本發(fā)明涉及多孔二氧化硅系顆粒及包含該多孔二氧化硅系顆粒的清潔用化妝品，更具體地說，涉及磨損性的多孔二氧化硅系顆粒。

背景技術(shù)：

清潔用化妝品中包含利用物理性作用剝掉老的角質(zhì)層的磨砂劑。作為磨砂劑，已為公眾所知的有微小的塑料顆粒(例如聚乙烯顆粒)(參照專利文獻(xiàn)1)。塑料顆粒容易吸收殺蟲劑等化學(xué)物質(zhì)，此外，因?yàn)橹亓枯p而難以在下水處理廠除去。因此，塑料顆粒存在下述問題：流入江河、海洋、池沼等，在魚類和貝類中蓄積，并通過它們影響人體。

近年，作為磨砂劑也使用硅膠(シリカゲル)顆粒。硅膠顆?？梢酝ㄟ^專利文獻(xiàn)2、3所公開的制造方法得到。專利文獻(xiàn)4中公開了：由特定的硅膠顆粒構(gòu)成的磨砂劑，“使用時的磨砂感”良好，并且由于涂擦?xí)r顆粒崩潰，所以磨砂劑對對象物的刺激低。該磨砂劑不存在塑料顆粒的上述問題。此外，專利文獻(xiàn)4中還公開了作為硅膠顆粒，盡管也可以使用破碎狀的顆粒，但是如果是球狀，則硅膠顆粒(磨砂劑)接觸皮膚時，能得到柔軟的使用感覺，根據(jù)該點(diǎn)優(yōu)選球狀的硅膠顆粒，并且公開了使用后的刺痛感小。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利公開公報特開2001-278778號

專利文獻(xiàn)2：日本專利公開公報特開昭62-275014號

專利文獻(xiàn)3：日本專利公開公報特開平10-324517號

專利文獻(xiàn)4：日本專利公開公報特開2011-225548號

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題

可是，對于使用后的刺痛感小的磨砂劑，存在下述問題：使用中為了得到所希望的磨砂感而用強(qiáng)的按壓壓力涂擦磨砂劑，在微觀上，角質(zhì)層產(chǎn)生清洗痕等微小損傷，由此可能導(dǎo)致角質(zhì)層的屏蔽功能和保水功能降低。

本發(fā)明的目的是提供必要的多孔二氧化硅系顆粒，用于實(shí)現(xiàn)即使用弱的涂擦力(按壓壓力)涂擦也能得到足夠的磨砂感并且刺痛感得到抑制的清潔用化妝品。

解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

本發(fā)明的多孔二氧化硅系顆粒具有以下的特性(i)～(iv)。

(i)平均圓度為0.1～0.5，

(ii)微孔容積(Pv)為1.0～2.0ml/g，

(iii)眾數(shù)直徑(D_m)為50～600μm，

(iv)最大粒徑(D₁₀₀)與眾數(shù)直徑(D_m)之比(D₁₀₀/D_m)為3.0以下。

此外，優(yōu)選的是，所述多孔二氧化硅系顆粒的用1.0～1.4KPa涂擦30秒鐘后的中位徑(D_R50)處于0.5～25μm的范圍，最大粒徑(D_R100)處于1～100μm的范圍。

此外，優(yōu)選的是，多孔二氧化硅系顆粒的最大微孔徑(PD₁₀₀)與最小微孔徑(PD₀)之比(PD₁₀₀/PD₀)處于5～10的范圍。此外，當(dāng)施加0.5gf的壓縮力f1時，所述多孔二氧化硅系顆粒產(chǎn)生0.5～3μm的位移。此外，當(dāng)對多孔二氧化硅系顆粒施加以0.21gf/sec的比例增加到2.5gf的壓縮力時，產(chǎn)生5次以上的0.01～1.0μm的臺階狀位移。

