本發(fā)明涉及浮法玻璃制造方法和浮法玻璃制造裝置。

背景技術(shù)：

在利用浮法的玻璃板的制造中，將熔融玻璃基體(素地)從玻璃熔融爐供給至被稱(chēng)為浮拋窯的熔融錫浴槽，并在熔融錫浴上成形玻璃帶，然后用被稱(chēng)為提升輥的運(yùn)送輥運(yùn)送玻璃帶，并轉(zhuǎn)移至緩冷爐。通常，在玻璃帶的下表面附著有被稱(chēng)為渣滓(ドロス)(錫和錫氧化物)的缺陷。

在液晶用等平板顯示器用途中所使用的小于1.1mm的薄板玻璃中，根據(jù)顧客的要求需求，即使在玻璃板表面附著的渣滓(錫和錫氧化物)的大小為約10μm，也會(huì)成為缺陷，因此即使是在一般建筑用中所允許的尺寸的渣滓缺陷，也需要除去。

在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，使被稱(chēng)為碳精密封片(カーボンシール)的包含碳的板狀的碳制除去構(gòu)件與提升輥的下部接觸，以削掉、除去附著于提升輥的錫或錫氧化物。

在利用浮法制造而成的液晶用薄板玻璃中，為了滿(mǎn)足顧客所要求的平坦度，對(duì)玻璃板的下表面進(jìn)行研磨，因此同時(shí)將渣滓除去。近年來(lái)，根據(jù)熔化、成形工序中的平坦度改良對(duì)策，研磨工序中的玻璃板的研磨量減小，并實(shí)現(xiàn)研磨工序的生產(chǎn)率提高。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)平11-335127號(hào)公報(bào)

專(zhuān)利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)平4-202028號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的問(wèn)題

但是，隨著玻璃板的研磨量的減小，產(chǎn)生附著于玻璃板表面的渣滓不能夠被完全除去的問(wèn)題，因此需要在研磨工序之前的階段除去渣滓。僅僅改良專(zhuān)利文獻(xiàn)1所記載的除去構(gòu)件，有時(shí)不能夠完全除去渣滓。

在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中，提出了使浮法玻璃與酸溶液接觸，接下來(lái)通過(guò)水洗來(lái)清洗除去附著錫的方法，但是增加工序，從而降低整體的生產(chǎn)率，并使成本升高。

本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題而完成，目的在于提供能夠在不增加工序的情況下減小研磨工序中的玻璃板的研磨量的浮法玻璃制造方法和浮法玻璃制造裝置。

用于解決問(wèn)題的手段

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種浮法玻璃制造方法，其具有：將玻璃原料熔化的熔化工序、將熔化后的玻璃澄清的澄清工序、將澄清后的熔融玻璃連續(xù)地供給至浮拋窯的熔融金屬上并且在所述熔融金屬上成形玻璃帶的成形工序、以及利用提升輥將所述玻璃帶從所述浮拋窯拉出并且將所述玻璃帶在利用退火輥運(yùn)送的同時(shí)緩冷至玻璃的應(yīng)變點(diǎn)溫度以下的緩冷工序；其特征在于，所述緩冷工序包括：使用在退火輥之間且設(shè)置在所述玻璃帶的下方的噴射器，將含有鹵素的氣體供給至所述玻璃帶的底面，由此除去附著于所述底面的異物的異物除去工序。

另外，本發(fā)明提供一種浮法玻璃制造裝置，其具備：在熔融金屬上成形玻璃帶的浮拋窯、與所述浮拋窯鄰接且具備將所述玻璃帶拉出的提升輥的渣箱(ドロスボックス)、以及與所述渣箱鄰接且將所述玻璃帶在利用退火輥運(yùn)送的同時(shí)緩冷至玻璃的應(yīng)變點(diǎn)溫度以下的緩冷爐；其特征在于，所述緩冷爐具備在退火輥之間且設(shè)置在所述玻璃帶的下方的噴射器；并且所述噴射器將含有鹵素的氣體供給至所述玻璃帶的底面，由此除去附著于所述底面的異物。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明的浮法玻璃制造方法和浮法玻璃制造裝置，能夠在不增加工序的情況下減小研磨工序中的玻璃板的研磨量。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的實(shí)施方式的浮法玻璃的制造工序的說(shuō)明圖。

