亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

制備納米SiO2氣凝膠的靜電吸附成型裝置的制作方法

文檔序號:11899738閱讀:282來源:國知局

本實用新型屬于靜電吸附領(lǐng)域,具體涉及制備納米SiO2氣凝膠的靜電吸附成型裝置。



背景技術(shù):

納米SiO2氣凝膠是一種新型輕質(zhì)多孔材料,具有低密度、高孔隙率、低熱導(dǎo)率和高透光率、低折射率和低的聲傳播速度,是一種新型高效透光隔熱保溫和隔音材料。本產(chǎn)品具有高透光率和低熱導(dǎo)率,特別適合用于太陽能光熱低溫平板熱水器、中溫平板集熱器、建筑玻璃窗等既要求透光又要求高效保溫的運用場所。

利用大功率層流等離子束發(fā)生器產(chǎn)生溫度超過一萬攝氏度的穩(wěn)定長弧等離子體射流,通過高精度送粉器將原材料粉末或顆粒送進等離子體內(nèi)部瞬間汽化、冷凝,最后通過帶高壓的基板靜電吸附并成型。通過高壓電場讓冷凝的絮狀納米SiO2粒子帶上電荷,再利用靜電力吸附并成型在帶靜電的基板上,具有收集效率高、密度及結(jié)構(gòu)易調(diào)節(jié)、工藝簡單、節(jié)能、成本低等優(yōu)點。

申請?zhí)枮镃N02235179.5,名稱為靜電吸附式快速成型機的實用新型專利,公開了一種靜電吸附式快速成型機,包括計算機控制系統(tǒng)、靜電吸附機構(gòu)、粉末基體材料輸送機構(gòu)、工作臺進給機構(gòu)和預(yù)固化機構(gòu)。計算機控制系統(tǒng)控制靜電的產(chǎn)生、粉末黏結(jié)材料的吸附、粉末基體材料的輸送、工作臺的進給等各環(huán)節(jié)的順序工作。形成了三維物體的一層整體的截面,重復(fù)如此過程,就可形成該三維物體。

納米SiO2氣凝膠在蒸發(fā)汽化后需要成型,目前沒有相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)對汽化的納米SiO2粒子進行靜電吸附成型處理。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

為了解決上述問題,本實用新型提出了制備納米SiO2氣凝膠的靜電吸附成型裝置,實現(xiàn)了連續(xù)化對汽化的納米SiO2粒子進行靜電吸附成型的目的。

為了達到上述技術(shù)效果,本實用新型采用了以下技術(shù)方案:

制備納米SiO2氣凝膠的靜電吸附成型裝置,包括密封絕緣機構(gòu),其特征在于:還包括高壓發(fā)生器、靜電發(fā)生器、基板、傳送機構(gòu)和粒子進口端;所述基板位于傳送機構(gòu)上且隨傳送機構(gòu)做水平運動;所述粒子進口端設(shè)置在密封絕緣機構(gòu)的頂部且位于基板上方;所述靜電發(fā)生器包括靜電發(fā)射棒和直流高壓電源;所述靜電發(fā)射棒在水平方向上均勻排列且相互之間有間隙。

本實用新型所述高壓發(fā)生器的工作電壓為110 V/ 60 Hz 或者220V/50Hz;消耗電流為0.23A 或者0.12A。

本實用新型所述密封絕緣機構(gòu)采用采用絕緣且耐高溫的材料制成。

本實用新型所述靜電發(fā)生器的輸入電壓為220V/50Hz~60Hz;輸出電流為0.5mA。

本實用新型所述粒子進口端從上至下逐漸變窄;所述粒子進口端的寬度大于等于基板的寬度。

本實用新型所述密封絕緣機構(gòu)還設(shè)置有能夠升降的基板臺;所述基板臺包括從上至下依次設(shè)置的承接板;所述承接板的三條邊設(shè)置有突起部;所述基板臺與傳送機構(gòu)之間設(shè)置有斜坡。

