新的化合物半導(dǎo)體及其用途
【專利摘要】本發(fā)明公開了可用于太陽(yáng)能電池或用作熱電材料的新型化合物半導(dǎo)體及其用途。本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體可以由如下化學(xué)式1表示：[化學(xué)式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-z-bXnQ′z，其中M為選自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一種；A為選自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一種；X為選自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一種；Q′為選自O(shè)、S和Se中的至少一種；0<x<1；0<y<1；0≤m≤1；0≤n<9；0<z≤2；0≤a≤1；0<b≤3；0<n+z+b<12。
【專利說(shuō)明】新的化合物半導(dǎo)體及其用途
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開內(nèi)容涉及一種可用于太陽(yáng)能電池或用作熱電材料的新型化合物半導(dǎo)體材料，以及該材料的制備方法和用途。
[0002]本申請(qǐng)要求在韓國(guó)于2011年5月13日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)N0.10-2011-0045348、于 2011 年 5 月 13 日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng) N0.10-2011-0045349、于2011年5月25日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)N0.10-2011-0049609和于2012年5月11日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)N0.10-2012-0050256的優(yōu)先權(quán)，這些申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用并入本說(shuō)明 書中。
【背景技術(shù)】
[0003]化合物半導(dǎo)體并非例如硅和鍺的單一元素，而是含有兩種或更多種復(fù)合元素用作半導(dǎo)體的化合物。多種化合物半導(dǎo)體已經(jīng)被開發(fā)出并使用于許多領(lǐng)域中。例如，化合物半導(dǎo)體可以用于利用Peltier效應(yīng)的熱電轉(zhuǎn)換裝置、利用光電轉(zhuǎn)換效應(yīng)的發(fā)光裝置(如發(fā)光二極管和激光二極管)或者太陽(yáng)能電池等。
[0004]在這些用途中，熱電轉(zhuǎn)換裝置可以應(yīng)用于熱電轉(zhuǎn)換發(fā)電或熱電轉(zhuǎn)換冷卻等。此處，在熱電轉(zhuǎn)換發(fā)電中，利用向熱電轉(zhuǎn)換裝置施加溫度差所產(chǎn)生的溫差電動(dòng)勢(shì)來(lái)進(jìn)行熱能向電能的轉(zhuǎn)換。
[0005]熱電轉(zhuǎn)換裝置的能量轉(zhuǎn)換效率取決于熱電轉(zhuǎn)換材料的性能指標(biāo)ZT。此處，ZT根據(jù)Seebeck系數(shù)、電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率等來(lái)確定。更詳細(xì)而言，ZT與Seebeck系數(shù)的平方和電導(dǎo)率成正比，與熱導(dǎo)率成反比。因此，為了增強(qiáng)熱電轉(zhuǎn)換裝置的能量轉(zhuǎn)換效率，需要開發(fā)出具有高Seebeck系數(shù)、高電導(dǎo)率或低熱導(dǎo)率的熱電轉(zhuǎn)換材料。
[0006]同時(shí)，太陽(yáng)能電池由于其無(wú)需太陽(yáng)光線以外的能源而具有環(huán)境友好的性質(zhì)，因此作為未來(lái)替代能源正在被積極地研究。太陽(yáng)能電池通?？梢苑诸悶?利用單一硅元素的硅太陽(yáng)能電池，利用化合物半導(dǎo)體的化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池，以及堆疊有至少兩個(gè)具有不同帶隙能的太陽(yáng)能電池的串聯(lián)太陽(yáng)能電池。
