本實(shí)用新型涉及晶體泡生法生長(zhǎng)，特別是一種用于晶體泡生法生長(zhǎng)的籽晶桿。

背景技術(shù)：

當(dāng)前泡生法藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)方式是最普遍的生長(zhǎng)工藝，晶體質(zhì)量較高，全球用于LED襯底的藍(lán)寶石基板70%以上為泡生法或各種改良型泡生法生長(zhǎng)。泡生法設(shè)備的價(jià)值比較高，熱場(chǎng)坩堝一套一般都在80萬(wàn)元左右，所以要盡可能的降低不良產(chǎn)品的比例和避免生長(zhǎng)的失敗。在泡生法生長(zhǎng)過(guò)程中因高溫（2050度以上）和晶體的逐步生長(zhǎng)，晶體重量越來(lái)越大（50公斤以上）會(huì)出現(xiàn)籽晶桿變形、脫落或籽晶脫落的現(xiàn)象，影響晶體的生長(zhǎng)和質(zhì)量，嚴(yán)重的將會(huì)導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)失敗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供一種穩(wěn)固性好、保證晶體生長(zhǎng)質(zhì)量和經(jīng)濟(jì)效益高的用于晶體泡生法生長(zhǎng)的籽晶桿。

本實(shí)用新型的目的通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：一種用于晶體泡生法生長(zhǎng)的籽晶桿，它包括晶桿本體，所述的晶桿本體由一體式的連接端A、連接桿和連接端B組成，所述的連接端A和連接端B分別位于連接桿的兩端，所述的連接端B內(nèi)開(kāi)設(shè)有一T形卡槽，T形卡槽內(nèi)填充有籽晶，所述的連接端B的側(cè)壁上開(kāi)設(shè)有一剖切面，且通過(guò)剖切面可觀察到T形卡槽內(nèi)的籽晶。

所述的連接端B的外周上開(kāi)設(shè)有多個(gè)捆綁槽。

所述的捆綁槽為兩個(gè)，且兩個(gè)捆綁槽相互平行。

所述的連接端A上開(kāi)設(shè)有內(nèi)螺紋。

本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)：本實(shí)用新型的籽晶桿，避免了泡生法生長(zhǎng)過(guò)程中因籽晶桿脫落或籽晶脫落造成的晶體生長(zhǎng)失敗，同時(shí)避免了因籽晶桿變形而影響晶體的生長(zhǎng)和質(zhì)量問(wèn)題。解決了晶體生長(zhǎng)的一個(gè)基礎(chǔ)性問(wèn)題，增加了經(jīng)濟(jì)效益。

附圖說(shuō)明

圖1 為本實(shí)用新型的主視示意圖；

圖2 為本實(shí)用新型的左視示意圖；

圖中，1-晶桿本體，2-連接端A，3-連接桿，4-連接端B，5-T形卡槽，6-剖切面，7-籽晶，8-捆綁槽。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的描述，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不局限于以下所述：

如圖1和圖2所示，一種用于晶體泡生法生長(zhǎng)的籽晶桿，它包括晶桿本體1，所述的晶桿本體1由一體式的連接端A2、連接桿3和連接端B4組成，晶體本體1采用一體式，可避免籽晶桿分段式脫落，大大的減少了提拉時(shí)因籽晶桿自身連接帶來(lái)的形變旋轉(zhuǎn)對(duì)晶體質(zhì)量的影響，所述的連接端，A2和連接端B4分別位于連接桿3的兩端，所述的連接端B4內(nèi)開(kāi)設(shè)有一T形卡槽5，T形卡槽5內(nèi)填充有籽晶7，T形卡槽5增加了籽晶7與連接端B4之間的摩擦力，避免了籽晶7在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中與連接端B4脫落，所述的連接端B4的側(cè)壁上開(kāi)設(shè)有一剖切面6，且通過(guò)剖切面6可觀察到T形卡槽5內(nèi)的籽晶7，從而能夠直觀的看到籽晶的形狀。

在本實(shí)施例中，所述的連接端B4的外周上開(kāi)設(shè)有多個(gè)捆綁槽8，進(jìn)一步的所述的捆綁槽8為兩個(gè)，且兩個(gè)捆綁槽8相互平行，在捆綁槽8內(nèi)纏繞捆綁繩，從而進(jìn)一步的增加了籽晶7的穩(wěn)固性，保證了晶體生長(zhǎng)的正常進(jìn)行。

在本實(shí)施例中，所述的連接端A2上開(kāi)設(shè)有內(nèi)螺紋，通過(guò)螺紋連接，使得籽晶桿連接方便。