1.SiC晶體的制造方法，其為供給含Si、C及N的原料氣體從而使N摻雜的SiC晶體在SiC基板上氣相生長(zhǎng)的SiC晶體的制造方法，其中，
所述SiC基板為表面沉積有La、Ce或Ti的SiC基板，或者為離子注入有La、Ce或Ti的SiC基板。
2.權(quán)利要求1所述的方法，其中，僅在所述SiC基板的表面的一部分沉積有La、Ce或Ti，或者離子注入有La、Ce或Ti。
3.權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，通過蒸鍍法、濺射法或CVD法沉積所述La、Ce或Ti。
4.權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的方法，其還包括：在所述氣相生長(zhǎng)后，除去所沉積的La、Ce或Ti。
5.權(quán)利要求1或2所述的方法，其還包括：在所述離子注入后、在所述原料氣體的供給前，對(duì)離子注入有La、Ce或Ti的所述SiC基板進(jìn)行退火處理。
6.權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的方法，其還包括：在所述氣相生長(zhǎng)的過程中，在所述SiC晶體的表面沉積La、Ce或Ti，或離子注入La、Ce或Ti。