[0007]在這些太陽(yáng)能電池中，化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池在吸收太陽(yáng)光線并產(chǎn)生電子-空穴對(duì)的光吸收層中使用化合物半導(dǎo)體，并且特別可以使用II1-V族中的化合物半導(dǎo)體如GaAs、InP、GaAlAs 和 GalnAs，I1-VI 族中的化合物半導(dǎo)體如 CdS、CdTe 和 ZnS，以及由 CuInSe2表示的1-1I1-VI族中的化合物半導(dǎo)體。
[0008]太陽(yáng)能電池的光吸收層要求優(yōu)異的長(zhǎng)期電、光穩(wěn)定性和較高的光電轉(zhuǎn)換效率，并且易于通過(guò)改變組成或摻雜而對(duì)帶隙能或傳導(dǎo)率進(jìn)行控制。另外，例如生產(chǎn)成本和產(chǎn)量的條件也應(yīng)滿足實(shí)際應(yīng)用的需要。然而，許多常規(guī)的化合物半導(dǎo)體無(wú)法同時(shí)滿足所有這些條件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]技術(shù)問(wèn)題[0010]本公開內(nèi)容旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，因此，本公開內(nèi)容的目的在于提供一種新型化合物半導(dǎo)體材料、該化合物半導(dǎo)體材料的制備方法以及使用該化合物半導(dǎo)體材料的熱電轉(zhuǎn)換裝置或太陽(yáng)能電池，所述化合物半導(dǎo)體材料可以以多種方式用于熱電轉(zhuǎn)換裝置的熱電轉(zhuǎn)換材料、太陽(yáng)能電池等。
[0011]本公開內(nèi)容的其它目的和優(yōu)勢(shì)將從下面的描述中得到理解，并通過(guò)本公開內(nèi)容的實(shí)施方案而變得顯而易見(jiàn)。另外，應(yīng)該理解，本公開內(nèi)容的目的和優(yōu)勢(shì)可以通過(guò)所附權(quán)利要求書中限定的組分或其組合而加以實(shí)現(xiàn)。
[0012]技術(shù)方案
[0013]一方面，在對(duì)化合物半導(dǎo)體進(jìn)行反復(fù)研究后，本公開內(nèi)容的發(fā)明人成功地合成了由化學(xué)式I表示的化合物半導(dǎo)體，并發(fā)現(xiàn)該化合物可以用于熱電轉(zhuǎn)換裝置的熱電轉(zhuǎn)換材料或太陽(yáng)能電池的光吸收層。
[0014]化學(xué)式I
[0015]InxMyCo4_m_aAmSb12-n-z-bXnQ' z[0016]在化學(xué)式I 中，M 為選自 Ca、Sr、Ba、T1、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb 和 Lu 中的至少一種；A 為選自 Fe、N1、Ru、Rh、Pd、Ir 和Pt中的至少一種；X為選自S1、Ga、Ge和Sn中的至少一種；Q'為選自O(shè)、S和Se中的至少一種；0〈x〈l ；0<y<l ;0 ≤ m ≤ I ;0 ≤ n〈9 ；0<z ≤ 2 ;0 ≤ a ≤ I ；0<b ( 3 ;0〈n+z+b〈12。
[0017]優(yōu)選地，在化學(xué)式I中，0〈x < 0.25。
[0018]還優(yōu)選地，在化學(xué)式I中，0〈x+y ( I。
[0019]還優(yōu)選地，在化學(xué)式I中，0〈n+z〈9。
[0020]還優(yōu)選地，在化學(xué)式I中，0<n+z+b ( 9。
[0021]另一方面，本公開內(nèi)容也提供一種化合物半導(dǎo)體的制備方法，其包括:將In、Co和Sb 以及選自 Ca、Sr、Ba、T1、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及其氧化物中的至少一種和選自O(shè)、S、Se及其氧化物中的至少一種進(jìn)行混合；和熱處理在所述混合步驟中形成的混合物。
[0022]優(yōu)選地，在所述混合步驟中形成的混合物還含有選自Fe、N1、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt及其氧化物中的至少一種。
[0023]并且優(yōu)選地，在所述混合步驟中形成的混合物還含有選自S1、Ga、Ge、Sn及其氧化物中的至少一種。
[0024]并且優(yōu)選地，所述熱處理步驟在400°C至800°C下進(jìn)行。