本實用新型所述靜電發(fā)射棒排列呈兩列且相互交錯。

本實用新型所述基板為玻璃基板或者拋光鋁基板。

本實用新型所述傳送機構(gòu)為非接觸式驅(qū)動傳送機構(gòu),采用TM磁力傳動輪。

本實用新型帶來的有益效果有:

1、本實用新型采用高壓發(fā)生器產(chǎn)生高壓電場,通過靜電發(fā)生器讓基板帶電荷,納米SiO2粒子從粒子進口端進入,在靜電吸附下在基板上成型。傳送機構(gòu)帶動負載有納米SiO2粒子的基板繼續(xù)運動,下一個基板接著來吸附納米SiO2粒子。從而實現(xiàn)連續(xù)化靜電吸附成型納米SiO2氣凝膠的目的。本實用新型采用了密封絕緣結(jié)構(gòu),減少外界雜質(zhì)的干擾,放置雜質(zhì)被靜電吸附到基板上。

2、本實用新型的密封絕緣機構(gòu)采用采用絕緣且耐高溫的材料制成,安全性能得到保障。

3、本實用新型粒子進口端從上至下逐漸變窄,讓納米SiO2粒子有序進入,控制納米SiO2粒子的速率;粒子進口端和傳送帶的速度結(jié)合,形成需要厚度的納米SiO2氣凝膠。

4、本實用新型的基板臺的承接板上可以基板,在升降過程中更換和接收表面已經(jīng)靜電吸附成型的基板。使得生成的納米SiO2氣凝膠為分隔的狀態(tài),不需要再進行切割操作。

5、本實用新型的傳送機構(gòu)采用了TM磁力傳動輪,減少灰塵,降低噪音,防止雜質(zhì)進入基板上,從而影響納米SiO2氣凝膠的純度和質(zhì)量。

附圖說明

圖1為本實用新型的示意圖;

附圖說明:1、密封絕緣機構(gòu),2、高壓發(fā)生器,3、靜電發(fā)生器,4、基板,5、傳送機構(gòu),6、粒子進口端,7、靜電發(fā)射棒,9、基板臺,10、承接板,12、斜坡,13、升降機構(gòu)。

具體實施方式

實施例1

制備納米SiO2氣凝膠的靜電吸附成型裝置,包括密封絕緣機構(gòu)1,其特征在于:還包括高壓發(fā)生器2、靜電發(fā)生器3、基板4、傳送機構(gòu)5和粒子進口端6;所述基板4位于傳送機構(gòu)5上且隨傳送機構(gòu)5做水平運動;所述粒子進口端6設(shè)置在密封絕緣機構(gòu)1的頂部且位于基板4上方;所述靜電發(fā)生器3包括靜電發(fā)射棒7和直流高壓電源;所述靜電發(fā)射棒7在水平方向上均勻排列且相互之間有間隙。

實施例2

制備納米SiO2氣凝膠的靜電吸附成型裝置,包括密封絕緣機構(gòu)1,其特征在于:還包括高壓發(fā)生器2、靜電發(fā)生器3、基板4、傳送機構(gòu)5和粒子進口端6;所述基板4位于傳送機構(gòu)5上且隨傳送機構(gòu)5做水平運動;所述粒子進口端6設(shè)置在密封絕緣機構(gòu)1的頂部且位于基板4上方;所述靜電發(fā)生器3包括靜電發(fā)射棒7和直流高壓電源;所述靜電發(fā)射棒7在水平方向上均勻排列且相互之間有間隙。

所述高壓發(fā)生器2的工作電壓為110 V/ 60 Hz 或者220V/50Hz;消耗電流為0.23A 或者0.12A。

實施例3

制備納米SiO2氣凝膠的靜電吸附成型裝置,包括密封絕緣機構(gòu)1,其特征在于:還包括高壓發(fā)生器2、靜電發(fā)生器3、基板4、傳送機構(gòu)5和粒子進口端6;所述基板4位于傳送機構(gòu)5上且隨傳送機構(gòu)5做水平運動;所述粒子進口端6設(shè)置在密封絕緣機構(gòu)1的頂部且位于基板4上方;所述靜電發(fā)生器3包括靜電發(fā)射棒7和直流高壓電源;所述靜電發(fā)射棒7在水平方向上均勻排列且相互之間有間隙。