圖2為示意性地表示本發(fā)明的實(shí)施方式的雙流型的噴射器的圖。

圖3為示意性地表示本發(fā)明的實(shí)施方式的單流型的噴射器的圖。

圖4為用于說(shuō)明用于實(shí)驗(yàn)例1的評(píng)價(jià)的試驗(yàn)裝置的概略圖。

附圖標(biāo)記

1 浮法玻璃制造裝置

2 浮拋窯

3 渣箱

4 緩冷爐

5 玻璃帶

5a 底面

5b 頂面

7 提升輥

8 退火輥

9 熔融金屬

20、30 噴射器

21、31 供給口

24、34 流路

25、35 排氣口

40 玻璃板

41 碳箱

42 石英管

43 氣體導(dǎo)入噴嘴

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式進(jìn)行說(shuō)明，但是，本發(fā)明并不限于下述的實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對(duì)下述的實(shí)施方式施加各種變形和置換。

在本實(shí)施方式中，對(duì)本發(fā)明的浮法玻璃制造方法的構(gòu)成例進(jìn)行說(shuō)明。

圖1為浮法玻璃的制造工序的說(shuō)明圖。熔融玻璃被連續(xù)地供給至浮拋窯2的熔融金屬9上，并且在熔融金屬9上成形玻璃帶5(成形工序)。需要說(shuō)明的是，雖未圖示，但是熔融玻璃是在圖1的上游側(cè)的熔化工序中將玻璃原料熔化，并在澄清工序中實(shí)施了澄清處理而得到的熔融玻璃。

接下來(lái)利用多個(gè)提升輥7將玻璃帶5從浮拋窯2的熔融金屬9拉出，在浮拋窯2的出口處將玻璃帶5提升運(yùn)送。將該提升輥7所存在的部位稱(chēng)為渣箱3。

為了防止因急劇收縮導(dǎo)致破裂、平坦度降低，從浮拋窯2拉出的玻璃帶5在利用緩冷爐4內(nèi)的多個(gè)退火輥8進(jìn)行運(yùn)送的同時(shí)緩慢冷卻至玻璃的應(yīng)變點(diǎn)溫度以下(緩冷工序)。緩冷后的玻璃帶5被切割成期望的尺寸(切割工序)。

以下，在玻璃帶5的厚度方向上相對(duì)的一對(duì)表面中，將由提升輥7或退火輥8支承的面表示成底面5a，另一個(gè)面表示成頂面5b。

在被切割的浮法玻璃的用途為液晶顯示器用玻璃基板的情況下，為了優(yōu)化玻璃基板的平坦度，還具有對(duì)玻璃基板進(jìn)行研磨的研磨工序。研磨工序主要對(duì)玻璃基板的錫接觸面進(jìn)行機(jī)械研磨或化學(xué)機(jī)械研磨。從提高生產(chǎn)率的觀點(diǎn)出發(fā)，研磨量?jī)?yōu)選為3μm以下，更優(yōu)選為2μm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為1.5μm以下，特別優(yōu)選為1.0μm以下。

本實(shí)施方式的浮法玻璃制造方法具有：上述的緩冷工序中，通過(guò)使用設(shè)置于玻璃帶5下的退火輥8之間的噴射器20、30，將含有鹵素的氣體供給至玻璃帶5的底面5a，從而除去附著于底面5a的渣滓等異物的異物除去工序。

另外，雖未在圖1中示出，但是在上述的緩冷工序中，可以具有：使用設(shè)置于玻璃帶5下的退火輥8之間的保護(hù)層形成裝置將SO₂氣體供給至玻璃帶5的底面5a，從而在底面5a上形成硫酸鹽的損傷防止用保護(hù)層的保護(hù)層形成工序。保護(hù)層形成工序可以設(shè)置在異物除去工序之前，也可以設(shè)置在異物除去工序之后。另外，在保護(hù)層形成工序中，也可以供給SO₂氣體與空氣的混合氣體。

接下來(lái)，使用圖2、圖3來(lái)具體說(shuō)明異物除去工序。

圖2為示意性地表示本發(fā)明的實(shí)施方式的雙流型的噴射器20的圖。圖3為示意性地表示本發(fā)明的實(shí)施方式的單流型的噴射器30的圖。

噴射器20、30可以以任一方式使用，也可以在玻璃帶5的移動(dòng)方向串聯(lián)地排列2個(gè)以上而對(duì)玻璃帶表面進(jìn)行處理。雙流噴射器20是指，如圖2所示，從供給口21至排氣口25的氣體的流動(dòng)相對(duì)于玻璃帶5的移動(dòng)方向被均等分為順?lè)较蚝湍娣较虻膰娚淦鳌?/p>