通過使用上述的多孔二氧化硅系顆粒，能夠得到滿足使用磨砂劑的觸感和清潔感這雙方的清潔用化妝品。

發(fā)明效果

按照本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)即使用弱的涂擦力(按壓壓力)研磨也能得到足夠的磨砂感并且刺痛感得到抑制的清潔用化妝品。因此，能夠抑制皮膚的損傷、以及有可能導(dǎo)致角質(zhì)層的屏蔽功能和保水功能降低的對角質(zhì)層造成的線狀痕跡等微小損傷。

附圖說明

圖1是用掃描型電子顯微鏡拍攝在實(shí)施例1中得到的多孔二氧化硅系顆粒的SEM照片(倍率100倍)。

圖2是用掃描型電子顯微鏡拍攝涂擦在實(shí)施例1中得到的多孔二氧化硅系顆粒后的SEM照片(倍率100倍)。

圖3是表示實(shí)施例1的多孔二氧化硅系顆粒的、壓縮力和位移的關(guān)系的圖。

圖4是表示實(shí)施例1的多孔二氧化硅系顆粒的、壓縮力和位移的關(guān)系的圖。

圖5是表示實(shí)施例1的多孔二氧化硅系顆粒的、壓縮力和位移的關(guān)系的圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的多孔二氧化硅系顆粒，平均圓度為0.1～0.5，微孔容積為1.0～2.0ml/g，眾數(shù)直徑為(D_m)50～600μm，最大粒徑(D₁₀₀)與眾數(shù)直徑(D_m)之比(D₁₀₀/D_m)為3.0以下。這樣的多孔二氧化硅系顆粒，由于涂擦的摩擦力而磨損，粒徑變小。此外，優(yōu)選的是，所述多孔二氧化硅系顆粒的用1.0～1.4KPa涂擦30秒鐘后的中位徑(D_R50)為0.5～25μm，最大粒徑(D_R100)為1～100μm。

此外，如果對所述顆粒施加微小的壓縮力，則產(chǎn)生微小的位移，并以亞微米單位多次反復(fù)進(jìn)行臺階狀的位移。包含這樣的多孔二氧化硅系顆粒作為磨砂劑的清潔用化妝品，由于涂擦中與皮膚的摩擦，顆粒磨損，粒徑變小。通過用所述摩擦力摩擦皮膚，能夠顯示柔和的角質(zhì)層剝脫效果，并且能夠防止皮膚的損傷、對角質(zhì)層造成的線狀痕跡等微小損傷。

另外，對于公知的崩潰性的二氧化硅顆粒，由于顆粒的崩潰，粒徑不規(guī)則地變小，因此難以滿足使用磨砂劑的觸感和清潔感雙方。

優(yōu)選的是，本發(fā)明的多孔二氧化硅系顆粒，在施加壓縮力時產(chǎn)生的位移成為如下所述的內(nèi)容。即，如果施加0.5gf的壓縮力，則產(chǎn)生0.5～3μm的位移。或者，施加2.5gf的壓縮力f2時產(chǎn)生d2(μm)的位移量，壓縮位移的斜率(f2/d2)處于0.3～2.0的范圍。或者，如果對多孔二氧化硅系顆粒施加以0.21gf/sec的比例增加到2.5gf的壓縮力，則產(chǎn)生5次以上的0.01～1.0μm的臺階狀位移。此外，如果施加以0.21gf/sec的比例增加的壓縮力，則產(chǎn)生多次的臺階狀位移，并且最初產(chǎn)生10μm以上的位移量的壓縮力f3存在于5～40gf的范圍。當(dāng)把在所述壓縮力f3(gf)下發(fā)生10μm以上的壓縮位移前的位移量設(shè)為d3(μm)時，壓縮位移的斜率(f3/d3)處于0.3～1.25的范圍。

此外，優(yōu)選的是，多孔二氧化硅系顆粒的以下的特性處于規(guī)定范圍。

(平均圓度)

多孔二氧化硅系顆粒的平均圓度為0.10～0.50。優(yōu)選的是0.20～0.45。特別優(yōu)選的是0.35～0.40。

(微孔容積)

