技術(shù)特征：

1.一種B摻雜SiC納米線的制備方法，其特征在于，所述的制備方法包括如下步驟：

將有機前驅(qū)體進行預處理，然后與B₂O₃粉末混合均勻；

將混合均勻后的物料及柔性襯底一起至于氣氛燒結(jié)爐中，先從室溫加熱至1280-1350℃，再加熱至1380-1480℃，然后冷卻至1330-1380℃，接著冷卻至1080-1150℃，最后隨爐冷卻至室溫，得到B摻雜的SiC納米線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的B摻雜SiC納米線的制備方法，其特征在于，所述的有機前驅(qū)體為含有Si和C元素的有機前驅(qū)體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的B摻雜SiC納米線的制備方法，其特征在于，所述的有機前驅(qū)體為聚硅氮烷。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的B摻雜SiC納米線的制備方法，其特征在于，所述的預處理包括熱交聯(lián)固化和球磨粉碎。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的B摻雜SiC納米線的制備方法，其特征在于，所述的熱交聯(lián)固化在N₂氣氛下于230-280℃下進行，保溫20-50min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的B摻雜SiC納米線的制備方法，其特征在于，有機前驅(qū)體與B₂O₃粉末的質(zhì)量比為3-6:1。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的B摻雜SiC納米線的制備方法，其特征在于，所述的柔性襯底為碳纖維布。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的B摻雜SiC納米線的制備方法，其特征在于，從室溫加熱至1280-1350℃的過程中，升溫速率為28-35℃/min。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的B摻雜SiC納米線的制備方法，其特征在于，從1280-1350℃加熱至1380-1480℃的過程中，升溫速率為20-25℃/min。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的B摻雜SiC納米線的制備方法，其特征在于，冷卻至1330-1380℃及從1330-1380℃冷卻至1080-1150℃采用的冷卻速率均為3-5℃/min。