本發(fā)明涉及一種單晶的制備裝置和方法，特別是涉及一種鈣鈦礦單晶的裝置及方法，應(yīng)用于太陽能電池器件的新材料制造工藝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

當(dāng)今世界，隨著地球資源的日益減少和人類對能源需求的不斷增加，為了應(yīng)對正在到來的能源危機和環(huán)境危機，我們的能源利用方式必須由不可再生能源系統(tǒng)向可再生能源系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。面對目前能源危機及環(huán)境污染，太陽能作為一種可再生能源，是滿足全球范圍內(nèi)日益增長的能源需求的重要方法之一。其中光伏作為新能源開發(fā)的對象，因其安全、清潔、成本低廉等優(yōu)點而受到重視，研發(fā)高效低成本的新型太陽電池是實現(xiàn)太陽能光伏發(fā)電廣泛應(yīng)用的技術(shù)基礎(chǔ)。

自2009年以來，鈣鈦礦型太陽能電池發(fā)展迅速，并且成本低廉，生產(chǎn)過程中對環(huán)境造成的污染少，已經(jīng)成為了光伏領(lǐng)域的研究熱點。鹵鉛銨鈣鈦礦以其具有合適和易調(diào)節(jié)的帶隙、載流子遷移率高以及對雜質(zhì)和缺陷的良好容忍度等優(yōu)良特性，使鈣鈦礦太陽電池成為一種全新、高效率、價格便宜、制備簡單、結(jié)構(gòu)多樣的新型無機-有機雜化異質(zhì)結(jié)太陽電池。制備尺寸大、結(jié)晶度好的鈣鈦礦晶體有可能成為制備更大更好的鈣鈦礦太陽能電池的一種有效方式。

然而生長大尺寸單晶是一個很大的挑戰(zhàn)，最初，有報道毫米級的鈣鈦礦單晶，但這種方法只將晶體長到10mm。通過將鈣鈦礦的前軀體溶液對流，與最大晶體尺寸限制為約10毫米。通過使用離子對流在一個前體溶液，Huang和合作者開發(fā)了一種頂部籽晶溶液生長(TSSG)方法在一塊硅基板的制備單晶的鈣鈦礦。在這個過程中，在預(yù)先合成較小的鈣鈦礦晶體被用作種子，最終長成平均尺寸為3.3mm和最大尺寸約為10mm的鈣鈦礦晶體。Bakr和合作者使用反溶劑蒸發(fā)擴散的方法制備出毫米大小的CH₃NH₃PbBr₃和CH₃NH₃PbI₃單晶。在另一方面，通過從65℃緩慢降低到40℃以使鈣鈦礦溶液飽和并誘導(dǎo)其析出，經(jīng)過約一個月的生長，Tao和合作者制備出最大10mm×10mm×8mm的CH₃NH₃PbI₃單晶。Liu和他的合作者近期通過籽晶誘導(dǎo)異相成核逆溫結(jié)晶法制備出了最大為71mm×54mm×39mm的鈣鈦礦單晶，這也是最近報道的生長出的最大的單晶。

對于商業(yè)應(yīng)用，仍然需要較大的晶體尺寸。所有上述四種方法中的仍太耗時，不能滿足大規(guī)模生產(chǎn)的要求。其中前三種方法繁瑣且不能夠長大單晶，后一種則不能在同一裝置內(nèi)連續(xù)長大，并且十分耗費溶液，此外，有沿著玻璃滑道邊緣形成約50個較小的1-2毫米的晶體，如載玻片的鋒利的邊緣提供了鈣鈦礦晶體生長成核位點。這些成核位點限制了晶體的長大。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于克服已有技術(shù)存在的不足，提供一種連續(xù)生長大尺寸鈣鈦礦單晶的裝置及方法，通過改進后的新裝置進行鈣鈦礦單晶的連續(xù)生長，制備出尺寸大、結(jié)晶度好的鈣鈦礦單晶，并將此新裝置運用于大規(guī)模商業(yè)生產(chǎn)。利用本發(fā)明新裝置，能采用一整套用于方便的、快捷的連續(xù)生長鈣鈦礦大單晶的穩(wěn)定性好的結(jié)晶工藝流程，本發(fā)明基于環(huán)流和逆溫結(jié)晶方法，實現(xiàn)連續(xù)生長具有高結(jié)晶質(zhì)量的鈣鈦礦單晶，具有重要的產(chǎn)業(yè)推廣價值。