微孔容積為1.0～2.0ml/g。微孔容積1.0ml/g以上的顆粒，具有適當(dāng)?shù)亩嗫仔裕w粒強(qiáng)度不過高。因此，在皮膚上涂擦?xí)r容易磨損，能夠抑制皮膚的損傷、微小損傷(對角質(zhì)層造成的線狀痕跡等)。此外，微孔容積2.0ml/g以下的顆粒，多孔性不過高，具有適當(dāng)?shù)哪p特性。因此，接觸皮膚的瞬間可以給予適當(dāng)?shù)拇碳?磨砂感)。此外，使用所述顆粒制造化妝品時，顆粒不易磨損，因此能夠制造質(zhì)量穩(wěn)定的化妝品。

(最大微孔徑(PD₁₀₀)，最小微孔徑(PD₀))

最大微孔徑(PD₁₀₀)為15～50nm，最小微孔徑(PD₀)為2～5nm。此外，最大微孔徑(PD₁₀₀)與最小微孔徑(PD₀)之比(PD₁₀₀/PD₀)為5～10。該比為5以上的顆粒，具有適當(dāng)?shù)奈⒖讖椒植?，顆粒強(qiáng)度不過高。因此，在皮膚上涂擦?xí)r容易磨損，顯示柔和的剝脫效果，并且能夠抑制皮膚的損傷、對角質(zhì)層造成的微小損傷。此外，所述比為10以下的顆粒，微孔徑分布不過寬，具有適當(dāng)?shù)念w粒強(qiáng)度。因此，接觸皮膚的瞬間能夠給予適當(dāng)?shù)哪ド案小?/p>

(眾數(shù)直徑D_m)

為了在皮膚上涂擦顆粒時通過物理性作用使老的角質(zhì)層剝落，眾數(shù)直徑(D_m)為50μm以上。此外，為了防止涂擦?xí)r的皮膚的損傷、對角質(zhì)層造成的微小損傷，眾數(shù)直徑(D_m)為600μm以下。最大粒徑(D₁₀₀)與所述眾數(shù)直徑(D_m)之比(D₁₀₀/D_m)為3.0以下。如果該比(D₁₀₀/D_m)處于所述范圍，則能夠?qū)㈩w粒作為磨砂劑在皮膚上涂擦，并且能夠抑制到磨損為止的初期階段的皮膚的損傷、對角質(zhì)層造成的微小損傷。此外，特別優(yōu)選的是，所述比為2.0以下。

(涂擦后的最大粒徑D_R100和中位徑D_R50)

用1.0～1.4KPa涂擦多孔二氧化硅系顆粒后，最大粒徑(D_R100)變成1～100μm，中位徑(D_R50)變成0.5～25μm。

(比表面積)

優(yōu)選的是，利用BET法求出的比表面積為300～500m²/g。如果比表面積處于該范圍，則能夠滿足使用磨砂劑的觸感和清潔感雙方。特別優(yōu)選的是350～450m²/g的范圍。

此外，本發(fā)明的多孔二氧化硅系顆粒也可以用中位徑表示。即，本發(fā)明的多孔二氧化硅系顆粒，平均圓度為0.1～0.5，微孔容積為1～2ml/g，中位徑(D₅₀)為50～500μm，最大粒徑(D₁₀₀)與中位徑(D₅₀)之比(D₁₀₀/D₅₀)為3.0以下，用涂擦負(fù)荷250～350g涂擦后的中位徑(D_R50)為0.5～25μm。這樣的多孔二氧化硅系顆粒也由于涂擦的摩擦力而磨損，粒徑變小。此外，用中位徑(D₅₀)表示的多孔二氧化硅系顆粒，也具有與用眾數(shù)直徑(D_m)表示的前述的多孔二氧化硅系顆粒同等的磨損特性。此外，由于各特性的優(yōu)選的范圍也相同，因此省略重復(fù)記載。以下，說明未記述的中位徑(D₅₀)。

