本發(fā)明涉及電阻材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種熱敏電阻材料及其制備方法和應(yīng)用。

背景技術(shù)：

熱敏電阻器是一類對(duì)溫度敏感、在不同的溫度下表現(xiàn)出不同的電阻值的敏感元件，按照溫度系數(shù)不同分為正溫度系數(shù)熱敏電阻器(PTC)和負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器(NTC)。其中負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器(NTC)是一類電阻值隨溫度增大而減小的半導(dǎo)體材料，具有測(cè)溫、控溫、溫度補(bǔ)償、抑制浪涌等作用。

NTC熱敏電阻材料通常為過(guò)渡金屬氧化物組成的尖晶石型固溶體。一般具有一種或兩種金屬元素與氧組成晶體結(jié)構(gòu)。然而，傳統(tǒng)的NTC熱敏電阻材料的熱敏常數(shù)(B值)一般在2000K～6000K，電阻率一般在2Ω·cm以上。B值較高、電阻率較大，不適用于低溫、高頻、大功率等特定場(chǎng)合的溫度衰減補(bǔ)償。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要提供一種B值較低、電阻率較小的熱敏電阻材料及其制備方法和應(yīng)用。

一種熱敏電阻材料，其特征在于，所述熱敏電阻材料的化學(xué)通式為L(zhǎng)a_xSr_1-xCo_yFe_1-yO₃，其中，0.5＜x<1，0＜y<1。

在一個(gè)實(shí)施方式中，0.6≤x≤0.9，0.4≤y≤0.8。

在一個(gè)實(shí)施方式中，由所述熱敏電阻材料制備的電阻器的熱敏常數(shù)為100K～2000K，由所述熱敏電阻材料制備的電阻器的電阻率為0.005Ω·cm～2Ω·cm。

上述熱敏電阻材料的制備方法，包括以下步驟：

將含La化合物、含Sr化合物、含Co化合物以及含F(xiàn)e化合物按熱敏電阻材料的化學(xué)通式中的化學(xué)計(jì)量混合形成混合配料，其中，所述熱敏電阻材料的化學(xué)通式為L(zhǎng)a_xSr_1-xCo_yFe_1-yO₃，0.5＜x<1，0＜y<1；

向所述混合配料中加入球磨介質(zhì)以及研磨球后進(jìn)行球磨，得到第一粉料；

對(duì)所述第一粉料進(jìn)行預(yù)燒，得到預(yù)燒料；

向所述預(yù)燒料中加入球磨介質(zhì)以及研磨球后進(jìn)行再次球磨，得到第二粉料；以及

對(duì)所述第二粉料進(jìn)行燒結(jié)，得到所述熱敏電阻材料。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述含La化合物為L(zhǎng)a₂O₃，所述含Sr化合物為Sr₂CO₃，所述含Co化合物為Co₃O₄，所述含F(xiàn)e化合物為Fe₂O₃。

在一個(gè)實(shí)施方式中，向所述混合配料中加入球磨介質(zhì)以及研磨球后進(jìn)行球磨的操作中，所述球磨介質(zhì)與所述混合配料的質(zhì)量比為0.8～1.5:1，所述研磨球與所述混合配料的質(zhì)量比為2～8:1，球磨的轉(zhuǎn)速為200r/min～300r/min的，球磨時(shí)間為2h～12h。

在一個(gè)實(shí)施方式中，向所述預(yù)燒料中加入球磨介質(zhì)以及研磨球后進(jìn)行再次球磨的操作中，所述球磨介質(zhì)與所述預(yù)燒料的質(zhì)量比為0.8～1.5:1，所述研磨球與所述預(yù)燒料的質(zhì)量比為2～8:1，球磨的轉(zhuǎn)速為200r/min～400r/min的，球磨時(shí)間為10h～24h。

