本發(fā)明涉及一種芯片陶瓷體雙面涂銀燒銀方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的芯片陶瓷體表面涂銀和燒銀方法中，因陶瓷體小，在涂銀和燒銀過程中需要將芯片陶瓷體一個(gè)個(gè)擺放在模具上，芯片陶瓷體是要進(jìn)行雙面印刷涂銀的，現(xiàn)有的技術(shù)中在涂銀操作中基本采用人工手動(dòng)的方式將芯片陶瓷體進(jìn)行兩面涂銀操作涂銀完成后再手動(dòng)將一個(gè)個(gè)芯片陶瓷體碼放在老匣缽中，采用老匣缽燒銀方式進(jìn)行燒銀，該種燒銀方式，芯片亂堆放，受熱不充分、不均勻，芯片附著力大小不一，且匣缽無鏤空只能燒一層，效率低，能耗高、成本高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述存在的問題，本發(fā)明旨在提供一種芯片陶瓷體雙面涂銀燒銀方法，主要目的是為了加強(qiáng)芯片陶瓷體在涂銀后銀漿中的玻璃體充分滲入芯片陶瓷體中，增強(qiáng)芯片銀層與陶瓷體的附著力，從而加強(qiáng)后續(xù)成品組裝過程中芯片焊接后的吸附力。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案如下：

一種芯片陶瓷體雙面涂銀燒銀方法，包括以下步驟：

1）上表面涂銀：在涂銀臺(tái)上安放模具，模具內(nèi)整齊設(shè)有若干列卡槽，將芯片陶瓷體通過安放器快速且對(duì)應(yīng)放置在每個(gè)卡槽內(nèi)，放好后，通過絲網(wǎng)印刷的方法對(duì)每個(gè)芯片陶瓷體的上表面進(jìn)行涂銀操作；

2）上表面干燥：經(jīng)步驟（1）芯片上表面涂銀后，通過烘干窯初步將涂銀表面烘干，烘干溫度300℃；

3）下表面涂銀：經(jīng)步驟（2）干燥后，在模具的上表面覆蓋另一塊同規(guī)格的模具，緊密覆蓋后，將另一塊模具反過來倒置，取出上一個(gè)模具，芯片陶瓷體上未涂銀的下表面就被翻到上面來，通過絲網(wǎng)印刷的方法對(duì)芯片陶瓷體的下表面進(jìn)行涂銀操作；

4）下表面干燥：同樣采用步驟（2）中的方式對(duì)芯片下表面進(jìn)行干燥；

5）覆板：干燥完成后在芯片陶瓷體上面直接覆蓋一層白紙板，并在白紙板上覆蓋一層薄海綿層；

6）擺放：將步驟（5）中的白紙板和薄海綿層一起反過來倒置，涂銀完成的芯片陶瓷體就整齊擺放在白紙板上，如此重復(fù)操作，并將多個(gè)薄海綿層和帶有芯片陶瓷體的白紙板整齊疊起，薄海綿層就設(shè)置在上下兩塊白紙板之間，將白紙板移動(dòng)至燒銀絲網(wǎng)上，從燒銀絲網(wǎng)側(cè)邊的槽體中通過慣性快速將白紙板抽出，涂銀完成的芯片陶瓷體就整齊有序的擺放在燒銀絲網(wǎng)上；

7）燒銀：將擺放整齊的已涂銀完成的芯片陶瓷體放置在窯爐中進(jìn)行燒銀操作；

8）降溫：在燒銀爐內(nèi)進(jìn)行降溫處理，降溫溫度450-500℃；

9）冷卻：將降溫完成的芯片陶瓷體在冷卻設(shè)備中進(jìn)行冷卻。

優(yōu)選的，所述安放器包括兩個(gè)并列的進(jìn)料槽、支架以及碼放槽，兩個(gè)所述進(jìn)料槽傾斜設(shè)置在所述碼放槽的一端部，在所述碼放槽內(nèi)并列設(shè)置擺放軌道，兩個(gè)所述擺放軌道緊挨設(shè)置，并在兩個(gè)所述擺放軌道的外側(cè)邊設(shè)置下滑槽，在所述下滑槽內(nèi)橫向設(shè)置若干下滑軌道，每個(gè)所述下滑軌道底端設(shè)置下料筒，一個(gè)下料筒對(duì)應(yīng)一個(gè)模具上的卡槽，所述下滑槽內(nèi)還設(shè)置旋轉(zhuǎn)式的擋板。