[0025]并且優(yōu)選地，所述熱處理步驟包括至少兩個(gè)熱處理階段。
[0026]另一方面，本公開內(nèi)容還提供一種熱電轉(zhuǎn)換裝置，其包括上述化合物半導(dǎo)體。
[0027]另一方面，本公開內(nèi)容還提供一種太陽(yáng)能電池，其包括上述化合物半導(dǎo)體。
[0028]有益效果
[0029]根據(jù)本公開內(nèi)容，提供一種新型化合物半導(dǎo)體材料。
[0030]一方面，所述新型化合物半導(dǎo)體可以替代常規(guī)化合物半導(dǎo)體，或除常規(guī)化合物半導(dǎo)體外該新型化合物半導(dǎo)體也可用作另一種材料。
[0031]此外，在本公開內(nèi)容的一方面中，由于所述化合物半導(dǎo)體具有良好的熱電轉(zhuǎn)換性能，因此其可以用于熱電轉(zhuǎn)換裝置。特別是，根據(jù)本公開內(nèi)容的化合物半導(dǎo)體由于改善了熱導(dǎo)率而可以具有增大的ZT值(熱電性能指數(shù))。因此，根據(jù)本公開內(nèi)容的化合物半導(dǎo)體可以用作熱電轉(zhuǎn)換裝置的熱電轉(zhuǎn)換材料。
[0032]另外，在本公開內(nèi)容的另一方面中，所述化合物半導(dǎo)體可以用于太陽(yáng)能電池。特別是，本公開內(nèi)容的化合物半導(dǎo)體可以用作太陽(yáng)能電池的光吸收層。
[0033]此外，在本公開內(nèi)容的另一方面中，所述化合物半導(dǎo)體可以用于選擇性透過(guò)IR線的IR窗或IR傳感器、磁性裝置、存儲(chǔ)器等。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0034]參照附圖對(duì)實(shí)施方案進(jìn)行下面的描述，將使本公開內(nèi)容的其它目的和方面變得顯而易見(jiàn)，其中:
[0035]圖1為顯示了根據(jù)本公開內(nèi)容的實(shí)施例和比較例的化合物半導(dǎo)體的熱導(dǎo)率值隨溫度變化的曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述本公開內(nèi)容的優(yōu)選實(shí)施方案。在進(jìn)行描述之前，應(yīng)該理解，在本說(shuō)明書和所附權(quán)利要求書中使用的術(shù)語(yǔ)不應(yīng)解釋為限于普通及字典釋義，而應(yīng)在允許發(fā)明人定義術(shù)語(yǔ)的原則的基礎(chǔ)上，基于與本公開內(nèi)容的技術(shù)方面相對(duì)應(yīng)的含義和概念來(lái)進(jìn)行解釋。
[0037]因此，在此處所提出的描述僅為用于舉例說(shuō)明目的的優(yōu)選實(shí)施例，而并非用來(lái)限制本公開內(nèi)容的范圍，因此應(yīng)當(dāng)理解，在不背離本公開內(nèi)容的精神和范圍的情況下，可以對(duì)其做出其它的等效替換和修改。
[0038]本公開內(nèi)容提供一種由以下化學(xué)式I表示的新型化合物半導(dǎo)體。
[0039]化學(xué)式I
[0040]InxMyCo4_m_aAmSb12-n-z-bXnQ' z
[0041]在化學(xué)式I 中，M 為選自 Ca、Sr、Ba、T1、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb 和 Lu 中的至少一種；A 為選自 Fe、N1、Ru、Rh、Pd、Ir 和Pt中的至少一種；X為選自S1、Ga、Ge和Sn中的至少一種；Q'為選自O(shè)、S和Se中的至少一種。
[0042]另外，在化學(xué)式I中，0〈x〈l，0〈y〈l，0≤m≤1，0≤n〈9，0〈z≤2，0≤a≤1，0〈b ( 3，0〈n+z+b〈12。
[0043]優(yōu)選地，在化學(xué)式I中，0〈x < 0.25。
[0044]還優(yōu)選地，在化學(xué)式I中，0〈x+y ( I。
[0045]還優(yōu)選地，在化學(xué)式I中，0≤m≤0.5。
[0046]還優(yōu)選地，在化學(xué)式I中，0〈n+z〈9。
[0047]還優(yōu)選地，在化學(xué)式I中，0〈b < 0.5。
[0048]還優(yōu)選地，在化學(xué)式I中，0<n+z+b ( 9。
[0049]更優(yōu)選地，在化學(xué)式I中，0〈n+z+b〈5。
[0050]最優(yōu)選地，在化學(xué)式I中，0〈n+z+b〈3。
[0051]同時(shí)，由化學(xué)式I表示的化合物半導(dǎo)體可以部分包含第二相，且所述第二相的量可以根據(jù)熱處理?xiàng)l件而變化。