在一個(gè)實(shí)施方式中，對(duì)所述第一粉料進(jìn)行預(yù)燒的操作具體為：將所述第一粉料置于燒結(jié)設(shè)備中，以1℃/min～10℃/min的升溫速率從室溫升溫至900℃～1100℃，在900℃～1100℃下保溫時(shí)間為2h～12h；

對(duì)所述第二粉料進(jìn)行燒結(jié)的操作具體為：將所述第二粉料置于燒結(jié)設(shè)備中，以0.5℃/min～5℃/min的升溫速率從室溫升溫至1200℃～1300℃，在1200℃～1300℃下保溫時(shí)間為2h～24h。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述球磨介質(zhì)為無(wú)水乙醇或去離子水，所述研磨球?yàn)檠趸喦颉?/p>

上述熱敏電阻材料在電阻器及傳感器中的應(yīng)用。

上述熱敏電阻材料，化學(xué)通式為L(zhǎng)a_xSr_1-xCo_yFe_1-yO₃，其中，0.5＜x<1，0＜y<1。該熱敏電阻材料包括四種金屬元素La(鑭)、Sr(鍶)、Co(鈷)和Fe(鐵)，四種金屬元素與O(氧)組成La-Sr-Co-Fe-O體系。La與Sr兩種元素的摩爾數(shù)之和與Co與Fe兩種元素的摩爾數(shù)之和的比值為1:1，并且，0.5＜x<1，La元素在熱敏電阻材料中所占的比例大于Sr元素在熱敏電阻材料中所占的比例。經(jīng)試驗(yàn)測(cè)試，這種La-Sr-Co-Fe-O體系的熱敏電阻材料結(jié)晶度好，B值在100K～2000K，電阻率范圍為0.005Ω·cm～2Ω·cm，B值較低、電阻率較小。能夠適用于低溫、高頻、大功率等特定場(chǎng)合的溫度衰減補(bǔ)償。

附圖說(shuō)明

圖1為一實(shí)施方式的熱敏電阻材料的制備方法的流程圖；

圖2為實(shí)施例1制備得到的熱敏電阻材料的XRD譜圖；

圖3為實(shí)施例1制備得到的熱敏電阻材料的電阻-溫度特征曲線；

圖4為實(shí)施例2制備得到的熱敏電阻材料的XRD譜圖；

圖5為實(shí)施例2制備得到的熱敏電阻材料的電阻-溫度特征曲線；

圖6為實(shí)施例3制備得到的熱敏電阻材料的XRD譜圖；

圖7為實(shí)施例3制備得到的熱敏電阻材料的電阻-溫度特征曲線。

具體實(shí)施方式

下面主要結(jié)合附圖以及具體實(shí)施例對(duì)熱敏電阻材料及其制備方法和應(yīng)用作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

一實(shí)施方式的熱敏電阻材料，其化學(xué)通式為L(zhǎng)a_xSr_1-xCo_yFe_1-yO₃，其中，0.5＜x<1，0＜y<1。

本實(shí)施方式的熱敏電阻材料包括四種金屬元素La(鑭)、Sr(鍶)、Co(鈷)和Fe(鐵)，四種金屬元素與O(氧)組成La-Sr-Co-Fe-O體系。La與Sr兩種元素的摩爾數(shù)之和與Co與Fe兩種元素的摩爾數(shù)之和的比值為1:1。并且，0.5＜x<1，La元素在熱敏電阻材料中所占的比例大于Sr元素在熱敏電阻材料中所占的比例。

其中，x和y可以表示為各個(gè)元素的摩爾比。進(jìn)一步的，0.6≤x≤0.9，0.4≤y≤0.8。

具體的，由上述熱敏電阻材料制備的電阻器的熱敏常數(shù)為100K～2000K，由上述熱敏電阻材料制備的電阻器的電阻率為0.005Ω·cm～2Ω·cm。

更進(jìn)一步的，在-60℃～120℃溫度范圍內(nèi)，上述熱敏電阻材料制備的電阻器的熱敏常數(shù)為100K～1000K，由上述熱敏電阻材料制備的電阻器的電阻率為0.005Ω·cm～0.07Ω·cm。