優(yōu)選的，每個(gè)所述下滑軌道傾斜設(shè)置在所述下滑槽內(nèi)，并且所述下滑槽與所述下料筒之間平滑接觸。

優(yōu)選的，并在所述碼放槽的進(jìn)料端設(shè)有壓輥，并在擺放軌道與下滑軌道連接的那一邊設(shè)置可上下翻動(dòng)的限位板。

優(yōu)選的，在所述步驟（6）擺放中，燒銀絲網(wǎng)的其中一側(cè)邊設(shè)有抽拉孔和定位板。

優(yōu)選的，所述步驟（7）燒銀中，燒銀分為三個(gè)階段，第一階段，將窯爐中的溫度逐漸升高到350℃，升溫速度為35℃/min，燒制10min；第二階段，將升溫速度加快，溫度迅速升至500℃，升溫速度為75℃/min，燒制2min，第三階段，將溫度逐漸升高至750-800℃，升溫速度為50℃/min，溫度升高至750-800℃保溫10min。

優(yōu)選的，所述步驟（9）冷卻中，冷卻溫度以350-400℃/h的速度進(jìn)行降溫。

優(yōu)選的，所述步驟（6）的燒銀絲網(wǎng)的網(wǎng)格為正六邊形形狀，每個(gè)正六邊形的內(nèi)切圓與所述芯片陶瓷體上的涂銀層相吻合。

本發(fā)明的有益效果是：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：

首先，采用安放器放置芯片陶瓷體既快捷、又整齊，提高了絲網(wǎng)印刷的質(zhì)量和效率；

其次，本發(fā)明方法是為了加強(qiáng)芯片陶瓷體在涂銀后銀漿中的玻璃體充分滲入芯片陶瓷體中，增強(qiáng)芯片銀層與陶瓷體的附著力，從而加強(qiáng)后續(xù)成品組裝過程中芯片焊接后的吸附力；

再次，本發(fā)明方法能夠使得芯片陶瓷體在燒銀過程中相互不重疊，芯片的正面和背面都能接收到窯爐中的熱量，使得銀漿中的玻璃體和芯片陶瓷體充分相滲透，增強(qiáng)了芯片銀層的附著力，絲網(wǎng)的高度較低，可碼放多層，且中間有均勻的鏤空，燒銀效率高，降低成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明模具示意圖。

圖2為本發(fā)明安放器主視示意圖。

圖3為本發(fā)明安放器未設(shè)置擋板時(shí)的俯視示意圖。

圖4為本發(fā)明安放器設(shè)置擋板時(shí)的俯視示意圖。

圖5為本發(fā)明燒銀絲網(wǎng)示意圖。

圖6為本發(fā)明燒銀絲網(wǎng)側(cè)面示意圖。

圖7為本發(fā)明彈性鋼板示意圖。

其中：1-支架，2-進(jìn)料槽，3-壓輥，4-擺放軌道，5-下滑槽，6-碼放槽，7-限位板，8-擋板，9-下料筒，10-下滑軌道，11-彈性鋼板，12-抽拉孔，13-模具，14-卡槽，15-燒銀絲網(wǎng)。

具體實(shí)施方式

為了使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的描述。

實(shí)施例：一種芯片陶瓷體雙面涂銀燒銀方法，包括以下步驟：

1）上表面涂銀：在涂銀臺(tái)上安放模具13，模具13內(nèi)整齊設(shè)有若干列卡槽14，將芯片陶瓷體通過安放器快速且對(duì)應(yīng)放置在每個(gè)卡槽14內(nèi)，卡槽14為圓形，芯片陶瓷體也為圓形，放好后，通過絲網(wǎng)印刷的方法對(duì)每個(gè)芯片陶瓷體的上表面進(jìn)行涂銀操作，在涂銀過程中將芯片陶瓷體放置在模具13的卡槽14內(nèi)進(jìn)行涂銀其涂銀的均勻性較好，且在絲網(wǎng)印刷時(shí)能夠更好的在芯片陶瓷體的正中心涂層銀層，不偏不倚；