所述密封絕緣機構(gòu)1采用采用絕緣且耐高溫的材料制成。

實施例4

制備納米SiO2氣凝膠的靜電吸附成型裝置,包括密封絕緣機構(gòu)1,其特征在于:還包括高壓發(fā)生器2、靜電發(fā)生器3、基板4、傳送機構(gòu)5和粒子進口端6;所述基板4位于傳送機構(gòu)5上且隨傳送機構(gòu)5做水平運動;所述粒子進口端6設(shè)置在密封絕緣機構(gòu)1的頂部且位于基板4上方;所述靜電發(fā)生器3包括靜電發(fā)射棒7和直流高壓電源;所述靜電發(fā)射棒7在水平方向上均勻排列且相互之間有間隙。

所述高壓發(fā)生器2的工作電壓為110 V/ 60 Hz 或者220V/50Hz;消耗電流為0.23A 或者0.12A。

所述靜電發(fā)生器3的輸入電壓為220V/50Hz~60Hz;輸出電流為0.5mA。

所述傳送機構(gòu)5為非接觸式驅(qū)動傳送機構(gòu)5,采用TM磁力傳動輪。

實施例5

制備納米SiO2氣凝膠的靜電吸附成型裝置,包括密封絕緣機構(gòu)1,其特征在于:還包括高壓發(fā)生器2、靜電發(fā)生器3、基板4、傳送機構(gòu)5和粒子進口端6;所述基板4位于傳送機構(gòu)5上且隨傳送機構(gòu)5做水平運動;所述粒子進口端6設(shè)置在密封絕緣機構(gòu)1的頂部且位于基板4上方;所述靜電發(fā)生器3包括靜電發(fā)射棒7和直流高壓電源;所述靜電發(fā)射棒7在水平方向上均勻排列且相互之間有間隙。

所述高壓發(fā)生器2的工作電壓為110 V/ 60 Hz 或者220V/50Hz;消耗電流為0.23A 或者0.12A。

所述粒子進口端6從上至下逐漸變窄;所述粒子進口端6的寬度大于等于基板4的寬度。

實施例6

制備納米SiO2氣凝膠的靜電吸附成型裝置,包括密封絕緣機構(gòu)1,其特征在于:還包括高壓發(fā)生器2、靜電發(fā)生器3、基板4、傳送機構(gòu)5和粒子進口端6;所述基板4位于傳送機構(gòu)5上且隨傳送機構(gòu)5做水平運動;所述粒子進口端6設(shè)置在密封絕緣機構(gòu)1的頂部且位于基板4上方;所述靜電發(fā)生器3包括靜電發(fā)射棒7和直流高壓電源;所述靜電發(fā)射棒7在水平方向上均勻排列且相互之間有間隙。

所述高壓發(fā)生器2的工作電壓為110 V/ 60 Hz 或者220V/50Hz;消耗電流為0.23A 或者0.12A。

所述密封絕緣機構(gòu)1還設(shè)置有能夠升降的基板臺9;所述基板臺9包括從上至下依次設(shè)置的承接板10;所述承接板10的三條邊設(shè)置有突起部;所述基板臺9與傳送機構(gòu)5之間設(shè)置有斜坡12。所述基板臺9底部設(shè)置有升降機構(gòu)13。

實施例7

制備納米SiO2氣凝膠的靜電吸附成型裝置,包括密封絕緣機構(gòu)1,其特征在于:還包括高壓發(fā)生器2、靜電發(fā)生器3、基板4、傳送機構(gòu)5和粒子進口端6;所述基板4位于傳送機構(gòu)5上且隨傳送機構(gòu)5做水平運動;所述粒子進口端6設(shè)置在密封絕緣機構(gòu)1的頂部且位于基板4上方;所述靜電發(fā)生器3包括靜電發(fā)射棒7和直流高壓電源;所述靜電發(fā)射棒7在水平方向上均勻排列且相互之間有間隙。