上述熱敏電阻材料的四種金屬元素(La、Sr、Co和Fe)分別選自鑭系元素、堿土金屬、過(guò)渡金屬元素以及過(guò)渡金屬元素。La與Sr兩種元素的摩爾數(shù)之和與Co與Fe兩種元素的摩爾數(shù)之和的比值為1:1。經(jīng)試驗(yàn)測(cè)試，這種組合的熱敏電阻材料的晶體結(jié)構(gòu)較緊密、衍射峰尖銳、結(jié)晶度好。這種熱敏電阻材料的電阻值隨溫度增大而減小，具有負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器(NTC)的特性。其B值在100K～2000K，電阻率范圍為0.005Ω·cm～2Ω·cm，B值較低、電阻率較小。能夠適用于低溫、高頻、大功率等特定場(chǎng)合的溫度衰減補(bǔ)償，可應(yīng)用于在半寬溫區(qū)測(cè)溫等領(lǐng)域。

如圖1所示，一實(shí)施方式的熱敏電阻材料的制備方法，包括以下步驟S110～S150。

S110、將含La化合物、含Sr化合物、含Co化合物以及含F(xiàn)e化合物按熱敏電阻材料的化學(xué)通式中的化學(xué)計(jì)量混合形成混合配料。

其中，熱敏電阻材料的化學(xué)通式為L(zhǎng)a_xSr_1-xCo_yFe_1-yO₃，0＜x<1，0＜y<1。

更進(jìn)一步的，0.6≤x≤0.9，0.4≤y≤0.8。將含La化合物、含Sr化合物、含Co化合物以及含F(xiàn)e化合物按照化學(xué)通式中的化學(xué)計(jì)量混合均勻。

具體的，含La化合物為L(zhǎng)a₂O₃(三氧化二鑭)，含Sr化合物為Sr₂CO₃(碳酸鍶)，含Co化合物為Co₃O₄(四氧化三鈷)，含F(xiàn)e化合物為Fe₂O₃(三氧化二鐵)。其中，Sr₂CO₃(碳酸鍶)經(jīng)過(guò)預(yù)燒工序后可分解成的SrO(氧化鍶)和CO₂(二氧化碳)。這幾種化合物的分別含有La(鑭)、Sr(鍶)、Co(鈷)和Fe(鐵)元素，混合后經(jīng)球磨和燒結(jié)等操作得到的熱敏電阻材料僅含有La-Sr-Co-Fe-O體系，不會(huì)引入其他雜質(zhì)。當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，含La化合物、含Sr化合物、含Co化合物以及含F(xiàn)e化合物也還可以是其他的化合物，例如，含La化合物還可以為L(zhǎng)a₂(CO₃)₃(碳酸鑭)等，含Sr化合物可以為SrO(氧化鍶)等，含Co化合物可以CoO(一氧化鈷)等，含F(xiàn)e化合物可以為FeO(氧化亞鐵)等。

S120、向S110中得到的混合配料中加入球磨介質(zhì)以及研磨球后進(jìn)行球磨，得到第一粉料。

在S110中將各材料混合后得到的混合配料一般為粉末狀或顆粒狀，加入研磨介質(zhì)再研磨可增加粉末的分散效果。具體的，球磨介質(zhì)為無(wú)水乙醇或去離子水，研磨球?yàn)檠趸喦?。氧化鋯球的直徑一般可以?mm～10mm左右。球磨后氧化鋯球可回收重復(fù)使用。