[0052]上述化合物半導(dǎo)體可以通過(guò)如下方法制備:形成含有In、Co和Sb以及選自Ca、Sr、Ba、T1、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及其氧化物中的至少一種和選自O(shè)、S、Se及其氧化物中的至少一種的混合物；和熱處理所述混合物。
[0053]優(yōu)選地，在所述混合物形成步驟中，所述混合物還可以含有選自Fe、N1、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt及其氧化物中的至少一種。
[0054]并且優(yōu)選地，在所述混合物形成步驟中，所述混合物還可以含有選自S1、Ga、Ge、Sn及其氧化物中的至少一種。
[0055]同時(shí)，在上述混合物形成步驟中使用的每種材料可以為粉末的形式，但本公開內(nèi)容并不局限于這些材料的具體形式。
[0056]并且優(yōu)選地，所述熱處理步驟可以在真空中或者部分含氫氣或不含氫氣的氣體如Ar、He和N2中進(jìn)行。
[0057]此時(shí)，熱處理溫度可以為400°C至800°C。優(yōu)選地，熱處理溫度可以為450°C至700°C。更優(yōu)選地，熱處理溫度可以為500°C至650°C。
[0058]同時(shí)，所述熱處理步驟可以包括至少兩個(gè)熱處理階段。例如，可以在第一溫度下對(duì)在混合物形成步驟中(即在混合材料的步驟中)得到的混合物進(jìn)行第一熱處理，并可以在第二溫度下對(duì)該混合物進(jìn)行第二熱處理。
[0059]此處，一些熱處理階段可以在對(duì)材料進(jìn)行混合的混合物形成步驟中進(jìn)行。
[0060]例如，所述熱處理步驟可以包括由第一熱處理階段、第二熱處理階段和第三熱處理(燒結(jié))階段組成的三個(gè)熱處理階段。另外，所述第一熱處理階段可以在400°C至600°C的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行，所述第二和第三熱處理階段可以在600°C至800°C的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。第一熱處理階段可以在混合物形成步驟中進(jìn)行，第二和第三熱處理階段可以在混合物形成步驟之后依次進(jìn)行。
[0061]根據(jù)本公開內(nèi)容的熱電轉(zhuǎn)換裝置可以包括上述化合物半導(dǎo)體。換句話說(shuō)，根據(jù)本公開內(nèi)容的化合物半導(dǎo)體可以用作熱電轉(zhuǎn)換裝置的熱電轉(zhuǎn)換材料。特別是，根據(jù)本公開內(nèi)容的化合物半導(dǎo)體具有較大的ZT值，ZT值是熱電轉(zhuǎn)換材料的性能指標(biāo)。另外，根據(jù)本公開內(nèi)容的化合物半導(dǎo)體由于熱導(dǎo)率低、Seebeck系數(shù)高和電導(dǎo)率高而具有優(yōu)異的熱電轉(zhuǎn)換性能。因此，根據(jù)本公開內(nèi)容的化合物半導(dǎo)體可以替代常規(guī)的熱電轉(zhuǎn)換材料，或除常規(guī)化合物半導(dǎo)體外該化合物半導(dǎo)體也可以用于熱電轉(zhuǎn)換裝置。
[0062]另外，根據(jù)本公開內(nèi)容的太陽(yáng)能電池可以包括上述化合物半導(dǎo)體。換句話說(shuō)，根據(jù)本公開內(nèi)容的化合物半導(dǎo)體可以用于太陽(yáng)能電池，特別是用作太陽(yáng)能電池的光吸收層。
[0063]上述太陽(yáng)能電池可以以如下結(jié)構(gòu)制造，其中:前表面透明電極、緩沖層、光吸收層、后表面電極和基底從太陽(yáng)光線入射的一側(cè)依次層合。位于最底部的基底可以由玻璃制成，在其整個(gè)表面上的后表面電極可以通過(guò)沉積金屬例如Mo來(lái)形成。
[0064]接下來(lái)，可以通過(guò)電子束沉積法、溶膠-凝膠法或PLD(脈沖激光沉積)法將根據(jù)本公開內(nèi)容的化合物半導(dǎo)體層合在所述后表面電極上，形成光吸收層。在所述光吸收層上可以存在緩沖層，其用于緩沖用作前表面透明電極的ZnO層與光吸收層之間在晶格常數(shù)和帶隙上的差異。所述緩沖層可以通過(guò)CBD (化學(xué)浴沉積)法等沉積例如CdS的材料來(lái)形成。接下來(lái)，可以通過(guò)濺射法等以ZnO膜或ZnO與ITO層合片的方式在緩沖層上形成前表面透明電極。