單流噴射器30是指，從供給口31至排氣口35的氣體的流動(dòng)相對(duì)于玻璃帶5的移動(dòng)方向固定于順?lè)较蚧蚰娣较虻娜我环较虻膰娚淦?。?duì)于圖3的實(shí)施方式而言，從供給口31至排氣口35的氣體的流動(dòng)相對(duì)于玻璃帶5的移動(dòng)方向?yàn)轫樂(lè)较颉?/p>

從噴射器20、30的供給口21、31噴吹至玻璃帶5的底面5a的氣體在相對(duì)于玻璃帶5的移動(dòng)方向?yàn)轫樂(lè)较蚧蚰娣较虻牧髀?4、34中移動(dòng)，并向排氣口25、35流出。

噴射器20、30的供給口21、31與玻璃帶5的底面5a的距離D優(yōu)選為3～50mm。距離D更優(yōu)選為5mm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為8mm以上。另外，距離D更優(yōu)選為40mm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為30mm以下。通過(guò)將距離D設(shè)定為50mm以下，可以抑制氣體擴(kuò)散至大氣中，并且相對(duì)于期望的氣體量可以使足夠量的氣體到達(dá)玻璃帶5的底面5a。另外，通過(guò)將距離D設(shè)定為3mm以上，即使退火輥8之間的玻璃帶5發(fā)生撓曲，也可以避免玻璃帶5的底面5a與噴射器20、30的接觸。

噴射器20、30的在玻璃帶5的移動(dòng)方向的距離L優(yōu)選為50～500mm。距離L更優(yōu)選為100mm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為200mm以上。另外，距離L更優(yōu)選為400mm以下。通過(guò)將距離L設(shè)定為500mm以下，可以縮短退火輥8之間的距離，因此可以抑制玻璃帶5的撓曲、均勻地除去渣滓。另外，通過(guò)將距離L設(shè)定為50mm以上，可以設(shè)立供給口21、31和排氣口25、35。噴射器20的距離L優(yōu)選為100mm以上，噴射器30的距離L優(yōu)選為50mm以上。

噴射器20、30的在與玻璃帶5的移動(dòng)方向水平正交的方向的距離優(yōu)選具有玻璃帶5的該方向的制品區(qū)域以上的距離。優(yōu)選為3000mm以上，更優(yōu)選為4000mm以上。

另外，供給含有鹵素的氣體的供給口21、31和排氣口25、35優(yōu)選與玻璃帶5的底面5a相對(duì)。

在本實(shí)施方式中，將含有鹵素的氣體供給至運(yùn)送中的玻璃帶5的底面5a而處理底面5a時(shí)的玻璃帶5的溫度優(yōu)選為400～900℃，更優(yōu)選為500～800℃。由含有鹵素的氣體產(chǎn)生的錫缺陷除去作用越在高溫下實(shí)施效果越高。

在本實(shí)施方式的異物除去工序中，以含有鹵素的氣體為氯化氫(HCl)氣體的情況為例時(shí)，通過(guò)以下的反應(yīng)機(jī)理除去附著于玻璃帶5的底面5a的渣滓(錫和錫氧化物)。

SnO₂+2HCl→SnCl₂+H₂O+1/2O₂(1)

為了除去錫氧化物，優(yōu)選如上述式(1)所示使錫氧化物(SnO₂)與氯化氫(HCl)反應(yīng)而生成氯化錫(SnCl₂)。

含有鹵素的氣體優(yōu)選為0.1體積％以上的氯化氫(HCl)氣體。更優(yōu)選為0.5體積％以上的氯化氫(HCl)氣體。

另外，通過(guò)在氯化氫(HCl)氣體中加入氫氣(H₂)作為還原性氣體，進(jìn)行下述反應(yīng)，可以更有效地除去錫氧化物：

SnO₂+2H₂→Sn+2H₂O (2)

Sn+2HCI→SnCl₂+H₂ (3)

代替上述式(2)的氫氣(H₂)，可以使用一氧化碳(CO)、甲烷(CH₄)、乙烷(C₂H₆)、丙烷(C₃H₈)、丁烷(C₄H₁₀)、乙烯(C₂H₄)、丙烯(C₃H₆)、乙炔(C₂H₂)、丙炔(C₃H₄)、硫化氫(H₂S)、二氧化硫(SO₂)、一氧化氮(NO)或氨(NH₃)作為還原性氣體。這些還原性氣體可以單獨(dú)使用，也可以混合兩種以上使用。