具體的，向混合配料中加入球磨介質(zhì)以及研磨球后進(jìn)行球磨的操作中，球磨介質(zhì)與混合配料的質(zhì)量比為0.8～1.5:1，研磨球與混合配料的質(zhì)量比為2～8:1，球磨的轉(zhuǎn)速為200r/min(轉(zhuǎn)/分鐘)～300r/min(轉(zhuǎn)/分鐘)的，球磨時(shí)間為2h(小時(shí))～12h(小時(shí))。經(jīng)過(guò)球磨后可將含La化合物、含Sr化合物、含Co化合物以及含F(xiàn)e化合物組成的混合配料充分混勻。

進(jìn)一步的，還包括將球磨后得到的第一粉料進(jìn)行烘干以去除球磨介質(zhì)。例如可以在60℃～100℃的溫度條件下將第一粉料烘干。本實(shí)施方式中在85℃的溫度條件下將第一粉料烘干。

進(jìn)一步的，還可將烘干后的第一粉料進(jìn)行過(guò)篩后再進(jìn)行預(yù)燒操作，以去除一些粒徑過(guò)大或過(guò)小的粉料，提高最終熱敏電阻材料的均勻性。

本實(shí)施方式通過(guò)球磨的方式將各材料以固相反應(yīng)的方式混合，將相比傳統(tǒng)的溶液法混合的方式，固相反應(yīng)獲得的混合粉料更有利于在燒結(jié)中形成結(jié)晶度好的晶體。

S130、對(duì)S120中得到的第一粉料進(jìn)行預(yù)燒，得到預(yù)燒料。

對(duì)球磨后得到的第一粉料預(yù)燒，使得第一粉料預(yù)先形成晶形結(jié)構(gòu)。

具體的，對(duì)第一粉料進(jìn)行預(yù)燒的操作具體為：將第一粉料置于燒結(jié)設(shè)備中，以1℃/min～10℃/min的升溫速率從室溫升溫至900℃～1100℃，在900℃～1100℃下保溫時(shí)間為2h～12h。

S140、向S130得到的預(yù)燒料中加入球磨介質(zhì)以及研磨球后進(jìn)行再次球磨，得到第二粉料。

具體的，球磨介質(zhì)為無(wú)水乙醇或去離子水，研磨球?yàn)檠趸喦?。氧化鋯球的直徑一般可以?mm～10mm左右。球磨后氧化鋯球可回收重復(fù)使用。

具體的，向預(yù)燒料中加入球磨介質(zhì)以及研磨球后進(jìn)行再次球磨的操作中，球磨介質(zhì)與預(yù)燒料的質(zhì)量比為0.8～1.5:1，研磨球與預(yù)燒料的質(zhì)量比為2～8:1，球磨的轉(zhuǎn)速為200r/min～400r/min的，球磨時(shí)間為10h～24h。

將第一粉料預(yù)燒結(jié)束后進(jìn)行再次球磨，使得預(yù)燒后的形成晶體結(jié)構(gòu)的物質(zhì)重新混勻，進(jìn)一步提高各個(gè)組分的混合均勻性，再次球磨形成新的更小的晶體結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，還包括將再次球磨后得到的第二粉料進(jìn)行烘干以去除球磨介質(zhì)。例如可以在60℃～100℃的溫度條件下將第二粉料烘干。本實(shí)施方式中在85℃的溫度條件下將第二粉料烘干。

進(jìn)一步的，還可將烘干后的粉料進(jìn)行過(guò)篩，以去除一些粒徑過(guò)大或過(guò)小的粉料，提高最終熱敏電阻材料的均勻性。篩網(wǎng)的大小可以為80目到120目的網(wǎng)篩。

S150、對(duì)S140中得到的第二粉料進(jìn)行燒結(jié)，得到熱敏電阻材料。

對(duì)第二粉料燒結(jié)，使得粉料形成比較穩(wěn)定的晶形結(jié)構(gòu)。

具體的，對(duì)第二粉料進(jìn)行燒結(jié)的操作具體為：將第二粉料置于燒結(jié)設(shè)備中，以0.5℃/min～5℃/min的升溫速率從室溫升溫至1200℃～1300℃，在1200℃～1300℃下保溫時(shí)間為2h～24h。

