本發(fā)明涉及一種Cu2O納米薄膜的制備方法。

背景技術(shù)：
Cu2O是銅的一價(jià)氧化物，顏色鮮紅，常呈粉末狀固體，在酸性的條件下容易發(fā)生歧化反應(yīng)生成銅單質(zhì)和二價(jià)的銅離子。氧化亞銅禁帶的寬度在1.9eV-2.2eV，在太陽光的照射下，氧化亞銅能產(chǎn)生光生載流子，由于禁帶寬度只有2.0eV左右，易被可見光激發(fā)，是一種良好的無機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料。在理論上，氧化亞銅的光電轉(zhuǎn)化效率可以達(dá)到20%。隨著太陽能電池的發(fā)展，Cu2O納米材料和Cu2O復(fù)合材料更加引起人們關(guān)注。此外Cu2O還可用于制備船底防污漆、著色劑、儲磁器、電極材料。氧化亞銅常用的制備方法主要有熱氧化法、水熱合成法、溶膠凝膠法、電化學(xué)沉積法等。但熱氧化法制備納米氧化亞銅，反應(yīng)需在高溫下進(jìn)行，高溫反應(yīng)設(shè)備昂貴且反應(yīng)所需溫度不容易達(dá)到；在溶膠-凝膠法制備過程中，溶膠容易團(tuán)聚，工藝參數(shù)不容易控制；水熱法雖然方法簡單，但是需要恒溫設(shè)備，反應(yīng)溫度較高，不易大規(guī)模應(yīng)用；電化學(xué)沉積法制備氧化亞銅，工作電極在電解過程中存在“邊緣效應(yīng)”，造成電極中間薄邊緣厚，難以均勻沉積在基底上。本發(fā)明采用的制備工藝簡單，具有工藝參數(shù)容易控制，反應(yīng)條件溫和，制備周期短，并測得其光電性能良好。且該方法尚未見報(bào)道。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是提供一種常溫水浴制備氧化亞銅納米薄膜的方法。具體步驟為：（1）配制質(zhì)量百分比濃度為0.3～1%的HF溶液和質(zhì)量百分比濃度為25～65%的HNO3溶液，兩種配好的溶液取相同體積混合均勻，得混酸溶液。（2）將銅片剪成1.5cm×5cm×0.1cm大小，置于步驟（1）所得混酸溶液中，20～50秒后待銅表面呈紫紅色取出，依次用二次蒸餾水、分析純丙酮、分析純酒精各超聲清洗銅片10分鐘，隨即在25～65℃水浴中靜置3～7天，得Cu2O納米薄膜，測試其光電壓達(dá)到0.0801～0.1286V。本發(fā)明與其他相關(guān)技術(shù)相比，最顯著的特點(diǎn)是常溫水浴法制備Cu2O納米薄膜，其制備工藝簡單、周期短，制備的樣品可以直...