1.適用于晶體生長感應爐的坩堝，包括堝壁（1）和堝底（2），其特征在于：所述堝壁（1）的外壁上固定安裝有至少兩個對稱設(shè)置的掛耳（3），所述的掛耳（3）由固定部（3.1）、掛耳部（3.2）和迂回部（3.3）一體成型而成，迂回部（3.3）的曲率半徑小于掛耳部（3.2）的曲率半徑，掛耳（3）通過固定部（3.1）固定安裝在堝壁（1）的外壁上，掛耳部（3.2）連接于固定部（3.1）與迂回部（3.3）之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于晶體生長感應爐的坩堝，其特征在于：所述掛耳部（3.2）的內(nèi)側(cè)設(shè)置有掛槽（4）。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用于晶體生長感應爐的坩堝，其特征在于：所述的掛槽（4）的截面呈半圓形。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用于晶體生長感應爐的坩堝，其特征在于：所述的掛槽（4）的截面呈倒V形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于晶體生長感應爐的坩堝，其特征在于：所述堝底（2）的中心焊接有堝底加厚區(qū)（5）。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的適用于晶體生長感應爐的坩堝，其特征在于：所述的堝底加厚區(qū)（5）呈圓形，直徑為45~55mm，厚度為2.5~3.5mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的適用于晶體生長感應爐的坩堝，其特征在于：所述的堝底加厚區(qū)（5）呈圓形，直徑為50mm，厚度為3mm。