具體的，燒結(jié)前可將第二粉料壓制成圓柱狀配體，然后進(jìn)行燒結(jié)即可得到電阻瓷體。在電阻瓷體的上下表面通過(guò)絲網(wǎng)印刷銀漿等方式可制備得到銀電極，印刷銀漿后經(jīng)800℃燒滲5min～30min，即可進(jìn)行電阻-溫度特性測(cè)試。

第一粉料預(yù)燒結(jié)束后進(jìn)行再次球磨，使得預(yù)燒后的形成晶體結(jié)構(gòu)的物質(zhì)重新混勻，進(jìn)一步提高各個(gè)組分的混合均勻性，再次球磨可形成新的更小的晶體結(jié)構(gòu)。將再次球磨后得到的第二粉料進(jìn)行燒結(jié)，進(jìn)一步提升La、Sr、Co、Fe以及O五種元素晶體結(jié)構(gòu)的致密性，使得La-Sr-Co-Fe-O體系的熱敏電阻材料結(jié)晶度好，性能更優(yōu)。而晶粒之間排列更加緊致可能是導(dǎo)致B值較低、電阻率較小的原因。

上述熱敏電阻材料的制備方法，將含La化合物、含Sr化合物、含Co化合物以及含F(xiàn)e化合物混合，依次進(jìn)行球磨、預(yù)燒、再次球磨以及燒結(jié)的工序。反應(yīng)時(shí)在固相條件下進(jìn)行的，最小限度地控制其他的雜質(zhì)引入。第一粉料預(yù)燒之后得到的預(yù)燒料進(jìn)行再次球磨，使得預(yù)燒后的形成晶體結(jié)構(gòu)的物質(zhì)重新混勻，進(jìn)一步提高各個(gè)組分的混合均勻性，再次球磨形成新的更小的晶體結(jié)構(gòu)。再次球磨得到的第二粉料進(jìn)行燒結(jié)操作，可進(jìn)一步提升La、Sr、Co、Fe以及O五種元素晶體結(jié)構(gòu)的致密性，使得La-Sr-Co-Fe-O體系的熱敏電阻材料結(jié)晶度好，性能更優(yōu)。這種方法制備得到的熱敏電阻材料的晶體結(jié)構(gòu)較緊密、衍射峰尖銳、結(jié)晶度好。B值在100K～2000K，電阻率范圍為0.005Ω·cm～2Ω·cm，B值較低、電阻率較小。能夠適用于低溫、高頻、大功率等特定場(chǎng)合的溫度衰減補(bǔ)償，可應(yīng)用于在半寬溫區(qū)測(cè)溫等領(lǐng)域。

本發(fā)明的熱敏電阻材料可應(yīng)用在電阻器及傳感器等領(lǐng)域中。通過(guò)熱敏電阻材料制得的電阻器及傳感器，B值較低、電阻率較小，因而可用于低溫、高頻、大功率等特定場(chǎng)合的溫度衰減補(bǔ)償。

以下為具體實(shí)施例部分。

以下實(shí)施例如無(wú)特別說(shuō)明，未注明具體條件的實(shí)驗(yàn)方法，通常按照常規(guī)條件。各實(shí)施例中得到的B值通過(guò)如下公式計(jì)算：

