單質(zhì)砷制備三氧化二砷密閉補(bǔ)料裝置制造方法
【專利摘要】一種單質(zhì)砷制備三氧化二砷密閉補(bǔ)料裝置，其特征在于，錐形蓋的小口端上設(shè)有手動插板閥，手動插板閥下端接下料管，錐形蓋的大口端通過密封墊、緊固卡環(huán)與原料桶端口固接；高位料斗的蓋板中部設(shè)置法蘭接口，該法蘭接口與錐形蓋上手動插板閥下端的下料管連接。本實(shí)用新型的單質(zhì)砷制備三氧化二砷密閉補(bǔ)料裝置結(jié)構(gòu)簡單，補(bǔ)料時，原料桶中的原料進(jìn)入高位料斗完全外于密閉狀態(tài)，避免了空氣中的灰塵污染所補(bǔ)的單質(zhì)As，以及原料砷粉在空氣中任意飄散污染環(huán)境，并影響操作人員的身體健康。
【專利說明】單質(zhì)砷制備三氧化二砷密閉補(bǔ)料裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及化工設(shè)備，尤其是一種單質(zhì)砷制備三氧化二砷密閉補(bǔ)料裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]在單質(zhì)As轉(zhuǎn)化為As2O3工藝中，高位料箱中每次補(bǔ)料都是多達(dá)300kg以上，現(xiàn)有技術(shù)中，每次在給高位料箱內(nèi)補(bǔ)料時，人們必須先打開高位料箱的蓋子然后進(jìn)行補(bǔ)料，在打開蓋子補(bǔ)料時，空氣中的灰塵會污染所補(bǔ)的單質(zhì)As，導(dǎo)致其轉(zhuǎn)化成的As2O3產(chǎn)品上Si含量超標(biāo)，同時在傾倒單質(zhì)As時，砷粉會在空氣中飄散，嚴(yán)重影響操作人員的健康。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型的目的就是提供一種結(jié)構(gòu)簡單，能避免補(bǔ)料時空氣中灰塵污染產(chǎn)品，以及砷粉在空氣中任意飄散的單質(zhì)砷制備三氧化二砷密閉補(bǔ)料裝置。
[0004]本實(shí)用新型的單質(zhì)砷制備三氧化二砷密閉補(bǔ)料裝置，其特征在于，錐形蓋的小口端上設(shè)有手動插板閥，手動插板閥下端接下料管，錐形蓋的大口端通過密封墊、緊固卡環(huán)與原料桶端口固接；高位料斗的蓋板中部設(shè)置法蘭接口，該法蘭接口與錐形蓋上手動插板閥下端的下料管連接。
[0005]本實(shí)用新型的單質(zhì)砷制備三氧化二砷密閉補(bǔ)料裝置，使用時，將錐形蓋大口端與原料桶端口用密封墊及緊固卡環(huán)連接為一個整體，蓋好錐形蓋的料桶倒置，使錐形蓋的下料管與高位料斗頂部蓋板的進(jìn)料管連接，打開插板閥門的插板，原料桶里的料就落進(jìn)高位料斗內(nèi)。
[0006]本實(shí)用新型的單質(zhì)砷制備三氧化二砷密閉補(bǔ)料裝置結(jié)構(gòu)簡單，補(bǔ)料時，原料桶中的原料進(jìn)入高位料斗完全外于密閉狀態(tài)，避免了空氣中的灰塵污染所補(bǔ)的單質(zhì)As，影響砷的氧化產(chǎn)物品質(zhì)，以及原料砷粉在空氣中任意飄散污染環(huán)境，并影響操作人員的身體健康。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；
[0008]1、高位料斗，2、手動插板閥，3、原料桶，4、緊固卡環(huán)，5、錐形蓋，6、蓋板，7、料位計(jì)，8、蝶形閥。

【具體實(shí)施方式】
[0009]一種單質(zhì)砷制備三氧化二砷密閉補(bǔ)料裝置，其特征在于，錐形蓋5的小口端上設(shè)有手動插板閥2，手動插板閥2下端接下料管，錐形蓋5的大口端通過密封墊、緊固卡環(huán)4與原料桶3端口固接；高位料斗I的蓋板6中部設(shè)置法蘭接口，該法蘭接口與錐形蓋5上手動插板閥2下端的下料管連接。
【權(quán)利要求】
1.一種單質(zhì)砷制備三氧化二砷密閉補(bǔ)料裝置，其特征在于:錐形蓋(5)的小口端上設(shè)有手動插板閥(2)，手動插板閥(2)下端接下料管，錐形蓋(5)的大口端通過密封墊、緊固卡環(huán)(4 )與原料桶(3 )端口固接；高位料斗(I)的蓋板(6 )中部設(shè)置法蘭接口，該法蘭接口與錐形蓋(5)上手動插板閥(2)下端的下料管連接。
【文檔編號】C01G28/00GK204224274SQ201420717463
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月26日
【發(fā)明者】張世才, 周斌, 羅學(xué)文, 羅亮 申請人:江西海宸光電科技有限公司