為達到上述發(fā)明創(chuàng)造目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：

一種連續(xù)生長大尺寸鈣鈦礦單晶的裝置，包括鈣鈦礦晶體生長瓶和原料驅(qū)動瓶，在鈣鈦礦晶體生長瓶和原料驅(qū)動瓶的瓶口分別設(shè)置瓶塞，將鈣鈦礦晶體生長瓶和原料驅(qū)動瓶的瓶身通過組裝連接槽進行連通，形成連通器形的晶體生長主體容器，將鈣鈦礦晶體生長瓶和原料驅(qū)動瓶分別放置在兩個加熱裝置的加熱臺上，通過溫控系統(tǒng)控制加熱裝置，分別對在鈣鈦礦晶體生長瓶和在原料驅(qū)動瓶中的物質(zhì)的溫度進行調(diào)控，其中鈣鈦礦晶體生長瓶設(shè)置于油浴鍋中，將油浴鍋放置在加熱裝置的加熱臺上，或者使加熱臺形成槽形的油浴鍋，在油浴鍋中加入適量的油，并使油浴鍋中的油的液面位置高過鈣鈦礦晶體生長瓶底部的高度大于需要生長的目標鈣鈦礦單晶的厚度。

上述鈣鈦礦晶體生長瓶優(yōu)選采用廣口的燒瓶，在完成大尺寸鈣鈦礦單晶制備后，以便將大尺寸鈣鈦礦單晶從鈣鈦礦晶體生長瓶中取出。

上述連接槽的兩端分別位于靠近鈣鈦礦晶體生長瓶和原料驅(qū)動瓶的瓶口的瓶身位置處，以便在控制流體溫差后形成更大范圍的環(huán)流，發(fā)揮籽晶誘導(dǎo)異相成核逆溫結(jié)晶法制備大尺寸鈣鈦礦單晶的優(yōu)勢。

一種連續(xù)生長大尺寸鈣鈦礦單晶的方法，包括如下步驟：

a.裝置系統(tǒng)的第一步預(yù)處理：安裝連續(xù)生長鈣鈦礦單晶的裝置，采用通過連接槽進行連通的鈣鈦礦晶體生長瓶和原料驅(qū)動瓶，鈣鈦礦晶體生長瓶和原料驅(qū)動瓶的瓶身通過組裝連接槽進行連通，形成連通器形的晶體生長主體容器，將裝置和其他輔助儀器進行第一步預(yù)處理，使裝置系統(tǒng)潔凈并干燥，備用；優(yōu)選對裝置進行第一步預(yù)處理步驟為：先采用曲拉通清洗裝置和其他輔助儀器中的器皿表面，然后用去離子水將裝置和其他輔助儀器中的器皿表面殘余的曲拉通沖洗掉，之后再采用丙酮超聲清洗至少15分鐘，然后用去離子水沖洗裝置和其他輔助儀器中的器皿表面，之后再用乙醇超聲清洗至少15分鐘，再用去離子水沖洗裝置和其他輔助儀器中的器皿表面，隨后將其烘干備用；

b.把有機無機雜化鈣鈦礦材料溶解于有機溶劑中，制備成有機無機雜化鈣鈦礦溶液，并將溶液過濾，備用；有機無機雜化鈣鈦礦溶液優(yōu)選為包括CH₃NH₃PbX₃在內(nèi)的ABX₃型有機無機雜化鈣鈦礦材料的溶液，其中A是指CH₃NH₃的正一價有機小分子基團，B是指正二價金屬元素，X是指負一價鹵族元素，對有機無機雜化鈣鈦礦溶液采用0.45毫米孔徑濾網(wǎng)進行PTFE過濾，備用；