B＝T₁T₂Ln(R_T1/R_T2)/(T₂-T₁)，

其中T₁和T₂表示在兩個(gè)指定的溫度的凱式溫度值(K)，R_T1表示溫度T₁時(shí)的零功率電阻值，R_T2表示溫度T₂時(shí)的零功率電阻值。

實(shí)施例1

制備La_0.8Sr_0.2Co_0.4Fe_0.6O₃瓷體

按照化學(xué)通式La_0.8Sr_0.2Co_0.4Fe_0.6O₃的化學(xué)計(jì)量比稱取三氧化二鑭、碳酸鍶、四氧化三鈷、三氧化二鐵進(jìn)行配料。將稱量后的原料放入球磨罐中，加入無(wú)水乙醇作為球磨介質(zhì)，氧化鋯球作為研磨球，其中無(wú)水乙醇的質(zhì)量為混合配料的1倍，氧化鋯球的質(zhì)量為混合配料質(zhì)量的5倍，球磨混合6h，轉(zhuǎn)速為250r/min。將球磨后的漿料在85℃條件下將無(wú)水乙醇烘干后進(jìn)行預(yù)燒，預(yù)燒溫度1100℃，升溫速率為2℃/min，保溫12h，得到預(yù)燒料。向預(yù)燒料中再次加入無(wú)水乙醇作為球磨介質(zhì)，并加入氧化鋯球作為研磨球進(jìn)行再次球磨。其中無(wú)水乙醇的質(zhì)量為預(yù)燒料的1倍，氧化鋯球的質(zhì)量為預(yù)燒料質(zhì)量的5倍，球磨12h，轉(zhuǎn)速250r/min。將再次球磨后的漿料在85℃條件下將無(wú)水乙醇烘干。然后將再次球磨后的烘干料壓制成圓柱體，1℃/min的升溫速率至1200℃保溫3h，即可得到配方為L(zhǎng)a_0.8Sr_0.2Co_0.4Fe_0.6O₃的NTC熱敏電阻瓷體。然后在瓷體的上下表面通過(guò)絲網(wǎng)印刷銀漿的方式制備銀電極，印刷后銀漿經(jīng)800℃燒滲30min，最后測(cè)試電阻-溫度特性。

請(qǐng)參閱圖2，實(shí)施例1制得的La_0.8Sr_0.2Co_0.4Fe_0.6O₃瓷體的XRD譜圖。從圖2中可以看出該瓷體為鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，衍射峰尖銳，結(jié)晶度較好。請(qǐng)參閱圖3，La_0.8Sr_0.2Co_0.4Fe_0.6O₃瓷體電阻-溫度特性曲線。從圖3中可以看出該材料的室溫電阻率為0.03Ω·cm，計(jì)算得到B25/85值為880K。說(shuō)明La_0.8Sr_0.2Co_0.4Fe_0.6O₃瓷體的電阻率較小，B值較小。

實(shí)施例2

制備La_0.8Sr_0.2Co_0.7Fe_0.3O₃瓷體

按照化學(xué)通式La_0.8Sr_0.2Co_0.7Fe_0.3O₃的化學(xué)計(jì)量比稱取三氧化二鑭、碳酸鍶、四氧化三鈷、三氧化二鐵進(jìn)行配料。將稱量后的原料放入球磨罐中，加入無(wú)水乙醇作為球磨介質(zhì)，加入氧化鋯球作為研磨球，其中無(wú)水乙醇的質(zhì)量為混合配料的1倍，氧化鋯球的質(zhì)量為混合配料質(zhì)量的5倍，進(jìn)行球磨混合6h，轉(zhuǎn)速250r/min。將球磨后的漿料85℃條件下烘干無(wú)水乙醇后進(jìn)行預(yù)燒，預(yù)燒溫度1100℃，升溫速率為2℃/min，保溫12h。預(yù)燒料再次以無(wú)水乙醇作為球磨介質(zhì)，再次加入氧化鋯球作為研磨球，其中無(wú)水乙醇的質(zhì)量為原料的1倍，氧化鋯球的質(zhì)量為原料質(zhì)量的5倍，進(jìn)行球磨12h，轉(zhuǎn)速250r/min。將球磨后的漿料在85℃烘干無(wú)水乙醇。然后將再次球磨后的烘干料壓制成圓柱體，1℃/min的升溫速率至1200℃保溫3h，即可得到配方為L(zhǎng)a_0.8Sr_0.2Co_0.7Fe_0.3O₃的NTC熱敏電阻瓷體。然后在瓷體的上下表面通過(guò)絲網(wǎng)印刷銀漿的方式制備銀電極，印刷后銀漿經(jīng)800℃燒滲30min，最后測(cè)試電阻-溫度特性。

