技術編號：12483407
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及在SiC基板上制造SiC晶體的方法。本發(fā)明特別涉及N摻雜的SiC晶體的制造方法。背景技術為了在SiC基板上形成SiC晶體，通常應用CVD法。在CVD法中，一邊向反應室內供給原料氣體，一邊加熱SiC基板及支持該SiC基板的基座，在氣相中引起化學反應，從而使SiC晶體氣相生長。作為將特定的元素摻雜在SiC晶體中的方法，大致有2種方法。第1種方法為如下方法：作為在CVD法中使用的原料氣體所包含的元素，除了Si和C以外，還加入特定的元素作為摻雜劑元素，使摻雜了特定元素的SiC晶體氣相生長。第2...
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