c.對在步驟a中采用的潔凈且干燥的裝置進行第二步預(yù)處理，在鈣鈦礦晶體生長瓶和原料驅(qū)動瓶的瓶口分別設(shè)置瓶塞，將鈣鈦礦晶體生長瓶和原料驅(qū)動瓶分別放置在兩個加熱裝置的加熱臺上，通過溫控系統(tǒng)控制加熱裝置，分別對在鈣鈦礦晶體生長瓶和在原料驅(qū)動瓶中的物質(zhì)的溫度進行調(diào)控，其中鈣鈦礦晶體生長瓶設(shè)置于油浴鍋中，將油浴鍋放置在加熱裝置的加熱臺上，或者使加熱臺形成槽形的油浴鍋，在油浴鍋中加入適量的油，并使油浴鍋中的油的液面位置高過鈣鈦礦晶體生長瓶底部的高度大于需要生長的目標鈣鈦礦單晶的厚度，完成裝置的組裝，備用；在對裝置進行第二步預(yù)處理時，在油浴鍋中加入適量的油，并使油浴鍋中的油的液面位置高過鈣鈦礦晶體生長瓶底部的高度優(yōu)選為不低于2厘米；

d.將在步驟b中過濾好的有機無機雜化鈣鈦礦溶液轉(zhuǎn)移到在步驟c中安裝完好的鈣鈦礦晶體生長瓶和原料驅(qū)動瓶中，使有機無機雜化鈣鈦礦溶液的液面高度不低于連接槽的高度，使鈣鈦礦晶體生長瓶、連接槽和原料驅(qū)動瓶內(nèi)的有機無機雜化鈣鈦礦溶液形成連續(xù)液流體系，在鈣鈦礦晶體生長瓶和原料驅(qū)動瓶中的有機無機雜化鈣鈦礦溶液具備直接混合和循環(huán)流動的液體條件；

e.采用籽晶誘導(dǎo)異相成核逆溫結(jié)晶法，將鈣鈦礦籽晶轉(zhuǎn)移到在鈣鈦礦晶體生長瓶中裝有的有機無機雜化鈣鈦礦溶液的中，通過控制溫控系統(tǒng)對在鈣鈦礦晶體生長瓶中裝有的有機無機雜化鈣鈦礦溶液溫度進行調(diào)控，利用鈣鈦礦晶體生長瓶和原料驅(qū)動瓶中的溫度差，使晶體生長主體容器中的鈣鈦礦溶液形成環(huán)流，將原料驅(qū)動瓶中的過飽和的鈣鈦礦溶液源源不斷地輸運到鈣鈦礦晶體生長瓶中，參與結(jié)晶過程，在鈣鈦礦晶體生長瓶中連續(xù)生長鈣鈦礦單晶，當(dāng)連接槽內(nèi)的有機無機雜化鈣鈦礦溶液不足將導(dǎo)致不能滿足步驟d中形成連續(xù)液流體系時，從原料驅(qū)動瓶的瓶口加入有機無機雜化鈣鈦礦溶液進行補充，直至連續(xù)生長晶體過程完成后，將制備好的鈣鈦礦單晶從鈣鈦礦晶體生長瓶中取出，然后清洗并烘干，即得到大尺寸鈣鈦礦單晶材料。通過控制結(jié)晶過程參數(shù)來控制鈣鈦礦單晶的生長速度和生長大小，優(yōu)選具體的結(jié)晶過程參數(shù)包括：鈣鈦礦晶體生長瓶和原料驅(qū)動瓶的對應(yīng)溫度T1、T2和相應(yīng)的溫度差ΔT、鈣鈦礦單晶的生長時間t、通過原料驅(qū)動瓶加入的原料m的量。作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，在采用籽晶誘導(dǎo)異相成核逆溫結(jié)晶法時，通過控制溫度連續(xù)生長大尺寸鈣鈦礦單晶，其中鈣鈦礦晶體生長瓶的溫度在放入鈣鈦礦籽晶時比正常鈣鈦礦單晶生長溫度低20℃，原料驅(qū)動瓶的溫度則保持不變，結(jié)晶進行20分鐘后，再將鈣鈦礦晶體生長瓶的溫度恢復(fù)為正常生長溫度；連續(xù)生長晶體過程完成后，將制備好的鈣鈦礦單晶清洗并烘干備用，其中清洗用乙醚溶液，清洗過程要采用快速清洗方式，并保持對鈣鈦礦單晶的機械損傷盡量小，其中烘干用真空干燥箱60℃干燥至少12小時，然后將烘干后的鈣鈦礦單晶轉(zhuǎn)移到手套箱中進行保存。在采用籽晶誘導(dǎo)異相成核逆溫結(jié)晶法時，鈣鈦礦籽晶優(yōu)選采用CH₃NH₃PbBr₃或CH₃NH₃PbI₃，優(yōu)選所采用的CH₃NH₃PbBr₃的晶體形狀為底面為正方形或長方形的平行六面體，優(yōu)選所采用的CH₃NH₃PbI₃的晶體形狀為底面為正六邊形的十二面體。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較，具有如下顯而易見的突出實質(zhì)性特點和顯著優(yōu)點：