請(qǐng)參閱圖4，實(shí)施例2制得的La_0.8Sr_0.2Co_0.7Fe_0.3O₃瓷體的XRD圖。從圖4中可以看出該瓷體為鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，衍射峰尖銳，結(jié)晶度較好。請(qǐng)參閱圖5，La_0.8Sr_0.2Co_0.7Fe_0.3O₃瓷體的電阻-溫度特性曲線。從圖5中可以看出，該材料的室溫電阻率為0.02Ω·cm，計(jì)算得到B25/85值為780K。說(shuō)明La_0.8Sr_0.2Co_0.7Fe_0.3O₃瓷體的電阻率較小，B值較小。

實(shí)施例3

制備La_0.7Sr_0.3Co_0.8Fe_0.2O₃瓷體。

按照化學(xué)通式La_0.7Sr_0.3Co_0.8Fe_0.2O₃的化學(xué)計(jì)量比稱取三氧化二鑭、碳酸鍶、四氧化三鈷、三氧化二鐵進(jìn)行配料。將稱量后的原料放入球磨罐中，以無(wú)水乙醇作為球磨介質(zhì)，加入氧化鋯球作為研磨球，其中無(wú)水乙醇的質(zhì)量為混合配料的0.8倍，氧化鋯球的質(zhì)量為混合配料質(zhì)量的6倍，進(jìn)行球磨混合8h，轉(zhuǎn)速248r/min。將球磨后的漿料85℃烘干無(wú)水乙醇后進(jìn)行預(yù)燒，預(yù)燒溫度1000℃，升溫速率5℃/min，保溫11h。預(yù)燒料再次以無(wú)水乙醇和氧化鋯球作為介質(zhì)進(jìn)行球磨，其中無(wú)水乙醇的質(zhì)量為原料的0.8倍，氧化鋯球的質(zhì)量為原料質(zhì)量的6倍，進(jìn)行球磨12h，轉(zhuǎn)速248r/min。將球磨后的漿料在85攝氏度烘干無(wú)水乙醇；然后將球磨后的烘干料壓制成圓柱體，1℃/min的升溫速率至1250℃保溫3h，即可得到配方為L(zhǎng)a_0.7Sr_0.3Co_0.8Fe_0.2O₃的NTC熱敏電阻瓷體；然后在瓷體的上下表面通過(guò)絲網(wǎng)印刷銀漿的方式制備銀電極，印刷后銀漿經(jīng)800℃燒滲30min，最后測(cè)試電阻-溫度特性。請(qǐng)參閱圖6，實(shí)施例3得的La_0.7Sr_0.3Co_0.8Fe_0.2O₃瓷體的XRD圖。從圖6中可以看出該瓷體為鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，衍射峰尖銳，結(jié)晶度較好。請(qǐng)參閱圖7，La_0.7Sr_0.3Co_0.8Fe_0.2O₃瓷體的電阻-溫度特性曲線。從圖7中可以看出，該材料的室溫電阻率為0.007Ω·cm，計(jì)算得到B25/85值為200K。說(shuō)明La_0.7Sr_0.3Co_0.8Fe_0.2O₃瓷體的電阻率較小，B值較小。

