本發(fā)明涉及一種正溫度系數(shù)熱敏電阻材料及熱敏電阻，屬于熱敏電阻領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻具有在溫度較低時電阻值較低，而溫度上升到一定程度時電阻急劇上升的特性，有時候達(dá)到3～4個以上的數(shù)量級；因此PTC通電后通過自身發(fā)熱溫度上升而導(dǎo)致電阻增大，在電路中限制了電流，具有很好的安全性能。隨著國民經(jīng)濟的發(fā)展，正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻元件廣泛應(yīng)用于家電、通訊、電子設(shè)備、電氣部件、溫度傳感與控制、加熱等領(lǐng)域。由于變頻空調(diào)，低壓儀表和通訊設(shè)備在社會生產(chǎn)生活中使用越來越頻繁，人們對其可靠性要求也越來越高。目前該類設(shè)備上通用的低電阻率正溫度系數(shù)熱敏電阻多采用傳統(tǒng)方法：在BaTiO 3中直接添加SiO 2作為玻璃相降低電阻率，缺點是燒結(jié)溫度較高，可靠性較低，只能在30V以下使用，在目前的需求下已越來越不能適應(yīng)使用要求。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有的正溫度系數(shù)熱敏電阻可靠性低。
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種低電阻率正溫度系數(shù)熱敏電阻材料，含有：主成分、含釔化合物、含硅化合物及含磷化合物，所述主成分為鈦酸鋇(BaTiO 3)、鈦酸鍶(SrTiO 3)、鈦酸鉛(PbTiO 3)和鈦酸鈣(CaTiO 3)；其中，鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鉛和鈦酸鈣的摩爾數(shù)之和與所述含磷化合物中磷的摩爾比為：100:0.1～0.5。
本發(fā)明通過在材料中加入含磷化合物來控制正溫度正溫度系數(shù)熱敏電阻陶瓷中的玻璃相，相較于單純使用含硅化合物，含磷的陶瓷燒結(jié)溫度更低，利于降低能源消耗；同時也使陶瓷在燒結(jié)過程中玻璃軟化點更低，增加了玻璃相對材料中有害雜質(zhì)的吸收力，提高電阻的可靠率。
優(yōu)選地，所述主成分中各組分的摩爾配比為：鈦酸鋇:鈦酸鍶:鈦酸鉛:鈦酸鈣＝60～90:0～20:0～10:10～15。
優(yōu)選地，所述鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鉛和鈦酸鈣的摩爾數(shù)之和與所述含硅化合物中硅的摩爾比為：100:1～3；鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鉛和鈦酸鈣的摩爾數(shù)之和與含釔化合物中釔的摩爾比為100:0.3～0.5。
優(yōu)選地，所述含硅化合物為二氧化硅。
優(yōu)選地，所述含釔化合物為三氧化二釔。
優(yōu)選地，所述低電阻率正溫度系數(shù)熱敏電阻材料還含有：含錳化合物，其中，鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鉛和鈦酸鈣的摩爾數(shù)之和與所述含錳化合物中錳的摩爾比為：100:0.01～0.05。
優(yōu)選地，所述含錳化合物為硝酸錳。
優(yōu)選地，還含有：二氧化鈦，其中，鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鉛和鈦酸鈣的摩爾數(shù)之和與二氧化鈦的摩爾比為：100:0～2。
優(yōu)選地，所述含磷化合物為磷酸鹽，其中以磷酸鈣為最佳。
以上所述的正溫度系數(shù)熱敏電阻材料制備的熱敏電阻。
本發(fā)明能夠達(dá)到以下技術(shù)效果：
1.相較傳統(tǒng)單純用SiO 2做玻璃相PTC陶瓷燒結(jié)溫度在1250～1400℃，而本發(fā)明PTC燒結(jié)溫度在1150～1250℃，平均降低燒結(jié)溫度100℃，降低能源消耗。
2.含P的熱敏陶瓷在燒結(jié)過程中玻璃軟化點更低，玻璃相對材料中有害雜質(zhì)如Fe等吸收能力更強，減少了雜質(zhì)離子對熱敏電阻電性能的負(fù)干擾，從而提高了熱敏電阻的可靠性。
具體實施方式
下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明并能予以實施，但所舉實施例不作為對本發(fā)明的限定。
本發(fā)明的正溫度系數(shù)熱敏電阻材料，含有：主成分、含釔化合物、含硅化合物及含磷化合物，其中，主成分為鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鉛和鈦酸鈣。鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鉛和鈦酸鈣的摩爾數(shù)之和與含磷化合物中磷的摩爾比為：100:0.1～0.5。
本發(fā)明的正溫度系數(shù)熱敏電阻材料，還可含有：含錳化合物和/或二氧化鈦。
本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，采用BaTiO 3，PbTiO 3，SrTiO 3，CaTiO 3，Y 2O 3，SiO 2，Ca 3(PO 4)2，TiO 2，Mn(NO 3)2做為正溫度系數(shù)熱敏電阻材料的成分。經(jīng)過常規(guī)球磨，噴霧造粒，壓制，在1150～1250℃燒結(jié)1小時得到直徑為15mm，厚度為1.2mm的陶瓷，通過涂覆Ag料并在500℃下燒滲Ag電極，焊接銅引線包封硅樹脂制作成熱敏電阻。