參照附圖1-7所示，所述安放器采用不銹鋼材質(zhì)制成，表面光滑度高，不易腐蝕，所述安放器包括兩個(gè)并列的進(jìn)料槽2、支架1以及碼放槽6，兩個(gè)所述進(jìn)料槽2傾斜設(shè)置在所述碼放槽6的一端部，在所述碼放槽6內(nèi)并列設(shè)置擺放軌道4，兩個(gè)所述擺放軌道4緊挨設(shè)置，并在兩個(gè)所述擺放軌道4的外側(cè)邊設(shè)置下滑槽5，在所述下滑槽5內(nèi)設(shè)置若干下滑軌道10，每個(gè)所述下滑軌道10底端設(shè)置下料筒9，一個(gè)下料筒9對(duì)應(yīng)一個(gè)模具13上的卡槽14，所述下滑槽5內(nèi)還設(shè)置旋轉(zhuǎn)式的擋板8，每個(gè)所述下滑軌道10傾斜設(shè)置在所述下滑槽5內(nèi)，并且所述下滑槽5與所述下料筒9之間平滑接觸，并在所述碼放槽6的進(jìn)料端設(shè)有壓輥3，并在擺放軌道4與下滑軌道10連接的那一邊設(shè)置可上下翻動(dòng)的限位板7；首先，進(jìn)料時(shí)，將限位板7和擋板8同時(shí)向下壓，限位板7擋住下滑軌道10，擋板8覆蓋每個(gè)下料筒9，芯片陶瓷體直接通過兩個(gè)進(jìn)料槽2批量進(jìn)料，再通過壓輥3，可以保證芯片一個(gè)個(gè)按照次序進(jìn)料，每次只進(jìn)料一個(gè)芯片陶瓷體，在壓輥3的作用下能夠保證芯片有序下料不重疊，接著芯片一個(gè)個(gè)下料到擺放軌道4內(nèi)，因進(jìn)料槽2為傾斜的，故芯片在向下的過程中會(huì)有一個(gè)沖擊力，自動(dòng)向前移動(dòng)，一個(gè)個(gè)排列在擺放軌道4內(nèi)，可輔助通過毛刷將芯片陶瓷體進(jìn)一步進(jìn)行整齊擺放，在擺放軌道4內(nèi)擺放整齊后，向上翻起限位板7和擋板8，并通過推板手動(dòng)將兩列芯片陶瓷體向兩側(cè)推下，此時(shí)，每個(gè)下滑軌道10內(nèi)對(duì)應(yīng)一個(gè)芯片陶瓷體，又因?yàn)橄铝贤?與下滑軌道10光滑連接，芯片陶瓷體可順利進(jìn)入下料筒9，一個(gè)下料筒9對(duì)應(yīng)一個(gè)模具13上的卡槽14，這樣芯片陶瓷體就會(huì)快速且有序的下料至每個(gè)卡槽14內(nèi)，碼放位置準(zhǔn)確，不要手動(dòng)一個(gè)個(gè)再去放置到對(duì)應(yīng)的卡槽14內(nèi)，因手動(dòng)放置的好會(huì)有一個(gè)傾斜面的存在，在下放過程中其表面或者側(cè)面與與手部接觸，影響芯片陶瓷體表面的光潔度，而且通過兩列兩列的進(jìn)行碼放效率明顯提高；

2）上表面干燥：經(jīng)步驟（1）芯片上表面涂銀后，通過烘干窯初步將涂銀表面烘干，烘干溫度300℃，涂銀完成后，不能立即進(jìn)行下表面的涂銀操作，需要等上表面的銀層晾干，固化不粘接后再進(jìn)行下表面的涂銀操作，采種風(fēng)機(jī)能夠保證銀層表面晾干的均勻度，而且加快晾干速度；

3）下表面涂銀：經(jīng)步驟（2）干燥后，在模具13的上表面覆蓋另一塊同規(guī)格的模具，兩個(gè)模具結(jié)構(gòu)相同，均是同規(guī)格的方形底板，將另一塊模具13反過來倒置，取出上層的模具13，芯片陶瓷體上未涂銀的下表面就被翻到上面來，位于另一塊模具的卡槽14內(nèi)，通過絲網(wǎng)印刷的方法對(duì)芯片陶瓷體的下表面進(jìn)行涂銀操作，這樣就不用將一個(gè)個(gè)芯片陶瓷體從上一個(gè)模具13的卡槽14內(nèi)取出，再反過來機(jī)械的放進(jìn)去進(jìn)行下表面的涂銀操作了；通過兩塊模具的位置轉(zhuǎn)換方法能夠迅速的對(duì)芯片陶瓷體下表面進(jìn)行涂銀操作，；