實(shí)施例4

制備La_0.6Sr_0.4Co_0.1Fe_0.9O₃瓷體

按照化學(xué)通式La_0.6Sr_0.4Co_0.1Fe_0.9O₃的化學(xué)計(jì)量比稱取三氧化二鑭、碳酸鍶、四氧化三鈷、三氧化二鐵進(jìn)行配料。將稱量后的原料放入球磨罐中，加入去離子水作為球磨介質(zhì)，氧化鋯球作為研磨球，其中去離子水的質(zhì)量為混合配料的1.5倍，氧化鋯球的質(zhì)量為混合配料質(zhì)量的8倍，球磨混合2h(小時(shí))，轉(zhuǎn)速為200r/min(轉(zhuǎn)/分鐘)。將球磨后的漿料在85℃條件下將去離子水烘干后進(jìn)行預(yù)燒，預(yù)燒溫度1100℃，升溫速率為10℃/min，保溫12h，得到預(yù)燒料。向預(yù)燒料中再次加入去離子水作為球磨介質(zhì)，并加入氧化鋯球作為研磨球進(jìn)行再次球磨。其中去離子水的質(zhì)量為預(yù)燒料的1.5倍，氧化鋯球的質(zhì)量為預(yù)燒料質(zhì)量的8倍，球磨10h，轉(zhuǎn)速200r/min。將再次球磨后的漿料在85℃條件下將去離子水烘干。然后將再次球磨后的烘干料壓制成圓柱體，1℃/min的升溫速率至1300℃保溫3h，即可得到配方為L(zhǎng)a_0.6Sr_0.4Co_0.1Fe_0.9O₃的NTC熱敏電阻瓷體。然后在瓷體的上下表面通過(guò)絲網(wǎng)印刷銀漿的方式制備銀電極，印刷后銀漿經(jīng)800℃燒滲30min，最后測(cè)試電阻-溫度特性。

經(jīng)測(cè)試La_0.6Sr_0.4Co_0.1Fe_0.9O₃瓷體的室溫電阻率為2Ω·cm，B25/85值為1800K。說(shuō)明La_0.6Sr_0.4Co_0.1Fe_0.9O₃瓷體的電阻率較小，B值較小。

實(shí)施例5

制備La_0.9Sr_0.1Co_0.8Fe_0.2O₃瓷體

按照化學(xué)通式La_0.9Sr_0.1Co_0.8Fe_0.2O₃的化學(xué)計(jì)量比稱取三氧化二鑭、碳酸鍶、四氧化三鈷、三氧化二鐵進(jìn)行配料。將稱量后的原料放入球磨罐中，加入無(wú)水乙醇作為球磨介質(zhì)，氧化鋯球作為研磨球，其中無(wú)水乙醇的質(zhì)量為混合配料的0.8倍，氧化鋯球的質(zhì)量為混合配料質(zhì)量的2倍，球磨混合12h(小時(shí))，轉(zhuǎn)速為300r/min(轉(zhuǎn)/分鐘)。將球磨后的漿料在85℃條件下將無(wú)水乙醇烘干后進(jìn)行預(yù)燒，預(yù)燒溫度900℃，升溫速率為1℃/min，保溫12h，得到預(yù)燒料。向預(yù)燒料中再次加入去離子水作為球磨介質(zhì)，并加入氧化鋯球作為研磨球進(jìn)行再次球磨。其中去離子水的質(zhì)量為預(yù)燒料的0.8倍，氧化鋯球的質(zhì)量為預(yù)燒料質(zhì)量的10倍，球磨24h，轉(zhuǎn)速400r/min。將再次球磨后的漿料在85℃條件下將去離子水烘干。然后將再次球磨后的烘干料壓制成圓柱體，0.5℃/min的升溫速率至1200℃保溫3h，即可得到配方為L(zhǎng)a_0.9Sr_0.1Co_0.8Fe_0.2O₃的NTC熱敏電阻瓷體。然后在瓷體的上下表面通過(guò)絲網(wǎng)印刷銀漿的方式制備銀電極，印刷后銀漿經(jīng)800℃燒滲30min，最后測(cè)試電阻-溫度特性。

經(jīng)測(cè)試La_0.9Sr_0.1Co_0.8Fe_0.2O₃瓷體的室溫電阻率為1.5Ω·cm，B25/85值為2000K。說(shuō)明La_0.9Sr_0.1Co_0.8Fe_0.2O₃瓷體的電阻率較小，B值較小。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。