1.本發(fā)明采用操作簡單成功率高的可以連續(xù)生長高結(jié)晶質(zhì)量的鈣鈦礦單晶的新型裝置，能制備高質(zhì)量的鈣鈦礦單晶，本發(fā)明單晶制備工藝過程簡單，易于操作，可重復(fù)性好，本發(fā)明裝置利用鈣鈦礦晶體生長瓶和原料驅(qū)動瓶中的溫度差使裝置中的鈣鈦礦溶液環(huán)流，將原料驅(qū)動瓶中的過飽和的鈣鈦礦溶液源源不斷的輸運到鈣鈦礦晶體生長瓶中參與結(jié)晶，并通過控制實驗參數(shù)來控制鈣鈦礦單晶的生長速度和生長大小，能連續(xù)并且快速的生長鈣鈦礦單晶，易于大規(guī)模生產(chǎn)；

2.本發(fā)明能生長得到對角線長度為鈣鈦礦晶體生長瓶尺寸大小的鈣鈦礦單晶，最大生長速度為1厘米/天，具有顯著的產(chǎn)業(yè)推廣價值。

附圖說明

圖1為本發(fā)明優(yōu)選實施例連續(xù)生長大尺寸鈣鈦礦單晶的裝置的原理圖。

圖2為本發(fā)明優(yōu)選實施例制備的CH₃NH₃PbI₃單晶的X射線衍射圖。

圖3為本發(fā)明優(yōu)選實施例制備的CH₃NH₃PbI₃單晶截面的光學(xué)顯微鏡圖。

圖4為本發(fā)明優(yōu)選實施例制備的CH₃NH₃PbI₃單晶的吸收圖。

具體實施方式

本發(fā)明的優(yōu)選實施例詳述如下：

在本實施例中，參見圖1～4，一種連續(xù)生長大尺寸鈣鈦礦單晶的裝置，包括鈣鈦礦晶體生長瓶1和原料驅(qū)動瓶2，鈣鈦礦晶體生長瓶1采用廣口的燒瓶，在鈣鈦礦晶體生長瓶1和原料驅(qū)動瓶2的瓶口分別設(shè)置瓶塞，將鈣鈦礦晶體生長瓶1和原料驅(qū)動瓶2的瓶身通過組裝連接槽3進行連通，形成連通器形的晶體生長主體容器，連接槽3的兩端分別位于靠近鈣鈦礦晶體生長瓶1和原料驅(qū)動瓶2的瓶口的瓶身位置處，將鈣鈦礦晶體生長瓶1和原料驅(qū)動瓶2分別放置在兩個加熱裝置的加熱臺4上，通過溫控系統(tǒng)控制加熱裝置，分別對在鈣鈦礦晶體生長瓶1和在原料驅(qū)動瓶2中的物質(zhì)的溫度進行調(diào)控，使加熱臺形成槽形的油浴鍋，加熱臺直接作為油浴鍋，結(jié)構(gòu)簡單，使鈣鈦礦晶體生長瓶1設(shè)置于油浴鍋中，在油浴鍋中加入適量的油5，并使油浴鍋中的油5的液面位置高過鈣鈦礦晶體生長瓶底部的高度大于需要生長的目標鈣鈦礦單晶的厚度。

在本實施例中，參見圖1，鈣鈦礦晶體生長瓶1采用廣口的燒瓶，在完成大尺寸鈣鈦礦單晶制備后，以便將大尺寸鈣鈦礦單晶從鈣鈦礦晶體生長瓶1中取出。連接槽3的兩端分別位于靠近鈣鈦礦晶體生長瓶1和原料驅(qū)動瓶2的瓶口的瓶身位置處，以便在控制流體溫差后形成更大范圍的環(huán)流，發(fā)揮籽晶誘導(dǎo)異相成核逆溫結(jié)晶法制備大尺寸鈣鈦礦單晶的優(yōu)勢。

