技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種原子級平整單晶硅(100)表面的制備方法，屬于納米技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的一種原子級平整單晶硅(100)表面的制備方法，以單晶硅(100)片為襯底，其步驟為：1)清洗襯底；2)在襯底上形成的氧化硅表面上制備氧化鍶薄膜；3)制備原子級平整的單晶硅(100)表面，使用脈沖激光沉積技術(shù)在單晶硅(100)表面上沉積氧化鍶薄膜，然后在超高真空條件下進(jìn)行退火熱處理，退火溫度范圍在550～650℃，退火時(shí)間控制在1～20min，即可獲得具有原子級平整度的單晶硅(100)表面。本發(fā)明通過增加催化劑氧化鍶薄膜，將在真空條件下去除單晶硅(100)表面氧化硅的溫度從1100℃降低至550℃，節(jié)省能耗。

技術(shù)研發(fā)人員：杜文漢;楊景景;熊超;朱錫芳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：常州工學(xué)院
文檔號碼：201610860392
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.28
技術(shù)公布日：2017.01.11