含有鹵素的氣體優(yōu)選含有10體積％以上的氫氣(H₂)，更優(yōu)選含有50體積％以上的氫氣(H₂)，進(jìn)一步優(yōu)選含有90體積％以上的氫氣(H₂)。

上述式(1)、(3)的反應(yīng)溫度優(yōu)選為630℃以上。原因在于，上述式(1)、(3)中生成的氯化錫(SnCl₂)的沸點(diǎn)為623℃，要使從玻璃帶5的底面5a生成的氯化錫(SnCl₂)揮發(fā)。

需要說(shuō)明的是，在含有氯的氣體為氯化氫(HCl)氣體以外的情況下，也以與上述同樣的反應(yīng)機(jī)理來(lái)除去錫缺陷。

在本實(shí)施方式的異物除去工序中，可以使用氯化氫(HCl)、氯氣(Cl₂)、四氯化硅(SiCl₄)、二氯化硫(SCl₂)、二氯化二硫(S₂Cl₂)、三氯化磷(PCl₃)、五氯化磷(PCl₅)、三氯化碘(I₂Cl₆)、三氯化氮(NCl₃)、一氯化碘(ICl)、一氯化溴(BrCl)或三氟化氯(ClF₃)作為含有氯的氣體。這些氣體可以單獨(dú)使用，也可以混合兩種以上使用。

在這些之中，從成本方面、操作方法為公知等理由考慮，優(yōu)選氯化氫(HCl)氣體。

另外，除了含有氯的氣體以外，還可以使用氟(F₂)、溴(Br₂)、氟化氫(HF)、溴化氫(HBr)或碘化氫(HI)作為含有鹵素的氣體。

在本實(shí)施方式的異物除去工序中，含有鹵素的氣體可以以單獨(dú)的氣體或兩種以上的混合氣體的形式噴霧至玻璃帶5的底面5a，然而從防止用于這些氣體的噴霧的供給口21、31等設(shè)備的腐蝕的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選使用氮?dú)狻⑾∮袣怏w等惰性氣體作為載氣，并以與這些載氣的混合氣體的形式進(jìn)行噴霧。

另外，在將氫氣(H₂)等還原性氣體加入至含有鹵素的氣體的情況下，可以從各自的供給口(未圖示)分別噴霧含有鹵素的氣體和還原性氣體，也可以預(yù)先混合兩種氣體，以混合氣體的形式從同一供給口21、31進(jìn)行噴霧。

另外，在從各自的供給口噴霧兩種氣體的情況下，在玻璃帶5的移動(dòng)方向中，可以在比含有鹵素的氣體更靠上游側(cè)噴霧還原性氣體，也可以在同一位置噴霧兩種氣體。

本發(fā)明的浮法玻璃的組成沒(méi)有特別的限定，可以為鈉鈣玻璃等含有堿金屬成分的玻璃組成，也可以為基本上不含堿金屬成分的無(wú)堿玻璃組成。特別適合制造作為液晶顯示器用玻璃基板而廣泛使用的無(wú)堿玻璃組成的浮法玻璃。

接下來(lái)，對(duì)本發(fā)明的浮法玻璃制造裝置的構(gòu)成例進(jìn)行說(shuō)明。

本發(fā)明的浮法玻璃使用圖1所示的浮法玻璃制造裝置1來(lái)制造。圖1中，如上所述，具備：將熔融玻璃連續(xù)地供給至熔融金屬9上，并在熔融金屬9上成形玻璃帶5的浮拋窯2。需要說(shuō)明的是，雖未圖示，但是熔融玻璃為在圖1的上游側(cè)的熔化爐中將玻璃原料熔化并實(shí)施了澄清處理而得到的熔融玻璃。而且，配置有與浮拋窯2鄰接并具備提升玻璃帶5的提升輥7的渣箱3。此外，與渣箱3鄰接配置有緩冷爐4，緩冷爐4可以將玻璃帶5在利用退火輥8運(yùn)送的同時(shí)緩冷至玻璃的應(yīng)變點(diǎn)溫度以下。雖未在圖1中示出，但是緩冷后的玻璃帶5由切割裝置切割成至所期望的尺寸。

雖未在圖1中示出，但是在切割后的浮法玻璃的用途為液晶顯示器用玻璃基板的情況下，為了優(yōu)化玻璃基板的平坦度，浮法玻璃制造裝置還具有研磨玻璃基板的研磨裝置。研磨裝置主要對(duì)玻璃基板的錫接觸面進(jìn)行機(jī)械研磨或化學(xué)機(jī)械研磨。從提高生產(chǎn)率的觀點(diǎn)考慮，研磨量?jī)?yōu)選為3μm以下，更優(yōu)選為2μm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為1.5μm以下，特別優(yōu)選為1.0μm以下。