(中位徑D₅₀)

為了在皮膚上涂擦顆粒時通過物理性作用使老的角質(zhì)層剝落，中位徑(D₅₀)為50μm以上，優(yōu)選的是60μm以上，更優(yōu)選的是70μm以上。此外，為了防止涂擦?xí)r的皮膚的損傷、對角質(zhì)層造成的微小損傷，中位徑(D₅₀)為500μm以下，優(yōu)選的是480μm以下，更優(yōu)選的是460μm以下。最大粒徑(D₁₀₀)與所述中位徑(D₅₀)之比(D₁₀₀/D₅₀)為3.0以下。也可以為2.5左右。如果比(D₁₀₀/D₅₀)處于所述范圍，則能夠?qū)㈩w粒作為磨砂劑在皮膚上涂擦，能夠抑制到磨損為止的初期階段的皮膚的損傷、對角質(zhì)層造成的微小損傷。

(涂擦后的最大粒徑D_R100和中位徑D_R50)

優(yōu)選的是，用負(fù)荷250～350g涂擦多孔二氧化硅系顆粒后的最大粒徑(D_R100)為0.7～100μm，更優(yōu)選的是1.8～80μm。涂擦后的中位徑(D_R50)，優(yōu)選的是0.5～25μm。更優(yōu)選的是1.0～23μm。涂擦后的最大粒徑(D_R100)與中位徑(D_R50)之比(D_R100/D_R50)，也優(yōu)選的是3.0以下。也可以為1.7左右。如果將具有這樣的特性的多孔二氧化硅系顆?；旌系交瘖y品中，則在皮膚上涂擦?xí)r沒有損傷皮膚的危險，此外，能夠得到能撓掉毛孔深處的皮脂等污垢的磨砂作用高的化妝品。

另外，多孔二氧化硅系顆粒除了包含作為主成分的二氧化硅以外，也可以包含0.1～10質(zhì)量％的氧化鐵、氧化鈦、群青、普魯士藍(lán)、有機(jī)顏料等作為著色劑?？紤]在化妝品中進(jìn)行混合，優(yōu)選的是，多孔二氧化硅系顆粒是由非晶態(tài)二氧化硅構(gòu)成的顆粒。

[多孔二氧化硅系顆粒的制造方法]

以下例示本發(fā)明的多孔二氧化硅系顆粒的制造方法。

(工序A)

該工序制備硅膠的漿料。首先，在無機(jī)酸等的酸性水溶液中加入硅酸鈉(水玻璃)，在酸性條件下生成二氧化硅顆粒。在其中加入氨等堿發(fā)生凝膠化，得到硅膠的漿料。在進(jìn)行所希望的著色的情況下，預(yù)先在無機(jī)酸或硅酸鈉中添加氧化鐵、氧化鈦、群青、普魯士藍(lán)、有機(jī)顏料等著色劑。或者，也可以在硅酸鈉的添加過程中或添加結(jié)束后添加著色劑。

(工序B：脫水工序)

利用過濾、離心分離等公知的固液分離手段對通過工序A得到的漿料進(jìn)行脫水，制備硅膠的塊狀物。為了除去無機(jī)鹽等雜質(zhì)，優(yōu)選的是用純水清洗塊狀物。

(工序C：粉碎工序)

將通過工序B得到的塊狀物干燥。干燥溫度可以是與對硅膠進(jìn)行干燥而得到二氧化硅系顆粒群的情況同等的溫度。接著，用榨汁攪拌器、輥滾磨機(jī)、球磨機(jī)、小徑球磨機(jī)(珠磨機(jī))等粉碎手段將干燥的塊狀物粉碎。通過物理性粉碎，二氧化硅系顆粒成為較小的平均圓度(0.1～0.5程度)。此外，通過粉碎，顆粒的外形容易形成棱。開始涂擦?xí)r，如果顆粒的棱接觸皮膚，則會得到瞬間的硬的磨砂感。因此，能夠防止用強(qiáng)涂擦力(按壓力)清洗。另外，通過延長粉碎的時間，可以減小涂擦后的最大粒徑(D_R100)和中位徑(D_R50)。

