技術(shù)總結(jié)
傳統(tǒng)的衰減片采用在玻璃基底上通過化學(xué)鍍或真空蒸鍍膜，使用有害化學(xué)物質(zhì)，污染環(huán)境，成本較高。一種利用磁控濺射技術(shù)制備Ni/SiO2玻璃衰減片的裝置，其組成包括：真空室，真空室（1）為圓柱形，側(cè)面具有取物口和探視窗口，真空室下部中心具有可調(diào)支架（13），可調(diào)支架的調(diào)整位置位于真空室外，可調(diào)支架上安裝有正電極（14），正電極上放置有工件（15），真空室上部中心具有發(fā)射電極（23），發(fā)射電極上連接有濺射靶（24），真空室的側(cè)壁上還安裝有傳感器（22）和加熱器（16），傳感器和加熱器導(dǎo)線（20）連接于真空室外安裝的溫控器（19）。本實用新型申請應(yīng)用于利用磁控濺射技術(shù)制備Ni/SiO2玻璃衰減片的裝置。

技術(shù)研發(fā)人員：湯卉;董鵬展;邵璇;呂楊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：哈爾濱理工大學(xué)
文檔號碼：201621230741
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.16
技術(shù)公布日：2017.05.10