1.一種具有SiV發(fā)光的單晶金剛石，其特征在于，所述的具有SiV發(fā)光的單晶金剛石按如下方法制備得到：
(1)將單晶硅片依次用去離子水、丙酮超聲清洗，干燥后作為單晶金剛石生長的基底；
(2)將經(jīng)過步驟(1)清洗、干燥的單晶硅片放入熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備中作為基底進(jìn)行單晶金剛石的生長，生長條件為：以丙酮為碳源，采用氫氣A鼓泡的方式將丙酮帶入到反應(yīng)室中，氫氣B、丙酮流量比為200：40～90，熱絲與單晶硅基底的距離為5～20mm，反應(yīng)功率1600～2400W，反應(yīng)室氣壓為1～5KPa，生長時(shí)間為2～8h，生長結(jié)束后在氫氣B氣流中冷卻至室溫，即制得具有SiV發(fā)光的單晶金剛石。
2.如權(quán)利要求1所述的具有SiV發(fā)光的單晶金剛石，其特征在于，所述的具有SiV發(fā)光的單晶金剛石，晶粒尺寸為1～10μm，晶粒外形由單一金剛石(111)晶面組成，或者由金剛石(100)和(111)晶面復(fù)合而成。
3.如權(quán)利要求1所述的具有SiV發(fā)光的單晶金剛石，其特征在于，所述步驟(1)的操作方法為：將單晶硅片先置于去離子水中以200W功率超聲清洗10min，取出干燥后，再置于丙酮中以200W功率超聲清洗3min，之后取出干燥作為單晶金剛石生長的基底。
4.如權(quán)利要求1所述的具有SiV發(fā)光的單晶金剛石，其特征在于，步驟(2)中，所述反應(yīng)室氣壓為1.5～4KPa。
5.如權(quán)利要求1所述的具有SiV發(fā)光的單晶金剛石，其特征在于，步驟(2)中，所述生長時(shí)間為4～6h。