本實(shí)施方式的浮法玻璃制造裝置1在緩冷爐4中具有設(shè)置于玻璃帶5下的退火輥8之間的噴射器20、30。噴射器20、30將含有鹵素的氣體供給至玻璃帶5的底面5a，從而將附著于底面5a的渣滓等異物除去。

另外，雖未在圖1中未示出，但是浮法玻璃制造裝置1在緩冷爐4中可以具有設(shè)置于玻璃帶5下的退火輥8之間的保護(hù)層形成裝置。保護(hù)層形成裝置將SO₂氣體供給至玻璃帶5的底面5a，從而在底面5a上形成硫酸鹽的損傷防止用保護(hù)層。保護(hù)層形成裝置在玻璃帶5的移動(dòng)方向上，可以設(shè)置于噴射器20、30的上游，也可以設(shè)置于其下游。另外，保護(hù)層形成裝置可以供給SO₂氣體與空氣的混合氣體。

對(duì)于噴射器20、30的構(gòu)成、用于噴射器20、30的氣體的種類(lèi)等，由于可以是與浮法玻璃制造方法的情況同樣的構(gòu)成，因此省略說(shuō)明。

實(shí)施例

(實(shí)驗(yàn)例1)

(例1～11)

圖4為用于說(shuō)明用于實(shí)驗(yàn)例1的評(píng)價(jià)的試驗(yàn)裝置的概略圖。制作浮法玻璃(旭硝子公司制：AN100)以使板厚為0.5mm，并切割成10mm見(jiàn)方，從而得到了10片玻璃板40，對(duì)于每1片玻璃板40而言，在錫接觸面上存在1處渣滓。

在例1中，如圖4所示，將玻璃板40以錫接觸面在上的方式置入具有用于插入氣體導(dǎo)入噴嘴43的開(kāi)口部的、體積為25mL的碳箱41中，并將碳箱41置入體積為4L的石英管42中，然后利用電加熱器將石英管42加熱2分鐘，從而將玻璃板40的溫度升溫至600℃。將升溫后的玻璃板40在600℃下保溫1分鐘，同時(shí)將內(nèi)徑6mm的氣體導(dǎo)入噴嘴43的導(dǎo)入口朝向碳箱41的壁面，并以氮?dú)?N₂)為載氣將5.0體積％的氯化氫(HCl)氣體以流量2.5L/分鐘導(dǎo)入3秒，由此進(jìn)行將線速度為40cm/秒的氣體噴吹至玻璃板40的氣體處理。然后，使用氣體導(dǎo)入噴嘴43，將氮?dú)?N₂)以流量2.5L/分鐘進(jìn)行導(dǎo)入，同時(shí)用30分鐘將玻璃板40降溫至室溫。

接下來(lái)，使用發(fā)泡聚氨酯制的研磨墊(D硬度30度)以及作為研磨劑的氧化鈰，利用4B單面研磨機(jī)以規(guī)定的研磨載荷(50g/cm²)對(duì)氣體處理后的玻璃板40的錫接觸面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨以使研磨量平均為0.8μm。在此，4B表示置入研磨機(jī)的載體的尺寸為4英寸。10片玻璃板40的渣滓全部被除去?；瘜W(xué)機(jī)械研磨后的玻璃板的渣滓殘留率為0％。

在例2～10中，以與例1同樣的評(píng)價(jià)方法，如表1所示變更了氯化氫(HCl)氣體濃度、玻璃板溫度、或氫氣(H₂)濃度的條件。

表1表示例1～11的評(píng)價(jià)結(jié)果，例1～例10為實(shí)施例，例11為比較例?？梢源_認(rèn)：如果使用0.1體積％以上的氯化氫(HCl)氣體，則渣滓殘留率降低。

表1

(例21～28)

在例21中，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨以使研磨量平均為0.5μm。除此以外以與例1同樣的步驟，實(shí)施氣體處理、化學(xué)機(jī)械研磨，結(jié)果是，10片玻璃板40的渣滓全部被除去?；瘜W(xué)機(jī)械研磨后的玻璃板的渣滓殘留率為0％。在例22～28中，以與例21同樣的評(píng)價(jià)方法，如表2所示變更了氯化氫(HCl)氣體濃度、或氫氣(H₂)濃度的條件。