4）下表面干燥：同樣采用步驟（2）中的方式對(duì)芯片下表面進(jìn)行干燥；

5）覆板：干燥完成后在芯片陶瓷體上面直接覆蓋一層白紙板，并在白紙板上覆蓋一層薄海綿層，所述白紙板具有一定的強(qiáng)度，能夠支撐起整個(gè)芯片陶瓷體層，不會(huì)產(chǎn)生折彎現(xiàn)象，白紙板的厚度為2-3mm；薄海綿層的面積較白紙板13的略大，薄海綿層的厚度為2-3mm，緊密覆蓋在白紙板上；

6）擺放：將步驟（5）中的白紙板和薄海綿層一起反過來倒置，涂銀完成的芯片陶瓷體就整齊擺放在白紙板上，如此重復(fù)操作，并將多個(gè)薄海綿層和帶有芯片陶瓷體的白紙板整齊疊起，薄海綿層就設(shè)置在上下兩塊白紙板之間，薄海綿層具有減振作用，防止芯片與芯片之間的撞擊損壞芯片的表面，每張放有芯片陶瓷體的白紙板底面加一塊薄海綿層，將其與下一塊白紙板隔開，當(dāng)放置的層數(shù)與窯爐的層數(shù)要求一致時(shí)，將一個(gè)個(gè)白紙板移動(dòng)至燒銀絲網(wǎng)15上，從燒銀絲網(wǎng)15側(cè)邊的槽體中通過慣性快速將白紙板抽出，涂銀完成的芯片陶瓷體就整齊有序的擺放在燒銀絲網(wǎng)15上；具體在操作是，在燒銀絲網(wǎng)15的其中一側(cè)邊設(shè)有抽拉孔12和定位板，限位板7和定位板是起到輔助作用的，在抽拉過程中，通過中間開孔的彈性鋼板11，使白紙板的一端穿進(jìn)彈性鋼板11中，并且白紙板穿過抽拉孔12，在通過將其上下壓緊，向外迅速拉出，白紙板放置的時(shí)候可以將端部一側(cè)面移出部分至抽拉孔12內(nèi)，此時(shí)其限位板7就對(duì)芯片陶瓷體起到阻擋作用，防止在慣性的作用下帶出部分芯片陶瓷體，保證每個(gè)芯片都能整齊的碼放在燒銀絲網(wǎng)15上；

燒銀絲網(wǎng)15的網(wǎng)格為正六邊形形狀，每個(gè)正六邊形的內(nèi)切圓與所述芯片陶瓷體上的涂銀層相吻合，這樣在燒銀過程中，芯片陶瓷體下表面的涂銀層就會(huì)剛好和正六邊形的內(nèi)切圓吻合，這樣就能防止在燒銀過程中由于溫度的升高，在涂銀層與燒銀絲網(wǎng)15接觸時(shí)造成表面損壞的現(xiàn)象發(fā)生，燒銀的質(zhì)量更好，成品的外觀更好；

7）燒銀：將擺放整齊的已涂銀完成的芯片陶瓷體放置在窯爐中進(jìn)行燒銀操作；燒銀分為三個(gè)階段，第一階段，將窯爐中的溫度逐漸升高到350℃，升溫速度為35℃/min，燒制10min，該過程升溫不能過快，過快會(huì)產(chǎn)生銀層氣泡或者開裂，而且該階段的溫度可以使銀漿均勻的釜蓋在陶瓷表面，這一階段因由大量的氣體產(chǎn)生，故應(yīng)該逐漸升溫；第二階段，將升溫速度加快，溫度迅速升至500℃，升溫速度為75℃/min，燒制2min，此階段升溫可較快，使其燒制溫度迅速升高；第三階段，將溫度逐漸升高至750-800℃，升溫速度為50℃/min，溫度升高至750-800℃保溫10min；

8）降溫：在燒銀爐內(nèi)進(jìn)行降溫處理，降溫溫度450-500℃，，降溫在燒銀爐內(nèi)的降溫區(qū)進(jìn)行降溫操作，降溫的目的是為了防止直接燒制的高溫造成芯片陶瓷體變黑的現(xiàn)象發(fā)生，燒制后再進(jìn)行降溫可以很好的解決這個(gè)問題，保證燒制后陶瓷體邊為白色；

9）冷卻：將降溫完成的芯片陶瓷體在冷卻設(shè)備中進(jìn)行冷卻，冷卻溫度以350-400℃/h的速度進(jìn)行降溫，冷卻階段的冷卻速度要快，增加燒銀層的成型效果。

以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。