技術(shù)特征：

1.一種ZrB₂陶瓷的反應化學氣相沉積制備方法，其特征在于步驟如下：

步驟1：將將球磨混合后的漿料涂覆在C/SiC復合材料的預制體表面，然后放入真空干燥箱，40℃-80℃條件下干燥12h；

所述漿料為質(zhì)量分數(shù)為40％的Zr粉、50％的溶劑酒精、2％的分散劑磷酸三乙酯、3％的粘結(jié)劑聚乙烯醇縮丁醛(PVB)、3％的增塑劑和2％的消泡劑的混合物；

步驟2：進行反應化學氣相沉積，參數(shù)為：通入BCl₃為硼源，H₂為還原氣體，Ar和部分H₂為稀釋氣體；沉積爐中反應溫度為800～1200℃，保溫時間為3～6小時，爐內(nèi)壓力為10～100Kpa，在C/SiC復合材料的預制體表面制備ZrB₂涂層，得到ZrB₂陶瓷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述ZrB₂陶瓷的反應化學氣相沉積制備方法，其特征在于：所述C/SiC復合材料預制體為二維碳纖維編制布和開氣孔率為20vol％～40vol％的C/SiC復合材料的預制體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述ZrB₂陶瓷的反應化學氣相沉積制備方法，其特征在于：所述增塑劑為體積分數(shù)比為1:1的丙三醇和鄰苯二甲酸二辛酯的混合物質(zhì)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述ZrB₂陶瓷的反應化學氣相沉積制備方法，其特征在于：所述消泡劑為為體積分數(shù)比為1:1的正丁醇和乙二醇的混合物質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述ZrB₂陶瓷的反應化學氣相沉積制備方法，其特征在于：所述的Zr粉粒徑為小于25um。