述坩堝運(yùn)動系統(tǒng)一端與所述控制系統(tǒng)相連，一端與所述石墨坩堝相連，用于控制所述石墨坩堝的運(yùn)動，加快反應(yīng)速率；所述上測孔溫度檢測裝置一端與所述控制系統(tǒng)相連，另一端與所述上測孔相連，用于測量所述晶體生長室上部的溫度；所述真空測量裝置一端與所述控制系統(tǒng)相連，另一端與所述晶體生長室連通，用于測量所述晶體生長室內(nèi)部的真空度；所述中頻感應(yīng)加熱電源一端與所述控制系統(tǒng)相連，另一端與所述自動控溫系統(tǒng)相連；所述水冷系統(tǒng)一端與所述控制系統(tǒng)相連，另一端與所述晶體生長室連通，用于對所述晶體生長室內(nèi)部進(jìn)行冷卻，控制室內(nèi)的溫度；所述下測孔溫度檢測裝置一端與所述控制系統(tǒng)相連，另一端與所述下測孔相連，用于測量所述晶體生長室底部的溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括真空裝置，所述真空裝置與所述晶體生長室相連，用于將所述晶體生長室內(nèi)部抽真空。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述真空裝置為真空泵。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述質(zhì)流閥和氣源均為兩個，且所述氣源分別為氬氣和氫氣。