1.一種玻璃鈍化半導(dǎo)體器件,其特征在于:包含玻璃鈍化次表層,所述玻璃鈍化次表層構(gòu)成該玻璃鈍化半導(dǎo)體的玻璃厚度的5%,并且含有表面濃度在8*1018cm-3至9*1019cm-3范圍內(nèi)的銫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體器件的制作方法,其特征在于:銫通過在50℃-100℃的溫度下、在銫鹽溶液中被引入到鈍化玻璃,隨后在100℃-400℃的溫度下、在受控氣氛中退火。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體器件的制作方法,其特征在于:銫通過在50℃-100℃下、在銫鹽溶液中被引入到鈍化玻璃,隨后在100℃-400℃的溫度下真空退火。