一種連續(xù)生長大尺寸鈣鈦礦單晶的方法，包括如下步驟：

a.裝置系統(tǒng)的第一步預(yù)處理：安裝連續(xù)生長鈣鈦礦單晶的裝置，采用通過連接槽3進行連通的鈣鈦礦晶體生長瓶1和原料驅(qū)動瓶2，鈣鈦礦晶體生長1底部直徑為2.2厘米，鈣鈦礦晶體生長瓶1和原料驅(qū)動瓶2的瓶身通過組裝連接槽3進行連通，形成連通器形的晶體生長主體容器，將裝置和其他輔助儀器進行第一步預(yù)處理，步驟為：先采用曲拉通清洗裝置和其他輔助儀器中的器皿表面，然后用去離子水將裝置和其他輔助儀器中的器皿表面殘余的曲拉通沖洗掉，之后再采用丙酮超聲清洗15分鐘，然后用去離子水沖洗裝置和其他輔助儀器中的器皿表面，之后再用乙醇超聲清洗15分鐘，再用去離子水沖洗裝置和其他輔助儀器中的器皿表面，隨后將其烘干，使裝置系統(tǒng)潔凈并干燥，備用；

b.把有機無機雜化鈣鈦礦材料溶解于有機溶劑中，制備成有機無機雜化鈣鈦礦溶液，具體為：將CH₃NH₃I與PbI₂的粉末按照1.3:1的比例溶解于γ-丁內(nèi)酯(GBL)，從而配制成CH₃NH₃PbI₃溶液，其中溶液的質(zhì)量百分比為51％，將所得的CH₃NH₃PbI₃溶液采用0.45毫米的孔徑進行PTFE過濾，備用；

c.對在步驟a中采用的潔凈且干燥的裝置進行第二步預(yù)處理，在鈣鈦礦晶體生長瓶1和原料驅(qū)動瓶2的瓶口分別設(shè)置瓶塞，將鈣鈦礦晶體生長瓶1和原料驅(qū)動瓶2分別放置在兩個加熱裝置的加熱臺4上，通過溫控系統(tǒng)控制加熱裝置，分別對在鈣鈦礦晶體生長瓶1和在原料驅(qū)動瓶2中的物質(zhì)的溫度進行調(diào)控，其中鈣鈦礦晶體生長瓶1設(shè)置于油浴鍋中，將油浴鍋放置在加熱裝置的加熱臺4上，或者使加熱臺4形成槽形的油浴鍋，在油浴鍋中加入適量的油5，并使油浴鍋中的油5的液面位置高過鈣鈦礦晶體生長瓶1底部的高度為2厘米，完成裝置的組裝，將鈣鈦礦晶體生長瓶1處的油浴溫度設(shè)定為80℃，原料驅(qū)動瓶處2的油浴設(shè)定為75℃，備用；

d.將在步驟b中過濾好的CH₃NH₃PbI₃溶液轉(zhuǎn)移到在步驟c中安裝完好的鈣鈦礦晶體生長1和原料驅(qū)動瓶2中，使CH₃NH₃PbI₃溶液的液面高度不低于連接槽3的高度，使鈣鈦礦晶體生長瓶1、連接槽3和原料驅(qū)動瓶2內(nèi)的CH₃NH₃PbI₃溶液形成連續(xù)液流體系，在鈣鈦礦晶體生長瓶1和原料驅(qū)動瓶2中的CH₃NH₃PbI₃溶液具備直接混合和循環(huán)流動的液體條件；

e.利用籽晶誘導(dǎo)異相成核逆溫結(jié)晶法，采用晶體底面為正六邊形的十二面體CH₃NH₃PbI₃籽晶，將CH₃NH₃PbI₃籽晶轉(zhuǎn)移到在鈣鈦礦晶體生長瓶1中裝有的CH₃NH₃PbI₃溶液中，通過控制溫控系統(tǒng)對在鈣鈦礦晶體生長瓶1中裝有的CH₃NH₃PbI₃溶液溫度進行調(diào)控，利用鈣鈦礦晶體生長瓶1和原料驅(qū)動瓶2中的溫度差，使晶體生長主體容器中的鈣鈦礦溶液形成環(huán)流，將原料驅(qū)動瓶2中的過飽和的鈣鈦礦溶液源源不斷地輸運到鈣鈦礦晶體生長瓶1中，參與結(jié)晶過程，在鈣鈦礦晶體生長瓶1中連續(xù)生長鈣鈦礦單晶，當(dāng)連接槽3內(nèi)的CH₃NH₃PbI₃溶液不足將導(dǎo)致不能滿足步驟d中形成連續(xù)液流體系時，從原料驅(qū)動瓶2的瓶口加入CH₃NH₃PbI₃溶液進行補充，直至連續(xù)生長晶體過程完成后，將制備好的鈣鈦礦單晶從鈣鈦礦晶體生長瓶1中取出，然后清洗并烘干，即得到大尺寸鈣鈦礦單晶材料。