[0065]根據(jù)本公開內(nèi)容的太陽(yáng)能電池可以以多種方式進(jìn)行改變。例如，可以制造串聯(lián)太陽(yáng)能電池，其中使用根據(jù)本公開內(nèi)容的化合物半導(dǎo)體作為光吸收層的太陽(yáng)能電池被層疊。另外，如上所述被層疊的太陽(yáng)能電池可以采用使用硅或另一種已知化合物半導(dǎo)體的太陽(yáng)能電池。
[0066]另外，可以改變根據(jù)本公開內(nèi)容的化合物半導(dǎo)體的帶隙，并且可以層疊多個(gè)使用具有不同帶隙的化合物半導(dǎo)體作為光吸收層的太陽(yáng)能電池。根據(jù)本公開內(nèi)容的化合物半導(dǎo)體的帶隙可以通過(guò)改變化合物的組分特別是Te的組成比例來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0067]另外，根據(jù)本公開內(nèi)容的化合物半導(dǎo)體也可以應(yīng)用于選擇性透過(guò)IR線的IR窗或IR傳感器。
[0068]在下文中，將詳細(xì)地描述本公開內(nèi)容的實(shí)施方案。然而，本公開內(nèi)容的實(shí)施方案可以采取若干其它的形式，且本公開內(nèi)容的范圍不應(yīng)解釋僅限于下面的實(shí)施例。提供本公開內(nèi)容的實(shí)施方案以用于向本公開內(nèi)容所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員更加充分地解釋本公開內(nèi)容。
[0069]實(shí)施例
[0070]準(zhǔn)備0.0520g In、0.0119g Zn、0.3844g Co、0.0559g Rh、2.3167g Sb、0.1076g Sn和0.0715g Se作為試劑，并使用研缽進(jìn)行混合。將如上混合的材料放入石英管中并真空密封，然后在650°C下加熱3 6小時(shí)。升溫至650°C所用的時(shí)間為I小時(shí)30分鐘，制得Intl.25Z
n0.jCog.6Rh0.3Sb10.5Sn0.5Se0.5 ^(末。
[0071]使以上所制備的復(fù)合材料中的一部分形成直徑為10mm、厚度為1mm的圓盤。其后，采用CIP(冷等靜壓制)向該圓盤施加200MPa的壓力。接下來(lái)，將所得產(chǎn)物放入石英管中并真空燒結(jié)12小時(shí)。對(duì)于燒結(jié)后的圓盤，使用LFA457(NetZSch，Inc)在預(yù)先設(shè)定的溫度間隔下測(cè)量熱導(dǎo)率。測(cè)量結(jié)果作為實(shí)施例示于圖1中。
[0072]比較例
[0073]準(zhǔn)備In、Co和Sb作為試劑，并使用研缽進(jìn)行混合，制備顆粒形式的組成為In0.25Co4Sb12的混合物。將該混合物在H2氣(1.94%)和N2氣下于500°C加熱15小時(shí)。升溫至500°C所用的時(shí)間為I小時(shí)30分鐘。將如上混合的材料放入石英管中并真空密封，然后在650°C下加熱36小時(shí)。升溫至650°C所用的時(shí)間為I小時(shí)30分鐘，制得In0.25Co4Sb12粉末。
[0074]使以上所制備的材料中的一部分形成直徑為10mm、厚度為1mm的圓盤。其后,采用CIP向該圓盤施加200MPa的壓力。接下來(lái)，將所得產(chǎn)物放入石英管中并真空燒結(jié)12小時(shí)。對(duì)于燒結(jié)后的圓盤，使用LFA457(NetZSch，Inc)測(cè)量熱導(dǎo)率(K)。測(cè)量結(jié)果作為比較例示于圖1中。
[0075]參見(jiàn)圖1所示結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)，與根據(jù)比較例的由Intl.25Co4Sb12表示的化合物半導(dǎo)體相比，根據(jù)本公開內(nèi)容實(shí)施例的由Inc1.25Zn0.JCo3.6Rh0.3Sb10.5Sn0.5Se0.5表示的化合物半導(dǎo)體在整個(gè)溫度測(cè)量范圍內(nèi)的熱導(dǎo)率(K)都非常低。
[0076]另外，ZT值(熱電性能指數(shù))可以表示如下:
[0077]ZT= 0 S2T/ K[0078]此處，o表示電導(dǎo)率，S表示Seebeck系數(shù)，T表示溫度，k表示熱導(dǎo)率。[0079]根據(jù)本公開內(nèi)容的化合物半導(dǎo)體由于熱導(dǎo)率較低而可以具有增大的ZT值。因此，可以認(rèn)為根據(jù)本公開內(nèi)容的化合物半導(dǎo)體具有優(yōu)異的熱電轉(zhuǎn)換性能，所以非常適合于用作熱電轉(zhuǎn)換材料。
