技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種多晶硅半熔鑄錠方法，包括步驟：一、預(yù)熱：采用多晶硅鑄錠爐對裝于坩堝內(nèi)的硅料進(jìn)行預(yù)熱，多晶硅鑄錠爐的頂側(cè)比系數(shù)c＝1；二、熔化及后期排雜，過程如下：201、熔化；202、熔化后期排雜：采用多晶硅鑄錠爐對硅料進(jìn)行繼續(xù)熔化，繼續(xù)熔化時(shí)間為15min～40min；繼續(xù)熔化過程中，通過調(diào)整頂部加熱器和/或四個(gè)側(cè)部加熱器的加熱功率使0.8≤c＜1；三、長晶及同步排雜：長晶過程中，通過調(diào)整頂部加熱器和/或四個(gè)側(cè)部加熱器的加熱功率使0.3≤c＜0.9；四、退火及冷卻。本發(fā)明方法步驟簡單、設(shè)計(jì)合理且實(shí)現(xiàn)方便、使用效果好，能解決現(xiàn)有多晶硅半熔鑄錠工藝存在的排雜效果較差、鑄錠成品質(zhì)量不能保證等問題。

技術(shù)研發(fā)人員：李建軍;劉波波;賀鵬;藺文;虢虎平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安華晶電子技術(shù)股份有限公司
文檔號碼：201610694071
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.19
技術(shù)公布日：2016.11.16