(工序D：燒成工序)

在如上所述地得到的多孔二氧化硅系顆粒的含水率高的情況下，優(yōu)選的是在250～1000℃下進(jìn)行燒成。

[清潔用化妝品]

本發(fā)明的清潔用化妝品，包含上述的多孔二氧化硅系顆粒和清潔用化妝品成分。作為清潔用化妝品成分，可以使用在清潔用化妝品組合物中通常采用的化妝品成分。此外，也可以應(yīng)用薬部外品原料規(guī)格2006(發(fā)行：株式會社藥事日報社，平成18年6月16日)以及International Cosmetic Ingredient Dictionary and Handbook(發(fā)行：The Cosmetic,Toiletry,and Fragrance Association,Fourteenth Edition 2014)等記載的化妝品成分。

這樣的清潔用化妝品可以利用以往公知的方法進(jìn)行制造，無需運(yùn)用高級的混合技術(shù)。清潔用化妝品的形態(tài)有膏狀、液狀、凝膠狀等，根據(jù)用途有身體用清潔化妝品、手腳用途清潔化妝品、臉用清潔化妝品等。

實(shí)施例

以下，具體說明本發(fā)明的實(shí)施例，但是本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。

[實(shí)施例1]

(漿料制備工序)

將JIS3號硅酸鈉20.3g(二氧化硅濃度29重量％)和純水49.1g混合，得到硅酸鈉水溶液(二氧化硅濃度8.5重量％)。將所述硅酸鈉水溶液加入加熱到40℃的硫酸水溶液(硫酸濃度25重量％)10.0g中，制備出pH4.0的漿料A。在漿料A中添加氨水(氨濃度15重量％)0.4g，制備出pH7.0的、來源于硅酸鈉的二氧化硅濃度7.4重量％的漿料B。

(脫水工序)

使用布氏漏斗(関谷理化硝子器械(株)制3.2L)并用定量濾紙(アドバンテック東洋(株)制No.2)對得到的漿料B進(jìn)行過濾。隨后，用純水反復(fù)進(jìn)行清洗，得到了塊狀物質(zhì)。

(干燥·粉碎工序)

將得到的塊狀物質(zhì)在120℃下干燥12小時。通過把所述干燥粉體用榨汁攪拌器(日立制作所(株)制)粉碎10秒鐘，得到了粉體。

(篩選工序)

接著，用26目篩(JIS試驗(yàn)用標(biāo)準(zhǔn)篩)對所述粉體進(jìn)行篩選，得到多孔二氧化硅系顆粒的粉體。圖1表示了用掃描型電子顯微鏡拍攝所述粉體(多孔二氧化硅系顆粒群)的SEM照片(倍率100倍)。此外，圖2表示了用1.0～1.4KPa的負(fù)荷圓弧狀地涂擦所述粉體30秒鐘后用掃描型電子顯微鏡拍攝的SEM照片(倍率100倍)。如下測定并評價了在各例中得到的多孔二氧化硅系顆粒的物理性質(zhì)。其結(jié)果表示在表1中。

(1)平均圓度、中位徑(D₅₀)、眾數(shù)直徑(D_m)、最大粒徑(D₁₀₀)

拍攝多孔二氧化硅系顆粒群的SEM(掃描型電子顯微鏡)照片(倍率：100倍)，使用SEM用圖像分析軟件((株)奧林巴斯制Scandium)，對隨機(jī)選擇的100～200個顆粒的圖像進(jìn)行分析，由此求出了上述值。