[0080]以上已經(jīng)對(duì)本公開內(nèi)容進(jìn)行了詳細(xì)的描述。然而，應(yīng)當(dāng)理解，在表明本公開內(nèi)容的優(yōu)選實(shí)施方案時(shí)所給出的詳細(xì)描述和具體實(shí)例僅用于舉例說(shuō)明，由此詳細(xì)描述，在本公開內(nèi)容的精神和范圍內(nèi)所進(jìn)行的各種變化和修改對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將變得顯而易見(jiàn)。
【權(quán)利要求】
1.一種化合物半導(dǎo)體，由以下化學(xué)式I表示: 化學(xué)式I
InxMyC〇4—m—aAmSbi2—n—z—bXnQ z 其中，在化學(xué)式 I 中，M 為選自 Ca、Sr、Ba、T1、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb 和 Lu 中的至少一種；A 為選自 Fe、N1、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一種；X為選自S1、Ga、Ge和Sn中的至少一種；Q'為選自O(shè)、S和Se中的至少一種；0<x<l ；0<y<l ;0 ≤ m≤ 1 ;0 ≤ n〈9 ；0<z ≤ 2 ;0 ≤ a ≤1；0<b ≤3 ;0〈n+z+b〈12。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體，其中，在化學(xué)式I中，0〈x≤0.25。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體，其中，在化學(xué)式I中，0〈x+y≤1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體，其中，在化學(xué)式I中，0〈n+z〈9。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體，其中，在化學(xué)式I中，0〈n+z+b≤ 9。
6.一種化合物半導(dǎo)體的制備方法，包括: 形成含有 In、Co 和 Sb 以及選自 Ca、Sr、Ba、T1、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及其氧化物中的至少一種和選自O(shè)、S、Se及其氧化物中的至少一種的混合物；和 熱處理所述混合物，從而制備權(quán)利要求1所限定的化合物半導(dǎo)體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的化合物半導(dǎo)體的制備方法，其中，所述混合物還含有選自Fe、N1、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt及其氧化物中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的化合物半導(dǎo)體的制備方法，其中，所述混合物還含有選自S1、Ga、Ge、Sn及其氧化物中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的化合物半導(dǎo)體的制備方法，其中，所述熱處理步驟在400°C至800°C下進(jìn)行。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的化合物半導(dǎo)體的制備方法，其中，所述熱處理步驟包括至少兩個(gè)熱處理階段。
11.一種熱電轉(zhuǎn)換裝置，其包括權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所限定的化合物半導(dǎo)體。
12.—種太陽(yáng)能電池，其包括權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所限定的化合物半導(dǎo)體。
【文檔編號(hào)】C01G30/00GK103534199SQ201280021382
【公開日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2012年5月11日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月13日
【發(fā)明者】樸哲凞, 金兌訓(xùn) 申請(qǐng)人:Lg化學(xué)株式會(huì)社