所述高壓發(fā)生器2的工作電壓為110 V/ 60 Hz 或者220V/50Hz;消耗電流為0.23A 或者0.12A。

所述靜電發(fā)射棒7排列呈兩列且相互交錯。

實施例8

制備納米SiO2氣凝膠的靜電吸附成型裝置,包括密封絕緣機構(gòu)1,其特征在于:還包括高壓發(fā)生器2、靜電發(fā)生器3、基板4、傳送機構(gòu)5和粒子進口端6;所述基板4位于傳送機構(gòu)5上且隨傳送機構(gòu)5做水平運動;所述粒子進口端6設(shè)置在密封絕緣機構(gòu)1的頂部且位于基板4上方;所述靜電發(fā)生器3包括靜電發(fā)射棒7和直流高壓電源;所述靜電發(fā)射棒7在水平方向上均勻排列且相互之間有間隙。

所述高壓發(fā)生器2的工作電壓為110 V/ 60 Hz 或者220V/50Hz;消耗電流為0.23A 或者0.12A。

所述基板4為玻璃基板4或者拋光鋁基板4。

實施例9

制備納米SiO2氣凝膠的靜電吸附成型裝置,包括密封絕緣機構(gòu)1,其特征在于:還包括高壓發(fā)生器2、靜電發(fā)生器3、基板4、傳送機構(gòu)5和粒子進口端6;所述基板4位于傳送機構(gòu)5上且隨傳送機構(gòu)5做水平運動;所述粒子進口端6設(shè)置在密封絕緣機構(gòu)1的頂部且位于基板4上方;所述靜電發(fā)生器3包括靜電發(fā)射棒7和直流高壓電源;所述靜電發(fā)射棒7在水平方向上均勻排列且相互之間有間隙。

所述高壓發(fā)生器2的工作電壓為110 V/ 60 Hz 或者220V/50Hz;消耗電流為0.23A 或者0.12A。

所述傳送機構(gòu)5為非接觸式驅(qū)動傳送機構(gòu)5,采用TM磁力傳動輪。

實施例10

制備納米SiO2氣凝膠的靜電吸附成型裝置,包括密封絕緣機構(gòu)1,其特征在于:還包括高壓發(fā)生器2、靜電發(fā)生器3、基板4、傳送機構(gòu)5和粒子進口端6;所述基板4位于傳送機構(gòu)5上且隨傳送機構(gòu)5做水平運動;所述粒子進口端6設(shè)置在密封絕緣機構(gòu)1的頂部且位于基板4上方;所述靜電發(fā)生器3包括靜電發(fā)射棒7和直流高壓電源;所述靜電發(fā)射棒7在水平方向上均勻排列且相互之間有間隙。

所述高壓發(fā)生器2的工作電壓為110 V/ 60 Hz 或者220V/50Hz;消耗電流為0.23A 或者0.12A。

所述密封絕緣機構(gòu)1采用采用絕緣且耐高溫的材料制成。

所述靜電發(fā)生器3的輸入電壓為220V/50Hz~60Hz;輸出電流為0.5mA。

所述粒子進口端6從上至下逐漸變窄;所述粒子進口端6的寬度大于等于基板4的寬度。

所述密封絕緣機構(gòu)1還設(shè)置有能夠升降的基板臺9;所述基板臺9包括從上至下依次設(shè)置的承接板10;所述承接板10的三條邊設(shè)置有突起部;所述基板臺9與傳送機構(gòu)5之間設(shè)置有斜坡12。

所述靜電發(fā)射棒7排列呈兩列且相互交錯。

所述基板4為玻璃基板4或者拋光鋁基板4。

所述傳送機構(gòu)5為非接觸式驅(qū)動傳送機構(gòu)5,采用TM磁力傳動輪。

當前第1頁1 2 3 
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1