具體地說，掃描型電子顯微鏡使用了日本電子(株)制造的JSM-6010LA，取得了2次電子圖像(SEM照片)。從所述SEM照片中隨機(jī)選擇了100～200個顆粒。用圖像分析軟件“Scandium”讀取SEM照片的圖像數(shù)據(jù)(2次電子圖像，100倍，jpg圖像)。從圖像上選擇特定的區(qū)域作為分析區(qū)域(范圍)。對所述分析區(qū)域(范圍)進(jìn)行二值化處理。具體地說，選擇153灰度作為RGB值的各個下限值，選擇255灰度作為RGB值的各個上限值，執(zhí)行上述兩個閾值的二值化。檢測執(zhí)行二值化后的分析區(qū)域內(nèi)的顆粒。在檢測到的顆粒中刪除將多個顆粒的塊作為一個顆粒檢測出來的顆粒。針對被確認(rèn)為單一顆粒的顆粒，求出各種物性值(直徑的平均，圓度)。直到能夠檢測、分析出100～200個二氧化硅系顆粒為止，重復(fù)上述步驟。對于這樣得到的物性值，根據(jù)“直徑的平均”計算出眾數(shù)直徑、中位徑和最大粒徑，根據(jù)圓度計算出平均圓度。另外，在“直徑的平均(μm)”中，使用將小數(shù)的第一位四舍五入得到的整數(shù)值。平均圓度是各顆粒的圓度的算術(shù)平均值，各顆粒的圓度定義為“圓度＝(面積與顆粒的投影圖像的面積相等的圓的周長)/(顆粒的投影圖像的周長)”。

(2)比表面積

將約30ml多孔二氧化硅系顆粒的粉體采集入磁性坩堝(B-2型)中，在105℃下干燥2小時后，放入干燥器冷卻到室溫。接著，取1g所述試樣，采用全自動表面積測定裝置(湯淺アイオニクス株式會社制，マルチソーブ12型)，利用BET法測定了比表面積(m²/g)。進(jìn)而，按二氧化硅的比重2.2g/cm³換算為每單位質(zhì)量的比表面積(m²/cm³)。

(3)微孔容積

取10g多孔二氧化硅系顆粒的粉體放入坩堝，在105℃下干燥1小時后，放入干燥器冷卻到室溫。接著，在仔細(xì)清洗過的試樣室中放入試樣1.0g，使用氮吸附裝置使試樣吸附氮，根據(jù)以下的計算式計算出微孔容積。

微孔容積(ml/g)＝(0.001567×(V-Vc)/W)

在上述計算式中，V表示壓力735mmHg下的標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)的吸附量(ml)，Vc表示壓力735mmHg下的空白試樣室的容量(ml)，W表示試樣的質(zhì)量(g)。此外，氮?dú)夂鸵后w氮的密度之比設(shè)為0.001567。

(4)微孔徑

取10g多孔二氧化硅系顆粒的粉體放入坩堝，在300℃下干燥1小時后，放入干燥器冷卻到室溫。取0.15g放入玻璃試樣室，使用Belsorp miniII(日本ベル(株)制)邊真空脫氣邊使試樣吸附氮?dú)夂螅馕?。從得到的吸附等溫線，利用BJH法計算出微孔徑分布。由此，得到最大微孔徑(PD₁₀₀)和最小微孔徑(PD₀)。

(5)涂擦后的最大粒徑(D_R100)和中位徑(D_R50)

在電子天平((株)AND制HF4000)上放置聚氨酯彈性體制的人工皮膚(株式會社ビューラックス制，生物皮膚板(バイオスキンプレート)，產(chǎn)品編號P001-001#20，195×130×5Tmm)。將在0.2g多孔二氧化硅系顆粒的粉體中加入純水3.8g得到的漿料滴在人工皮膚的中央部，持續(xù)用四根手指用250～300g的負(fù)荷圓弧狀涂擦30秒鐘。如果將四根手指的接觸面積設(shè)為4cm²，則成為用1.0～1.4KPa的壓力進(jìn)行涂擦。采集所述人工皮膚的中央部的漿料，拍攝SEM(掃描型電子顯微鏡)照片(倍率：100倍)，從隨機(jī)選擇的100～200個顆粒的圖像數(shù)據(jù)，使用前述的SEM用圖像分析軟件測量涂擦后的最大粒徑(D_R100)和中位徑(D_R50)。