在本實施例的第e步驟中，在采用籽晶誘導(dǎo)異相成核逆溫結(jié)晶法時，通過控制溫度連續(xù)生長大尺寸鈣鈦礦單晶，鈣鈦礦晶體生長瓶1的溫度在放入鈣鈦礦籽晶時為80℃，原料驅(qū)動瓶2的溫度為75℃。20分鐘后，將鈣鈦礦晶體生長1處的油浴溫度設(shè)定為100℃，使鈣鈦礦晶體生長瓶1的溫度升為100℃，原料驅(qū)動瓶2的溫度依然為75℃，兩天后，連續(xù)生長晶體過程完成，再將制備好的鈣鈦礦單晶取出，清洗并烘干備用，其中清洗用乙醚溶液，清洗過程要采用快速清洗方式清洗1分鐘，并保持對鈣鈦礦單晶的機械損傷盡量小，其中烘干用真空干燥箱60℃干燥12小時，然后將烘干后的鈣鈦礦單晶轉(zhuǎn)移到手套箱中進行保存。

實驗測試分析：

對本實施例制備的CH₃NH₃PbI₃單晶進行實驗測試分析。通過此新型裝置制得的CH₃NH₃PbI₃單晶的X射線衍射圖、截面的光學(xué)顯微鏡圖和吸收圖如圖2、圖3、圖4所示。由圖2可知，生成的CH₃NH₃PbI₃是純相，在14.10°，28.20°，28.47°和40.55°有強衍射峰，與立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的(110)，(004)，(220)和(224)晶面相對應(yīng)，還可看出，CH₃NH₃PbI₃單晶具有(224)擇優(yōu)取向。由圖3單晶的光學(xué)顯微鏡的截面圖可以看出，生長的CH₃NH₃PbI₃單晶厚度比較均勻，且晶體是沿一定方向生長。由圖4晶體的紫外可見吸收光譜可知，CH₃NH₃PbI₃在750納米處有強吸收，這與標準的吸收圖譜一致。

本實施例基于環(huán)流和逆溫結(jié)晶的來連續(xù)生長具有高結(jié)晶質(zhì)量的鈣鈦礦單晶的裝置，這種裝置利用鈣鈦礦晶體生長瓶和原料驅(qū)動瓶中的溫度差使裝置中的鈣鈦礦溶液環(huán)流，將原料驅(qū)動瓶2中的過飽和的鈣鈦礦溶液源源不斷的輸運到鈣鈦礦晶體生長瓶1中參與逆溫結(jié)晶。并通過控制鈣鈦礦晶體生長瓶1和原料驅(qū)動瓶2的各自的溫度T1、T2和相應(yīng)的溫度差T，整體鈣鈦礦單晶的生長時間t，以及通過原料驅(qū)動瓶加入的原料量m來控制鈣鈦礦單晶的生長速度和生長大小。本實施例裝置能連續(xù)并且快速的生長鈣鈦礦單晶，易于大規(guī)模生產(chǎn)。通過此方法，可以生長得到對角線長度為鈣鈦礦晶體生長瓶1尺寸大小的鈣鈦礦單晶，最大生長速度為1厘米/天，具有顯著的產(chǎn)業(yè)推廣價值。

上面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例進行了說明，但本發(fā)明不限于上述實施例，還可以根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明創(chuàng)造的目的做出多種變化，凡依據(jù)本發(fā)明技術(shù)方案的精神實質(zhì)和原理下做的改變、修飾、替代、組合或簡化，均應(yīng)為等效的置換方式，只要符合本發(fā)明的發(fā)明目的，只要不背離本發(fā)明連續(xù)生長大尺寸鈣鈦礦單晶的裝置及方法的技術(shù)原理和發(fā)明構(gòu)思，都屬于本發(fā)明的保護范圍。