表2表示例21～28的評(píng)價(jià)結(jié)果，例21～例27為實(shí)施例，例28為比較例?？梢源_認(rèn)：如果使用0.1體積％以上的氯化氫(HCl)氣體，則渣滓殘留率降低。

表2

(實(shí)驗(yàn)例2)

(例31～36)

在例31中，如圖1、圖2所示，在緩冷爐4內(nèi)的退火輥8之間，在板厚0.7mm的玻璃帶5為660℃的位置處插入有雙流型的噴射器20。將噴射器20的供給口21與玻璃帶5的底面5a的距離D設(shè)定為10mm。另外，將噴射器20在玻璃帶5的移動(dòng)方向的距離L設(shè)定為300mm。使用噴射器20，以氮?dú)?N₂)作為載氣將添加有10體積％的氫氣(H₂)的20體積％的氯化氫(HCl)氣體以100cm/秒的線速度噴吹至玻璃帶5的底面5a。

將通過(guò)將玻璃帶5緩冷、切割而制作的浮法玻璃(旭硝子公司制：AN100)切割成50mm見(jiàn)方，從而得到了5片玻璃板，對(duì)于每1片玻璃板而言，在錫接觸面上存在1處渣滓。

接下來(lái)，使用發(fā)泡聚氨酯制的研磨墊(D硬度30度)和作為研磨劑的氧化鈰，利用4B單面研磨機(jī)以規(guī)定的研磨載荷(50g/cm²)對(duì)氣體處理后的面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨以使研磨量平均為0.3μm。5片中的4片玻璃板的渣滓被除去?；瘜W(xué)機(jī)械研磨后的玻璃板的渣滓殘留率為20％。

在例32～36中，以與例31同樣的評(píng)價(jià)方法，如表3所示變更了氯化氫(HCl)氣體濃度、玻璃板溫度或氫氣(H₂)濃度的條件。

表3表示例31～36的評(píng)價(jià)結(jié)果，例31、32、34、35為實(shí)施例，例33、36為比較例。可以確認(rèn)：如果使用0.5體積％以上的氯化氫(HCl)氣體，則渣滓殘留率降低。另外，可以確認(rèn)：通過(guò)將玻璃板溫度從660℃提高至680℃，渣滓殘留率降低。

表3

(例41～49)

在例41中，如圖1、圖2所示，在緩冷爐4內(nèi)的退火輥8之間，在板厚0.5mm的玻璃帶5為680℃的位置處插入有雙流型的噴射器20。將噴射器20的供給口21與玻璃帶5的底面5a的距離D設(shè)定為10mm。另外，將噴射器20在玻璃帶5的移動(dòng)方向的距離L設(shè)定為300mm。使用噴射器20，將0.5體積％的氯化氫(HCl)氣體和99.5體積％的氫氣(H₂)的混合氣體以50cm/秒的線速度噴吹至玻璃帶5的底面5a。

將通過(guò)將玻璃帶5緩冷、切割而制作的浮法玻璃(旭硝子公司制：AN100)切割成50mm見(jiàn)方，從而得到了7片玻璃板，對(duì)于每1片玻璃板而言，在錫接觸面上存在1處渣滓。

接下來(lái)，使用發(fā)泡聚氨酯制的研磨墊(D硬度30度)和作為研磨劑的氧化鈰，利用4B單面研磨機(jī)以規(guī)定的研磨載荷(50g/cm²)對(duì)氣體處理后的面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨以使研磨量平均為0.5μm。7片中的6片玻璃板的渣滓被除去。化學(xué)機(jī)械研磨后的玻璃板的渣滓殘留率為14％。

在例42～49中，以與例41同樣的評(píng)價(jià)方法，如表4所示變更了氯化氫(HCl)氣體濃度、或氫氣(H₂)濃度的條件。例42、43、46、47、49使用了氮?dú)?N₂)作為載氣。

表4表示例41～49的評(píng)價(jià)結(jié)果，例41～48為實(shí)施例，例49為比較例?？梢源_認(rèn)：如果使用0.5體積％以上的氯化氫(HCl)氣體，則渣滓殘留率降低。另外，可以確認(rèn)：通過(guò)提高氫氣(H₂)濃度，渣滓殘留率降低。

表4

如上所述，對(duì)于浮法玻璃制造方法和浮法玻璃制造裝置參照特定的實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式等，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下還可以施加各種變更、修正。

本申請(qǐng)基于2015年6月5日提出的日本專(zhuān)利申請(qǐng)2015-114395，其內(nèi)容以參照的方式并入本文。