(6)壓縮位移

使用微小壓縮試驗(yàn)機(jī)“MCT-210”(株式會社島津制作所制)，測定了對多孔二氧化硅系顆粒施加壓縮力時產(chǎn)生的壓縮位移。壓頭使用了“FLAT200”(株式會社島津制作所制)。測定結(jié)果表示在圖3～圖5中。圖3是表示以壓縮速度0.21gf/sec施加0到0.5gf的壓縮力時的、多孔二氧化硅系顆粒的位移的圖?？梢郧蟪鰤嚎s力0.5gf(壓縮力f1)下的位移量。在本實(shí)施例中為約2.0μm。

圖4是表示以壓縮速度0.21gf/sec施加0到2.5gf的壓縮力時的、多孔二氧化硅系顆粒的位移的圖。此時，多次產(chǎn)生了臺階狀的位移。在圖上，盡管壓縮力未變化而位移增加的部位是臺階狀的位移。臺階狀的位移的開始點(diǎn)用▼表示。在本實(shí)施例中，出現(xiàn)了8次臺階狀的位移。此時，各個位移量為0.01～1.0μm。求出壓縮力2.5gf(壓縮力f2)下的位移d2(μm)，并計算出壓縮位移的斜率(f2/d2)。在本實(shí)施例中為0.43。壓縮位移的斜率(f2/d2)處于0.3～2.0的范圍是合適的。

圖5是表示施加壓縮力直到出現(xiàn)10μm以上的臺階狀位移為止時的、多孔二氧化硅系顆粒的位移的圖。將出現(xiàn)10μm以上的臺階狀位移時的壓縮力設(shè)為f3。在此，邊以0.21gf/sec的比例使壓縮力增加邊施加壓縮力。求出壓縮力f3下的位移d3(μm)，并計算出壓縮位移的斜率(f3/d3)。在此，位移d3是在10μm以上的臺階狀位移開始的時點(diǎn)處測定的位移。在本實(shí)施例中壓縮位移的斜率為1.0。壓縮位移的斜率(f3/d3)處于0.3～1.25的范圍是合適的。另外，在此，在出現(xiàn)10μm以上的臺階狀位移的階段，停止施加壓縮力。

(7)成分(SiO₂濃度)

用白金盤精確稱量多孔二氧化硅系顆粒的粉體0.2g，加入硫酸10ml和氫氟酸10ml，在砂浴上加熱至出現(xiàn)硫酸的白煙。冷卻后，向殘渣加入水約50ml進(jìn)行加熱溶解。將得到的水溶液冷卻后，用水將水溶液稀釋，得到200ml的試驗(yàn)溶液。使用電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀(株式會社島津制作所制，ICPS-8100，分析軟件ICPS-8000)，針對所述試驗(yàn)溶液求出二氧化硅系顆粒的成分。

[實(shí)施例2]

將干燥粉體的粉碎時間變更為30秒鐘，篩變更為50目篩(JIS試驗(yàn)用標(biāo)準(zhǔn)篩)。除此以外與實(shí)施例1同樣地制備了多孔二氧化硅系顆粒并進(jìn)行了評價。

[實(shí)施例3]

在本實(shí)施例中，在漿料制備工序中，向加熱到40℃的硫酸水溶液(硫酸濃度25重量％)10.0g中添加了0.06g的青色404號。除此以外，與實(shí)施例1同樣地制備了多孔二氧化硅系顆粒并進(jìn)行了評價。

[比較例1]

除了未實(shí)施篩選工序以外，與實(shí)施例1同樣地制備了多孔二氧化硅系顆粒并進(jìn)行了評價。由于未經(jīng)過篩選工序，因此存在大量粗大顆粒，最大粒徑變大。因此，即使是弱的涂擦力，也存在涂擦開始時損傷皮膚的危險。

