技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種優(yōu)質(zhì)的碳化硅單晶以及碳化硅單晶晶片，所述碳化硅單晶，其位錯(cuò)和微管等的晶體缺陷的密度低，在應(yīng)用于器件時(shí)成品率高并可發(fā)揮高的性能，在晶種與生長晶體的界面的生長方向的前后的雜質(zhì)添加元素濃度之比為5倍以內(nèi)，并且，晶種附近的生長晶體的雜質(zhì)添加元素濃度為2×1019cm?3以上、6×1020cm?3以下。

技術(shù)研發(fā)人員：中林正史;藤本辰雄;勝野正和;柘植弘志
受保護(hù)的技術(shù)使用者：新日鐵住金株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201610843180
技術(shù)研發(fā)日：2009.10.14
技術(shù)公布日：2017.02.22