技術(shù)編號：12579232
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種單晶硅(100)表面的制備方法，更具體地說，涉及一種原子級平整單晶硅(100)表面的制備方法。背景技術(shù)單晶硅(100)是現(xiàn)今半導(dǎo)體IC器件的基礎(chǔ)原料，在從硅錠切割成硅片的過程中，硅片表面會形成厚度在2nm的氧化硅絕緣層。隨著IC器件物理尺度的持續(xù)減小，需要獲得原子級平整的硅表面，從而降低各種缺陷帶來的器件性能下降。以原子級平整硅(100)表面為基礎(chǔ)的納米技術(shù)要求表面不得存在絕緣性能的氧化硅層。為去除單晶硅表面氧化硅層，從而獲得原子級平整的硅(100)表面，傳統(tǒng)的閃蒸方法為：在超高真...
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