[比較例2]

用噴霧干燥器(大川原化工機(jī)株式會社制，OC-25)對實(shí)施例1的漿料B進(jìn)行了噴霧干燥，制備了球狀的多孔二氧化硅系顆粒。即，向入口溫度150℃、2000rpm的旋轉(zhuǎn)霧化器以10L/hr的流量供給漿料B進(jìn)行噴霧干燥。在本比較例中，未實(shí)施粉碎和篩選。由于如此制備出的顆粒為球狀，因此存在下述問題：涂擦?xí)r的磨砂感弱，使用者長時間涂擦而損傷皮膚。

[比較例3]

除了將粉碎時間變更為45秒鐘、篩變更為281目篩(JIS試驗(yàn)用標(biāo)準(zhǔn)篩)以外，與實(shí)施例1同樣地制備了多孔二氧化硅系顆粒。由于粉碎時間長、篩的網(wǎng)眼小，所以平均粒徑小。因此，即使涂擦也感覺不到磨砂感，不適合作為磨砂劑。

[比較例4]

向?qū)嵤├?的漿料A添加氨水2.1g，在pH成為9.0時在保持40℃的溫度下攪拌2小時，制備來源于硅酸鈉的硅酸濃度為7.3重量％的漿料B。除此以外，與實(shí)施例1同樣地制備了多孔二氧化硅系顆粒。該多孔二氧化硅系顆粒的微孔容積大，得不到涂擦的磨砂感。此外，由于微孔容積大，所以即使是較小的壓縮力，位移量也大。如表1所示，在壓縮力2.0gf下產(chǎn)生10μm以上的臺階狀位移。

[比較例5]

將實(shí)施例1的干燥粉體在1000℃下燒成6小時。把該燒成粉體用榨汁攪拌器(日立制作所(株)制)粉碎10秒鐘，得到粉體。接著，將該粉體用26目篩(JIS試驗(yàn)用標(biāo)準(zhǔn)篩)篩選，得到多孔二氧化硅系顆粒的粉體。在本比較例中，由于實(shí)施了高溫?zé)?，所以微孔容積小，不易產(chǎn)生涂擦磨損。因此，存在涂擦導(dǎo)致皮膚損傷的危險。

[清潔用化妝品的制備和評價]

將通過上述的實(shí)施例和比較例制備的多孔二氧化硅系顆粒的粉體作為成分(1)，以表2所示的混合比率(質(zhì)量％)，將各成分(2)～(15)放入燒杯，使用均化器進(jìn)行攪拌。由此，得到均勻混合的身體清潔用化妝品。

表2

由此，得到混合了實(shí)施例的多孔二氧化硅系顆粒的身體清潔用化妝品A～C以及混合了比較例的多孔二氧化硅系顆粒的身體清潔用化妝品a～e。

針對這些清潔用化妝品，由20名專家進(jìn)行感官測試，對于磨砂感、沒有刺痛感的程度、清洗后的皮膚的光澤、清洗后的皮膚沒有灰暗的程度、清洗后沒有刺痛感的程度這五個評價項(xiàng)目進(jìn)行了問詢調(diào)査。根據(jù)以下的評價分基準(zhǔn)A評價了其結(jié)果。此外，將各人評出的評價分合計，根據(jù)以下的評價基準(zhǔn)B進(jìn)行了關(guān)于清潔用化妝品的使用感覺的評價。

評價分基準(zhǔn)A

5分：非常好。

4分：良好。

3分：普通。

2分：差。

1分：非常差。

評價基準(zhǔn)B

◎：合計分80分以上

○：合計分60分以上且小于80分

△：合計分40分以上且小于60分

▲：合計分20分以上且小于40分

×：合計分小于20分

評價結(jié)果表示在表3中?；瘖y品A～C的使用感覺在清洗中和清洗后都非常好?？墒?，化妝品a～e的使用感覺不好。

表3